JPH04289544A

JPH04289544A - 光磁気記録再生装置

Info

Publication number: JPH04289544A
Application number: JP7837291A
Authority: JP
Inventors: Hisamitsu Tanaka; 久光田中; Yoshio Suzuki; 芳夫鈴木
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1991-03-19
Filing date: 1991-03-19
Publication date: 1992-10-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、光磁気ディス
ク等の光磁気記録媒体に対し情報の記録または再生を行
う光磁気記録再生装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気光学的な信号記録再生方式を
利用した光磁気記録再生装置が開発されている。記録方
式としては大別して、レーザ光の光強度を入力信号に応
じて強度変調する光変調記録方式と、外部磁界の強度を
入力信号に応じて変調する磁界変調記録方式が提案され
ている。

【０００３】光変調記録方式の場合、ディスクへの記録
は、磁気ヘッドによりディスクの記録膜の磁化方向とは
逆向きに外部磁界を与えた状態で、光ヘッド内に位置す
る対物レンズでレーザ光を記録膜に集光させ、入力信号
に応じてレーザ光の光強度を変調して、記録膜の局所領
域をキューリー点近くまで温度上昇させ、この領域の磁
化方向を外部磁界の向きに反転させることによってなさ
れる。

【０００４】また、既に記録された情報の消去は、記録
時とは逆向きの外部磁界をディスクに与えた状態で、再
生時よりも強いレーザ光を連続的に照射して、記録膜の
磁化方向を全て元の向きに揃えることによってなされる
。

【０００５】この様に光変調記録方式の場合には、一般
に旧情報を消去した後に新情報を記録するため、情報の
書換え速度が遅くなってしまうという問題がある。

【０００６】これに対して、磁界変調記録方式は、再生
時のパワーよりも強い一定パワーのレーザ光を連続的に
照射し、記録すべき情報に対応した外部磁界を磁気ヘッ
ドによりディスクに与えて、入力情報に対応した向きに
記録膜の磁化方向を反転させて情報の記録を行う。この
磁界変調記録方式では、既記録情報の上に新情報を重ね
書きすると、自動的に旧情報を消去して新情報が記録で
きる、いわゆるオーバーライト記録が可能であるという
特徴がある。

【０００７】図１１は磁界変調記録方式の光磁気記録再
生装置の従来例を示すブロック図である。図１１におい
て、ディスク１はスピンドルモータ２により回転するよ
うになっており、また、ディスク１の任意の位置に記録
できる様にするためにディスク半径方向に移動可能とさ
れた略コ字状の駆動装置６が設けてある。さらに、この
駆動装置６にはディスク１を挾んで相対向する位置に、
下側には光ヘッド３、上側には磁気ヘッド４が設置され
ている。

【０００８】光ヘッド３には対物レンズ５が設けてあり
、この対物レンズ５によってディスク１上にレーザ光が
集光される。記録する入力信号は変調回路７により所定
の変調処理がされた後、磁気ヘッド駆動回路８を介して
入力信号に対応した電流が磁気ヘッド４に供給され、磁
気ヘッド４から外部磁界としての変調磁界を発生するよ
うにしている。

【０００９】ここで、ディスク１と磁気ヘッド４との間
隔は、ディスク１の面振れを考慮して、ディスク１と磁
気ヘッド４が接触しない様にある程度離しておく必要が
ある。しかし、ディスク１と磁気ヘッド４の間隔をあま
り広くすると、接触の問題はないがディスク１への印加
磁界強度が減少してしまうという問題が発生する。

【００１０】ディスク１と磁気ヘッド４の間隔を広くし
た状態で磁界強度を大きくするには、磁気ヘッド４のコ
イルの巻数を増やす或いは磁気ヘッド４に大電流を流す
等の方法が考えられる。しかし、コイルの巻数を増やす
方法はインダクタンスの増加を招き、高周波記録には不
向きとなる。また、大電流を流す方法は記録時に磁気ヘ
ッド４の温度が上昇するなどの問題もあり、あまり実用
的ではない。

