JP2749067B2 - 情報記録方法及び装置及び情報記録再生方法及び装置 - Google Patents
情報記録方法及び装置及び情報記録再生方法及び装置Info
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- JP2749067B2 JP2749067B2 JP63181902A JP18190288A JP2749067B2 JP 2749067 B2 JP2749067 B2 JP 2749067B2 JP 63181902 A JP63181902 A JP 63181902A JP 18190288 A JP18190288 A JP 18190288A JP 2749067 B2 JP2749067 B2 JP 2749067B2
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高密度記録に適した情報記録方法及び装置及
び情報記録再生方法及び装置に関する。
び情報記録再生方法及び装置に関する。
従来、光磁気デイスクの高密度記録に関してはインタ
ーナシヨナル・シンポジウム・オン・オプテイカル・メ
モリ・エフビー４（1987年）（International Symposiu
m on Optical Memory FB−４（1987））において述べら
れているように、光変調記録方式によるものが提案され
ている。
ーナシヨナル・シンポジウム・オン・オプテイカル・メ
モリ・エフビー４（1987年）（International Symposiu
m on Optical Memory FB−４（1987））において述べら
れているように、光変調記録方式によるものが提案され
ている。
光変調記録方式は、情報を記録する際、すなわち記録
膜である垂直磁化膜に磁化ドメインを形成する時、一定
強度の外部磁場を印加しておき、該磁化膜上に照射する
光スポツトの強度を記録する情報に対応させて変調する
ことにより、局所的に温度上昇した部分に周囲とは反対
向きの磁化を持つ領域を形成するものである。
膜である垂直磁化膜に磁化ドメインを形成する時、一定
強度の外部磁場を印加しておき、該磁化膜上に照射する
光スポツトの強度を記録する情報に対応させて変調する
ことにより、局所的に温度上昇した部分に周囲とは反対
向きの磁化を持つ領域を形成するものである。
光変調記録方式は光源であるレーザのスイツチングが
比較的高速に行なえること、外部印加磁場は高速切換し
なくても良いという特長がある。しかしながら、情報の
重ね書き、すなわち既に磁化ドメインが形成されている
部分に新しい磁化ドメインを形成することが同時に旧磁
化ドメインの消去になるオーバーライトを行なうこと
は、１ビームを用いた装置では非常に困難である。した
がつて磁気デイスクと同様のオーバーライトを行なうに
は、光変調記録方式では２ビーム、あるいは２つの光学
ヘツドを用いる必要がある。
比較的高速に行なえること、外部印加磁場は高速切換し
なくても良いという特長がある。しかしながら、情報の
重ね書き、すなわち既に磁化ドメインが形成されている
部分に新しい磁化ドメインを形成することが同時に旧磁
化ドメインの消去になるオーバーライトを行なうこと
は、１ビームを用いた装置では非常に困難である。した
がつて磁気デイスクと同様のオーバーライトを行なうに
は、光変調記録方式では２ビーム、あるいは２つの光学
ヘツドを用いる必要がある。
また光変調記録方式の場合、磁化ドメイン間の距離は
熱干渉の生じない範囲に限られる。すなわち、ある磁化
ドメインを形成した直後に磁化ドメインを形成しようと
すると、前の磁化ドメインを形成する際に照射された光
スポツトの余熱の影響によりドメインの位置シフトが生
じたり、磁化の反転が不十分になることが考えられる。
このため磁化ドメイン間隔は光スポツト径程度以下に詰
めることは困難である。
熱干渉の生じない範囲に限られる。すなわち、ある磁化
ドメインを形成した直後に磁化ドメインを形成しようと
すると、前の磁化ドメインを形成する際に照射された光
スポツトの余熱の影響によりドメインの位置シフトが生
じたり、磁化の反転が不十分になることが考えられる。
このため磁化ドメイン間隔は光スポツト径程度以下に詰
めることは困難である。
以上のように光変調記録方式は外部印加磁場の高速切
換は不要のため、光ヘツドとともに外部磁場発生手段も
デイスク表面から1mm程度以上離して設置できるため、
光デイスクの特長の一つである非接触記録再生を生かす
ことができる反面、情報の重ね書き、磁化ドメイン間隔
の短縮等に関しては、不利であるといえる。
換は不要のため、光ヘツドとともに外部磁場発生手段も
デイスク表面から1mm程度以上離して設置できるため、
光デイスクの特長の一つである非接触記録再生を生かす
ことができる反面、情報の重ね書き、磁化ドメイン間隔
の短縮等に関しては、不利であるといえる。
一方、磁界変調記録方式は磁界ドメインを形成するに
は、光スポツトの照射出力を再生時よりも高くし、垂直
磁化膜の温度をキユリー点近傍まで上昇させながら、磁
場印加手段、例えば磁気コイルヘツドにより発生する磁
界を情報に対応して変調して行なう。磁界変調記録方式
は印加磁界の高速変調が要求されるため、一般に磁気ヘ
ツドをデイスク面に数十ミクロン程度にまで近傍させる
必要がある。しかし、情報の重ね書きは容易に実現でき
る。また、記録時に垂直磁化膜の温度は連続的に昇温さ
れるため、熱干渉の影響はなく、印加磁界の切換速度を
上げてやれば、原理的に光変調記録方式に比べて、より
微小な磁化ドメインを形成することができる。
は、光スポツトの照射出力を再生時よりも高くし、垂直
磁化膜の温度をキユリー点近傍まで上昇させながら、磁
場印加手段、例えば磁気コイルヘツドにより発生する磁
界を情報に対応して変調して行なう。磁界変調記録方式
は印加磁界の高速変調が要求されるため、一般に磁気ヘ
ツドをデイスク面に数十ミクロン程度にまで近傍させる
必要がある。しかし、情報の重ね書きは容易に実現でき
る。また、記録時に垂直磁化膜の温度は連続的に昇温さ
れるため、熱干渉の影響はなく、印加磁界の切換速度を
上げてやれば、原理的に光変調記録方式に比べて、より
微小な磁化ドメインを形成することができる。
上記従来技術、すなわち光変調記録においては情報の
重ね重き，磁化ドメイン間隔の短縮化を実現するのは困
難であつた。
重ね重き，磁化ドメイン間隔の短縮化を実現するのは困
難であつた。
本発明の目的は、情報を磁界変調方式により記録する
ことにより、重ね書き（オーバライト）を実現するとと
もに、記録された情報を再生するための光スポツト照射
領域内に、磁化ドメインを２個以上形成し、該磁化ドメ
インが光スポツト内に占める面積により情報を記録し、
高密度化を実現することにある。
ことにより、重ね書き（オーバライト）を実現するとと
もに、記録された情報を再生するための光スポツト照射
領域内に、磁化ドメインを２個以上形成し、該磁化ドメ
インが光スポツト内に占める面積により情報を記録し、
高密度化を実現することにある。
上記目的は、記録時に再生時よりも高出力のレーザ出
力を照射し、記録する情報に対応して外部磁場の磁界方
向を切換ないしは反転し、記録対象とするデイスク位置
で再生光スポツト径と同じ距離だけ該光スポツトが移動
する際に該印加磁界の反転動作を複数回行なうことによ
り達成される。これにより再生光スポツト径内に存在す
る磁化反転領域の面積を連続的に変化させることができ
る。再生時には、該面積の相違が偏光面回転を検出する
手段により光量の大小に変換されるため、複数の閾値に
よる多値量子化が可能となる。
力を照射し、記録する情報に対応して外部磁場の磁界方
向を切換ないしは反転し、記録対象とするデイスク位置
で再生光スポツト径と同じ距離だけ該光スポツトが移動
する際に該印加磁界の反転動作を複数回行なうことによ
り達成される。これにより再生光スポツト径内に存在す
る磁化反転領域の面積を連続的に変化させることができ
る。再生時には、該面積の相違が偏光面回転を検出する
手段により光量の大小に変換されるため、複数の閾値に
よる多値量子化が可能となる。
磁界変調記録方式により、再生用光スポツト照射領域
内の磁化ドメインの個数、ないしは該領域内に占める磁
化ドメインの面積を情報に対応させて変化させれば、再
生信号としては、振幅の変化として検出できるため、適
当な複数の閾値により量子化すれば、多値記録による高
密度化が実現できる。
内の磁化ドメインの個数、ないしは該領域内に占める磁
化ドメインの面積を情報に対応させて変化させれば、再
生信号としては、振幅の変化として検出できるため、適
当な複数の閾値により量子化すれば、多値記録による高
密度化が実現できる。
以下、本発明の一実施例について説明する。第１図
は、磁界変調記録方式を用いた光磁気デイスク装置の構
成例である。光磁気デイスク１はスピンドルモータ２に
より回転している。半導体レーザ３は、レーザ駆動回路
４により駆動され、制御信号18により情報再生時には、
磁化ドメインに影響を与えない範囲内の比較的低い出力
光が出射し、情報記録時には、デイスク１上の磁化膜の
磁化が外部印加磁界により容易に反転できる範囲の高い
出力光が出射されるようになつている。以下、前者の光
出力を再生光パワー、後者の光出力を記録光パワーと呼
ぶことにする。
は、磁界変調記録方式を用いた光磁気デイスク装置の構
成例である。光磁気デイスク１はスピンドルモータ２に
より回転している。半導体レーザ３は、レーザ駆動回路
４により駆動され、制御信号18により情報再生時には、
磁化ドメインに影響を与えない範囲内の比較的低い出力
光が出射し、情報記録時には、デイスク１上の磁化膜の
磁化が外部印加磁界により容易に反転できる範囲の高い
出力光が出射されるようになつている。以下、前者の光
出力を再生光パワー、後者の光出力を記録光パワーと呼
ぶことにする。
半導体レーザ３から出射された光はコリメートレンズ
５により平行光束になつた後、ビームスプリツタ６を通
り、ガルバノミラー７で反射され、絞り込みレンズ８に
よりデイスク１の記録膜上に微小スポツトとして集光さ
れる。情報を記録する場合、記録光パワーを記録膜上に
照射し、該記録膜の温度を連続的に上昇させながら、磁
気ヘツド９により変調磁界を印加することにより、記録
膜である垂直磁化膜上に磁化ドメインを形成していく。
いま仮りに未記録時の磁化が下向きであつたとすれば、
変調磁界の方向が上向きの時に未記録時の磁化とは逆向
きの磁化反転領域、すなわち磁化ドメインが形成され
る。磁気ヘツド９は、磁気ヘツド駆動回路10を介し、記
録信号17により変調駆動され、それに対応した変調磁界
を発生する。記録信号17を記録膜上に集光された光スポ
ツトの移動速度よりも速く切換えれば、光スポツト照射
領域内に、複数個の磁化ドメインを形成することも可能
である。
５により平行光束になつた後、ビームスプリツタ６を通
り、ガルバノミラー７で反射され、絞り込みレンズ８に
よりデイスク１の記録膜上に微小スポツトとして集光さ
れる。情報を記録する場合、記録光パワーを記録膜上に
照射し、該記録膜の温度を連続的に上昇させながら、磁
気ヘツド９により変調磁界を印加することにより、記録
膜である垂直磁化膜上に磁化ドメインを形成していく。
いま仮りに未記録時の磁化が下向きであつたとすれば、
変調磁界の方向が上向きの時に未記録時の磁化とは逆向
きの磁化反転領域、すなわち磁化ドメインが形成され
る。磁気ヘツド９は、磁気ヘツド駆動回路10を介し、記
録信号17により変調駆動され、それに対応した変調磁界
を発生する。記録信号17を記録膜上に集光された光スポ
ツトの移動速度よりも速く切換えれば、光スポツト照射
領域内に、複数個の磁化ドメインを形成することも可能
である。
情報を再生するには、形成された磁化ドメインの磁化
方向を検出すれば良い。この検出には磁気光学効果を利
用して行なう。磁気光学効果の一つであるカー効果は、
磁化方向の上下に伴ない、反射光の偏光面が入射光の偏
光面に対し左右逆向きに回転する現象である。したがつ
て、光磁気デイスクに記録された情報を読み出すには、
偏光面の回転を検出し、光量の強弱に変換することが必
要である。第１図に示した検出光学系は一般に差動検出
