JP3062557B2 - ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
ビスマス系酸化物超電導体の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は、ビスマス系酸化物超電導体の製造方法に
関するもので、特に、ビスマス系酸化物超電導体の原料
粉末を成形するために加えられる有機ビヒクルを除去す
るための熱処理条件の改良に関するものである。
関するもので、特に、ビスマス系酸化物超電導体の原料
粉末を成形するために加えられる有機ビヒクルを除去す
るための熱処理条件の改良に関するものである。
背景技術 近年、より高い臨界温度を示す超電導材料として、セ
ラミック系のもの、すなわち酸化物超電導材料が注目さ
れている。たとえば、ビスマス系酸化物超電導材料は、
110K程度の高い臨界温度を有することから、その実用化
が期待されている。
ラミック系のもの、すなわち酸化物超電導材料が注目さ
れている。たとえば、ビスマス系酸化物超電導材料は、
110K程度の高い臨界温度を有することから、その実用化
が期待されている。
ビスマス系酸化物超電導体には、臨界温度が110Kのも
のと臨界温度が80Kおよび10Kのものとがあることが知ら
れている。また、ビスマス系酸化物超電導体において、
110K相は、Bi−Sr−Ca−CuまたはBiの一部をPbで置換し
た（Bi,Pb）−Sr−Ca−Cuの組成における2223組成を有
しており、他方、80K相は、同組成における2212組成を
有していることが知られている。
のと臨界温度が80Kおよび10Kのものとがあることが知ら
れている。また、ビスマス系酸化物超電導体において、
110K相は、Bi−Sr−Ca−CuまたはBiの一部をPbで置換し
た（Bi,Pb）−Sr−Ca−Cuの組成における2223組成を有
しており、他方、80K相は、同組成における2212組成を
有していることが知られている。
また、酸化物超電導体を製造する方法において、酸化
物超電導体の原料粉末を金属シース等によって金属被覆
した状態で、塑性加工および熱処理を施すことにより、
金属被覆された原料を超電導体化する方法がある。この
方法は、たとえば長尺の超電導線材を製造するとき、有
利に適用される。
物超電導体の原料粉末を金属シース等によって金属被覆
した状態で、塑性加工および熱処理を施すことにより、
金属被覆された原料を超電導体化する方法がある。この
方法は、たとえば長尺の超電導線材を製造するとき、有
利に適用される。
上述したように、長尺の超電導線材を製造するときに
は、たとえばパイプ状の金属シースが用いられる。この
とき、金属シース内に原料粉末を充填することを容易に
するため、原料粉末に有機ビヒクルを加えて、たとえば
ビレット状に成形することが行なわれる。このように成
形された原料は、金属シースによって被覆された状態
で、以後の工程で熱処理されるが、もし有機ビヒクルが
残留していると，熱処理においてガスを発生し、このガ
スによって金属シースが膨らむことがある。金属シース
の膨らみは、その内部の酸化物超電導体に悪影響を及ぼ
し、酸化物超電導体の長手方向に関して特性の不均一を
招くことがある。また、残留している有機ビヒクルが超
電導相の生成の妨げとなる。そのため、成形された原料
を金属シースに挿入する前に、有機ビヒクルは除去され
なければならない。有機ビヒクルの除去のためには、通
常、成形された原料を熱処理することが行なわれる。
は、たとえばパイプ状の金属シースが用いられる。この
とき、金属シース内に原料粉末を充填することを容易に
するため、原料粉末に有機ビヒクルを加えて、たとえば
ビレット状に成形することが行なわれる。このように成
形された原料は、金属シースによって被覆された状態
で、以後の工程で熱処理されるが、もし有機ビヒクルが
残留していると，熱処理においてガスを発生し、このガ
スによって金属シースが膨らむことがある。金属シース
の膨らみは、その内部の酸化物超電導体に悪影響を及ぼ
