JPH0430324A - 磁気ディスク基板の製法 - Google Patents
磁気ディスク基板の製法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、磁気ティスフ装置に用いられる磁気ディス
クの基板を製造する方法に関し、アルミニウム陽極酸化
被膜の微細孔に非磁性金属を充填したのち、この表面を
エツチングして、非磁性金属を表面から突出させて、微
小凹凸を形成させる際、前記エツチングの前または後に
アルミニウム中に含まれる異物や析出物をフッ素系化合
物を用いて除去することによって、微小凹凸面から突出
する突起を除去するようにしたものである。
クの基板を製造する方法に関し、アルミニウム陽極酸化
被膜の微細孔に非磁性金属を充填したのち、この表面を
エツチングして、非磁性金属を表面から突出させて、微
小凹凸を形成させる際、前記エツチングの前または後に
アルミニウム中に含まれる異物や析出物をフッ素系化合
物を用いて除去することによって、微小凹凸面から突出
する突起を除去するようにしたものである。
磁気ディスクの製法の一つに、特開平1−165025
号公報に開示されたものかある。
号公報に開示されたものかある。
この方法は、第5図に示すようにアルミニウムやアルミ
ニウム合金などの基板1に陽極酸化処理を施し、その表
面に無数の微細孔2・・・が形成されたアルミニウム陽
極酸化被膜3を形成する。ついで、この基板1のアルミ
ニウム陽極酸化被膜3の微細孔2・に第6図に示すよう
に、銅、スズ、亜鉛などの非磁性金属4を電解処理して
析出充填させる。次に、この陽極酸化被膜3を表面を軽
く研磨したのち、酸化アルミニウムからなる陽極酸化被
膜3のみをリン酸・クロム酸混合液または水酸化ナトリ
ウム水溶液などによってエツチング処理して除去する。
ニウム合金などの基板1に陽極酸化処理を施し、その表
面に無数の微細孔2・・・が形成されたアルミニウム陽
極酸化被膜3を形成する。ついで、この基板1のアルミ
ニウム陽極酸化被膜3の微細孔2・に第6図に示すよう
に、銅、スズ、亜鉛などの非磁性金属4を電解処理して
析出充填させる。次に、この陽極酸化被膜3を表面を軽
く研磨したのち、酸化アルミニウムからなる陽極酸化被
膜3のみをリン酸・クロム酸混合液または水酸化ナトリ
ウム水溶液などによってエツチング処理して除去する。
これにより、第7図に示すように、針状の非磁性金属4
が陽極酸化被膜3表面から突出した状態となり、基板表
面に二次元の微小凹凸が形成される。
が陽極酸化被膜3表面から突出した状態となり、基板表
面に二次元の微小凹凸が形成される。
ついて、このようにして得られた磁気ディスク基板上ニ
、スバ、夕、メツキなどの周知方法により磁性薄膜から
なる磁気記録層を形成することによって、磁気ディスク
が得られる。
、スバ、夕、メツキなどの周知方法により磁性薄膜から
なる磁気記録層を形成することによって、磁気ディスク
が得られる。
このようにして製造された磁気ディスクにあっでは、表
面の磁気記録層が下地の微小凹凸によって、同様の微小
凹凸を有するものになるため、磁気ヘットと磁気ディス
クとの吸着が発生せず、摺動特性が良好で、コンタクト
スタート・ストップ(CSS)特性も秀れたものとなる
利点かある。
面の磁気記録層が下地の微小凹凸によって、同様の微小
凹凸を有するものになるため、磁気ヘットと磁気ディス
クとの吸着が発生せず、摺動特性が良好で、コンタクト
スタート・ストップ(CSS)特性も秀れたものとなる
利点かある。
ところが、この製法においては、基板をなすアルミニウ
ムやアルミニウム合金中には、その製造の際に、不可避
的に微量の異物や析出物が混在し、これら異物や析出物
が基板表面に存在すると、これがそのまま陽極酸化被膜
中に残り、これが第8図に示すように磁気ディスク基板
表面に突起状物5として表れることになる。このため、
針状の非磁性金属4による微小凹凸表面の均一性が乱さ
れ、磁気ヘッドの安定浮上を妨げる欠点がある。そして
、前記異物や析出物は、アルミニウムやアルミニウム合
金中のシリコン単体、酸化ケイ素、M g 2S l
、 A ff3F 63などであることが判明した。
ムやアルミニウム合金中には、その製造の際に、不可避
的に微量の異物や析出物が混在し、これら異物や析出物
が基板表面に存在すると、これがそのまま陽極酸化被膜
中に残り、これが第8図に示すように磁気ディスク基板
表面に突起状物5として表れることになる。このため、
針状の非磁性金属4による微小凹凸表面の均一性が乱さ
れ、磁気ヘッドの安定浮上を妨げる欠点がある。そして
、前記異物や析出物は、アルミニウムやアルミニウム合
金中のシリコン単体、酸化ケイ素、M g 2S l
、 A ff3F 63などであることが判明した。
よって、この発明での課題は、磁気ディスク基板表面に
表れる突起状物を取り除き、微小凹凸を乱す大きな突起
か存在しない磁気ディスク基板を得ることのできる製法
を提供することにある。
表れる突起状物を取り除き、微小凹凸を乱す大きな突起
か存在しない磁気ディスク基板を得ることのできる製法
を提供することにある。
かかる課題は、アルミニウム陽極酸化被膜の工。
チングの前もしくは後に、フッ素系化合物を用いてエツ
チングすることで解決される。
チングすることで解決される。
このフッ素系化合物によるエツチングには、フ。
酸液やフッ酸硝酸混液によるウェットエツチングおよび
フッ化炭素系ガスによるドライエツチングの両方が採用
される。
フッ化炭素系ガスによるドライエツチングの両方が採用
される。
以下、この発明の詳細な説明する。
この発明の製法における基板としては、純アルミニウム
、4Mg−96ACなどのアルミニウム合金などからな
るものが用いられる。
、4Mg−96ACなどのアルミニウム合金などからな
るものが用いられる。
この基板の表面は、まず周知方法によって陽極酸化処理
が施され、アルミニウム陽極酸化被膜が形成される。つ
いて、このアルミニウム陽極酸化被膜の微細孔に、銅、
スズ、亜鉛なとの非磁性金属を充填する。この充填には
、これら金属の塩溶液を電解浴とする電解メツキ処理に
よって行われる。
が施され、アルミニウム陽極酸化被膜が形成される。つ
いて、このアルミニウム陽極酸化被膜の微細孔に、銅、
スズ、亜鉛なとの非磁性金属を充填する。この充填には
、これら金属の塩溶液を電解浴とする電解メツキ処理に
よって行われる。
ついて、この非磁性金属か充填されたアルミニウム陽極
酸化被膜は、その表面全面をアルミナ砥粒なとを用いて
研磨して、第1図に示すような基板を得る。第1図にお
いて、符号11は基板、12はアルミニウム陽極酸化被
膜、13は微細孔、14は非磁性金属である。また、符
号15は、アルミニウム陽極酸化被膜12に残る異物ま
たは析出物である。
酸化被膜は、その表面全面をアルミナ砥粒なとを用いて
研磨して、第1図に示すような基板を得る。第1図にお
いて、符号11は基板、12はアルミニウム陽極酸化被
膜、13は微細孔、14は非磁性金属である。また、符
号15は、アルミニウム陽極酸化被膜12に残る異物ま
たは析出物である。
次に、この状態の基板の表面をリン酸・クロム酸混合液
または水酸化ナトリウム水溶液なとのエッチャントを用
い、酸化アルミニウムのみを選択的にエツチングして、
微細孔13・・に充填された非磁性金属14・・を表面
から針状に突出せて、微小F凸を形成する。この際、第
2図に示すように、表面には異物または析出物による突
起状物16が形成される。
または水酸化ナトリウム水溶液なとのエッチャントを用
い、酸化アルミニウムのみを選択的にエツチングして、
微細孔13・・に充填された非磁性金属14・・を表面
から針状に突出せて、微小F凸を形成する。この際、第
2図に示すように、表面には異物または析出物による突
起状物16が形成される。
こののち、フッ酸単独あるいはフッ酸と硝酸との混合液
からなるエッチャントを用いて、微小凹凸か形成された
表面をエツチング処理する。前記エッチャント中のフッ
酸の濃度は0.05〜5重量%程度か好ましく、具体的
には、前記エッチャントに基板を常温て10〜100秒
間程浸漬する方法か用いられる。このエツチング処理に
より、第3図に示すように、微小凹凸が形成された表面
に残存する析出物や異物による突起状物16が溶解除去
されるが、非磁性金属14・・・はエツチングされず、
微小凹凸はそのまま残ることになる。
からなるエッチャントを用いて、微小凹凸か形成された
表面をエツチング処理する。前記エッチャント中のフッ
酸の濃度は0.05〜5重量%程度か好ましく、具体的
には、前記エッチャントに基板を常温て10〜100秒
間程浸漬する方法か用いられる。このエツチング処理に
より、第3図に示すように、微小凹凸が形成された表面
に残存する析出物や異物による突起状物16が溶解除去
されるが、非磁性金属14・・・はエツチングされず、
微小凹凸はそのまま残ることになる。
かくして、第3図に示すように、析出物や異物による突
起状物16が取り除かれた磁気ディスク基板は、常法に
よりその表面に磁気記録層が形成されて磁気ディスクと
される。
起状物16が取り除かれた磁気ディスク基板は、常法に
よりその表面に磁気記録層が形成されて磁気ディスクと
される。
また、第4図に示すように、エツチング時間を調整して
突起状物16の一部だけを溶解除去して突起にならない
程度におさめることもできる。
突起状物16の一部だけを溶解除去して突起にならない
程度におさめることもできる。
本発明では、また前記突起状物の除去に、フッ化炭素系
ガスを用いたトライエツチングを用いることかてきる。
