JPH0429174B2 - - Google Patents

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JPH0429174B2
JPH0429174B2 JP57141645A JP14164582A JPH0429174B2 JP H0429174 B2 JPH0429174 B2 JP H0429174B2 JP 57141645 A JP57141645 A JP 57141645A JP 14164582 A JP14164582 A JP 14164582A JP H0429174 B2 JPH0429174 B2 JP H0429174B2
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forming
hole
corrosive liquid
shadow mask
photoresist film
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JP57141645A
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JPS5931543A (ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/14Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
    • H01J9/142Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of shadow-masks for colour television tubes

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はカラーブラウン管に使用されるシヤド
ウマスクの製造方法に関するものである。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
カラーブラウン管に使用されるシヤドウマスク
は主として写真製版法によつて多く製造されてい
る。そしてこの写真製版法は大別するとシヤドウ
マスク素材の両主面に感光液を塗布する感光液塗
布工程、この感光液を成膜化して感光膜とする乾
燥工程、露光工程、現像工程、バーニング工程、
及び腐蝕工程などから構成されている。
一方、カラー受像管は一般用、モニターやデイ
スプレイ用などその用途が多岐にわたつており、
このうち一般家庭用は別としてモニターやデイス
プレイ用のカラーブラウン管は極めて微細な画質
が要求されているため、これらに使用するシヤド
ウマスクの電子ビーム通孔部は高精度で且つ微細
なものが要求されている。
次に本発明のシヤドウマスクの製造方法に最も
近い従来例である特開昭51−9034号公報によるシ
ヤドウマスクの製造方法を第1図乃至第4図によ
り説明すると、先ず第1図のようにシヤドウマス
ク素材1の両主面に感光膜2を形成したのち、大
孔用ネガパターン、小孔用ネガパターンを有する
ネガ原板を密接させたのち、露光、現像し、直径
d1の小孔部形成部と、直径d2の大孔形成部の感光
膜2を除去し、次に第2図のように両面から腐蝕
液をスプレイ方法により吹きつけ小孔部3の開口
部径D1になる迄蝕刻する。勿論この場合には大
孔形成部からも所定深さの大孔部4が蝕刻され
る。次に第3図のように小孔部3内も含めて感光
膜2上に腐蝕液の抵抗層6を被着形成したのち、
第4図に示すように主として大孔部4側より腐蝕
液をスプレイ方法により吹きつけ、小孔部3に被
着形成された腐蝕液の抵抗層6に達し、かつ小孔
部3の開口部径D1を乱すことがないように大孔
部4を拡大し、大孔部4の開口部径D2になる迄
腐蝕し、水洗、乾燥後、腐蝕液の抵抗層6及び感
光膜2を除去し、第5図に示すシヤドウマスク
(実際にはフラツトマスク)を完成する。
このようなシヤドウマスクの製造方法によると
電子ビーム通孔部の断面形状が安定し、また小孔
部3の開口部の直径D1も例えば140±5μmのばら
つきしかなく、また小孔部3の深さt1も安定し、
更に小孔部3のサイドエツチング量も約20〜
30μmと少なく、良好な電子ビーム通孔部を形成
することが可能である。しかしながら腐蝕液に対
する抵抗層6を小孔部3内に被着形成するため抵
抗剤を充填しなければならないが、大孔部4に比
較して小孔部3の開口部径は約半分と小さく抵抗
剤が流れ込みにくい。またサイドエツチングによ
り生じた感光膜のひさし部において小孔部3内の
空気と抵抗剤とが置換する際空気が溜り易く、完
全に小孔部3内を抵抗剤で充填して抵抗層6を形
成することが難しい。その結果ピンホールや泡が
抵抗層6内に残り易く、それらが最終的に電子ビ
ーム通孔部の欠点となるという問題がある。また
小孔部3の径にて電子ビーム通孔部の径を決定し
ているが、後半の大孔部4側からの腐蝕時、腐蝕
条件の変動により過度に腐蝕が進行した場合、抵