し、酸化物超電導体の長手方向に関して特性の不均一を
招くことがある。また、残留している有機ビヒクルが超
電導相の生成の妨げとなる。そのため、成形された原料
を金属シースに挿入する前に、有機ビヒクルは除去され
なければならない。有機ビヒクルの除去のためには、通
常、成形された原料を熱処理することが行なわれる。
また、前述したように、2223組成を有する2223相がよ
り高い臨界温度を有することから、より高い臨界温度を
与え、それによって安定的に超電導状態を保つことを可
能にするためには、ビスマス系酸化物超電導体の製造に
あたっては、2223組成を有する2223相ができるだけ多量
に生成されるようにすることが望ましい。しかしなが
ら、酸化物超電導体の原料を金属被覆した状態で熱処理
することにより、金属被覆された原料を超電導体化する
方法においては、金属被覆されるべき原料として、2223
相を主成分とするものより、むしろ2212相を主成分と
し、(Ca,Sr)2PbO4相および(Ca,Sr)2CuO3相等の非超電導
相ならびに2223相をわずかながら含むものを用いた場合
の方が、熱処理後において2223相をより多量に生成し得
ることを見い出した。したがって、原料中に生成してい
る2212相は、金属被覆されるまでの段階では、相変態が
できるだけ生じないように取扱わなければならない。
り高い臨界温度を有することから、より高い臨界温度を
与え、それによって安定的に超電導状態を保つことを可
能にするためには、ビスマス系酸化物超電導体の製造に
あたっては、2223組成を有する2223相ができるだけ多量
に生成されるようにすることが望ましい。しかしなが
ら、酸化物超電導体の原料を金属被覆した状態で熱処理
することにより、金属被覆された原料を超電導体化する
方法においては、金属被覆されるべき原料として、2223
相を主成分とするものより、むしろ2212相を主成分と
し、(Ca,Sr)2PbO4相および(Ca,Sr)2CuO3相等の非超電導
相ならびに2223相をわずかながら含むものを用いた場合
の方が、熱処理後において2223相をより多量に生成し得
ることを見い出した。したがって、原料中に生成してい
る2212相は、金属被覆されるまでの段階では、相変態が
できるだけ生じないように取扱わなければならない。
しかしながら、ビスマス系酸化物超電導体の製造方法
に含まれる幾つかのステップの中には、2212相の相変態
を生じさせる可能性のあるものがある。
に含まれる幾つかのステップの中には、2212相の相変態
を生じさせる可能性のあるものがある。
たとえば、前述した有機ビヒクルの除去のために実施
される熱処理は、2212相に悪影響を及ぼすことがある。
すなわち、この熱処理により、原料中に、非超電導相が
多く生成されたり、超電導相の不必要な粒成長が生じた
りして、2212相の含有率を低下させることがある。その
ため、金属被覆した状態で原料を熱処理しても、臨界温
度が比較的高い2223相が効率よく生成されないことがあ
る。
される熱処理は、2212相に悪影響を及ぼすことがある。
すなわち、この熱処理により、原料中に、非超電導相が
多く生成されたり、超電導相の不必要な粒成長が生じた
りして、2212相の含有率を低下させることがある。その
ため、金属被覆した状態で原料を熱処理しても、臨界温
度が比較的高い2223相が効率よく生成されないことがあ
る。
また、一般に、ビスマス系酸化物超電導体にあって
は、その原料粉末中に混入された有機ビヒクルを除去す
るために熱処理すると、原料中に、(Ca,Sr)2PbO4相、(C
a,Sr)2CuO3相等の非超電導相が多く生成されたり、臨界
温度が10Kである2201相が生成されたり、超電導相の不
必要な粒成長が生じたりすることがある。
は、その原料粉末中に混入された有機ビヒクルを除去す
るために熱処理すると、原料中に、(Ca,Sr)2PbO4相、(C
a,Sr)2CuO3相等の非超電導相が多く生成されたり、臨界
