JPH04307728A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04307728A JPH04307728A JP7180491A JP7180491A JPH04307728A JP H04307728 A JPH04307728 A JP H04307728A JP 7180491 A JP7180491 A JP 7180491A JP 7180491 A JP7180491 A JP 7180491A JP H04307728 A JPH04307728 A JP H04307728A
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- Japan
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- substrate
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- heat treatment
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 9
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 6
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
、ウェハ接着形で、素子形成基板側にＰ形を用いたＳＯ
Ｉ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板
による半導体装置に関する。
、ウェハ接着形で、素子形成基板側にＰ形を用いたＳＯ
Ｉ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板
による半導体装置に関する。
【０００２】近年の半導体装置においてはより強い耐放
射線が要求されてきており、その要求を満足する半導体
装置としてＳＯＩ基板の研究が盛んに行なわれている。
射線が要求されてきており、その要求を満足する半導体
装置としてＳＯＩ基板の研究が盛んに行なわれている。
【０００３】
【従来の技術】図２は従来の一例の構成図を示す。同図
中、１は支持基板、２は酸化膜、３はＰ形の素子形成Ｓ
ｉ基板で、これらはいわゆるウェハ接着にて形成されて
いる。特に、素子形成Ｓｉ基板３は、ＳＯＩ基板による
半導体装置でない通常の半導体装置に用いられるＳｉ基
板（Ｐ形）（一般に、比抵抗は例えば１０Ω・ｃｍとい
うように比較的高い）を用いていた。
中、１は支持基板、２は酸化膜、３はＰ形の素子形成Ｓ
ｉ基板で、これらはいわゆるウェハ接着にて形成されて
いる。特に、素子形成Ｓｉ基板３は、ＳＯＩ基板による
半導体装置でない通常の半導体装置に用いられるＳｉ基
板（Ｐ形）（一般に、比抵抗は例えば１０Ω・ｃｍとい
うように比較的高い）を用いていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来例は、素子形成Ｓ
ｉ基板３の比抵抗が比較的高い（１０Ω・ｃｍ）ため、
基板３上にトランジスタを形成する際に、熱処理（例え
ば、Ｎ２ ガスを用いて１１００℃で２時間）を行なう
と、酸化膜２から酸素が吸引され、これにより、素子形
成Ｓｉ基板３がＰ形からＮ形に変化してしまう。図３に
示す如く、素子形成Ｓｉ基板３のキャリア濃度（例えば
深さ２．５ μｍ 付近）は、熱処理前では１×１０１
５ｃｍ−３（図３（Ａ））であった（Ｐ形）に対し、熱
処理後では３×１０１４ｃｍ−３（図３（Ｂ））程度（
アクセプタ濃度は約２×１０１５ｃｍ−３）になってし
まい、即ち、Ｎ形に変化してしまっていることがわかる
。このため、従来装置は、素子分離が困難になり、素子
特性が著しく劣化し、動作信頼性が低下する問題点があ
った。
ｉ基板３の比抵抗が比較的高い（１０Ω・ｃｍ）ため、
基板３上にトランジスタを形成する際に、熱処理（例え
ば、Ｎ２ ガスを用いて１１００℃で２時間）を行なう
と、酸化膜２から酸素が吸引され、これにより、素子形
成Ｓｉ基板３がＰ形からＮ形に変化してしまう。図３に
示す如く、素子形成Ｓｉ基板３のキャリア濃度（例えば