抗層6の形成されている小孔部3で腐蝕が止まら
ず、これを外れるため電子ビーム通孔部径のばら
つきが生じ易いという問題点がある。
〔発明の目的〕
本発明は前述した従来の問題点に鑑みなされた
ものであり、予め大孔部の開口部の直径が所定の
直径になるまで大孔部のみを腐蝕形成したのち、
この大孔部の少くとも底部に腐蝕液の抵抗層を直
接または下地を介して被着形成したのち、小孔部
の開口部の直径を所定径になるように腐蝕するこ
とにより、極めて良好な電子ビーム通孔部を穿設
することが可能なシヤドウマスクの製造方法を提
供することを目的としている。
〔発明の概要〕
即ち、本発明はシヤドウマスク素材の両主面に
感光膜を形成する工程と、感光面上にそれぞれ大
孔用ネガパターン、小孔用ネガパターンを有する
ネガ原板を密着させて露光する工程と、現像によ
り大孔及び小孔形成部の感光膜を除去する工程
と、大孔形成部のみから腐蝕により所定深さの大
孔部を形成する第1の腐蝕工程と、少くとも前記
大孔部の底部に直接または下地を介して腐蝕液の
抵抗層を被着形成する工程と、小孔形成部のみか
ら腐蝕により腐蝕液の抵抗層に達しかつこの腐蝕
液の抵抗層により大孔部側への腐蝕液の通り抜け
を阻止して所定の開孔部径を有する小孔部を形成
する第2の腐蝕工程と、腐蝕液の抵抗層及び感光
膜を除去する工程とを具備することを特徴とする
シヤドウマスクの製造方法である。
〔発明の実施例〕
次に本発明のシヤドウマスクの製造方法を工程
順に第6図乃至第10図により説明する。
先ず第6図のようにシヤドウマスク素材11の
両主面に感光膜12を形成したのち、大孔用ネガ
パターン、小孔用ネガパターンを有するネガ原板
を密接させたのち、露光、現像し、直径d3の小孔
形成部と、直径d4の大孔形成部の感光膜12を除
去し、次に第7図のように小孔形成部及び感光膜
12上に腐蝕液の影響を受けないようにポリエス
テルフイルム15で遮蔽し、大孔形成部のみを腐
蝕液のスプレイ方法により開口部径D4の大孔部
14を形成する。この場合大孔部14の深さはシ
ヤドウマスク素材11の材質、厚さ、腐蝕時間に
よつても異なるが、小孔形成部からの厚さt2が所
望値になるように選択する。またポリエステルフ
イルム15は腐蝕装置の工夫で不用にすることも
できる。
次にポリエステルフイルム15を除去し、洗
浄、乾燥例えば富士薬品工業(株)製の牛乳カゼイン
TS−5と重クロム酸アンモニウムを重量%で約
100:1とし、水で稀釈して比重を1.0300にした
腐蝕液の抵抗層16を第8図に示すように大孔部
14内部および感光膜12を覆うように被着形成
し、ベーキング処理を行なう。
次に第9図に示すように小孔形成部のみから所
定の開口部径D3で腐蝕液の抵抗層16に達し、
かつこの腐蝕液の抵抗層16により大孔部14側
への腐蝕液の通り抜けを阻止して小孔部13を形
成する。
次に腐蝕液の抵抗層16、感光膜12を除去
し、大孔部14及び小孔部13からなる電子ビー
ム通孔部を有する第10図に示すようなシヤドウ
マスクを完成する。
本実施例のシヤドウマスクの製造方法によれば
電子ビーム通孔部の断面形状が安定し、また小孔
部13の開口部径D3も例えば140±5μmのばらつ
きしかなく、また小孔部13の深さt2も安定し、
更に小孔部13のサイドエツチング量も約20〜
30μmと少なく、良好な電子ビーム通孔部を形成
することが可能であるのは従来の製造方法とほぼ
同様であるが、本実施例では大孔部側から例えば
水溶性感光液などの腐蝕液の抵抗層を被着形成す
るので作業的にも極めて容易でありかつピンホー
ル、泡などが発生しにくいため、これらピンホー
ル、泡などによる電子ビーム通孔部の欠陥が起り
にくいし、更に最終的に電子ビーム通孔部として
最も重要な小孔部13を腐蝕液の抵抗層により大
孔部側への腐蝕液の通り抜けを阻止して形成する
ため、この小孔部13の開口部径D3を安定に制
御することが可能となる。
前記実施例では腐蝕液の抵抗層16を大孔部1
4から感光膜12を覆うように設けたが、これは
第11図に示すように大孔部14の底部に小孔部
13を設ける部分より広めに被着形成してもよ
い。この理由としては従来例のように小孔部13
側に腐蝕液の抵抗層6を充填する場合は完全に充
填しないと後半の腐蝕工程の際に影響を受けて欠
陥となり易い。つまり小孔部13はシヤドウマス
クの電子ビーム径そのものを決定すると同時に小
孔部13そのものが、シヤドウマスクの孔径とな
るが、本発明のように大孔部に腐触液の抵抗層1
6を被着形成するのはシヤドウマスクの電子ビー
ム径を決めるには従来なものであり、小孔部側ほ
ど重要でないからである。
次に、本発明の他の実施例に使用する腐蝕液の
抵抗層の被着形成方法を説明すると、腐蝕液の抵
抗層として例えば富士薬品工業(株)製カゼインTS
−5と重クロム酸アンモニウムを重量%で約
100:1とし水で希釈して比重を1.0300に調整し
たもの、また例えば和信化学工業(株)製
LaquerNO18クリーヤーとNO3000シンナーを重
量%で約1:2に調製したものを準備し、夫々の
