JPH04291003A - 磁気記録装置 - Google Patents
磁気記録装置Info
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- JPH04291003A JPH04291003A JP8073891A JP8073891A JPH04291003A JP H04291003 A JPH04291003 A JP H04291003A JP 8073891 A JP8073891 A JP 8073891A JP 8073891 A JP8073891 A JP 8073891A JP H04291003 A JPH04291003 A JP H04291003A
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- QFTYEBTUFIFTHD-UHFFFAOYSA-N 1-[6,7-dimethoxy-1-[1-(6-methoxynaphthalen-2-yl)ethyl]-3,4-dihydro-1H-isoquinolin-2-yl]-2-piperidin-1-ylethanone Chemical compound C1=CC2=CC(OC)=CC=C2C=C1C(C)C(C1=CC(OC)=C(OC)C=C1CC1)N1C(=O)CN1CCCCC1 QFTYEBTUFIFTHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気ディスク装置の磁
気ヘッド駆動装置に用いて好適な磁気記録装置に関する
。
気ヘッド駆動装置に用いて好適な磁気記録装置に関する
。
【0002】
【従来の技術】光変調方式の磁気ディスク装置において
情報を記録する場合、光磁気ディスクに対して磁気ヘッ
ドにより所定のバイアス磁界を付与するとともに、記録
情報に対応したレーザ光を光磁気ディスクに照射する。 これに対して磁界変調方式の場合、所定のレベルのレー
ザ光を光磁気ディスクに照射するとともに、記録情報に
対応して変調された磁界を磁気ヘッドにより、光磁気デ
ィスクに付与する。
情報を記録する場合、光磁気ディスクに対して磁気ヘッ
ドにより所定のバイアス磁界を付与するとともに、記録
情報に対応したレーザ光を光磁気ディスクに照射する。 これに対して磁界変調方式の場合、所定のレベルのレー
ザ光を光磁気ディスクに照射するとともに、記録情報に
対応して変調された磁界を磁気ヘッドにより、光磁気デ
ィスクに付与する。
【0003】図5は磁界変調方式における従来の磁気ヘ
ッド駆動装置の一例の構成を示している。この例におい
ては磁気ヘッドを構成するコイル7,8がそれぞれFE
T5,6に接続されている。これらのFET5,6に保
護用のツェナーダイオード9,10が並列に接続されて
いる。FET6のゲートには端子1より入力された記録
信号が増幅器4を介して入力されている。また、FET
5のゲートには端子1より入力された記録信号がインバ
ータ2により反転された後、増幅器3を介して入力され
るようになっている。増幅器3,4には所定のバイアス
電圧V1が供給されており、またコイル7,8には所定
の電圧V2が供給されている。
ッド駆動装置の一例の構成を示している。この例におい
ては磁気ヘッドを構成するコイル7,8がそれぞれFE
T5,6に接続されている。これらのFET5,6に保
護用のツェナーダイオード9,10が並列に接続されて
いる。FET6のゲートには端子1より入力された記録
信号が増幅器4を介して入力されている。また、FET
5のゲートには端子1より入力された記録信号がインバ
ータ2により反転された後、増幅器3を介して入力され
るようになっている。増幅器3,4には所定のバイアス
電圧V1が供給されており、またコイル7,8には所定
の電圧V2が供給されている。
【0004】端子1より高レベルの信号が入力されたと
き、この信号は増幅器4により増幅されFET6のゲー
トに入力される。これによりFET6がオンし、コイル
8に電流が流れて、コイル8より所定方向の磁界が発生
する。また、このとき端子1より入力された信号はイン
バータ2により反転され、増幅器3を介してFET5の
ゲートに入力される。即ちこの時FET5のゲートには
低レベルの信号が入力されるのでFET5はオフし、コ
イル7には電流が流れない。
き、この信号は増幅器4により増幅されFET6のゲー
トに入力される。これによりFET6がオンし、コイル
8に電流が流れて、コイル8より所定方向の磁界が発生
する。また、このとき端子1より入力された信号はイン
バータ2により反転され、増幅器3を介してFET5の
ゲートに入力される。即ちこの時FET5のゲートには
低レベルの信号が入力されるのでFET5はオフし、コ
イル7には電流が流れない。
【0005】一方、端子1に低レベルの信号が入力され
たときインバータ2によりこの信号が反転され、増幅器
3を介して高レベルの信号がFET5のゲートに入力さ
れる。これにより、FET5がオンしコイル7に電流が
流れ、コイル8により発生される磁界の方向とは逆の方
向の磁界がコイル7により発生される。また、この時F
ET6のゲートには増幅器4を介して低レベルの信号が
入力されるのでFET6はオフし、コイル8には電流が
流れない。このようにしてコイル7と8により発生され
た磁界が図示せぬ光磁気ディスクに付与されることにな
る。
たときインバータ2によりこの信号が反転され、増幅器
3を介して高レベルの信号がFET5のゲートに入力さ
れる。これにより、FET5がオンしコイル7に電流が
流れ、コイル8により発生される磁界の方向とは逆の方
向の磁界がコイル7により発生される。また、この時F
ET6のゲートには増幅器4を介して低レベルの信号が
入力されるのでFET6はオフし、コイル8には電流が
流れない。このようにしてコイル7と8により発生され
た磁界が図示せぬ光磁気ディスクに付与されることにな
る。
【0006】尚ツェナーダイオード9と10はFET5
と6がオフするタイミングにおいてコイル7と8より発
生する逆起電力がFET5と6に印加され、破壊される
のを防止する。
と6がオフするタイミングにおいてコイル7と8より発
生する逆起電力がFET5と6に印加され、破壊される
のを防止する。
【0007】FET5,6に所定の電圧を印加したとき
これが完全にオンするのに若干の時間がかかる。またF
ET5,6は若干の抵抗成分を有している。従ってFE
T5とコイル7の直列回路またFET6とコイル8の直
列回路により遅延回路が形成され、FET5,6のゲー
トに印加された電圧に対してFET5とコイル7を流れ
る電流、また、FET6とコイル8を流れる電流はそれ
ぞれ若干遅延することになる。図6はこの関係を示して
いる。即ちFET5,6のゲートに電圧V1が印加され
たときコイル7,8には電流i1が流れる。電圧V1が
距形波であるのに対して、電流i1は漸次上昇し、急激
に減少する三角波になっている。電圧V1より高い周波
数の電圧V2を印加すると、電流i2が流れ、電圧V2
より高い周波数の電圧V3を印加すると、電流i3が流
れる。即ち、周波数が低いほど流れる電流の大きさは大
きくなることが判る。
これが完全にオンするのに若干の時間がかかる。またF
ET5,6は若干の抵抗成分を有している。従ってFE
T5とコイル7の直列回路またFET6とコイル8の直
列回路により遅延回路が形成され、FET5,6のゲー
トに印加された電圧に対してFET5とコイル7を流れ
る電流、また、FET6とコイル8を流れる電流はそれ
ぞれ若干遅延することになる。図6はこの関係を示して
いる。即ちFET5,6のゲートに電圧V1が印加され
たときコイル7,8には電流i1が流れる。電圧V1が
距形波であるのに対して、電流i1は漸次上昇し、急激
に減少する三角波になっている。電圧V1より高い周波
数の電圧V2を印加すると、電流i2が流れ、電圧V2
より高い周波数の電圧V3を印加すると、電流i3が流
れる。即ち、周波数が低いほど流れる電流の大きさは大
きくなることが判る。
【0008】光磁気ディスクに情報を記録するには、光
磁気ディスクを磁気的に飽和するレベルの磁界を付与す
る必要がある。上述したように高い周波数の信号ほど流
れる電流の大きさは小さくなる。従って光磁気ディスク
に記録すべき最も高い周波数の信号が記録可能となるよ
うにコイル7と8に電流を供給する必要がある。このた
め図6の例においては最も高い周波数の信号電流i1の
レベルが光磁気ディスクを磁気的に飽和させるのに必要
なレベルI1を超えるように増幅器3,4のバイアス電
圧V1とコイル7,8に供給される電圧V2の値が設定
されている。
磁気ディスクを磁気的に飽和するレベルの磁界を付与す
る必要がある。上述したように高い周波数の信号ほど流
れる電流の大きさは小さくなる。従って光磁気ディスク
に記録すべき最も高い周波数の信号が記録可能となるよ