【００１１】従って、一般にディスク１と磁気ヘッド４
は、ディスク１と磁気ヘッド４が接触しない範囲内で、
できるだけ近づけて配置するようにしている。しかし、
ディスク基板にガラスを使用した場合には、この様な方
法でも可能であるが、通常のコンパクトディスク等と同
様にポリカーボネイト基板等を使用した場合には、ディ
スク１の面振れが大きく、ディスク１の面振れに対して
も接触しないような位置に磁気ヘッド４を固定して、か
つ充分な磁界強度を得るのは非常に難しいという問題が
ある。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】以上説明した様に、高
周波記録が可能でかつ低電流で印加すべき所望の磁界強
度を確保するには、ディスクと磁気ヘッドの間隔をでき
るだけ狭くすればよいが、間隔をあまり狭くするとディ
スクの面振れにより、ディスクと磁気ヘッドが接触しデ
ィスクを傷つけてしまう恐れがある。また、ディスクと
磁気ヘッドとの間隔がディスクの面振れに応じて変化す
ると、ディスクに印加される磁界強度も変化し、結果と
してディスクの記録特性も悪化するという問題もある。

【００１３】本発明の目的は、上記した従来技術の問題
点を解消し、ディスクと磁気ヘッドが接触したり、ディ
スクに印加される磁界強度が変化したりすることなく、
高周波記録が可能でかつ低電流で印加すべき所望の磁界
強度を確保することができる光磁気記録再生装置を提供
することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明では、ディスクと磁気ヘッドの距離を、
反射型光センサにより検出し、反射型光センサの出力に
基づいてディスクに対する磁気ヘッドの位置を制御し、
ディスクと磁気ヘッドとの間隔を略一定に保つ様にした
。

【００１５】

【作用】反射型光センサは、１つの発光素子と２つの受
光素子とで構成され、しかも、各受光素子は、ディスク
との距離あるいは発光素子との距離がそれぞれ変えて配
置されている。ディスクと磁気ヘッドとの距離は、この
反射型光センサにより検出される。また、この反射型光
センサと磁気ヘッドは一体構造とされてアクチュエータ
に取り付けられており、反射型光センサの出力に基づい
て、アクチュエータが駆動されることによって、ディス
クと磁気ヘッドの間隔（距離）が略一定に保たれるよう
制御される。従って、ディスクの両面が記録可能な場合
には、これで対応可能である。

【００１６】また、片面記録ディスクの場合には、磁気
ヘッド側のディスク面に、通常ディスク番号，メーカ名
等のラベルが印刷されている場合が多い。従って、この
場合には、印字されている文字，パターン部分で反射率
が変化するため、反射型光センサの出力をそのまま用い
て制御したのでは、ディスクと磁気ヘッドの距離に関係
なく制御が行なわれてしまう。そこで、この場合には、
ラベルが反射型光センサを通過するときの、２つの受光
素子の信号の時間的なずれをなくすために、ラベルが先
に通過する受光素子の信号を、ラベルがもう一方の受光
素子を通過する時間まで遅延することによって、ラベル
の影響を除去した距離検出信号を得る。この検出信号を
用いて磁気ヘッドの制御を行なえば、ラベルの影響を受
けずにディスクと磁気ヘッドとの間隔を略一定に保つこ
とが可能となり、印加磁界強度も略一定に保つことが可
能となる。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１は本発明の一実施例を示すブロック図である。図１に於いて、図１１の従来例と同一機能部分には同一
の番号を附し、その説明は重複を避けるために、特に必
要のない限り省略する。

【００１８】図１に於いて、光ヘッド３には対物レンズ
５が設けてあり、この対物レンズ５によってディスク１
上にレーザ光が集光される。入力信号は変調回路７によ
り所定の変調処理がされた後、磁気ヘッド駆動回路８を
介して、入力信号に対応した電流が磁気ヘッド４に供給
されて、磁気ヘッド４から外部磁界としての変調磁界を
発生するようにしている。

【００１９】ディスク１と磁気ヘッド４との距離は、磁
気ヘッド４と一体に取り付けられた反射型光センサ９に
よって検出される。反射型光センサ９は、後述するよう
に、１つの発光素子と２つの受光素子で構成され、発光
素子から出射された光はディスク１で反射され、この反
射光は反射型光センサ９の受光素子に入射されて、電気
信号（Ｉ１），（Ｉ２）に変換され、距離検出回路１０
で距離検出信号（Ｖ３）となる。

【００２０】また、距離検出回路１０には、光ヘッド３
のディスク１での記録再生位置を示す信号（Ｓ）が光ヘ
ッド位置検出回路１３から入力される。なお、光ヘッド
位置検出回路１３は、ここには図示しない専用の位置検
出センサによって光ヘッド３の記録再生位置を検出して
いる。距離検出信号（Ｖ３）は、位置制御回路１１を介
してアクチュエータ１２に供給され、ディスク１と磁気
ヘッド４との間隔が略一定となるように、ディスク１の
面振れに応じて磁気ヘッド４の位置を制御する。

【００２１】次に、ディスク１と磁気ヘッド４の距離検
出方法の具体的な例を説明する。図２は図１の反射型光
センサ９及び距離検出回路１０の一具体例を示すブロッ
ク図、図３は図２の距離検出回路１０における各部の出
力電圧の、ディスク１と反射型光センサ９との間の距離
に対する変化を示す特性図、である。

【００２２】図２に示すように、反射型光センサ９は、
発光素子９−ａ，受光素子９−ｂ及び９−ｃで構成され
ている。この例においては、反射型光センサ９はディス
ク１に対して磁気ヘッド４よりも離れた位置に配置して
ある。また、２つの受光素子９−ｂ及び９−ｃは、発光
素子９−ａを挾んで相対する位置に配置してあり、かつ
受光素子９−ｂは受光素子９−ｃよりもディスク１から
離れた位置に配置してある。

【００２３】発光素子９−ａのディスク１からの反射光
は、受光素子９−ｂ及び９−ｃに入射されて電気信号に
変換され、電流（Ｉ１）及び（Ｉ２）となる。また、図
２に示すように、距離検出回路１０は、電流−電圧変換
回路１４及び１５，差動増幅回路１６，遅延回路１７で
構成されている。

【００２４】電流（Ｉ１）は電流−電圧変換回路１４で
電圧（Ｖ１）に変換された後、遅延回路１７を介して電
圧（Ｖ１’）となって、差動増幅回路１６に入力される
。なお、遅延回路１７の動作については、後ほど詳しく説
明をする。また、電流（Ｉ２）は電流−電圧変換回路１
５で電圧（Ｖ２）に変換された後、そのまま差動増幅回
路１６に入力される。差動増幅回路１６は、入力された
電圧（Ｖ１’）及び（Ｖ２）より差電圧（Ｖ１’−Ｖ２
）を求める。この差電圧が図１に示す距離検出信号（Ｖ
３）となる。

【００２５】ここで、図３に示すように、受光素子９−
ｂに係る電圧（Ｖ１）のレベルは、ディスク１と反射型
光センサ９との距離がｈ１のとき最大となり、受光素子
９−ｃに係る電圧（Ｖ２）のレベルは、ディスク１と反
射型光センサ９との距離がｈ２のとき最大となり、しか
も、電圧（Ｖ２）の特性は電圧（Ｖ１）の特性を距離　
Δｈだけシフトした特性となっている。また、電圧（Ｖ
１）のレベルと電圧（Ｖ２）のレベルは、距離ｈ０で等
しくなるようになっているため、電圧（Ｖ１’）が電圧
（Ｖ１）に等しいとして、差電圧（Ｖ１’−Ｖ２）を求
めると、その差電圧は距離ｈ０で零となる。

【００２６】この様に、差電圧（Ｖ１’−Ｖ２）として
得られる距離検出信号（Ｖ３）は、ディスク１と反射型
光センサ９との距離に応じたものとなるが、図２に示す
ように、反射型光センサ９は磁気ヘッド４と一体に取り
付けられているため、ディスク１と磁気ヘッド４との距
離にも対応している。

【００２７】次に、ディスク１が片面記録ディスクの場
合の対応について説明する。片面記録ディスクの場合に
は、通常磁気ヘッド側のディスク面にディスク番号，メ
ーカ名等のラベルが印刷される場合が多い。この場合、
印刷されている文字，パターン部分で反射率が変化する
ため、反射型光センサ９の出力をそのまま用いて制御し
たのでは、ディスク１と磁気ヘッド４の距離に関係なく
制御が行なわれてしまう。

【００２８】そこで、このラベルの影響を除去する方法
について図４及び図５を用いて説明する。図４は図２の
反射型光センサ９のディスク１上での配置を示す平面図
、図５はラベルの影響を除去する方法を説明するための
説明図である。

【００２９】図４に示すように、反射型光センサ９はデ
ィスク１の接線方向に配置してあり、例えば、同図に示
すようなラベル（反射率が減少）がディスク１に印刷さ
れている場合、ラベルが反射型光センサ９を通過すると
、図５に示すように受光素子９−ｃに係る電圧（Ｖ２）
は受光素子９−ｂに係る電圧（Ｖ１）から時間Ｔだけ遅
れて出力される。従って、距離検出回路１０で受光素子
９−ｂに係る電圧（Ｖ１）を時間Ｔだけ遅延させ、電圧
（Ｖ１’）として２つの受光素子９−ｂ，９−ｃに係る
電圧の時間的なずれをなくした後に、差動増幅回路１６
で差を求めれば、ラベルの影響を除去することができる
。

【００３０】ここで、遅延時間Ｔは受光素子９−ｂと９
−ｃの間隔をχ、記録再生位置におけるディスク１の線
速度をυ０とすると、Ｔ＝χ／υ０で表される。ＣＬＶ
（Ｃｏｎｓｔａｎｔ　Ｌｉｎｅａｒ　Ｖｅｌｏｃｉｔｙ
：線速度一定）方式でディスク１が回転制御される場合
には、磁気ヘッド４の位置（記録再生位置に相当）によ
らず遅延時間Ｔは一定となる。しかし、ＣＡＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ　Ａｎｇｕｌａｒ　
Ｖｅｒｏｃｉｔｙ：回転数一定）方式で回転制御される
場合には、磁気ヘッド４の位置により線速度が異なるた
め、磁気ヘッド４の位置に応じて遅延時間Ｔを設定する
必要がある。そこで、この場合には、磁気ヘッド４と一
体で移動する光ヘッド３の記録再生位置を検出し、この
検出信号をもとに線速度を求めて遅延時間Ｔを設定する
ようにすればよい。

【００３１】では、以上のことを踏まえて、本実施例の
動作について更に詳しく説明する。前述したように、受
光素子９−ｂより出力された電流（Ｉ１）は電流−電圧
変換回路１４で電圧（Ｖ１）に変換された後、遅延回路
１７に入力される。遅延回路１７では、入力された電圧
（Ｖ１）を時間Ｔだけ遅延して、電圧（Ｖ１’）として
差動増幅回路１６に入力する。従って、差動増幅回路１
６で差電圧（Ｖ１’−Ｖ２）を求めれば、ラベルの影響
のない距離検出信号（Ｖ３）が得られる。

【００３２】なお、ＣＡＶ方式の場合は磁気ヘッド４の
位置により線速度が異なるが、光ヘッド位置検出回路１
３からの信号（Ｓ）を遅延回路１７に入力し、信号（Ｓ
）に基づいて遅延時間Ｔを設定すればよい。また、ＣＬ
Ｖ方式の場合には遅延時間Ｔは一定でよく、光ヘッド位
置検出回路１３からの信号（Ｓ）を使用しなくてもよい
。

【００３３】遅延回路１７としては、アナログ的に行な
う場合は遅延線を用い、ディジタル的に行なう場合には
、Ａ／Ｄ変換器により信号をディジタル化した後で遅延
させ、その後Ｄ／Ａ変換器によりアナログ信号にする方
法が考えられる。

【００３４】では、ディジタル的に行なう場合の遅延回
路１７の具体例について説明する。図６は図２の遅延回
路１７の一具体例を示すブロック図、図７は図６におけ
る各部動作波形を示す波形図である。図６に於いて、図
２と同一機能部分には同一の番号を附し、その説明は重
複を避けるために、特に必要のない限り省略する。

【００３５】図６に示すように、距離検出回路１０は、
電流−電圧変換回路１４及び１５、差動増幅回路１６の
他、遅延回路１７として、切り替えスイッチ１８、Ａ／
Ｄ変換器１９、ラッチ回路２０，２１及び２３、Ｄ／Ａ
変換器２２及び２４、タイミング信号発生回路２５で構
成されている。

【００３６】電圧（Ｖ１）及び（Ｖ２）は、切り替えス
イッチ１８に入力され、タイミング信号発生回路２５か
らのタイミング信号（ａ）に応じて電圧（Ｖ１）あるい
は（Ｖ２）が選択される。タイミング信号（ａ）は、図
７に示すように周期を電圧（Ｖ１）と（Ｖ２）の時間差
（遅延時間）Ｔの２倍に設定したパルス信号であり、切
り替えスイッチ１８は、タイミング信号（ａ）がＨレベ
ルのときＡ側に切り替えられて電圧（Ｖ１）を選択し、
ＬレベルのときはＢ側に切り替えられて電圧（Ｖ２）を
選択する。

【００３７】切り替えスイッチ１８で選択された電圧（
Ｖ１）及び（Ｖ２）は、Ａ／Ｄ変換器１９でディジタル
信号に変換された後、ラッチ回路２０及び２３に入力さ
れ、タイミング信号発生回路２５からのタイミング信号
（ｂ）あるいは（ｃ）によりＡ／Ｄ変換器１９の出力信
号がラッチされる。ラッチ回路２０，２１及び２３に入
力されるタイミング信号（ｂ）及び（ｃ）は、図７に示
すように時間Ｔだけずれた周期２Ｔのパルス信号であり
、タイミング信号（ｂ）の立ち上がりはタイミング信号
（ａ）がＨレベルのときであり、また、タイミング信号
（ｃ）の立ち上がりはタイミング信号（ａ）がＬレベル
のときである。

【００３８】従って、ラッチ回路２０ではタイミング信
号（ｂ）の立ち上がりで電圧（Ｖ１）をＡ／Ｄ変換した
信号をラッチし、更にラッチ回路２１ではタイミング信
号（ｃ）の立ち上がりでラッチ回路２０の出力をラッチ
して、電圧（Ｖ１）を時間Ｔだけ遅延した信号を得る。一方、ラッチ回路２３では、ラッチ回路２１と同タイミ
ング信号（ｃ）の立ち上がりで、電圧（Ｖ２）をＡ／Ｄ
変換した信号をラッチする。

【００３９】ラッチ回路２１及び２３の出力信号は、Ｄ
／Ａ変換器２２及び２４でアナログ信号に変換され、図
７に示すように時間ずれのない電圧（Ｖ１’）及び（Ｖ
２’）となるので、差動増幅回路１６で差電圧を求める
ことにより、ラベルの影響が除去された距離検出信号（
Ｖ３）が得られる。

【００４０】ここで、ＣＡＶ方式の場合は、磁気ヘッド
４の位置により線速度が異なるため遅延時間Ｔが変化す
るが、光ヘッド位置検出回路１３からの信号（Ｓ）をタ
イミング信号発生回路２５に入力し、信号（Ｓ）に基づ
いてタイミング信号（ａ）及び（ｂ），（ｃ）の周期を
可変すればよく、ＣＬＶ方式の場合には、遅延時間Ｔは
一定でよいため、光ヘッド位置検出回路１３からの信号
（Ｓ）を使用しなくてもよい。

【００４１】以上のように、遅延回路を用いることによ
って、ラベルの影響を除去することができるが、電圧（
Ｖ１）と（Ｖ２）の時間差（遅延時間）Ｔが短い場合に
は、差電圧の振幅も減少するので、その差電圧をローパ
スフィルタ（以下、ＬＰＦと言う）に通すだけでもラベ
ルの影響を除去することができる。この場合について、
図８及び図９を用いて説明する。

