JPH0429149A - パターン形成材料およびパターン形成方法 - Google Patents

パターン形成材料およびパターン形成方法

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JPH0429149A
JPH0429149A JP2135059A JP13505990A JPH0429149A JP H0429149 A JPH0429149 A JP H0429149A JP 2135059 A JP2135059 A JP 2135059A JP 13505990 A JP13505990 A JP 13505990A JP H0429149 A JPH0429149 A JP H0429149A
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resist
pattern
polysulfone
electron beam
film
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Kazuhiko Hashimoto
和彦 橋本
Noboru Nomura
登 野村
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明ζよ　半導体素子や集積回路を荷電ビームを用い
てパターン形成して製作する際に使用する微細パターン
形成材料ならびに同材料を用いた微細パターン形成方法
に関するものであム従来の技術 従来　ＩＣ及びＬＳＩ等の製造においては　紫外線を用
いたホトリソグラフィーによってパターン形成を行なっ
ていも　素子の微細化に伴なｔ、％ステッパーレンズの
高ＮＡ化、短波長光源の使用等がすすめられている力（
それによって焦点深度が浅くなるという欠点がある。ま
ｒ、ＬｓＩ素子のパターン寸法の微細化　ＡＳＩＣの製
造等にともな（＼　電子ビームリソグラフィーが用いら
れるようになってきていも　この電子ビームリソグラフ
ィーによる微細パターン形成にはポジ型電子線レジスト
は欠くことのできないものであム　その中でポリメチル
メタクリレ−）　（ＰＭＭＡ）は最も解像性の良いもの
として知られている力丈　低感度であることが欠点であ
ム　それ故　近年ポジ型電子線レジストの感度を高める
多くの報告が行なわれており、例えばポリメタクリル酸
ブチ＆　　メタクリル酸メチルとメタクリ酸との共重合
恢　メタクリル酸とアクリロニトリルとの共重合恢　メ
タクリル酸メチルとイソブチレンとの共重合恢ポリブテ
ンー１−スリホン、ポリイソプロペニルケトン、含フツ
素ポリメタクリレート等のポジ型電子線レジストが発表
されていも　これらのレジストはいづれＬ　側鎖に電子
吸引性基を導入　または主鎖に分解しやすい結合を導入
することによって、電子ビームによる主鎖切断が容易に
おこるようにしたレジストであり、高感度化をねらった
ものである力丈　解像度と感度の両方を十分に満たした
ものであるとはいえなｌ、％　　また　耐ドライエツチ
法　耐熱性も十分良好なものであるとはいえないた敢　
ドライエツチング用のマスクとしては使用しにくく、そ
の利用は限られている。近爪ノボラック樹脂に溶解抑制
剤を加えて、ポジ型の電子線レジストを提供しているも
のもある。これ（友　レジストの末露光部力丈　アルカ
リ現像液に対して出来るだけ溶解しないようにするため
＋Ｑ　　メインポリマーであるノボラック樹脂に溶解抑
制剤を加え　露光部でＬ　　この溶解抑制剤が分解し低
分子量化するため圏　アルカリ現像液に対して溶解する
というものであり、例えば　ノボラック樹脂にポリメチ
ルペンテンスルホンを加えた電子線レジストが発表され
ている。ノボラック樹脂を含んでいるので、耐ドライエ
ツチ性が高く、またポリスルホンが分解するので感度は
高い力（現像度が悪く、また　末露光部はアルカリ現像
液に対して、ある程度溶解してしまうので、十分な残膜
厚を得ることができず、現像条件に対する寸法変動が大
きく、実用的であるとはいえなＩＸｏ　　また電子ビー
ムリソグラフィーにおいては　電子ビームレジストの耐
ドライエツチ性、耐熱性の悪さ、電子の前方散乱　後方
散乱のための近接効果によるパターン精度への影像　ま
た　入射電子のチャージ・アップによるパターン描画へ
の影響等の欠点かある。これらの欠点をおぎなうため（
ミ　レジストの働きを感光層と平坦化層とに分けた多層
レジスト法は非常に有効な方法であム　第３図は電子ビ
ームリソグラフィーにおける多層レジストプロセスを説
明する図である。近接効果をおさえるために下層膜３１
として高分子有機膜を２〜３μｍ厚塗布し　熱処理を行
う（第３図（ａ））。さらにこの上に中間層３２として
ＳｉＯａ等の無機膜あるいはＳＯＧ　（スピン　オン　
グラス）等の無機高分子膜を０．２μｍ厚塗布し　上層
レジスト３３として電子線レジストを０．５μｍ厚塗布
する。　（第３図（ｂ））。
電子ビーム描画後　現像し　レジストパターン３３Ｐを