うにコイル7と8に電流を供給する必要がある。このた
め図6の例においては最も高い周波数の信号電流i1の
レベルが光磁気ディスクを磁気的に飽和させるのに必要
なレベルI1を超えるように増幅器3,4のバイアス電
圧V1とコイル7,8に供給される電圧V2の値が設定
されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置においては
、このように最も高い周波数の信号が光磁気ディスク上
に確実に記録できるようにバイアス電圧V1,V2を設
定するようにしているので、より低い周波数の信号を記
録するとき必要以上に大きな電流を流すことになり電力
が無駄に消費されるばかりでなく、FET5,6やコイ
ル7,8が発熱するという課題があった。
、このように最も高い周波数の信号が光磁気ディスク上
に確実に記録できるようにバイアス電圧V1,V2を設
定するようにしているので、より低い周波数の信号を記
録するとき必要以上に大きな電流を流すことになり電力
が無駄に消費されるばかりでなく、FET5,6やコイ
ル7,8が発熱するという課題があった。
【0010】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、無駄な電力の消費と発熱を抑制するよう
にしたものである。
たものであり、無駄な電力の消費と発熱を抑制するよう
にしたものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録装置は
、磁気記録媒体に情報を記録する磁気記録手段と、磁気
記録手段に記録情報に対応した電流を供給する供給手段
と、磁気記録手段に供給する電流を記録情報に含まれる
最も高い周波数の信号に対応して制御する制御手段とを
備えることを特徴とする。
、磁気記録媒体に情報を記録する磁気記録手段と、磁気
記録手段に記録情報に対応した電流を供給する供給手段
と、磁気記録手段に供給する電流を記録情報に含まれる
最も高い周波数の信号に対応して制御する制御手段とを
備えることを特徴とする。
【0012】
【作用】上記構成の磁気記録装置においては、磁気記録
手段に供給される電流が記録情報に含まれる最も高い周
波数の信号に対応して制御される。従って無駄な電力の
消費と、発熱を抑制することが可能になる。
手段に供給される電流が記録情報に含まれる最も高い周
波数の信号に対応して制御される。従って無駄な電力の
消費と、発熱を抑制することが可能になる。
【0013】
【実施例】図1は本発明の磁気記録装置を磁界変調方式
の光磁気ディスク装置における磁気ヘッド駆動装置に応
用した場合の実施例の構成を示すブロック図であり、図
5における場合と対応する部分には同一の符号を付して
ありその説明は繰り返しになるので適宜省略する。この
実施例においては、端子1に記録信号供給回路21から
記録信号が供給されるようになっている。また、読取回
路22は、記録信号供給回路21から端子1に供給され
た記録信号の中から最も高い周波数の信号としてクロッ
ク成分を読み取るようになっている。そして、読み取り
結果をCPU23に出力している。電圧制御回路24は
CPU23からの制御信号に対応して増幅器3,4のバ
イアス電圧を設定するようにしている。その他の構成は
図5における場合と同様である。
の光磁気ディスク装置における磁気ヘッド駆動装置に応
用した場合の実施例の構成を示すブロック図であり、図
5における場合と対応する部分には同一の符号を付して
ありその説明は繰り返しになるので適宜省略する。この
実施例においては、端子1に記録信号供給回路21から
記録信号が供給されるようになっている。また、読取回
路22は、記録信号供給回路21から端子1に供給され
た記録信号の中から最も高い周波数の信号としてクロッ
ク成分を読み取るようになっている。そして、読み取り
結果をCPU23に出力している。電圧制御回路24は
CPU23からの制御信号に対応して増幅器3,4のバ
イアス電圧を設定するようにしている。その他の構成は
図5における場合と同様である。
【0014】次にその動作を説明する。記録信号供給回
路21より出力された記録信号は端子1を介して増幅器
4に供給される。増幅器4により増幅された記録信号は
FET6のゲートに供給される。また、端子1に供給さ
れた記録信号はインバータ2により反転された後、増幅
器3を介してFET5のゲートに供給される。これによ
り端子1に供給された記録信号が、高レベルのときFE
