JPH0429236B2 - - Google Patents
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- JPH0429236B2 JPH0429236B2 JP26551887A JP26551887A JPH0429236B2 JP H0429236 B2 JPH0429236 B2 JP H0429236B2 JP 26551887 A JP26551887 A JP 26551887A JP 26551887 A JP26551887 A JP 26551887A JP H0429236 B2 JPH0429236 B2 JP H0429236B2
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- polyimide
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- metallic layer
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高温濃縮硫酸の用いてポリイミド／
ケブラー基板に小径孔を形成する方法に係り、開
孔の平坦でないエツジを円滑にするために必要に
よりホーニングがなされる。
ケブラー基板に小径孔を形成する方法に係り、開
孔の平坦でないエツジを円滑にするために必要に
よりホーニングがなされる。
ポリイミド基板に小径の開孔を形成するのに溶
液を使用することは、「ポリイミド基板から接着
剤を選択的に除去する方法」と題された米国特許
出願第806874号（出願日1985年12月９日）に開示
されている。これは、その目的を達成する限りで
は十分に機能する。
液を使用することは、「ポリイミド基板から接着
剤を選択的に除去する方法」と題された米国特許
出願第806874号（出願日1985年12月９日）に開示
されている。これは、その目的を達成する限りで
は十分に機能する。
しかしながら、上述の開示方法ではポリイミ
ド／ケブラー基板に小径の開孔を形成するのには
不十分である。
ド／ケブラー基板に小径の開孔を形成するのには
不十分である。
そこで、この発明は接着剤により接着されたメ
タリツク層を有するポリイミド／ケブラー基板に
小径の開孔を形成する方法を提供することを目的
としている。なお、上記ケブラーはポリアミド物
質であつて、イー・アイ・デユポン社の商標
Kevlarである。
タリツク層を有するポリイミド／ケブラー基板に
小径の開孔を形成する方法を提供することを目的
としている。なお、上記ケブラーはポリアミド物
質であつて、イー・アイ・デユポン社の商標
Kevlarである。
この方法は、ポリイミド／ケブラー基板に接着
剤により接着されたメタリツク層を有するポリイ
ミド／ケブラー基板に少なくとも一つの所定サイ
ズの開孔を形成する工程を具備する。上記接着剤
としては、好ましい実施例ではＢ−ステージ（部
分的硬化）のポリイミドである。この方法は下に
あるポリイミド／ケブラー基板層を露出するため
にメタリツク層に少なくとも一つの開孔を形成す
る工程と、その後で基板を通して一つの孔好まし
くは小径孔を形成するものには十分であるが基板
の他の部分を浸透したりアンダーカツトするのに
は不十分であると共に、基板自体を実質的に損傷
するのには不十分である温度と時間でもつて高温
濃縮硫酸を開孔中で露出されている接着剤とポリ
イミド／ケブラー物質に接触する工程とを具備す
る。
剤により接着されたメタリツク層を有するポリイ
ミド／ケブラー基板に少なくとも一つの所定サイ
ズの開孔を形成する工程を具備する。上記接着剤
としては、好ましい実施例ではＢ−ステージ（部
分的硬化）のポリイミドである。この方法は下に
あるポリイミド／ケブラー基板層を露出するため
にメタリツク層に少なくとも一つの開孔を形成す
る工程と、その後で基板を通して一つの孔好まし
くは小径孔を形成するものには十分であるが基板
の他の部分を浸透したりアンダーカツトするのに
は不十分であると共に、基板自体を実質的に損傷
するのには不十分である温度と時間でもつて高温
濃縮硫酸を開孔中で露出されている接着剤とポリ
イミド／ケブラー物質に接触する工程とを具備す
る。
この接触工程の後で、この方法は好ましくは、