得る（第３図（Ｃ））。次にこのレジストパターンをマ
スクとして中間層のドライエツチングを行な（Ｘ、さら
に　この中間層をマスクとして下層のドライエツチング
を行なう　（第３図（ｄ））。以上のような多層レジス
トプロセスを用いることにより、微細なパターンを高ア
スペクト比で形成することができも　しかし　三層レジ
ストプロセスでは工程がより複雑となり、また　コンタ
ミネーションの間凰　パターン転写時の寸法シフトが犬
きくなる等の問題があり、現実的であるとはいえな（を
発明が解決しようとする課題 上記のようく　三層レジストプロセスは有効な方法であ
るバ　複雑な工程　コンタミネーション、パターン転写
時のレジスト寸法の変動等の課題があム　電子ビーム描
画の場合、近接効果によるパターン精度への影響が大き
いたへ　厚い下層膜を塗布する必要がある。そこで、下
層膜のマスクと、レジスト層との働きを同時に兼ね備え
たシリコン含有レジスト、無機レジスト等が開発されて
いる。
主鎖にシロキサン結合を有したもＱ　ラダー型ポリシロ
キサン、カルコゲナイドガラス型無機レジスト等がある
力（まだ十分に耐ドライエツチ性も向上させることがで
きず、まり感度も解像度も悪く、実用にはほど遠いもの
である。これらのレジスト（よ　現像液として有機溶媒
を用いるので、レジストの感度変駄　寸法変動も大きく
、プロセス余裕度も少なく、また　環境汚染等の課題も
ある。本発明者ら（戴　これらの現像を解決するために
　有機アルカリ水溶液により現像可能類　耐ドライエッ
チ性の高賎　高感度高解像度の電子線レジスト、また　
それらを用いた微細パターン形成方法を完成した 課題を解決するための手段 本発明の微細パターン形成材料は　主鎖にＳｉ−０結合
をもった耐ドライエツチ性の高いポリシリコン樹脂と、
電子ビームが照射されることによって分解をおこすポリ
スルホン樹脂との混合物より成るものを提供すも　そし
て、望ましくはポリシリコンとポリスルホンとの交互共
重合体を提供すもまた　本発明は　半導体基板上へ　有
機高分子膜を塗布し熱処理する工程と、上記有機高分子
膜上に　ポリシリコンとポリスルホンとの混合物をレジ
スト膜として塗布し熱処理する工程と、上記レジスト膜
にパターンを描画後現像してレジストパターンを形成す
る工程と、上記レジストパターンをマスクとして、上記
有機高分子膜をエツチングする工程とを備えてなること
を特徴とする方法を提供するものである。
作用 本発明１よ　前記したシリコン含有電子線レジスト、お
よび、それらを用いたレジストプロセスにより、容易に
正確な微細パターンを形成することができも　特へ　耐
ドライエツチ性の高いシリコン原子を含んでいるのて　
パターン転写時における寸法シフトもなく、　レジスト
プロセス工程を簡略化することができ、まｔ＝　　ｇ度
も高く、アルカリ水溶液を現像液として用いることがで
きるのてプロセス余裕度も大きく、正確で微細なレジス
トパターンを形成することかできも　従って、本発明を
用いることによって、正確な高解像度な微細パターン形
成に有効に作用すム 実施例 まず、本発明の概要を述べａ　本発明（よ　耐ドライエ
ツチ性の高いポリシリコン樹脂と、荷電ビームが照射さ
れることによって分解をおこすポリスルホン樹脂との混
合物を電子線レジストとして使用することによって、上
記のような問題点を解消しようというものである。ま？
、　　望ましく（ヨボリシリコンとポリスルホンとの共
重合体である物質を電子線レジストとして使用するもの
であも電子ビームが照射されることによって、ポリシリ
コン樹脂より感度の高いポリスルホンが分解され低分子
量化し　溶解抑制としての作用をなくし現像液に対して
溶解するようになムー人　　末露光部Ｃヨ　　ポリスル
ホン樹脂が溶解抑制剤として十分働くので、現像液には
全く溶解せ哄　十分な残膜厚を得ることができ、ポジ型
の電子線レジストとして作用すム　また　これらの電子
線レジストは耐ドライエツチ性の高いシリコン原子を含
んでいるので、二層レジスト用のシリコン含有電子線レ
ジストになりうる。すなわ板　これらのレジスト材料は
　電子ビームによって容易に分解するＣ−８結合を含ん
だポリスルホンが低分子量し　現像液可溶となり、さら
く　耐ドライエツチ性の高いポリシリコンの２成分から
成っており、従って、電子ビームに対して高い感度を示
すシリコン含有電子線レジストになりつる。これらの電
子線レジストを二層レジストの上層レジストとして使用
することによって、多層レジストを容易に形成すること
ができ、耐ドライエツチ性は十分高く、また感度も高く
、現像液として有機アルカリ水溶液を使用することがで
きるので、環境上　人体上にもよく、容易に正確なポジ
型微細レジストパターンを形成することができも （実施例１） 分子量約５万のポリ　（エチルペンテンスルホン）１．
０ｇをエチルセロソルブアセテートＬＯＯｃｃに溶解さ
せた跣　分子量約１０万のポリジメチルシロキサン１．
０ｇを加えて溶解し　混合物を製造し九　この混合物を