T6がオンしてコイル8に通電される。またこの時、F
ET5はオフしてコイル7には通電されない。逆に端子
1に供給された記録信号が低レベルのときFET5がオ
ンし、コイル7に通電されるとともに、FET6がオフ
し、コイル8には通電されない。このようにしてコイル
7と8により記録信号に対応した方向の磁界が発生され
、この磁界が図示せぬ光磁気ディスクに印加される。 従って図示せぬ光学ヘッドにより照射されるレーザ光と
共動して光磁気ディスク上に情報が記録される。
路21より出力された記録信号は端子1を介して増幅器
4に供給される。増幅器4により増幅された記録信号は
FET6のゲートに供給される。また、端子1に供給さ
れた記録信号はインバータ2により反転された後、増幅
器3を介してFET5のゲートに供給される。これによ
り端子1に供給された記録信号が、高レベルのときFE
T6がオンしてコイル8に通電される。またこの時、F
ET5はオフしてコイル7には通電されない。逆に端子
1に供給された記録信号が低レベルのときFET5がオ
ンし、コイル7に通電されるとともに、FET6がオフ
し、コイル8には通電されない。このようにしてコイル
7と8により記録信号に対応した方向の磁界が発生され
、この磁界が図示せぬ光磁気ディスクに印加される。 従って図示せぬ光学ヘッドにより照射されるレーザ光と
共動して光磁気ディスク上に情報が記録される。
【0015】一方読取回路22は端子1に供給された記
録信号をモニタし、この記録信号の中からクロックを抽
出する。そしてこのクロックの周波数を読み取りその読
み取り結果をCPU23に出力する。CPU23は読取
回路22の出力に対応して電圧制御回路24を制御し、
増幅器3,4に供給する電圧V1をクロックの周波数に
対応して制御する。
録信号をモニタし、この記録信号の中からクロックを抽
出する。そしてこのクロックの周波数を読み取りその読
み取り結果をCPU23に出力する。CPU23は読取
回路22の出力に対応して電圧制御回路24を制御し、
増幅器3,4に供給する電圧V1をクロックの周波数に
対応して制御する。
【0016】即ち、例えばMCAV(Modified
CAV)またはMCLV(Modified CLV
)方式のディスクにおいては、内周の所定の範囲の領域
のトラックでは、それより外周の所定の範囲の領域のト
ラックにおける場合よりクロックが低い周波数に設定さ
れている。換言すれば外周の領域においては内周の領域
における場合より、クロックの周波数が高く設定されて
いる。このクロックは通常記録される信号のうち最も高
い周波数に設定されている。より高い周波数のクロック
が検出されたとき、CPU23は電圧制御回路24を制
御し電圧V1を大きい値に設定させる。これにより図2
に示すように、クロックに対応して流れる電流iC1が
光磁気ディスクの垂直磁化膜を飽和させるのに必要なレ
ベルI1を超えるように調整される。最も高い周波数の
クロックに対応する電流iC1が飽和レベルI1を超え
るので、それより低い周波数に対応して流れる電流i5
,i6が飽和レベルI1を超えるのはもとよりである。
CAV)またはMCLV(Modified CLV
)方式のディスクにおいては、内周の所定の範囲の領域
のトラックでは、それより外周の所定の範囲の領域のト
ラックにおける場合よりクロックが低い周波数に設定さ
れている。換言すれば外周の領域においては内周の領域
における場合より、クロックの周波数が高く設定されて
いる。このクロックは通常記録される信号のうち最も高
い周波数に設定されている。より高い周波数のクロック
が検出されたとき、CPU23は電圧制御回路24を制
御し電圧V1を大きい値に設定させる。これにより図2
に示すように、クロックに対応して流れる電流iC1が
光磁気ディスクの垂直磁化膜を飽和させるのに必要なレ
ベルI1を超えるように調整される。最も高い周波数の
クロックに対応する電流iC1が飽和レベルI1を超え
るので、それより低い周波数に対応して流れる電流i5
,i6が飽和レベルI1を超えるのはもとよりである。
【0017】また、読取回路22がより低い周波数を検
出したときCPU23は電圧制御回路24を制御し、増
幅器3,4に供給するバイアス電圧V1をより低い電圧
に設定させる。これにより図3に示すように検出したク
ロックの周波数に対応して流れる電流iC2が飽和レベ
ルI1を超えるようにその電流値が調整されることにな