必要により、孔の粗いエツジを円滑にするため、
液体ホーニング媒体をポリイミド／ケブラー基板
中の所定のサイズと形状を有する開孔に接触する
工程を具備する。好ましくは、液体ホーニング
は、孔の周辺を平坦でないエツジを円滑にすると
共に孔中に残留する物質を除去するのに十分な速
度と温度でもつて孔を通して研磨スラリーを進行
する工程を具備する。好ましくは液体ホーニング
剤は水スラリー中のミクロンサイズのアルミナで
あると共に、好ましくは適度の時間と圧力で孔を
通して向けられる。
必要により、孔の粗いエツジを円滑にするため、
液体ホーニング媒体をポリイミド／ケブラー基板
中の所定のサイズと形状を有する開孔に接触する
工程を具備する。好ましくは、液体ホーニング
は、孔の周辺を平坦でないエツジを円滑にすると
共に孔中に残留する物質を除去するのに十分な速
度と温度でもつて孔を通して研磨スラリーを進行
する工程を具備する。好ましくは液体ホーニング
剤は水スラリー中のミクロンサイズのアルミナで
あると共に、好ましくは適度の時間と圧力で孔を
通して向けられる。
ポリイミド／ケブラー基板に孔を形成するのに
使用される媒体は高温濃縮硫酸である。この硫酸
の温度は少なくとも185℃で好ましくは少なくと
も190℃に、それの濃度は少なくとも約80％で好
ましくは少なくとも約85％で、より好ましく少な
くも約90％にすべきである。上記硫酸の最低温度
は硫酸の分解を避けるのに十分に高くすべきであ
ると共に、室温および大気圧下で、好ましくは少
なくとも約165℃である。上記硫酸濃度は処理温
度以下で蒸発することから上記硫酸を保護するの
に十分に高くすべきである。ポリイミド／ケブラ
ー基板は銅クラツデイング除去後に、開孔を形成
するのに十分でしかも基板の分解およびアンダー
カツテイングを避ける時間でもつて上記硫酸にさ
らされる。好ましくは、これらの時間は、８ミル
厚さの接着剤／基板に対して約２秒から約20秒の
範囲である。（８ミルは2.0×10-2cmに等しい。） この発明の方法は回路板のような銅クラツドポ
リイミド／ケブラー基板に孔を形成するのに有効
であり、特に基板は約４ミル（1.0×10-2cm）か
ら約16ミル（4.1×10-2cm）の範囲の厚さと、約
４ミル（1.0×10-2cm）からやや大きめのサイズ
の範囲の計を有して形成された開孔とを有し、開
孔間の最小エツジ距離は約６ミル（1.5×10-2cm）
の範囲である。このような基板によると、所望の
サイズ、形状および配置の開孔の周辺で基板をア
ンダーカツテイングしたり浸透したりすることを
避ける必要性が本質的にある。
使用される媒体は高温濃縮硫酸である。この硫酸
の温度は少なくとも185℃で好ましくは少なくと
も190℃に、それの濃度は少なくとも約80％で好
ましくは少なくとも約85％で、より好ましく少な
くも約90％にすべきである。上記硫酸の最低温度
は硫酸の分解を避けるのに十分に高くすべきであ
ると共に、室温および大気圧下で、好ましくは少
なくとも約165℃である。上記硫酸濃度は処理温
度以下で蒸発することから上記硫酸を保護するの
に十分に高くすべきである。ポリイミド／ケブラ
ー基板は銅クラツデイング除去後に、開孔を形成
するのに十分でしかも基板の分解およびアンダー
カツテイングを避ける時間でもつて上記硫酸にさ
らされる。好ましくは、これらの時間は、８ミル
厚さの接着剤／基板に対して約２秒から約20秒の
範囲である。（８ミルは2.0×10-2cmに等しい。） この発明の方法は回路板のような銅クラツドポ
リイミド／ケブラー基板に孔を形成するのに有効
であり、特に基板は約４ミル（1.0×10-2cm）か
ら約16ミル（4.1×10-2cm）の範囲の厚さと、約
４ミル（1.0×10-2cm）からやや大きめのサイズ
の範囲の計を有して形成された開孔とを有し、開
孔間の最小エツジ距離は約６ミル（1.5×10-2cm）
の範囲である。このような基板によると、所望の
サイズ、形状および配置の開孔の周辺で基板をア
ンダーカツテイングしたり浸透したりすることを
避ける必要性が本質的にある。
この方法は、いずれかのサイドに接着剤により
接着されたメタリツク層を有する基板からなる回
路板のような銅クラツドまたは他の金属のクラツ