温度が10Kである2201相が生成されたり、超電導相の不
必要な粒成長が生じたりすることがある。
それゆえに、この発明の目的は、ビスマス系酸化物超
電導体の製造方法に含まれる有機ビヒクルを除去するた
めの熱処理に関して、上述した不都合が生じることを防
止し得る条件を提供しようとすることである。
電導体の製造方法に含まれる有機ビヒクルを除去するた
めの熱処理に関して、上述した不都合が生じることを防
止し得る条件を提供しようとすることである。
発明の開示 この発明に係るビスマス系酸化物超電導体の製造方法
は、ビスマス系酸化物超電導体の粉末に有機ポリマー等
からなる有機ビヒクルを加えて成形し、この成形された
原料を金属被覆する前に、有機ビヒクルを除去するため
に原料を熱処理する場合には、温度（Ｔ）［単位は℃］
および時間（Ｈ）［単位は時間］の関係で表わしたと
き、Ｔ＝−71.5×logH＋600で表わされる条件以下の条
件に選ぶことを特徴としている。
は、ビスマス系酸化物超電導体の粉末に有機ポリマー等
からなる有機ビヒクルを加えて成形し、この成形された
原料を金属被覆する前に、有機ビヒクルを除去するため
に原料を熱処理する場合には、温度（Ｔ）［単位は℃］
および時間（Ｈ）［単位は時間］の関係で表わしたと
き、Ｔ＝−71.5×logH＋600で表わされる条件以下の条
件に選ぶことを特徴としている。
上述した熱処理条件は、図１に示されている。図１に
おいて、斜線を施した領域が、この発明において適用さ
れる熱処理条件である。
おいて、斜線を施した領域が、この発明において適用さ
れる熱処理条件である。
なお、上述したビスマス系酸化物超電導体の原料は、
一般的には、多結晶体または超電導相と非超電導相との
集合物からなる。
一般的には、多結晶体または超電導相と非超電導相との
集合物からなる。
上述した式Ｔ＝−71.5×logH＋600は、実験により求
めた実験式である。前述した図１では、この熱処理条件
が片対数目盛で示されているが、自然数目盛で示すと、
図２のようになる。図２において、（Ａ）は、この発明
によって規定される条件を満足する熱処理過程の一例を
示している。しかしながら、図２における（Ｂ）で示す
ような熱処理過程も、同様の好ましい結果をもたらすこ
とが実験により確認されている。
めた実験式である。前述した図１では、この熱処理条件
が片対数目盛で示されているが、自然数目盛で示すと、
図２のようになる。図２において、（Ａ）は、この発明
によって規定される条件を満足する熱処理過程の一例を
示している。しかしながら、図２における（Ｂ）で示す
ような熱処理過程も、同様の好ましい結果をもたらすこ
とが実験により確認されている。
そこで、（Ｂ）のような場合にも、好ましい熱処理条
件を規定できるようにするため、単なる処理時間と温度
とだけによる規定方法によらず、温度と時間との関係を
用いた積分値で、すなわち図２において熱処理条件のし
きい値を示す線で囲まれる面積で規定することが好まし
い。たとえば、（Ｂ）の場合、０から20［単位は時間］
までのトータルの処理時間で前述したＤ＝−71.5×logH
＋600を積分すると、 で表わされる。しかしながら、上述の式には、“log"を
含むため、０に近づくほど、無限大に発散する。したが
って、このような単純な積分では熱処理条件を規定する
ことができない。しかしながら、熱処理における最高温
度を決めることによって、有限な値を得ることができ
る。そこで、この最高温度をビスマス系酸化物超電導体
の原料が溶け始める温度すなわち860℃とするのが妥当
である。このように、最高温度を860℃とし、また、熱
処理過程におけるトータルの処理時間をh0とすると、 が得られる。ここで、ａは、前述した式Ｔ＝−71.5×lo
gH＋600における温度860℃の場合の時間Ｈであるから、
次の式により求められる。
件を規定できるようにするため、単なる処理時間と温度
とだけによる規定方法によらず、温度と時間との関係を
用いた積分値で、すなわち図２において熱処理条件のし
きい値を示す線で囲まれる面積で規定することが好まし