る。このクロックより低い周波数に対応して流れる電流
I7が飽和レベルI1より大きくなることは明らかであ
る。しかしながら、この時、図2において説明した外周
側のクロックに対応する電流iC1がもし流れたとして
も(実際にはこのクロック成分は存在しないのでこの電
流は流れないが)、この電流iC1は飽和レベルI1よ
り小さいか、少なくともその周波数の信号を記録するの
に十分な磁界を発生させることができないレベルになる
。
出したときCPU23は電圧制御回路24を制御し、増
幅器3,4に供給するバイアス電圧V1をより低い電圧
に設定させる。これにより図3に示すように検出したク
ロックの周波数に対応して流れる電流iC2が飽和レベ
ルI1を超えるようにその電流値が調整されることにな
る。このクロックより低い周波数に対応して流れる電流
I7が飽和レベルI1より大きくなることは明らかであ
る。しかしながら、この時、図2において説明した外周
側のクロックに対応する電流iC1がもし流れたとして
も(実際にはこのクロック成分は存在しないのでこの電
流は流れないが)、この電流iC1は飽和レベルI1よ
り小さいか、少なくともその周波数の信号を記録するの
に十分な磁界を発生させることができないレベルになる
。
【0018】図2と図3に示したグラフからも明らかな
ように、FET5とコイル7或はまたFET6とコイル
8により構成される記録回路の飽和レベルISがクロッ
クの周波数に対応して調整されることになる。即ち記録
信号の周波数が高い時、記録回路の飽和レベルをより高
い値IS1に設定し、周波数が低い時、記録回路の飽和
レベルをより小さいレベルIS2に設定する。その結果
記録すべき周波数が低いにもかかわらず磁気飽和レベル
I1より必要以上に大きなレベルの電流を流すことが抑
制され、無駄な電力の消費およびFETとコイルからの
発熱を抑制することができる。
ように、FET5とコイル7或はまたFET6とコイル
8により構成される記録回路の飽和レベルISがクロッ
クの周波数に対応して調整されることになる。即ち記録
信号の周波数が高い時、記録回路の飽和レベルをより高
い値IS1に設定し、周波数が低い時、記録回路の飽和
レベルをより小さいレベルIS2に設定する。その結果
記録すべき周波数が低いにもかかわらず磁気飽和レベル
I1より必要以上に大きなレベルの電流を流すことが抑
制され、無駄な電力の消費およびFETとコイルからの
発熱を抑制することができる。
【0019】尚、上記した実施例においては増幅器3,
4に供給するバイアス電圧V1を電圧制御回路24によ
り制御するようにしたが、コイル7,8に供給する電圧
V2をクロックの周波数に対応して制御するようにして
も同様の効果を奏することができる。
4に供給するバイアス電圧V1を電圧制御回路24によ
り制御するようにしたが、コイル7,8に供給する電圧
V2をクロックの周波数に対応して制御するようにして
も同様の効果を奏することができる。
【0020】図4は本発明の磁気記録装置の他の実施例
の構成を示すブロック図であり、図1における場合と対
応する部分には同一の符号を付してある。この実施例に
おいてはコイル7と8を駆動するNPNトランジスタ3
1と32差動作接続されており、そのエミッタの共通接
続点に定電流回路33が接続されている。そしてこの定
電流回路33の定電流値が電流制御回路34により制御
されるようになっている。その他の構成は、図1におけ
る場合と同様である。
の構成を示すブロック図であり、図1における場合と対
応する部分には同一の符号を付してある。この実施例に
おいてはコイル7と8を駆動するNPNトランジスタ3
1と32差動作接続されており、そのエミッタの共通接
続点に定電流回路33が接続されている。そしてこの定
電流回路33の定電流値が電流制御回路34により制御
されるようになっている。その他の構成は、図1におけ
る場合と同様である。
【0021】即ちこの実施例においては端子1より高レ
ベルの信号が入力されたときトランジスタ32がオンし
、低レベルの信号が入力されたときトランジスタ31が
オンする。オンした方のトランジスタを介してコイル8
または7に定電流回路33より供給される定電流が供給
されることになる。そしてこの定電流値は電流制御回路
34により制御される。この場合においてもCPU23
は読取回路22により読み取ったクロックの周波数が高
いほど定電流値の値を大きな値に設定し、クロックの周
波数が低い場合においては定電流値の値を小さい値に設