ガスを用いたトライエツチングを用いることかてきる。
ここてのフッ化炭素系ガスとじては、CF、、C5F、
、C4F、、C(12,F、などやこれと酸素との混合
ガスか用いられ、具体的にはプラズマエツチング、励起
がスエ、チング、リアクティブイオンエツチングなどの
手法が用いられる。
、C4F、、C(12,F、などやこれと酸素との混合
ガスか用いられ、具体的にはプラズマエツチング、励起
がスエ、チング、リアクティブイオンエツチングなどの
手法が用いられる。
また、この操作の際、突起状物の大きさが、アルミニウ
ム陽極酸化被膜の全厚さまたはそれ以上に相当する場合
は、突起状物の全体を除去すると、アルミニウム陽極酸
化被膜の一部分に、その下層のアルミニウム単体または
アルミニウム基合金が露出するので、その部分の防食の
ため、クロメート処理を行うことが好適である。
ム陽極酸化被膜の全厚さまたはそれ以上に相当する場合
は、突起状物の全体を除去すると、アルミニウム陽極酸
化被膜の一部分に、その下層のアルミニウム単体または
アルミニウム基合金が露出するので、その部分の防食の
ため、クロメート処理を行うことが好適である。
さらに、本発明の製法においては、突起状物の除去のた
めのエツチングを、微小凹凸表面を形成する前の状態、
すなわち第1図に示した状態の基板で適用することもで
きる。この状態でのエツチングでは、異物または析出物
15の一部が表面に露出している必要がある。
めのエツチングを、微小凹凸表面を形成する前の状態、
すなわち第1図に示した状態の基板で適用することもで
きる。この状態でのエツチングでは、異物または析出物
15の一部が表面に露出している必要がある。
このような磁気ディスク基板の製法にあっては、析出物
や異物による突起状物が完全に取り除かれ、微小凹凸か
ら突出する突起がなくなり、磁気へ。
や異物による突起状物が完全に取り除かれ、微小凹凸か
ら突出する突起がなくなり、磁気へ。
ドの安定な浮上か確保される。
以下、具体例を示して、作用効果を明確にする。
(実施例1)
4%Mg−96%AQ合金からなる基板を、4重量%の
蓚酸水溶液中て直流電圧50Vて陽極酸化処理を施し、
厚さ約8μmのアルミニウム陽極酸化被膜を形成した。
蓚酸水溶液中て直流電圧50Vて陽極酸化処理を施し、
厚さ約8μmのアルミニウム陽極酸化被膜を形成した。
このアルミニウム陽極酸化被膜の微細孔を拡大処理し、
さらにバリヤ層調整を行ったのち、硫酸銅水溶液中で電
解処理して、銅を微細孔中に充填した。
さらにバリヤ層調整を行ったのち、硫酸銅水溶液中で電
解処理して、銅を微細孔中に充填した。
ついで、このものの表面をアルミナ砥粒を用いて研磨し
、アルミニウム陽極酸化被膜の厚さを約4μmとした。
、アルミニウム陽極酸化被膜の厚さを約4μmとした。
次に、この研磨表面を5重量%リン酸と2重量%クロム
酸の混合液でエツチング処理して、針状の銅を約20n
m突出させて微小凹凸を形成した。
酸の混合液でエツチング処理して、針状の銅を約20n
m突出させて微小凹凸を形成した。
ついて、フッ酸と硝酸とを7:3の容量比で混合した混
酸を水で100倍に希釈したエッチャントを用意し、こ
のエッチャントに前記基板を20°Cて30秒間侵〆責
してエツチングを行った。
酸を水で100倍に希釈したエッチャントを用意し、こ
のエッチャントに前記基板を20°Cて30秒間侵〆責
してエツチングを行った。
このようにして得られた基板表面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、表面には異物や晶析物による突起状物
は溶解されてな(なっていた。
観察したところ、表面には異物や晶析物による突起状物
は溶解されてな(なっていた。
この磁気ディスク基板の表面に、クロム200nm、フ
ハルト・ニッケル・クロム60 nm、カーホン30n
mを順次スパッタして成膜し、磁気ディスクとした。こ
の磁気ディスクの表面は、微小凹凸面から突出する大き
な突起は全く認められなかった。
ハルト・ニッケル・クロム60 nm、カーホン30n
mを順次スパッタして成膜し、磁気ディスクとした。こ
の磁気ディスクの表面は、微小凹凸面から突出する大き
な突起は全く認められなかった。
(実施例2)
実施例1と同様にして、基板表面のアルミニウム陽極酸
化被膜に銅を約20nm突出させて微小凹凸を形成した
。
化被膜に銅を約20nm突出させて微小凹凸を形成した
。
この基板をCF、ガスを用いたプラズマエツチング法に
より晶析物、異物をドライエツチングして取り除いた。
より晶析物、異物をドライエツチングして取り除いた。
このものに、実施例1と同様の成膜を施し、磁気ディス
クとした。この磁気ディスクの表面は、同様に微小凹凸
面から突出する大きな突起は全く認められなかった。