溶媒、即ち、前者は水、後者はシンナーを用いて
大孔部の形成されたシヤドウマスク素材にスプレ
イ方法またはデツプ方法で溶媒を残存させる。即
ち、この溶媒は下地になる。その後、腐蝕液の抵
抗層をスプレイまたはデイツプで被着形成する。
このように下地を設けることにより、腐蝕液の抵
抗層はそれぞれ下地の溶媒に分散、溶解して容易
になじみ、約150℃2分間の乾燥後シヤドウマス
ク素材と大孔部との境界面にピンホール、泡など
を全く発生することなく、最終的に腐蝕液の抵抗
層は大孔部内に、しつかりと固着し、脱落現象も
生じることがなく極めて良好なシヤドウマスクを
形成することが可能である。
〔発明の効果〕
前述のように本発明のシヤドウマスクの製造方
法によれば極めて良好な電子ビーム通孔部を有す
るシヤドウマスクを得ることができるのでその工
業的価値は極めて大である。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第5図は従来のシヤドウマスクの製
造方法を工程順に示す説明用断面図、第6図乃至
第10図は本発明のシヤドウマスクの製造方法の
一実施例を工程順に示す説明用断面図、第11図
は腐蝕液の抵抗層の他の被着形成状態を示す説明
用断面図である。 1,11……シヤドウマスク素材、2,12…
…感光膜、3,13……小孔部、4,14……大
孔部、6,16,161……腐蝕液の抵抗層、1
5……ポリエステルフイルム。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 シヤドウマスク素材の両主面に感光膜を形成
    する工程と、前記感光膜上にそれぞれ大孔用ネガ
    パターン、小孔用ネガパターンを有するネガ原版
    を密接させて露光する工程と、現像により大孔及
    び小孔形成部の感光膜を除去する工程と、前記大
    孔形成部のみから腐蝕により所定深さの大孔部を
    形成する第1の腐蝕工程と、少くとも前記大孔部
    の底部に直接または下地を介して腐蝕液の抵抗層
    を被着形成する工程と、前記小孔形成部のみから
    腐蝕により前記腐蝕液の抵抗層に達しかつこの腐
    蝕液の抵抗層により前記大孔部側への腐蝕液の通
    り抜けを阻止して所定の開孔部径を有する小孔部
    を形成する第2の腐蝕工程と、前記腐蝕液の抵抗
    層及び前記感光膜を除去する工程とを具備するこ
    とを特徴とするシヤドウマスクの製造方法。
JP14164582A 1982-08-17 1982-08-17 シヤドウマスクの製造方法 Granted JPS5931543A (ja)

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JPS5931543A JPS5931543A (ja) 1984-02-20
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP2421247A1 (en) 2010-08-19 2012-02-22 Sony Corporation Image processing device, method, and program

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62215646A (ja) * 1986-03-17 1987-09-22 Mitsubishi Petrochem Co Ltd プロピレン重合体組成物
JPS62232448A (ja) * 1986-04-03 1987-10-12 Mitsubishi Petrochem Co Ltd プロピレン共重合体フイルム
JP2746876B2 (ja) * 1986-09-30 1998-05-06 株式会社東芝 シヤドウマスクの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4978478A (ja) * 1972-11-30 1974-07-29
JPS5726346A (en) * 1980-07-22 1982-02-12 Kubota Ltd Hot water feeder

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4978478A (ja) * 1972-11-30 1974-07-29
JPS5726346A (en) * 1980-07-22 1982-02-12 Kubota Ltd Hot water feeder

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2421247A1 (en) 2010-08-19 2012-02-22 Sony Corporation Image processing device, method, and program

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