深さ２．５ μｍ 付近）は、熱処理前では１×１０１
５ｃｍ−３（図３（Ａ））であった（Ｐ形）に対し、熱
処理後では３×１０１４ｃｍ−３（図３（Ｂ））程度（
アクセプタ濃度は約２×１０１５ｃｍ−３）になってし
まい、即ち、Ｎ形に変化してしまっていることがわかる
。このため、従来装置は、素子分離が困難になり、素子
特性が著しく劣化し、動作信頼性が低下する問題点があ
った。
【０００５】本発明は、熱処理を行なってもＰ形素子形
成Ｓｉ基板が形変化せず、素子分離を確実に行うことが
でき、動作信頼性の高い半導体装置を提供することを目
的とする。
成Ｓｉ基板が形変化せず、素子分離を確実に行うことが
でき、動作信頼性の高い半導体装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｐ形素子形成
Ｓｉ基板を、素子形成後に行なわれる熱処理後も該Ｓｉ
基板がＰ形を維持できるような比抵抗のもので構成して
なる。
Ｓｉ基板を、素子形成後に行なわれる熱処理後も該Ｓｉ
基板がＰ形を維持できるような比抵抗のもので構成して
なる。
【０００７】
【作用】１０Ω・ｃｍの高比抵抗のＰ形素子形成Ｓｉ基
板は、トランジスタ形成の際の熱処理によって３×１０
１４ｃｍ−３（約２×１０１５ｃｍ−３のアクセプタ濃
度）になってＮ形に変化してしまう。そこで、熱処理を
行なってもＮ形に変化しないようにするには、熱処理後
でもこれ以上のキャリア濃度（例えば３×１０１５ｃｍ
−３以上）（約２×１０１５ｃｍ−３以上のアクセプタ
濃度）を保持できるＰ形素子形成Ｓｉ基板、つまり、６
Ω・ｃｍ以下の比抵抗のＰ形素子形成Ｓｉ基板を用いれ
ばよい。
板は、トランジスタ形成の際の熱処理によって３×１０
１４ｃｍ−３（約２×１０１５ｃｍ−３のアクセプタ濃
度）になってＮ形に変化してしまう。そこで、熱処理を
行なってもＮ形に変化しないようにするには、熱処理後
でもこれ以上のキャリア濃度（例えば３×１０１５ｃｍ
−３以上）（約２×１０１５ｃｍ−３以上のアクセプタ
濃度）を保持できるＰ形素子形成Ｓｉ基板、つまり、６
Ω・ｃｍ以下の比抵抗のＰ形素子形成Ｓｉ基板を用いれ
ばよい。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例の構成図を示す。同
図中、５はＰ形の支持Ｓｉ基板、６は酸化膜、７はＰ形
の素子形成Ｓｉ基板で、基板７上に形成された酸化膜６
の表面と基板５の表面とを接着されている。特に、支持
Ｓｉ基板５，素子形成Ｓｉ基板７は、１Ω・ｃｍという
ように比較的低い比抵抗に選定されている。なお、基板
５，７の面方位は１００であり、又、酸化膜６は１００
０℃でＯ２ ガスを用いたウェハ処理にて５０００Åの
厚さに形成されている。
図中、５はＰ形の支持Ｓｉ基板、６は酸化膜、７はＰ形
の素子形成Ｓｉ基板で、基板７上に形成された酸化膜６
の表面と基板５の表面とを接着されている。特に、支持
Ｓｉ基板５，素子形成Ｓｉ基板７は、１Ω・ｃｍという
ように比較的低い比抵抗に選定されている。なお、基板
５，７の面方位は１００であり、又、酸化膜６は１００
０℃でＯ２ ガスを用いたウェハ処理にて５０００Åの
厚さに形成されている。
【０００９】図３において説明した如く、１０Ω・ｃｍ
というように比較的高い比抵抗のＰ形素子形成Ｓｉ基板
３は熱処理によって３×１０１４ｃｍ−３のキャリア濃
度（約２×１０１５ｃｍ−３のアクセプタ濃度）になっ
てＮ形に変化してしまうのである故、熱処理を行なって
もＮ形に変化しないようにするには、熱処理後でもこれ
以上のキャリア濃度（例えば３×１０１５ｃｍ−３以上
）（約２×１０１５ｃｍ−３以上のアクセプタ濃度）を
保持できるＰ形素子形成Ｓｉ基板、つまり、６Ω・ｃｍ
以下の比抵抗のＰ形素子形成Ｓｉ基板を用いればよいこ
とになる。
というように比較的高い比抵抗のＰ形素子形成Ｓｉ基板
３は熱処理によって３×１０１４ｃｍ−３のキャリア濃
度（約２×１０１５ｃｍ−３のアクセプタ濃度）になっ
てＮ形に変化してしまうのである故、熱処理を行なって
もＮ形に変化しないようにするには、熱処理後でもこれ
以上のキャリア濃度（例えば３×１０１５ｃｍ−３以上
）（約２×１０１５ｃｍ−３以上のアクセプタ濃度）を