【００４２】図８は図１の距離検出回路１０の他の具体
例を示すブロック図、図９は図８の距離検出回路１０に
おける各部の出力電圧の波形を示す波形図、である。図
８に於いて、図２と同一機能部分には同一の番号を附し
、その説明は重複を避けるために、特に必要のない限り
省略する。図８に示すように、距離検出回路１０は、電
流−電圧変換回路１４及び１５，差動増幅回路１６，Ｌ
ＰＦ２６で構成されている。

【００４３】図８に示すように、受光素子９−ｂに係る
電圧（Ｖ１）と受光素子９−ｃに係る電圧（Ｖ２）は、
差動増幅回路１６で差電圧（Ｖ３’）が求められた後、
ＬＰＦ２６に入力されて距離検出信号（Ｖ３）を得る。差電圧（Ｖ３’）は図９に示すように、電圧（Ｖ１）と
（Ｖ２）の時間差Ｔが短くなると、点線で示すように周
期Ｔ０及び振幅ｅ３が減少する。

【００４４】従って、ＬＰＦ２６のしゃ断周波数ｆ０は
、この周期Ｔ０及びＬＰＦ通過後のラベルでの減衰量を
もとに設定すればよい。時間差Ｔは、２つの受光素子９
−ｂ，９−ｃの間隔をχ，線速度をυ０とすると、Ｔ＝
χ／υ０で表されるため、２つの受光素子９−ｂ，９−
ｃの間隔χを狭くすれば、ＬＰＦ２６のしゃ断周波数ｆ
０は高くすることができる。また、線速度υ０によって
も時間差Ｔは変化するので、ＣＡＶ方式の場合は、図８
に示す様に光ヘッド位置検出回路１３からの信号（Ｓ）
に基づいて、ＬＰＦ２６のしゃ断周波数ｆ０を可変すれ
ばよい。ＣＬＶ方式の場合には、時間差Ｔは一定のため
、光ヘッド位置検出回路１３からの信号（Ｓ）を使用し
なくてもよい。

【００４５】ＬＰＦ２６のしゃ断周波数を変化させる方
法としては、例えば、可変容量ダイオードを用いて容量
値を変える方法、あるいは、アナログスイッチを用いて
抵抗を選択的に切り替えて抵抗値を変える方法等、種々
の方法が適用できるが、これは本発明とは直接関係ない
ので説明は省略する。

【００４６】以上のように距離検出回路１０を構成する
ことにより、ディスク１にディスク番号、メーカ名等の
ラベルが印刷されている場合でも、ラベルの影響を受け
ない距離検出信号（Ｖ３）が得られるため、この距離検
出信号（Ｖ３）を用いて磁気ヘッド４の位置を制御すれ
ば、ディスク１と磁気ヘッド４の間隔を略一定に保つこ
とができる。

【００４７】図１０は図１の反射型光センサ９の他の具
体例を示す構成図である。図１０に於いて、図２と同一
機能部分には同一の番号を附し、その説明は重複を避け
るために、特に必要のない限り省略する。図１０に示す
ように、反射型光センサ９は、発光素子９−ａ，受光素
子９−ｂ及び９−ｃで構成されている。

【００４８】図１０に示すように、反射型光センサ９は
、ディスク１に対して磁気ヘッド４よりも離れた位置に
配置してあり、発光素子９−ａと受光素子９−ｂ及び９
−ｃはディスク１の接線方向に略一直線上に配置され、
かつ発光素子９−ａと受光素子９−ｂ及び９−ｃは、互
い交差してＶ字形の溝を成す２つの平面に分割して配置
してある。この様な構成でも、図２の反射型光センサと
同等の特性が得られる。

【００４９】また、上記２つの受光素子９−ｂ，９−ｃ
を、受光領域が２分割された１つの受光素子としてもよ
い。この様にした場合は、図２の反射型光センサと比較
すると、２つの受光素子の間隔を狭くできるので、ラベ
ルが反射型光センサ９を通過したときの２つの受光素子
に係る電圧（Ｖ１）と（Ｖ２）の時間差Ｔが短くなり、
差電圧の振幅も減少する。

【００５０】なお、以上の説明においては、図１に示す
光ヘッド位置検出回路１３は、図示しない専用の位置検
出センサによって光ヘッド３の記録再生位置を検出して
いるものとして説明したが、これに限らず、再生信号の
トラックアドレスから記録再生位置を検出してもよく、
これをもとに線速度を求めてもよいことはいうまでもな
い。