い。たとえば、（Ｂ）の場合、０から20［単位は時間］
までのトータルの処理時間で前述したＤ＝−71.5×logH
＋600を積分すると、 で表わされる。しかしながら、上述の式には、“log"を
含むため、０に近づくほど、無限大に発散する。したが
って、このような単純な積分では熱処理条件を規定する
ことができない。しかしながら、熱処理における最高温
度を決めることによって、有限な値を得ることができ
る。そこで、この最高温度をビスマス系酸化物超電導体
の原料が溶け始める温度すなわち860℃とするのが妥当
である。このように、最高温度を860℃とし、また、熱
処理過程におけるトータルの処理時間をh0とすると、 が得られる。ここで、ａは、前述した式Ｔ＝−71.5×lo
gH＋600における温度860℃の場合の時間Ｈであるから、
次の式により求められる。
ａ＝exp｛2.3×（600−860）/71.5｝≒2.310×10-4 よって、（Ｂ）のような熱処理過程を実施する場合で
あっても、その過程を、温度（Ｔ）［単位は℃］として
時間（Ｈ）［単位は時間］との関係をＴ＝ｆ（Ｈ）とし
て、 の条件を与えることができる。
あっても、その過程を、温度（Ｔ）［単位は℃］として
時間（Ｈ）［単位は時間］との関係をＴ＝ｆ（Ｈ）とし
て、 の条件を与えることができる。
このように、この発明によれば、有機ビヒクルを除去
するための熱処理において、非超電導相の生成、超電導
相の不必要な粒成長および2201相の生成を抑制すること
ができる。
するための熱処理において、非超電導相の生成、超電導
相の不必要な粒成長および2201相の生成を抑制すること
ができる。
したがって、上述のように有機ビヒクルう除去した原
料を金属被覆して、熱処理すれば、臨界温度の比較的高
い2223相が効率よく多量に生成されることができる。
料を金属被覆して、熱処理すれば、臨界温度の比較的高
い2223相が効率よく多量に生成されることができる。
なお、上述した有機ビヒクルが加えられる原料の粉末
は、最大粒径が2.0μｍ以下であり、平均粒径が1.0μｍ
以下であることが好ましい。
は、最大粒径が2.0μｍ以下であり、平均粒径が1.0μｍ
以下であることが好ましい。
この発明では、また、特に、2212相の相変態を生じに
くくすることができる有機ビヒクル除去のための熱処理
条件が提供される。したがって、すでに得られている22
12相を含む原料から有機ビヒクルを除去するために熱処
理する場合に、この熱処理条件を適用すれば、非超電導
相が生成されたり、超電導相の不必要な粒成長が起こら
ず、2212相を維持することができる。
くくすることができる有機ビヒクル除去のための熱処理
条件が提供される。したがって、すでに得られている22
12相を含む原料から有機ビヒクルを除去するために熱処
理する場合に、この熱処理条件を適用すれば、非超電導
相が生成されたり、超電導相の不必要な粒成長が起こら
ず、2212相を維持することができる。
図面の簡単な説明 図１は、この発明に従って、熱処理するステップにお
いて採用される温度（Ｔ）と時間（Ｈ）との関係を片対
数目盛によって示す図である。
いて採用される温度（Ｔ）と時間（Ｈ）との関係を片対
数目盛によって示す図である。
図２は、図１に示した関係を自然数目盛で示す図であ
り、この発明の範囲内の熱処理過程の２つの例も併せて
示している。
り、この発明の範囲内の熱処理過程の２つの例も併せて
示している。
発明を実施するための最良の形態 実施例１ Bi2O3、PbO、SrCO3、CaCO3およびCuOの各粉末を、Bi:
Pb:Sr:Ca:Cu＝1.8:0.4:2.0:2.2:3.0になるように秤量
し、混合した。
Pb:Sr:Ca:Cu＝1.8:0.4:2.0:2.2:3.0になるように秤量
し、混合した。
次に、混合された粉末に対して、800℃で８時間の熱
処理を施し、さらに、860℃で５時間の熱処理を施し
て、2212相:2223相:83:17となる粉末を作製した。この
粉末のＸ線回折測定を行なった結果、2212相：非超電導
相＝100:10であった。得られた粉末を、最大粒径が1.8
μｍ、平均粒径が0.8μｍとなるように粉砕した。
処理を施し、さらに、860℃で５時間の熱処理を施し
て、2212相:2223相:83:17となる粉末を作製した。この
粉末のＸ線回折測定を行なった結果、2212相：非超電導
相＝100:10であった。得られた粉末を、最大粒径が1.8
μｍ、平均粒径が0.8μｍとなるように粉砕した。
このようにして得られた粉末10gを100mlのメチルエチ
ルケトン中に入れ、これに表面活性剤（Sotex CW）を２
滴加え、超音波バスにより混合かつ分散させた。その
後、40mlのメチルエチルケトンにポリエチレンカーボネ
ートう混合した溶液を2.8g用意し、上述の粉末溶液と混
合し、かつこの溶液中に粉末を分散させた。その後、こ
の溶液がゴム状になるまで蒸発させて、直径3.0mmの円
柱状のビレットを20本作製した。
ルケトン中に入れ、これに表面活性剤（Sotex CW）を２
滴加え、超音波バスにより混合かつ分散させた。その
後、40mlのメチルエチルケトンにポリエチレンカーボネ
ートう混合した溶液を2.8g用意し、上述の粉末溶液と混
合し、かつこの溶液中に粉末を分散させた。その後、こ
の溶液がゴム状になるまで蒸発させて、直径3.0mmの円
柱状のビレットを20本作製した。
これらのビレットの各々に対して、 700℃で５時間（試料No.1）、 650℃で10時間（試料No.2）、 600℃で５時間（試料No.3）、 550℃で５時間（試料No.4）、 500℃で10時間（試料No.5）、 750℃で１時間（試料No.6）、 750℃で10時間（試料No.7）、 750℃で20時間（試料No.8）、 700℃で１時間（試料No.9）、 650℃で１時間（試料No.10）、 600℃で１時間（試料No.11）、 600℃で10時間（試料No.12）、 600℃で20時間（試料No.13）、 550℃で１時間（試料No.14）、 550℃で２時間（試料No.15）、 550℃で10時間（試料No.16）、 550℃で20時間（試料No.17）、 500℃で１時間（試料No.18）、 500℃で２時間（試料No.19）、 500℃で５時間（試料No.20）、 の各条件の熱処理をそれぞれ行なうことによって、有機
ビヒクルを除去した。
ビヒクルを除去した。
それぞれの試料のＸ線回折測定を行なった結果、試料
No.4、５、11、14、15、18、19および20においては、22
12相：非超電導相＝100:10であったが、試料No.1、２、
３、６、７、８、９、10、12、13、16および17において
は、それぞれ、2212相：非超電導相＝100:32、100:16、
100:14、100:25、100:33、100:43、100:31、100:16、10
0、15、100:18、100:15、100:17であり、熱処理を行な
うことによって非超電導相の比率が増加した。
No.4、５、11、14、15、18、19および20においては、22
12相：非超電導相＝100:10であったが、試料No.1、２、
３、６、７、８、９、10、12、13、16および17において
は、それぞれ、2212相：非超電導相＝100:32、100:16、
100:14、100:25、100:33、100:43、100:31、100:16、10
0、15、100:18、100:15、100:17であり、熱処理を行な
うことによって非超電導相の比率が増加した。
このように、有機ビヒクルが除去されたビレットのう
ち、代表的な試料No.1〜５について、それぞれ、外径6.
0mm、内径4.0mmの銀パイプに充填し、次いで直径1.0mm
になるまで伸線し、さらに厚さ0.3mmになるまで圧延加
工し、その後、845℃で50時間熱処理し、さらに、厚さ
0.15mmになるつで圧延加工し、次いで、再び840℃で50
時間熱処理した。
ち、代表的な試料No.1〜５について、それぞれ、外径6.
0mm、内径4.0mmの銀パイプに充填し、次いで直径1.0mm
になるまで伸線し、さらに厚さ0.3mmになるまで圧延加
工し、その後、845℃で50時間熱処理し、さらに、厚さ
0.15mmになるつで圧延加工し、次いで、再び840℃で50
時間熱処理した。
得られた各線材（試料No.1〜５）について、それぞ
れ、77.3Kの温度下において零磁場における臨界電流お
よび臨界電流密度の測定を行なった。その結果が、表１
に示されている。
れ、77.3Kの温度下において零磁場における臨界電流お
よび臨界電流密度の測定を行なった。その結果が、表１
に示されている。
表１に示すように、試料No.4および試料No.5は、図１
の斜線で示した領域内にある条件で熱処理したもので、
他の試料に比べて、高い臨界電流および臨界電流密度が
得られている。したがって、この発明によれば、より高
い臨界電流およびより高い臨界電流密度を示すビスマス
系酸化物超電導体が得られることがわかる。
の斜線で示した領域内にある条件で熱処理したもので、
他の試料に比べて、高い臨界電流および臨界電流密度が
得られている。したがって、この発明によれば、より高
い臨界電流およびより高い臨界電流密度を示すビスマス
系酸化物超電導体が得られることがわかる。
実施例２ Bi2O3、PbO、SrCO3、CaCO3およびCuOの各粉末を、Bi:
Pb:Sr:Ca:Cu＝1.8:0.4:2.0:2.2:3.0になるように秤量
し、混合した。
Pb:Sr:Ca:Cu＝1.8:0.4:2.0:2.2:3.0になるように秤量
し、混合した。
次に、混合された粉末に対して、800℃で８時間の熱
処理を施し、さらに、860℃で５時間の熱処理を施し
て、2212相:2223相:83:17となる粉末を作製した。得ら
れた粉末を、最大粒径が1.8μｍ、平均粒径が0.8μｍと
なるように粉砕した。
処理を施し、さらに、860℃で５時間の熱処理を施し
て、2212相:2223相:83:17となる粉末を作製した。得ら
れた粉末を、最大粒径が1.8μｍ、平均粒径が0.8μｍと
なるように粉砕した。
その後、実施例１と同様に、ゴム状のペーストを作製
し、直径約3.0mmの穴が設けられたステンレス鋼製の容
器にこのペーストを入れ、これを押出し、直径3.0mの円
柱状のビレットを作製した。
し、直径約3.0mmの穴が設けられたステンレス鋼製の容
器にこのペーストを入れ、これを押出し、直径3.0mの円
柱状のビレットを作製した。
得られたビレットを、510℃まで180℃／時で昇温した
後、510℃から550℃まで８℃／時で昇温し、その後、55
0℃から510℃まで８℃／時で降温し、510℃から30℃ま
で180℃／時で冷却し、有機ビヒクルを除去した。
後、510℃から550℃まで８℃／時で昇温し、その後、55
0℃から510℃まで８℃／時で降温し、510℃から30℃ま
で180℃／時で冷却し、有機ビヒクルを除去した。
このように有機ビヒクルが除去されたビレットを、外
径6.0mm、内径4.0mmの銀パイプに充填し、次いで直径1.
0mmになるまで伸線し、さらに、厚さ0.3mmになるまで圧
延加工し、その後、845℃で50時間熱処理し、さらに、
厚さ0.15mmになるまで圧延加工し、次いで、再び840℃
で50時間熱処理した。
径6.0mm、内径4.0mmの銀パイプに充填し、次いで直径1.