ドのポリイミド／ケブラー基板にいわゆるブライ
ンドホールおよびスルーホールと称される両方の
ものを形成することを可能とする。ブラインドホ
ールは金属クラツデイングと基板を通して形成さ
れるが、金属クラツデイングに形成された開孔に
直接的に対向する基板の他のサイドの金属クラツ
デイングを通しては形成されない。スルーホール
は製品を通して完全に進行し、このことはホール
が製品の一方のサイドの金属クラツデイングの第
１の開孔を通し、該開孔の真下の基板を通し、さ
らにクラツデイングの第１の開孔に見当が合う
（すなわち直接的に対向する）金属層を通して進
行することを意味する。
接着されたメタリツク層を有する基板からなる回
路板のような銅クラツドまたは他の金属のクラツ
ドのポリイミド／ケブラー基板にいわゆるブライ
ンドホールおよびスルーホールと称される両方の
ものを形成することを可能とする。ブラインドホ
ールは金属クラツデイングと基板を通して形成さ
れるが、金属クラツデイングに形成された開孔に
直接的に対向する基板の他のサイドの金属クラツ
デイングを通しては形成されない。スルーホール
は製品を通して完全に進行し、このことはホール
が製品の一方のサイドの金属クラツデイングの第
１の開孔を通し、該開孔の真下の基板を通し、さ
らにクラツデイングの第１の開孔に見当が合う
（すなわち直接的に対向する）金属層を通して進
行することを意味する。
この発明の方法は、銅クラツドまたは他の金属
クラツドのポリイミド／ケブラー製品にいわゆる
ブラインドホールおよびスルーホールと称される
両方のものを形成することを可能とする。ブライ
ンドホールは金属クラツデイング、接着剤層およ
びその下にあるポリイミド／ケブラー層を通して
形成されるが、金属クラツデイングに形成された
開孔に直接的に対向する製品の他のサイドの金属
クラツデイングを通しては形成されない。スルー
ホールは製品を通して完全に進行し、このことは
該ホールが製品の一方のサイドの金属クラツデイ
ング第１の開孔を通し、該開孔の真下の接着剤層
を通し、該開孔の真下のポリイミド／ケブラー層
を通し、ポリイミド／ケブラー層の他のサイドの
接着剤を通し、さらに上記クラツデイングの第１
の開孔に見当が合う（すなわち直接的に対向す
る）金属層を通して進行することを意味する。
クラツドのポリイミド／ケブラー製品にいわゆる
ブラインドホールおよびスルーホールと称される
両方のものを形成することを可能とする。ブライ
ンドホールは金属クラツデイング、接着剤層およ
びその下にあるポリイミド／ケブラー層を通して
形成されるが、金属クラツデイングに形成された
開孔に直接的に対向する製品の他のサイドの金属
クラツデイングを通しては形成されない。スルー
ホールは製品を通して完全に進行し、このことは
該ホールが製品の一方のサイドの金属クラツデイ
ング第１の開孔を通し、該開孔の真下の接着剤層
を通し、該開孔の真下のポリイミド／ケブラー層
を通し、ポリイミド／ケブラー層の他のサイドの
接着剤を通し、さらに上記クラツデイングの第１
の開孔に見当が合う（すなわち直接的に対向す
る）金属層を通して進行することを意味する。
第１実施例
発明者は、厚さ0.005インチ（1.27×10-3cm）を
有するフラツトポリイミド／ケブラーフラツト基
板上の0.0015インチ（3.8×10-2cm）厚さの銅クラ
ツデイング中に約0.01インチ（2.54×10-2cm）か
ら0.02インチ（5.08×10-2cm）に集中する径を有
する孔群からなる採寸１インチ（2.54cm）×１イ
ンチのアレイを形成した。上記基板は両サイドに
クラツデイングが施されると共に、上記銅クラツ
デイング中の開孔は基板の両サイド上の鉄塩化物
でエツチングすることによつて銅クラツド基板に
スルーホール形成を促進するために互いに見当が
合わされて形成されている。この基板の両サイド
上の銅クラツデイング中に開孔を形成した後、銅
クラツデイングは形成された開孔からポリイミ
ド／ケブラー基板物質の除去のためのマスクとし
て機能される。
有するフラツトポリイミド／ケブラーフラツト基
板上の0.0015インチ（3.8×10-2cm）厚さの銅クラ
ツデイング中に約0.01インチ（2.54×10-2cm）か
ら0.02インチ（5.08×10-2cm）に集中する径を有
する孔群からなる採寸１インチ（2.54cm）×１イ
ンチのアレイを形成した。上記基板は両サイドに
クラツデイングが施されると共に、上記銅クラツ
デイング中の開孔は基板の両サイド上の鉄塩化物
でエツチングすることによつて銅クラツド基板に
スルーホール形成を促進するために互いに見当が
合わされて形成されている。この基板の両サイド
上の銅クラツデイング中に開孔を形成した後、銅
クラツデイングは形成された開孔からポリイミ
ド／ケブラー基板物質の除去のためのマスクとし
て機能される。
その後、所定のサイズ、形状および間隔の孔パ
ターンを有する前記基板を195℃の濃縮硫酸槽中
に10秒間、浸した。この硫酸濃度は96％である。
そして、硫酸槽から基板を取り出した後、基板は
全ての硫酸成分を取り除くためおよびポリイミ
ド／ケブラー基板と硫酸との間の反作用を停止す
る目的で１分間、水中に浸された。
ターンを有する前記基板を195℃の濃縮硫酸槽中
に10秒間、浸した。この硫酸濃度は96％である。
そして、硫酸槽から基板を取り出した後、基板は
全ての硫酸成分を取り除くためおよびポリイミ
ド／ケブラー基板と硫酸との間の反作用を停止す
る目的で１分間、水中に浸された。
その後、酸化アルミニウムスラリーからなる液
体ホーニング媒体で基板の各開孔中のぎざぎざし
たエツジがきれいにされた。この場合、常時、液
体ホーニング媒体を供給するホースのノズルが各
孔から少なくとも９インチ（22.86cm）の距離に
保持するようになされた。また、ホーニング圧力
は約10乃至約50psiまたは約0.68×104乃至約3.4×
104パスカルの範囲に保持された。
体ホーニング媒体で基板の各開孔中のぎざぎざし
たエツジがきれいにされた。この場合、常時、液
体ホーニング媒体を供給するホースのノズルが各
孔から少なくとも９インチ（22.86cm）の距離に
保持するようになされた。また、ホーニング圧力
は約10乃至約50psiまたは約0.68×104乃至約3.4×
104パスカルの範囲に保持された。
その後、前記スルーホール部は非電着性銅析出
法で処理されると共に、正規の厚さに鍍金され
た。各孔部のマイクロ写真は該スルーホール形成
が受け容れられるものであることを示した。
法で処理されると共に、正規の厚さに鍍金され
た。各孔部のマイクロ写真は該スルーホール形成
が受け容れられるものであることを示した。
第２実施例
発明者は、各サイド上に採寸0.0015インチ
（3.8×10-3cm）の銅クラツドを施した厚さが0.005
インチ（1.27×10-2cm）のフラツトポリイミド／
ケブラー基板上に0.004インチ（1.02×10-2cm）か
ら0.010インチ（2.54×10-2cm）に集中する径を有
する孔群からなる採寸１インチ（2.54cm）×１イ
ンチのアレイを形成した。スルーホールの形成を
促進するために銅クラツデイングをエツチングし
た後、この銅クラツデイングは硫酸による後続処
理のためのマスクとして機能される。
（3.8×10-3cm）の銅クラツドを施した厚さが0.005
インチ（1.27×10-2cm）のフラツトポリイミド／
ケブラー基板上に0.004インチ（1.02×10-2cm）か
ら0.010インチ（2.54×10-2cm）に集中する径を有
する孔群からなる採寸１インチ（2.54cm）×１イ
ンチのアレイを形成した。スルーホールの形成を
促進するために銅クラツデイングをエツチングし
た後、この銅クラツデイングは硫酸による後続処
理のためのマスクとして機能される。
次に、各サイド上の銅クラツデイング中に開孔
のパターン化されたアレイを有する基板を195℃
の濃縮（96％）硫酸槽中に７秒間、浸した。この
硫酸槽から取り出された基板を、その直後に、全
ての硫酸を除去するために水中に１分間、浸し
た。
のパターン化されたアレイを有する基板を195℃
の濃縮（96％）硫酸槽中に７秒間、浸した。この
硫酸槽から取り出された基板を、その直後に、全
ての硫酸を除去するために水中に１分間、浸し
た。
その後、水中に分散された酸化アルミニウム砥
粒を含む液体ホーニング媒体でもつて、形成孔の
各エツジから凹凸物質を一掃した。この場合、第
１実施例と同様に、常時、液体ホーニング供給機
ノズルを各孔から少なくとも９インチ（22.86cm）
の距離に保持すると共に、ホーニング圧力を約10
乃至約50psiの範囲に保持した。
粒を含む液体ホーニング媒体でもつて、形成孔の
各エツジから凹凸物質を一掃した。この場合、第
１実施例と同様に、常時、液体ホーニング供給機
ノズルを各孔から少なくとも９インチ（22.86cm）
の距離に保持すると共に、ホーニング圧力を約10
乃至約50psiの範囲に保持した。
この基板に形成された孔はその後で、非電着性
銅析出法により処理されると共に、規定の厚さに
鍍金された。この基板の断面のマイクロ写真は鍍
金されたスルーホールが受け容れられるものであ
ることを示した。
銅析出法により処理されると共に、規定の厚さに
鍍金された。この基板の断面のマイクロ写真は鍍
金されたスルーホールが受け容れられるものであ
ることを示した。
実施例の比較
発明者が、150℃の硫酸槽による第１実施例の
結果を再現することを試みたところ、上記硫酸槽
は、槽中に100秒間の浸し後でも銅クラツデイン
グ中に形成された孔からポリイミド／ケブラー物
質が除去されなかつた。160℃で２分45秒間、エ
ツチングしたところ、銅クラツデイングのみを残
して、孔中と同様に各孔間のポリイミド／ケブラ
ー基板か破壊された。185℃で20秒の浸し時間で
エツチングしたところ、前記ポリイミド／ケブラ
ー基板のいずれにもスルーホールが形成されなか
つた。しかしながら、その後、各孔間でポリイミ
ド／ケブラー基板の重大なアンダーカツテイグや
浸透なしに、液体ホーニングにクラツデイング中
の開孔を当てることによつてかような開孔を形成
することが可能であつた。
結果を再現することを試みたところ、上記硫酸槽
は、槽中に100秒間の浸し後でも銅クラツデイン
グ中に形成された孔からポリイミド／ケブラー物
質が除去されなかつた。160℃で２分45秒間、エ
ツチングしたところ、銅クラツデイングのみを残
して、孔中と同様に各孔間のポリイミド／ケブラ
ー基板か破壊された。185℃で20秒の浸し時間で
エツチングしたところ、前記ポリイミド／ケブラ
ー基板のいずれにもスルーホールが形成されなか
つた。しかしながら、その後、各孔間でポリイミ
ド／ケブラー基板の重大なアンダーカツテイグや
浸透なしに、液体ホーニングにクラツデイング中
の開孔を当てることによつてかような開孔を形成
することが可能であつた。
従つて、以上詳述したようにこの発明によれ
ば、接着剤により接着されたメタリツク層を有す
るポリイミド／ケブラー基案に小径孔を十分且つ
有効に形成し得る方法を提供することが可能とな
る。
ば、接着剤により接着されたメタリツク層を有す
るポリイミド／ケブラー基案に小径孔を十分且つ
有効に形成し得る方法を提供することが可能とな
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 接着剤により接着されたメタリツク層を有す
るポリイミド／ケブラー基板に所定のサイズと形
状の孔を形成する方法であつて、 (a) 上記メタリツク層に少なくとも一つの開孔を
エツチングにより形成して真下のポリイミド／
ケブラー物質を露出する工程と、 (b) 上記ポリイミド／ケブラー層に所定のサイズ
と形状の開孔を形成するのに十分な時間でもつ
て少なくとも約185℃の温度の高温濃縮硫酸中
に前記露出されたポリイミド／ケブラー物質を
接触すると共に、上記硫酸中から前記基板を取
り出して水洗いする工程と、 (c) 前記開孔中に残留するポリイミド／ケブラー
物質を除去するために、必要に応じて、前記基
板を液体ホーニング媒体に接触する工程とを具
備してなる方法。 ２ 上記ポリイミド／ケブラー基板が核基板の第
１のサイドに接着剤により接着された第１のメタ
リツク層と、上記第１のサイドに対向する上記基
板の第２のサイドに接着剤により接着された第２
のメタリツク層とを有する特許請求の範囲第１項
に記載の方法。 ３ 上記孔の少なくとも一つがブラインドホール
である特許請求の範囲第２項に記載の方法。 ４ 上記孔の少なくとも一つがスルーホールであ
ると共に、該スルーホールが上記基板の互いに対
向するサイドで見当が合う少なくとも二つの開孔
を上記各メタリツク層に形成することによつて作
成され、且つ該二つの開孔間の上記基板部分が除
去される特許請求の範囲第２項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US92325186A | 1986-10-27 | 1986-10-27 | |
| US923,251 | 1986-10-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164292A JPS63164292A (ja) | 1988-07-07 |
| JPH0429236B2 true JPH0429236B2 (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=25448384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26551887A Granted JPS63164292A (ja) | 1986-10-27 | 1987-10-22 | ポリイミド／ケブラー基板に小径孔を選択的に形成する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164292A (ja) |
| DK (1) | DK529787A (ja) |
| ES (1) | ES2005383A6 (ja) |
| GR (1) | GR871344B (ja) |
| IL (1) | IL83748A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4328990A1 (en) | 2022-08-24 | 2024-02-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Electrode for battery, battery, and manufacturing method of electrode |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114449765A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-05-06 | 深圳恒宝士线路板有限公司 | 一种替代激光制作盲孔的hdi板制作方法 |
-
1987
- 1987-09-01 GR GR871344A patent/GR871344B/el unknown
- 1987-09-02 IL IL83748A patent/IL83748A/xx not_active IP Right Cessation
- 1987-10-08 ES ES8702868A patent/ES2005383A6/es not_active Expired
- 1987-10-09 DK DK529787A patent/DK529787A/da not_active Application Discontinuation
- 1987-10-22 JP JP26551887A patent/JPS63164292A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4328990A1 (en) | 2022-08-24 | 2024-02-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Electrode for battery, battery, and manufacturing method of electrode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2005383A6 (es) | 1989-03-01 |
| DK529787A (da) | 1988-04-28 |
| IL83748A (en) | 1991-05-12 |
| GR871344B (en) | 1988-02-17 |
| JPS63164292A (ja) | 1988-07-07 |
| DK529787D0 (da) | 1987-10-09 |
| IL83748A0 (en) | 1988-02-29 |
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