【００５１】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ディスク
にラベルが印刷されている場合でも、そのラベルの影響
を受けることなく、ディスクと磁気ヘッドとの距離を正
しく検出することができ、この検出信号を用いて磁気ヘ
ッドの位置を制御することができるため、ディスクと磁
気ヘッドとの間隔を略一定に保つことができる。従って
、ディスクと磁気ヘッドが接触したり、ディスクに印加
される磁界強度が変化したりすることなく、高周波記録
が可能でかつ低電流で印加すべき所望の磁界強度を確保
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示すブロック図である。

【図２】図１の反射型光センサ９及び距離検出回路１０
の一具体例を示すブロック図である。

【図３】図２の距離検出回路１０における各部の出力電
圧の、ディスク１と反射型光センサ９との間の距離に対
する変化を示す特性図である。

【図４】図２の反射型光センサ９のディスク１上での配
置を示す平面図である。

【図５】ラベルの影響を除去する方法を説明するための
説明図である。

【図６】図２の遅延回路１７の一具体例を示すブロック
図である。

【図７】図６における各部動作波形を示す波形図である
。

【図８】図１の距離検出回路１０の他の具体例を示すブ
ロック図である。

【図９】図８の距離検出回路１０における各部の出力電
圧の波形を示す波形図である。

【図１０】図１の反射型光センサ９の他の具体例を示す
構成図である。

【図１１】磁界変調記録方式の光磁気記録再生装置の従
来例を示すブロック図である。

【符号の説明】

１…ディスク、３…光ヘッド、４…磁気ヘッド、９…反
射型光センサ、１０…距離検出回路、１１…位置制御回
路、１２…アクチュエータ、１３…光ヘッド位置検出回
路、１６…差動増幅回路、１７…遅延回路、１８…切り
替えスイッチ、１９…Ａ／Ｄ変換器、２０，２１，２３
…ラッチ回路、２２，２４…Ｄ／Ａ変換器、２５…タイ
ミング信号発生回路、２６…ＬＰＦ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　記録または再生時にレーザ光を発生し
て、回転する円形状の光磁気記録媒体に照射する光ヘッ
ドと、記録時に磁界を発生して、前記光磁気記録媒体に
おける前記レーザ光の照射位置に与える磁気ヘッドと、
を具備し、前記光磁気記録媒体に対し情報の記録または
再生を行う光磁気記録再生装置において、前記光磁気記
録媒体からの前記磁気ヘッドの距離を検出し、その距離
に応じた検出信号を出力する距離検出手段と、該距離検
出手段からの検出信号に基づいて前記光磁気記録媒体に
対する前記磁気ヘッドの位置を変化させ、前記光磁気記
録媒体からの前記磁気ヘッドの距離が所定の値となるよ
う制御する磁気ヘッド位置制御手段と、を設け、前記距
離検出手段は、前記光磁気記録媒体に光を照射する１つ
の発光素子と、前記光磁気記録媒体より反射された前記
光をそれぞれ受光し、その受光量に応じた信号を出力す
る２つの受光素子と、をそれぞれ前記光磁気記録媒体の
接線方向に沿って略一直線上になるよう配置して構成さ
れる光センサを有すると共に、該光センサにおける前記
受光素子のうちの、一方の受光素子からの信号を遅延す
る遅延手段と、他方の受光素子からの信号と前記遅延手
段によって遅延された信号との差を求め、得られる差信
号を前記検出信号として出力する差信号検出手段と、を
有することを特徴とする光磁気記録再生装置。
【請求項２】　　請求項１に記載の光磁気記録再生装置
において、前記距離検出手段における前記遅延手段の遅
延時間は、前記レーザ光の照射位置における前記光磁気
記録媒体の線速度と、前記光センサにおける２つの前記
受光素子の間の間隔と、によって設定されることを特徴
とする光磁気記録再生装置。