クとした。この磁気ディスクの表面は、同様に微小凹凸
面から突出する大きな突起は全く認められなかった。
(比較例)
実施例1と同様にして、基板表面のアルミニウム陽極酸
化被膜に銅を約20nm突出させて微小凹凸を形成した
。
化被膜に銅を約20nm突出させて微小凹凸を形成した
。
この基板の表面に、実施例1と同様の成膜を施し、磁気
ディスクとした。
ディスクとした。
この磁気ディスクの表面を同様に走査型電子顕微鏡で観
察したところ、微小凹凸以外に最大約1100nの突起
が多数認められた。
察したところ、微小凹凸以外に最大約1100nの突起
が多数認められた。
以上説明したように、この発明の磁気ディスク基板の製
法は、アルミニウム陽極酸化被膜の微細孔に非磁性金属
を充填したのち、このアルミニウム陽極酸化被膜をエツ
チングする前もしくは後にフッ素系化合物を用いて工/
チングするものであるので、アルミニウムやアルミニウ
ム合金に存在する異物や晶析物による突起状物が取り除
かれ、均一な微小凹凸が形成された磁気ディスク基板を
製造することができる。
法は、アルミニウム陽極酸化被膜の微細孔に非磁性金属
を充填したのち、このアルミニウム陽極酸化被膜をエツ
チングする前もしくは後にフッ素系化合物を用いて工/
チングするものであるので、アルミニウムやアルミニウ
ム合金に存在する異物や晶析物による突起状物が取り除
かれ、均一な微小凹凸が形成された磁気ディスク基板を
製造することができる。
第1図ないし第4図は、この発明の製法の例を工程順に
示した概略断面図、 第5図ないし第8図は、従来の製法を工程順に示した概
略断面図である。 ■・・・基板、 2・・・・・・アルミニウム陽極酸化被膜、3・・・・
・微細孔、 4・・・・・・非磁性金属、 5・・・・・異物。
示した概略断面図、 第5図ないし第8図は、従来の製法を工程順に示した概
略断面図である。 ■・・・基板、 2・・・・・・アルミニウム陽極酸化被膜、3・・・・
・微細孔、 4・・・・・・非磁性金属、 5・・・・・異物。
Claims (2)
- (1)(イ)アルミニウム陽極酸化被膜が設けられた基
板の該陽極酸化被膜の微細孔中に非磁性金属を充填する
工程と、 (ロ)ついで、この陽極酸化被膜の表面の酸化アルミニ
ウムをエッチングして、充填された非磁性金属を表面か
ら突出させる工程を有する磁気ディスク基板の製法にお
いて、 前記(ロ)工程の前また後に、フッ酸液またはフッ酸、
硝酸混液を用いて陽極酸化被膜表面をエッチングするこ
とを特徴とする磁気ディスク基板の製法。 - (2)(イ)アルミニウム陽極酸化被膜が設けられた基
板の該陽極酸化被膜の微細孔中に非磁性金属を充填する
工程と、 (ロ)ついで、この陽極酸化被膜の表面の酸化アルミニ
ウムをエッチングして、充填された非磁性金属を表面か
ら突出させる工程を有する磁気ディスク基板の製法にお
いて、 前記(ロ)工程の前また後に、フッ化炭素系ガスを用い
たドライエッチングによって陽極酸化被膜表面をエッチ
ングすることを特徴とする磁気ディスク基板の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13676490A JPH0430324A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 磁気ディスク基板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13676490A JPH0430324A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 磁気ディスク基板の製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0430324A true JPH0430324A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15182964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13676490A Pending JPH0430324A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 磁気ディスク基板の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0430324A (ja) |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP13676490A patent/JPH0430324A/ja active Pending
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