２５℃で５分間ゆるやかにかくはんし　不溶物をろ別し
　均一な溶液にし九　このレジスト溶液を半導体基板上
に滴下Ｌ　　２００Ｏｒｐｍで２分間スピンコードを行
っ九　この基板を９０ｔ、、　　２０分間のベーキング
を行へ１．２μｍ厚のレジスト膜を得ることができ九　
次級　加速電圧３０ＫＶ、ドーズ量ＩＸ　１０−’　ｃ
　／　ｃｍ’で電子線描画を行った衡　有機アルカリ水
溶液で２分間現像を行った所、露光領域のレジストが溶
解し　未露光領域のレジストは全く溶解されず正確で微
細なポジ型レジストパターンを形成することができた （実施例２） 実施例１において、ポリジメチルシロキサンのかわりへ
　ポリエチルシロキサンをポリスルホンに加えることに
よってレジスト膜を形成した　このレジスト膜に加速電
圧２０に■、ドーズ量１ｏμＣ／ｃｎ”で電子線描画を
行った抵　有機アルカリ水溶液で２分間現像を行った所
、正確な微細なポジ型レジストパターンを形成すること
ができた　また末照射部の膜減りはほとんどなかった （実施例３） 本発明の第３の実施例を第１図に示も　半導体基板１１
上に下層膜１２として高分子有機膜を２μｍ厚塗布り、
　　２００℃、２０分間のベーキングを行った（第１図
（ａ））。この上へ　実施例１で得られた混合物を上層
レジスト１３として塗布り、　　９０ｔ、　　２０分間
のべ一牛ングを行（＼　０．５μｍ厚のレジスト膜を形
成した（第１図（ｂ））。次に　加速電圧３０　Ｋ　ｖ
、ドーズ量５μｃ／ｃｍ”で電子線描画を行しく　有機
アルカリ水溶液で２分間現像を行った豚　正確な微細ポ
ジ型レジストパターン１３Ｐを得ることができた（第１
図（Ｃ））。このレジストパターンをマスクとして、下
層膜１２のエツチングを行し＼　正確で垂直な微細レジ
ストパターンを得ることができた−（第１図（ｄ））。
以上のよう艮　本実施例によれば　二層レジストの上層
レジストとして高感度シリコン含有レジストを用いるこ
とによって、高精度に微細なポジ型レジストパターンを
形成することができも （実施例４） エチルペンテンスルホン０．２ｇをセロソルブアセテー
ト１００ｃｃに溶解させた後、ジメチルシロキサン０．
１ｇを加えて、アゾビス系の重合開始剤で重合を行１．
Ｘ、交互共重合体を得へ　この共重合体を２５℃で５分
間ゆるやかにかくはんし　不溶物をろ別し均一な溶液と
した　このレジスト溶液を半導体基板上に滴下Ｌ　　２
００Ｏｒｐｍで２分間スピンコードを行っ九　この基板
を９０″Ｃ，２０分間のベーキングを行ＬＸ、１．２μ
ｍ厚のレジスト膜を得ることができた次艮　加速電圧３
０ＫＶ、ドーズ量１　ｘ　１０−’　ｃ　／　ｃｍ”で
電子線描画を行った礁　有機アルカリ水溶液で２分間現
像を行った所、末照射部のレジストは全く溶解されず、
正確で微細なポジ型レジストパターンを得ることができ
た （実施例５） 本発明の第５の実施例を第２図に示す。半導体基板１１
上に下層膜２１として高分子有機膜を２μｍ厚塗布Ｌ　
　２２０’Ｄ　　２０分間のベーキングを行った（第２
図（ａ））。この上に実施例４で得られた共重合体を上
層レジスト２２として塗布り、　　９０′ｔＡ２０分間
のベーキングを行もＸ、０．５μｍ厚のレジスト膜を形
成した（第２図（ｂ））。次番へ　　加速電圧２０に■
、ドーズ量５　ｘ　１０−”　ｃ、　／　ｃｍ’で電子
線描画を行Ｌ％　　有機アルカリ水溶液で２分間現像を
行った所、正確な微細ポジ型レジストパターン２２Ｐを
得ることができた（第２図（Ｃ））。このレジストパタ
ーンをマスクとして、下層膜２１のエツチングを行Ｖ＼
　正確で垂直な微細レジストパターンを得ることができ
た（第２図（ｄ））。以上のように　本実施例によれは
二層レジストの上層レジストとして高感度シリコン含有
レジストを用いることによって、高精度に微細なポジ型
レジストパターンを形成することができも 発明の詳細 な説明したようへ　本発明によれば　ポリスルホン系高
分子物質とポリシリコン系高分子物質との混合物を電子
線レジストとして使用することによって、二層レジスト
を容易に形成することができ、高感度で、高解像度、耐
ドライエツチ性の高いポジ型レジストパターンを、有機
アルカリ水溶液を用いることによって形成することがで
きもまた　荷電ビームに対して分解しゃすいポリスルホ
ンと、耐ドライエツチ性の高いポリシリコンとの共重合
体を電子線レジストとして使用することによってｋ　容
易に二層レジストを形成することができ、正確で垂直な
微細レジストパターンを形成することができ、超高密度
集積回路の製造に大きく寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明における一実施例の工程断面医第２図は
同地の実施例の工程断面図　第３図は従来の多層レジス
トプロセスの工程断面図であも１１・・・・半導体基Ｋ
　　１２・・・・下層ＪＩＩＬ　　１３・・・・上層レ
ジスト。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はか１名第 図 第 図 第 図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）主鎖にＳｉ−Ｏ結合を含んだポリシロキサンと、
    荷電ビームが照射されることによって分解をおこすポリ
    スルホンとの混合物より成ることを特徴とするパターン
    形成材料。
  2. （２）ポリシロキサンとポリスルホンとの交互共重合体
    より成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    パターン形成材料。
  3. （３）半導体基板上に、高分子有機膜を塗布し熱処理す
    る工程と、上記高分子有機膜上に、ポリシロキサンとポ
    リスルホンとの混合物よりなるレジスト膜を塗布し熱処
    理する工程と、荷電ビームによりパターン描画後、現像
    を行いレジストパターンを形成する工程と、このレジス
    トパターンをマスクとして、上記高分子有機膜をエッチ
    ングする工程とを備えて成ることを特徴とするパターン
    形成方法。
JP2135059A 1990-05-24 1990-05-24 パターン形成材料およびパターン形成方法 Pending JPH0429149A (ja)

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JP2135059A JPH0429149A (ja) 1990-05-24 1990-05-24 パターン形成材料およびパターン形成方法
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5518767A (en) * 1993-07-01 1996-05-21 Massachusetts Institute Of Technology Molecular self-assembly of electrically conductive polymers
US6100172A (en) * 1998-10-29 2000-08-08 International Business Machines Corporation Method for forming a horizontal surface spacer and devices formed thereby
JP5326558B2 (ja) * 2008-12-26 2013-10-30 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61289345A (ja) * 1985-05-31 1986-12-19 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション リソグラフイ用レジスト
JPS62191849A (ja) * 1986-02-18 1987-08-22 Hitachi Ltd 放射線感応性樹脂組成物
JPS62240954A (ja) * 1986-04-12 1987-10-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> レジスト材料
JPS63239440A (ja) * 1986-11-25 1988-10-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> エネルギ線感応性樹脂組成物
JPH01144044A (ja) * 1987-11-30 1989-06-06 Mitsubishi Electric Corp ポジ型フオトレジスト材料

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61289345A (ja) * 1985-05-31 1986-12-19 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション リソグラフイ用レジスト
JPS62191849A (ja) * 1986-02-18 1987-08-22 Hitachi Ltd 放射線感応性樹脂組成物
JPS62240954A (ja) * 1986-04-12 1987-10-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> レジスト材料
JPS63239440A (ja) * 1986-11-25 1988-10-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> エネルギ線感応性樹脂組成物
JPH01144044A (ja) * 1987-11-30 1989-06-06 Mitsubishi Electric Corp ポジ型フオトレジスト材料

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