定する。従って、この場合においても必要最低限の電力
のみが消費され、発熱を抑制することが可能になる。
ベルの信号が入力されたときトランジスタ32がオンし
、低レベルの信号が入力されたときトランジスタ31が
オンする。オンした方のトランジスタを介してコイル8
または7に定電流回路33より供給される定電流が供給
されることになる。そしてこの定電流値は電流制御回路
34により制御される。この場合においてもCPU23
は読取回路22により読み取ったクロックの周波数が高
いほど定電流値の値を大きな値に設定し、クロックの周
波数が低い場合においては定電流値の値を小さい値に設
定する。従って、この場合においても必要最低限の電力
のみが消費され、発熱を抑制することが可能になる。
【0022】以上本発明を光磁気ディスク装置に応用し
た場合を例として説明したが、本発明は磁気ヘッドによ
り磁気ディスク上に情報を記録する場合においても応用
が可能である。
た場合を例として説明したが、本発明は磁気ヘッドによ
り磁気ディスク上に情報を記録する場合においても応用
が可能である。
【0023】
【発明の効果】以上の如く本発明の磁気記録装置によれ
ば、磁気記録手段に供給する電流を記録情報に含まれる
高周波信号の周波数に対応して制御するようにしたので
無用な電力の消費と発熱を抑制することができる。
ば、磁気記録手段に供給する電流を記録情報に含まれる
高周波信号の周波数に対応して制御するようにしたので
無用な電力の消費と発熱を抑制することができる。
【図1】本発明の磁気記録装置の一実施例の構成を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図2】図1の実施例の動作を説明するグラフである。
【図3】図1の実施例の動作を説明するグラフである。
【図4】本発明の磁気記録装置の他の実施例の構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図5】従来の磁気記録装置の一例の構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図6】図5の例の動作を説明するグラフである。
2 インバータ
5,6 FET
7,8 コイル(磁気記録手段)
21 記録信号供給回路(供給手段)22 読取回
路 23 CPU(制御手段) 24 電圧制御回路(制御手段)
路 23 CPU(制御手段) 24 電圧制御回路(制御手段)
Claims (1)
- 【請求項1】 磁気記録媒体に情報を記録する磁気記
録手段と、前記磁気記録手段に記録情報に対応した電流
を供給する供給手段と、前記磁気記録手段に供給する電
流を前記記録情報に含まれる最も高い周波数の信号に対
応して制御する制御手段とを備えることを特徴とする磁
気記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8073891A JPH04291003A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8073891A JPH04291003A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 磁気記録装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04291003A true JPH04291003A (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=13726740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8073891A Withdrawn JPH04291003A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 磁気記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04291003A (ja) |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP8073891A patent/JPH04291003A/ja not_active Withdrawn
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