JPH04292815A - ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
ビスマス系酸化物超電導体の製造方法Info
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N60/01—Manufacture or treatment
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
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- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/775—High tc, above 30 k, superconducting material
- Y10S505/776—Containing transition metal oxide with rare earth or alkaline earth
- Y10S505/783—Thallium-, e.g. Tl2CaBaCu308
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ビスマス系酸化物超
電導体の製造方法に関するもので、特に、ビスマス系酸
化物超電導体の原料粉末を成形するために加えられる有
機ビヒクルを除去する方法に関するものである。
電導体の製造方法に関するもので、特に、ビスマス系酸
化物超電導体の原料粉末を成形するために加えられる有
機ビヒクルを除去する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、より高い臨界温度を示す超電導材
料として、セラミック系のもの、すなわち酸化物超電導
材料が注目されている。たとえば、ビスマス系酸化物超
電導材料は、110K程度の高い臨界温度を有すること
から、その実用化が期待されている。
料として、セラミック系のもの、すなわち酸化物超電導
材料が注目されている。たとえば、ビスマス系酸化物超
電導材料は、110K程度の高い臨界温度を有すること
から、その実用化が期待されている。
【0003】ビスマス系酸化物超電導体には、臨界温度
が110Kのものと臨界温度が80Kおよび10Kのも
のとがあることが知られている。また、ビスマス系酸化
物超電導体において、110K相は、Bi−Sr−Ca
−CuまたはBiの一部をPbで置換した(Bi,Pb
)−Sr−Ca−Cuの組成における2223組成を有
しており、他方、80K相は、同組成における2212
組成を有していることが知られている。したがって、ビ
スマス系酸化物超電導体の製造に当たっては、上述の2
223組成を有する2223相ができるだけ多量に生成
されるようにすることが望ましい。
が110Kのものと臨界温度が80Kおよび10Kのも
のとがあることが知られている。また、ビスマス系酸化
物超電導体において、110K相は、Bi−Sr−Ca
−CuまたはBiの一部をPbで置換した(Bi,Pb
)−Sr−Ca−Cuの組成における2223組成を有
しており、他方、80K相は、同組成における2212
組成を有していることが知られている。したがって、ビ
スマス系酸化物超電導体の製造に当たっては、上述の2
223組成を有する2223相ができるだけ多量に生成
されるようにすることが望ましい。
【0004】また、酸化物超電導体を製造する方法にお
いて、酸化物超電導体の原料粉末を金属シース等によっ
て金属被覆した状態で、塑性加工および熱処理を施すこ
とにより、金属被覆された原料を超電導体化する方法が
ある。この方法は、たとえば長尺の超電導線材を製造す
るとき、有利に適用される。
いて、酸化物超電導体の原料粉末を金属シース等によっ
て金属被覆した状態で、塑性加工および熱処理を施すこ
とにより、金属被覆された原料を超電導体化する方法が
ある。この方法は、たとえば長尺の超電導線材を製造す
るとき、有利に適用される。
【0005】上述したように、長尺の超電導線材を製造
するときには、たとえばパイプ状の金属シースが用いら
れる。このとき、金属シース内に原料粉末を充填するこ
とを容易にするため、原料粉末に有機ビヒクルを加えて
、たとえばビレット状に成形される。このように成形さ
れた原料は、金属シースによって被覆された状態で、以
後の工程で熱処理されるが、もし有機ビヒクルが残留し
ていると、熱処理においてガスを発生し、このガスによ
って金属シースが膨らむことがある。金属シースの膨ら
みは、その内部の酸化物超電導体に悪影響を及ぼし、酸
化物超電導体の長手方向に関して特性の不均一を招くこ
とがある。また、残留している有機ビヒクルが超電導相
の生成のさまたげとなる。そのため、成形された原料を
金属シースに挿入する前に、有機ビヒクルは除去されな
ければならない。
するときには、たとえばパイプ状の金属シースが用いら
れる。このとき、金属シース内に原料粉末を充填するこ
とを容易にするため、原料粉末に有機ビヒクルを加えて
、たとえばビレット状に成形される。このように成形さ
れた原料は、金属シースによって被覆された状態で、以
後の工程で熱処理されるが、もし有機ビヒクルが残留し
ていると、熱処理においてガスを発生し、このガスによ
って金属シースが膨らむことがある。金属シースの膨ら
みは、その内部の酸化物超電導体に悪影響を及ぼし、酸
化物超電導体の長手方向に関して特性の不均一を招くこ
とがある。また、残留している有機ビヒクルが超電導相
の生成のさまたげとなる。そのため、成形された原料を
金属シースに挿入する前に、有機ビヒクルは除去されな
ければならない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】有機ビヒクルの除去の
ためには、通常、成形された原料を熱処理することが行
なわれる。
ためには、通常、成形された原料を熱処理することが行
なわれる。
【0007】しかしながら、このような熱処理が酸化物