保持できるＰ形素子形成Ｓｉ基板、つまり、６Ω・ｃｍ
以下の比抵抗のＰ形素子形成Ｓｉ基板を用いればよいこ
とになる。
【００１０】そこで、本発明では、前記のようにＰ形素
子形成Ｓｉ基板７に１Ω・ｃｍというように低い比抵抗
のものを用いる。これにより、素子形成Ｓｉ基板７上に
トランジスタを形成する際に熱処理（例えば、Ｎ２ ガ
スを用いて１１００℃で２時間）を行なっても、Ｐ形素
子形成Ｓｉ基板７はＮ形に変化することはなく、Ｐ形を
保持でき、従って、素子分離を確実に行ない得、動作信
頼性を向上できる。
子形成Ｓｉ基板７に１Ω・ｃｍというように低い比抵抗
のものを用いる。これにより、素子形成Ｓｉ基板７上に
トランジスタを形成する際に熱処理（例えば、Ｎ２ ガ
スを用いて１１００℃で２時間）を行なっても、Ｐ形素
子形成Ｓｉ基板７はＮ形に変化することはなく、Ｐ形を
保持でき、従って、素子分離を確実に行ない得、動作信
頼性を向上できる。
【００１１】なお、Ｐ形素子形成Ｓｉ基板として比抵抗
１Ω・ｃｍのものを用いたが、本発明はこれに限定され
るものではなく、６Ω・ｃｍ以下の比抵抗のものであれ
ばよい。
１Ω・ｃｍのものを用いたが、本発明はこれに限定され
るものではなく、６Ω・ｃｍ以下の比抵抗のものであれ
ばよい。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、Ｐ形素子形成Ｓｉ基板
に、素子形成後に行なわれる熱処理も該Ｓｉ基板がＰ形
を維持できるような比抵抗のものを用いているので、熱
処理でもＰ形を保持でき、従って、素子分離を確実に行
ない得、動作信頼性を向上できる。
に、素子形成後に行なわれる熱処理も該Ｓｉ基板がＰ形
を維持できるような比抵抗のものを用いているので、熱
処理でもＰ形を保持でき、従って、素子分離を確実に行
ない得、動作信頼性を向上できる。
【図１】本発明の一実施例の構成図である。
【図２】従来の一例の構成図である。
【図３】従来例の問題点を説明するキャリア濃度特性図
である。
である。
５ 支持Ｓｉ基板
６ 酸化膜
７ Ｐ形素子形成Ｓｉ基板
Claims (1)
- 【請求項１】 素子形成Ｓｉ基板（７）にＰ形を用い
たＳＯＩ基板構造をもつ半導体装置において、上記素子
形成Ｓｉ基板（７）を、素子形成時に行なわれる熱処理
後も該Ｓｉ基板がＰ形を維持できるような比抵抗のもの
で構成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7180491A JPH04307728A (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7180491A JPH04307728A (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04307728A true JPH04307728A (ja) | 1992-10-29 |
Family
ID=13471123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7180491A Withdrawn JPH04307728A (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04307728A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100744975B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2007-08-02 | 히로세덴끼 가부시끼가이샤 | 다극 커넥터 |
-
1991
- 1991-04-04 JP JP7180491A patent/JPH04307728A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100744975B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2007-08-02 | 히로세덴끼 가부시끼가이샤 | 다극 커넥터 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |