JPH04306883A - 透明樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
透明樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH04306883A JPH04306883A JP3070198A JP7019891A JPH04306883A JP H04306883 A JPH04306883 A JP H04306883A JP 3070198 A JP3070198 A JP 3070198A JP 7019891 A JP7019891 A JP 7019891A JP H04306883 A JPH04306883 A JP H04306883A
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- Japan
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- light
- transparent resin
- semiconductor device
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- Pending
Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は紫外光から赤外光まで
の広い領域にわたって光感度を有する受光素子を３００
ｎｍ 以上の領域の波長の光を透過する透明樹脂で封止
してなる透明樹脂封止型半導体装置（以下単に半導体装
置という）に関するものである。
の広い領域にわたって光感度を有する受光素子を３００
ｎｍ 以上の領域の波長の光を透過する透明樹脂で封止
してなる透明樹脂封止型半導体装置（以下単に半導体装
置という）に関するものである。
【０００２】
【従来技術】図２は、従来の半導体装置の構成を示した
もので、図において、符号１は受光素子、２は受光素子
１を搭載したリードフレーム、３は受光素子１とリード
フレーム２とを電気的に接合する接続線、４はこれらを
封止するビスフェノールＡ型エポキシと酸無水物硬化剤
とを主成分とする透明樹脂、そして、符号５はリン酸ガ
ラスに銅化合物を混合してなる赤外光カットフィルター
板である。
もので、図において、符号１は受光素子、２は受光素子
１を搭載したリードフレーム、３は受光素子１とリード
フレーム２とを電気的に接合する接続線、４はこれらを
封止するビスフェノールＡ型エポキシと酸無水物硬化剤
とを主成分とする透明樹脂、そして、符号５はリン酸ガ
ラスに銅化合物を混合してなる赤外光カットフィルター
板である。
【０００３】次に、上記構成の半導体装置の動作につい
て説明する。この半導体装置に入射する入射光は、赤外
光カットフィルター板５と透明樹脂４内をこの順に透過
して受光素子１に到達する。そして、受光素子１に到達
した光情報を受けて、半導体装置が機能する。
て説明する。この半導体装置に入射する入射光は、赤外
光カットフィルター板５と透明樹脂４内をこの順に透過
して受光素子１に到達する。そして、受光素子１に到達
した光情報を受けて、半導体装置が機能する。
【０００４】このとき、受光素子１は約５５０ｎｍ の
波長の光に感度ピークを有し、約３００ｎｍ ないし７
００ｎｍ の波長の光を感じる人間の目の働きをする可
視光センサーとして動作するが、かかる場合の受光素子
１には、通常、シリコンフォトダイオードが使用され、
この光感度を有する領域は紫外光から赤外光までの広範
囲にわたる。
波長の光に感度ピークを有し、約３００ｎｍ ないし７
００ｎｍ の波長の光を感じる人間の目の働きをする可
視光センサーとして動作するが、かかる場合の受光素子
１には、通常、シリコンフォトダイオードが使用され、
この光感度を有する領域は紫外光から赤外光までの広範
囲にわたる。
【０００５】また、透明樹脂４は図３に示すように、３
００ｎｍ 以上の波長の光を透過するため赤外光カット
フィルター板５がないと、受光素子１は３００ｎｍ 以
上の領域で光感度を有することになる。そこで、図５に
示す特性の赤外光カットフィルター板５を図２に図示す
るように透明樹脂４の上に取り付けることにより、受光
素子１に到達する入射光の波長範囲を制限して可視光領
域の光のみを透過させている。
００ｎｍ 以上の波長の光を透過するため赤外光カット
フィルター板５がないと、受光素子１は３００ｎｍ 以
上の領域で光感度を有することになる。そこで、図５に
示す特性の赤外光カットフィルター板５を図２に図示す
るように透明樹脂４の上に取り付けることにより、受光
素子１に到達する入射光の波長範囲を制限して可視光領
域の光のみを透過させている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記のような従来の半
導体装置では、比視感度領域以外の入射光の影響を受け
て誤作動する場合もあるため、赤外領域の入射光が受光
素子に到達しないように阻止する必要があり、そのため
の赤外光カットフィルター板を取り付けなければならな
いという課題があった。また、赤外光カットフィルター
板を取り付けることにより装置の大型化が避けられない
だけでなく、製作コストが嵩むという課題もあった。
導体装置では、比視感度領域以外の入射光の影響を受け
て誤作動する場合もあるため、赤外領域の入射光が受光
素子に到達しないように阻止する必要があり、そのため
の赤外光カットフィルター板を取り付けなければならな
いという課題があった。また、赤外光カットフィルター
板を取り付けることにより装置の大型化が避けられない
だけでなく、製作コストが嵩むという課題もあった。
【０００７】この発明は、このような前記従来の課題を
解決するためになされたもので、赤外光カットフィルタ
ー板を不要とすることにより、小型化および製作コスト
の低減化を可能にした半導体装置を提供することを目的
とする。
解決するためになされたもので、赤外光カットフィルタ
ー板を不要とすることにより、小型化および製作コスト
の低減化を可能にした半導体装置を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
装置は、受光素子の上面に赤外光カットフィルター膜を
所定厚に形成したものである。
装置は、受光素子の上面に赤外光カットフィルター膜を
所定厚に形成したものである。
【０００９】
【作 用】この発明における半導体装置は、受光素子
の上面に赤外光カットフィルター膜を所定厚に形成する
ことにより、従来の赤外光カットフィルター板を省略す
ることができ、その結果として従来の透明樹脂寸法のま
まで封止することができ、装置の小型化および製作コス
トの低減化が可能になる。
の上面に赤外光カットフィルター膜を所定厚に形成する
ことにより、従来の赤外光カットフィルター板を省略す
ることができ、その結果として従来の透明樹脂寸法のま
まで封止することができ、装置の小型化および製作コス
トの低減化が可能になる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を示す。図１はこ
の発明にかかる半導体装置を示したもので、図２と同一
部分は同一符号を付してその説明を省略する。符号６は
赤外光カットフィルター膜であり、受光素子１（たとえ
ばシリコンフォトダイオード）の上面に厚さ１０μｍ以
下の膜状に形成されている。
の発明にかかる半導体装置を示したもので、図２と同一
部分は同一符号を付してその説明を省略する。符号６は
赤外光カットフィルター膜であり、受光素子１（たとえ
ばシリコンフォトダイオード）の上面に厚さ１０μｍ以
下の膜状に形成されている。
【００１１】このような構成において、次にこの発明に
かかる半導体装置の動作について説明する。半導体装置
に入射した入射光は、透明樹脂４および赤外光カットフ
ィルター膜６を順に透過して受光素子１に到達する。そ
の際、透明樹脂４によって３００ｎｍ 以下の領域の波
長の光はカットされ、また、赤外光が赤外光カットフィ
ルター膜６によってカットされ、よって、受光素子１に
到達する入射光は制限され、可視光領域の光のみが受光
素子１に到達する。
かかる半導体装置の動作について説明する。半導体装置
に入射した入射光は、透明樹脂４および赤外光カットフ
ィルター膜６を順に透過して受光素子１に到達する。そ
の際、透明樹脂４によって３００ｎｍ 以下の領域の波
長の光はカットされ、また、赤外光が赤外光カットフィ
ルター膜６によってカットされ、よって、受光素子１に
到達する入射光は制限され、可視光領域の光のみが受光
素子１に到達する。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したとおりこの発明にかかる半
導体装置は、受光素子の上面に赤外光カットフィルター
膜が所定厚に形成されているため、従来の透明樹脂寸法
のままで透明樹脂による封止を行うことができ、よって
、装置の小型化および製造コストの低減化、さらに製造
期間の短縮化が図れるという効果を有する。
導体装置は、受光素子の上面に赤外光カットフィルター
膜が所定厚に形成されているため、従来の透明樹脂寸法
のままで透明樹脂による封止を行うことができ、よって
、装置の小型化および製造コストの低減化、さらに製造
期間の短縮化が図れるという効果を有する。
【図１】この発明にかかる半導体装置の一実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】この発明にかかる半導体装置の従来例を示す半
導体装置の断面図である。
導体装置の断面図である。
【図３】封止用透明樹脂の波長と透過率との関係を示す
図である。
図である。
【図４】この発明にかかる半導体装置の従来例を示す断
面図である。
面図である。
【図５】赤外光カットフィルター板の波長と透過率との
関係を示す図である。
関係を示す図である。
１ 受光素子
４ 透明樹脂
６ 赤外光カットフィルター膜
Claims (1)
- 【請求項１】 紫外光から赤外光までの領域に光感度
を有する受光素子を、３００ｎｍ 以上の領域の波長の
光を透過する透明樹脂で封止してなる透明樹脂封止型半
導体装置において、前記受光素子の上面に赤外光カット
フィルター膜を所定厚に形成したことを特徴とする透明
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070198A JPH04306883A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 透明樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070198A JPH04306883A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 透明樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306883A true JPH04306883A (ja) | 1992-10-29 |
Family
ID=13424579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3070198A Pending JPH04306883A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 透明樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04306883A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013168512A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Seiko Instruments Inc | 光検出デバイス及び光検出デバイスの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5436039A (en) * | 1977-08-25 | 1979-03-16 | Kubota Ltd | Flexible segment |
| JPS61176166A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | Canon Inc | 光半導体装置 |
| JPS62138773A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-22 | Nec Corp | 目標追尾装置 |
-
1991
- 1991-04-03 JP JP3070198A patent/JPH04306883A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5436039A (en) * | 1977-08-25 | 1979-03-16 | Kubota Ltd | Flexible segment |
| JPS61176166A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | Canon Inc | 光半導体装置 |
| JPS62138773A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-22 | Nec Corp | 目標追尾装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013168512A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Seiko Instruments Inc | 光検出デバイス及び光検出デバイスの製造方法 |
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