超電導体の原料に悪影響を及ぼすことがある。すなわち
、熱処理により、非超電導相が多く生成されたり、超電
導相の不必要な粒成長が生じたりして、金属シース中で
の熱処理において、臨界温度が比較的高い2223相が
効率よく生成されないことがある。
超電導体の原料に悪影響を及ぼすことがある。すなわち
、熱処理により、非超電導相が多く生成されたり、超電
導相の不必要な粒成長が生じたりして、金属シース中で
の熱処理において、臨界温度が比較的高い2223相が
効率よく生成されないことがある。
【0008】それゆえに、この発明の目的は、上述のよ
うな問題を解決し得るビスマス系酸化物超電導体の製造
方法、より特定的には、有機ビヒクルを除去するための
好ましい熱処理条件を提供しようとすることである。
うな問題を解決し得るビスマス系酸化物超電導体の製造
方法、より特定的には、有機ビヒクルを除去するための
好ましい熱処理条件を提供しようとすることである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明は、ビスマス系
酸化物超電導体の原料粉末に有機ポリマー等からなる有
機ビヒクルを加えて成形し、この成形された原料を金属
被覆する前に、有機ビヒクルを除去するステップを備え
る、ビスマス系酸化物超電導体の製造方法に向けられる
ものであって、上述した技術的課題を解決するため、前
記有機ビヒクルを除去するステップにおいて、温度(T
)[単位は℃]および時間(H)[単位は時間]の関係
を表したとき、T=−71.5×logH+600で表
される条件以下の条件で熱処理することを特徴としてい
る。
酸化物超電導体の原料粉末に有機ポリマー等からなる有
機ビヒクルを加えて成形し、この成形された原料を金属
被覆する前に、有機ビヒクルを除去するステップを備え
る、ビスマス系酸化物超電導体の製造方法に向けられる
ものであって、上述した技術的課題を解決するため、前
記有機ビヒクルを除去するステップにおいて、温度(T
)[単位は℃]および時間(H)[単位は時間]の関係
を表したとき、T=−71.5×logH+600で表
される条件以下の条件で熱処理することを特徴としてい
る。
【0010】上述した熱処理条件は、図1に示されてい
る。図1において斜線を施した領域が、この発明におい
て適用される熱処理条件である。
る。図1において斜線を施した領域が、この発明におい
て適用される熱処理条件である。
【0011】この発明において用いられるビスマス系酸
化物超電導体の原料は、主として、2212相からなる
ことが好ましい。
化物超電導体の原料は、主として、2212相からなる
ことが好ましい。
【0012】また、この発明において用いられる原料粉
末は、最大粒径が2.0μm以下であり、平均粒径が1
.0μm以下であることが好ましい。
末は、最大粒径が2.0μm以下であり、平均粒径が1
.0μm以下であることが好ましい。
【0013】また、この発明において用いられるビスマ
ス系酸化物超電導体の原料は、一般的には、多結晶体ま
たは超電導相と非超電導相との集合物からなる。
ス系酸化物超電導体の原料は、一般的には、多結晶体ま
たは超電導相と非超電導相との集合物からなる。
【0014】
【発明の作用および効果】有機ビヒクルを加えて成形さ
れた原料を金属被覆する前に、図1の斜線で示す領域で
表される条件下で有機ビヒクルを熱処理して除去すれば
、非超電導相が生成されたり、超電導相の不必要な粒成
長が起こらないため、その後の熱処理により、臨界温度
の比較的高い2223相が効率よく多量に生成されるこ
とができる。
れた原料を金属被覆する前に、図1の斜線で示す領域で
表される条件下で有機ビヒクルを熱処理して除去すれば
、非超電導相が生成されたり、超電導相の不必要な粒成
長が起こらないため、その後の熱処理により、臨界温度
の比較的高い2223相が効率よく多量に生成されるこ
とができる。
【0015】したがって、この発明によれば、多量に生
成された2223相のため、高い臨界電流および臨界電
流密度を示すビスマス系酸化物超電導体が得られる。
成された2223相のため、高い臨界電流および臨界電
流密度を示すビスマス系酸化物超電導体が得られる。
【0016】
【実施例】Bi2 O3 、PbO、SrCO3 、C
aCO3 、およびCuOの各粉末を、Bi:Pb:S
r:Ca:Cu=1.8:0.4:2.0:2.2:3
.0になるように秤量し、混合した。
aCO3 、およびCuOの各粉末を、Bi:Pb:S
r:Ca:Cu=1.8:0.4:2.0:2.2:3
.0になるように秤量し、混合した。
【0017】次に、混合された粉末に対して、800℃
で8時間の熱処理を施し、さらに、860℃で5時間の
熱処理を施して、2212相:2223相=83:17
となる粉末を作成した。得られた粉末を、さらに、最大
粒径が1.8μm、平均粒径が0.8μmとなるように
粉砕した。
で8時間の熱処理を施し、さらに、860℃で5時間の
熱処理を施して、2212相:2223相=83:17
となる粉末を作成した。得られた粉末を、さらに、最大
粒径が1.8μm、平均粒径が0.8μmとなるように
粉砕した。
【0018】このようにして得られた粉末と有機ビヒク
ルとを混合し、直径3.0mmの円柱状のビレットを5
本作製した。これらビレットの各々に対して、700℃
で5時間(試料No.1)、650℃で10時間(試料
No.2)、600℃で5時間(試料No.3)、55
0℃で5時間(試料No.4)、500℃で10時間(
試料No.5)の各条件の熱処理をそれぞれ行なうこと
によって、有機ビヒクルを除去した。
ルとを混合し、直径3.0mmの円柱状のビレットを5
本作製した。これらビレットの各々に対して、700℃
で5時間(試料No.1)、650℃で10時間(試料
No.2)、600℃で5時間(試料No.3)、55
0℃で5時間(試料No.4)、500℃で10時間(
試料No.5)の各条件の熱処理をそれぞれ行なうこと
によって、有機ビヒクルを除去した。
【0019】このように有機ビヒクルが除去されたビレ
ットを、それぞれ、外径6.0mm、内径4.0mmの
銀パイプに充填し、次いで直径1.0mmになるまで伸
線し、さらに、厚さ0.3mmになるまで圧延加工し、
その後、845℃で50時間熱処理し、さらに、厚さ0
.15mmになるまで圧延加工し、次いで、再び840
℃で50時間熱処理した。
ットを、それぞれ、外径6.0mm、内径4.0mmの
銀パイプに充填し、次いで直径1.0mmになるまで伸
線し、さらに、厚さ0.3mmになるまで圧延加工し、
その後、845℃で50時間熱処理し、さらに、厚さ0
.15mmになるまで圧延加工し、次いで、再び840
℃で50時間熱処理した。
【0020】得られた各線材(試料No.1〜No.5
)について、それぞれ、77.3Kの温度下において零
磁場における臨界電流および臨界電流密度の測定を行な
った。その結果が、表1に示されている。
)について、それぞれ、77.3Kの温度下において零
磁場における臨界電流および臨界電流密度の測定を行な
った。その結果が、表1に示されている。
【0021】
【表1】
表1に示すように、試料No.4および試料No.
5は、図1の斜線で示した領域内にある条件で熱処理し
たもので、他の試料に比べて、高い臨界電流および臨界
電流密度が得られている。したがって、この発明によれ
ば、より高い臨界電流およびより高い臨界電流密度を示
すビスマス系酸化物超電導体が得られることがわかる。
5は、図1の斜線で示した領域内にある条件で熱処理し
たもので、他の試料に比べて、高い臨界電流および臨界
電流密度が得られている。したがって、この発明によれ
ば、より高い臨界電流およびより高い臨界電流密度を示
すビスマス系酸化物超電導体が得られることがわかる。
【図1】この発明に従って、有機ビヒクルを除去するス
テップにおいて採用される温度(T)と時間(H)との
関係を示す図である。
テップにおいて採用される温度(T)と時間(H)との
関係を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 ビスマス系酸化物超電導体の原料粉末
に有機ビヒクルを加えて成形し、前記成形された原料を
金属被覆する前に、前記有機ビヒクルを除去するステッ
プを備え、前記有機ビヒクルを除去するステップにおい
て、温度(T)[単位は℃]および時間(H)[単位は
時間]の関係を表したとき、T=−71.5×logH
+600で表される条件以下の条件で熱処理する、ビス
マス系酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3056691A JPH04292815A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 |
JP4508355A JP3062557B2 (ja) | 1991-03-20 | 1992-03-19 | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 |
CA002100169A CA2100169C (en) | 1991-03-20 | 1992-03-19 | Method of preparing bismuth oxide superconductor |
EP92908896A EP0576576B1 (en) | 1991-03-20 | 1992-03-19 | Method of preparing bismuth oxide superconductor |
DE69232328T DE69232328T2 (de) | 1991-03-20 | 1992-03-19 | Verfahren zum herstellen von bismut-oxid-supraleitern |
PCT/US1992/002208 WO1992016973A1 (en) | 1991-03-20 | 1992-03-19 | Method of preparing bismuth oxide superconductor |
US08/430,552 US5840660A (en) | 1991-03-20 | 1995-04-28 | Method of preparing bismuth oxide superconductor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3056691A JPH04292815A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04292815A true JPH04292815A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=13034477
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3056691A Withdrawn JPH04292815A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 |
JP4508355A Expired - Fee Related JP3062557B2 (ja) | 1991-03-20 | 1992-03-19 | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4508355A Expired - Fee Related JP3062557B2 (ja) | 1991-03-20 | 1992-03-19 | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5840660A (ja) |
EP (1) | EP0576576B1 (ja) |
JP (2) | JPH04292815A (ja) |
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