0mmになるまで伸線し、さらに、厚さ0.3mmになるまで圧
延加工し、その後、845℃で50時間熱処理し、さらに、
厚さ0.15mmになるまで圧延加工し、次いで、再び840℃
で50時間熱処理した。
得られた線材について、77.3Kの温度下において零磁
場における臨界電流および臨界電流密度の測定を行なっ
たところ、臨界電流12.5A、臨界電流密度12500A/cm2の
値が得られた。これら値は、実施例１の表１に示す試料
No.4および試料No.5の臨界電流および臨界電流密度に匹
敵する値である。
場における臨界電流および臨界電流密度の測定を行なっ
たところ、臨界電流12.5A、臨界電流密度12500A/cm2の
値が得られた。これら値は、実施例１の表１に示す試料
No.4および試料No.5の臨界電流および臨界電流密度に匹
敵する値である。
この実施例２は、Ｔ＝−71.5logH＋600で表わされる
条件以下の条件を満足するものではないが、図２の
（Ｂ）のように、 を満たす条件で熱処理されて有機ビヒクルが除去された
ものである。
条件以下の条件を満足するものではないが、図２の
（Ｂ）のように、 を満たす条件で熱処理されて有機ビヒクルが除去された
ものである。
産業上の利用可能性 この発明によるビスマス系酸化物超電導体の製造方法
は、酸化物超電導線材の製造に際して、金属シース内に
充填される原料を成形する際に混入される有機ビヒクル
を除去するための熱処理において有利に適用することが
できる。
は、酸化物超電導線材の製造に際して、金属シース内に
充填される原料を成形する際に混入される有機ビヒクル
を除去するための熱処理において有利に適用することが
できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 39/12 ＺＡＡ Ｃ０４Ｂ 35/64 Ｃ (72)発明者 ザー，ジョージ・イー アメリカ合衆国、ペンシルバニア州 19342、グレン・ミルズ、サンセット・ ビュー・ドライブ、210 (56)参考文献 特開 平１−126262（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−11505（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−17910（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−73821（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−94019（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−223010（ＪＰ，Ａ) 欧州特許出願公開449161（ＥＰ，Ａ ２) Ｍ．Ｓｈｉｌｏｈ ｅｔ ａｌ．，" Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ （Ｃａ１− ｘＳｒｘ）Ｐｂ04 ｉｎ Ｂｉ（Ｐｂ) −Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ ｓｙｓｔｅ ｍ：Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ 2223 ｈｉｇｈ−Ｔｃ Ｐｈａ ｓｅ，”Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐ ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ. 68，Ｎｏ．５，１ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ 1990，ｐｐ．2304−2307 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01G 1/00 ＥＰＡＴ（ＱＵＥＳＴＥＬ)
Claims (5)
- 【請求項１】Bi−Sr−Ca−Cuまたは（Bi,Pb）−Sr−Ca
−Cuの組成における2212組成を有する2212相を主成分と
する、ビスマス系酸化物超電導体の原料の粉末を準備
し、 前記原料の粉末に有機ビヒクルを加えて成形し、 前記成形された原料を、温度（Ｔ）［単位は℃］および
時間（Ｈ）［単位は時間］の関係を表わしたとき、Ｔ＝
−71.5×logH＋600で表わされる条件以下の条件で熱処
理して前記有機ビヒクルを除去する、 各ステップを備える、ビスマス系酸化物超電導体の製造
方法。 - 【請求項２】前記成形されかつ有機ビヒクルが除去され
た原料を金属被覆するステップをさらに備える、請求項
１に記載のビスマス系酸化物超電導体の製造方法。 - 【請求項３】前記温度（Ｔ）は、860℃以下である、請
求項１に記載のビスマス系酸化物超電導体の製造方法。 - 【請求項４】Bi−Sr−Ca−Cuまたは（Bi,Pb）−Sr−Ca
−Cuの組成における2212組成を有する2212相を主成分と
する、ビスマス系酸化物超電導体の原料の粉末を準備
し、 前記原料の粉末に有機ビヒクルを加えて成形し、 熱処理におけるトータル時間をh0、温度（Ｔ）［単位は
℃］と時間（Ｈ）［単位は時間］との関係をＴ＝ｆ
（Ｈ）と表わしたとき、 （ただし、熱処理温度Ｔ≦860℃、 ａ＝exp｛2.3×（600−860）/71.5｝≒2.310×10-4） を満たす条件で、前記成形された原料を熱処理して前記
有機ビヒクルを除去する、 各ステップを備える、ビスマス系酸化物超電導体の製造
方法。 - 【請求項５】前記成形されかつ有機ビヒクルが除去され
た原料を金属被覆するステップをさらに備える、請求項
４に記載のビスマス系酸化物超電導体の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-56691 | 1991-03-20 | ||
| JP3056691A JPH04292815A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 |
| PCT/US1992/002208 WO1992016973A1 (en) | 1991-03-20 | 1992-03-19 | Method of preparing bismuth oxide superconductor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06506179A JPH06506179A (ja) | 1994-07-14 |
| JP3062557B2 true JP3062557B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=13034477
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3056691A Withdrawn JPH04292815A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 |