【請求項３】　　請求項２に記載の光磁気記録再生装置
において、前記光磁気記録媒体における前記レーザ光の
照射位置を検出し、その照射位置に応じた信号を出力す
る照射位置検出手段を設けると共に、前記光磁気記録媒
体がその回転数が一定となるように回転している場合に
は、前記遅延手段の遅延時間は、前記照射位置検出手段
からの信号より導かれる、前記レーザ光の照射位置にお
ける前記光磁気記録媒体の線速度に応じて、変化するこ
とを特徴とする光磁気記録再生装置。
【請求項４】　　請求項２に記載の光磁気記録再生装置
において、前記レーザ光の照射位置における前記光磁気
記録媒体の線速度が一定となるように該光磁気記録媒体
が回転している場合には、前記遅延手段の遅延時間は、
前記光磁気記録媒体における前記レーザ光の照射位置に
かかわらず、一定であることを特徴とする光磁気記録再
生装置。
【請求項５】　　記録または再生時にレーザ光を発生し
て、回転する円形状の光磁気記録媒体に照射する光ヘッ
ドと、記録時に磁界を発生して、前記光磁気記録媒体に
おける前記レーザ光の照射位置に与える磁気ヘッドと、
を具備し、前記光磁気記録媒体に対し情報の記録または
再生を行う光磁気記録再生装置において、前記光磁気記
録媒体からの前記磁気ヘッドの距離を検出し、その距離
に応じた検出信号を出力する距離検出手段と、該距離検
出手段からの検出信号に基づいて前記光磁気記録媒体に
対する前記磁気ヘッドの位置を変化させ、前記光磁気記
録媒体からの前記磁気ヘッドの距離が所定の値となるよ
う制御する磁気ヘッド位置制御手段と、を設け、前記距
離検出手段は、前記光磁気記録媒体に光を照射する１つ
の発光素子と、前記光磁気記録媒体より反射された前記
光をそれぞれ受光し、その受光量に応じた信号を出力す
る２つの受光素子と、をそれぞれ前記光磁気記録媒体の
接線方向に沿って略一直線上になるよう配置して構成さ
れる光センサを有すると共に、該光センサにおける前記
受光素子のうちの、一方の受光素子からの信号と他方の
受光素子からの信号との差を求め、得られた差信号を出
力する差信号検出手段と、該差信号検出手段からの差信
号を、その低域成分のみ通過して前記検出信号として出
力するローパスフィルタと、を有することを特徴とする
光磁気記録再生装置。
【請求項６】　　請求項５に記載の光磁気記録再生装置
において、前記距離検出手段における前記ローパスフィ
ルタのしゃ断周波数は、前記レーザ光の照射位置におけ
る前記光磁気記録媒体の線速度と、前記光センサにおけ
る２つの前記受光素子の間の間隔と、によって設定され
ることを特徴とする光磁気記録再生装置。
【請求項７】　　請求項６に記載の光磁気記録再生装置
において、前記光磁気記録媒体における前記レーザ光の
照射位置を検出し、その照射位置に応じた信号を出力す
る照射位置検出手段を設けると共に、前記光磁気記録媒
体がその回転数が一定となるように回転している場合に
は、前記ローパスフィルタのしゃ断周波数は、前記照射
位置検出手段からの信号より導かれる、前記レーザ光の
照射位置における前記光磁気記録媒体の線速度に応じて
、変化することを特徴とする光磁気記録再生装置。
【請求項８】　　請求項６に記載の光磁気記録再生装置
において、前記レーザ光の照射位置における前記光磁気
記録媒体の線速度が一定となるように該光磁気記録媒体
が回転している場合には、前記ローパスフィルタのしゃ
断周波数は、前記光磁気記録媒体における前記レーザ光
の照射位置にかかわらず、一定であることを特徴とする
光磁気記録再生装置。
【請求項９】　　請求項１，２，３，４，５，６，７ま
たは８に記載の光磁気記録再生装置において、前記光セ
ンサは、互いに１８０度より小さい角度で交差してＶ字
形の溝を成す第１及び第２の平面を有し、前記発光素子
は前記第１の平面上に、２つの前記受光素子は前記第２
の平面上に、それぞれ設置されていることを特徴とする
光磁気記録再生装置。