| JP4508355A Expired - Fee Related JP3062557B2 (ja) | 1991-03-20 | 1992-03-19 | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3056691A Withdrawn JPH04292815A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP0576576B1 (ja) |
| JP (2) | JPH04292815A (ja) |
| CA (1) | CA2100169C (ja) |
| DE (1) | DE69232328T2 (ja) |
| WO (1) | WO1992016973A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3885125T2 (de) * | 1987-03-16 | 1994-04-07 | American Telephone & Telegraph | Apparat mit einem supraleitenden Teil und Verfahren zu seiner Herstellung. |
| US5248464A (en) * | 1987-04-23 | 1993-09-28 | Imperial Chemical Industries Plc | Article of ceramic material and production thereof |
| US4880773A (en) * | 1987-07-25 | 1989-11-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting material and a method for preparing the same |
| JPS6465716A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-13 | Furukawa Electric Co Ltd | Manufacture of oxide superconductive wire |
| JP2764087B2 (ja) * | 1988-03-09 | 1998-06-11 | 三菱マテリアル株式会社 | セラミックス超電導体ペースト及び該ペーストを使用するセラミックス超電導体配線回路基板の製造方法 |
| US5104849A (en) * | 1989-06-06 | 1992-04-14 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Oxide superconductor and method of manufacturing the same |
| JP3074753B2 (ja) * | 1990-03-26 | 2000-08-07 | 住友電気工業株式会社 | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 |
| US5204316A (en) * | 1990-04-02 | 1993-04-20 | General Electric Company | Preparation of tape of silver covered bi-pb-ca;sr-cu-o oriented polycrystal superconductor |
| JPH0473821A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導線材の製造方法 |
| JP2567505B2 (ja) * | 1990-08-08 | 1996-12-25 | 住友電気工業株式会社 | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3056691A patent/JPH04292815A/ja not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-03-19 EP EP92908896A patent/EP0576576B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-19 WO PCT/US1992/002208 patent/WO1992016973A1/en active IP Right Grant
- 1992-03-19 JP JP4508355A patent/JP3062557B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-19 CA CA002100169A patent/CA2100169C/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-19 DE DE69232328T patent/DE69232328T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-04-28 US US08/430,552 patent/US5840660A/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｍ．Ｓｈｉｌｏｈ ｅｔ ａｌ．，"Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ （Ｃａ１−ｘＳｒｘ）Ｐｂ０４ ｉｎ Ｂｉ（Ｐｂ）−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ ｓｙｓｔｅｍ：Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ２２２３ ｈｉｇｈ−Ｔｃ Ｐｈａｓｅ，"Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．６８，Ｎｏ．５，１ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９９０，ｐｐ．２３０４−２３０７ |
Also Published As
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|---|---|
| CA2100169C (en) | 1997-10-28 |
| JPH06506179A (ja) | 1994-07-14 |
| JPH04292815A (ja) | 1992-10-16 |
| EP0576576A4 (en) | 1995-03-15 |
| CA2100169A1 (en) | 1992-09-21 |
| EP0576576A1 (en) | 1994-01-05 |
| WO1992016973A1 (en) | 1992-10-01 |
| US5840660A (en) | 1998-11-24 |
| DE69232328T2 (de) | 2002-08-14 |
| DE69232328D1 (de) | 2002-02-07 |
| EP0576576B1 (en) | 2002-01-02 |
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|---|---|---|---|
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