系と呼ばれるものである。デイスク１からの反射光は再
び絞り込みレンズ８を通りガルバノミラー7,ビームスプ
リツタ６、さらにビームスプリツタ11で反射され、1/2
波長板12へ導びかれる。1/2波長板12は反射光の偏光面
の主軸を45度回転させる性質がある。この光をさらに偏
光ビームスプリツタ13へ導びく。偏光ビームスプリツタ
13は、例えばＰ偏光成分の光は全透過し、Ｓ偏光成分の
光は全反射するような特性を持つている。この特性によ
り、反射光に含まれる偏光成分差を検出し、光の強弱に
変換するのである。透過光と反射光はそれぞれレンズで
集光される光検出器14および光検出器15で検知される。
両光検出器からの検出電流の差を差動アンプ16でとるこ
とにより再生信号19を得ることができる。
方向を検出すれば良い。この検出には磁気光学効果を利
用して行なう。磁気光学効果の一つであるカー効果は、
磁化方向の上下に伴ない、反射光の偏光面が入射光の偏
光面に対し左右逆向きに回転する現象である。したがつ
て、光磁気デイスクに記録された情報を読み出すには、
偏光面の回転を検出し、光量の強弱に変換することが必
要である。第１図に示した検出光学系は一般に差動検出
系と呼ばれるものである。デイスク１からの反射光は再
び絞り込みレンズ８を通りガルバノミラー7,ビームスプ
リツタ６、さらにビームスプリツタ11で反射され、1/2
波長板12へ導びかれる。1/2波長板12は反射光の偏光面
の主軸を45度回転させる性質がある。この光をさらに偏
光ビームスプリツタ13へ導びく。偏光ビームスプリツタ
13は、例えばＰ偏光成分の光は全透過し、Ｓ偏光成分の
光は全反射するような特性を持つている。この特性によ
り、反射光に含まれる偏光成分差を検出し、光の強弱に
変換するのである。透過光と反射光はそれぞれレンズで
集光される光検出器14および光検出器15で検知される。
両光検出器からの検出電流の差を差動アンプ16でとるこ
とにより再生信号19を得ることができる。
光デイスクでは、常に光スポツトが記録膜上に焦点を
結ぶように制御してやる必要がある。このための自動焦
点サーボ信号、および目的のトラツク上に位置させるた
めのトラツク追従サーボ信号は、第１図の光学系では、
ビームスプリツタ11の透過光により得るようになつてい
る。第１図における光磁気信号の検出およびサーボ信号
の検出は他の方式を用いても本発明の実施に当り支障は
ない。
結ぶように制御してやる必要がある。このための自動焦
点サーボ信号、および目的のトラツク上に位置させるた
めのトラツク追従サーボ信号は、第１図の光学系では、
ビームスプリツタ11の透過光により得るようになつてい
る。第１図における光磁気信号の検出およびサーボ信号
の検出は他の方式を用いても本発明の実施に当り支障は
ない。
ここで第１図の実施例で示した差動検出系について説
明を加えておく。第２図は1/2波長板12によつて偏光主
軸が45度だけ回軸した様子を示している。垂直磁化膜の
磁化方向の上下により、例えば未記録部の磁化方向に対
応する反射光の偏光面がＡのようにカー回転角に応じた
角αだけ偏光主軸から回転したとする。一方、記録によ
り未記録部とは逆方向の磁化を持つ磁化ドメインの部分
では、反射光の偏光面はＢのようにやはりＡと同一角度
αだけ今夜は逆向きに回転する。いまＡからＢへ偏光面
が回転した場合を考える。偏光ビームスプリツタ13がＰ
偏光成分を全透過、Ｓ偏光成分を全反射するものとすれ
ば、光検出器14へはＰ偏光軸への斜影分、すなわちａで
示した光量の増加が生じる。一方、光検出器15へはＳ偏
光軸への斜影分、すなわちｂで示した光量の減少が生じ
る。したがつて、両者の差をとれば、偏光面の回転、即
ち磁化方向を検出することができる。光磁気信号の検出
には、他の方法でも良く、本発明の実施にあつては特に
差動検出系に限定されるものではない。
明を加えておく。第２図は1/2波長板12によつて偏光主
軸が45度だけ回軸した様子を示している。垂直磁化膜の
磁化方向の上下により、例えば未記録部の磁化方向に対
応する反射光の偏光面がＡのようにカー回転角に応じた
角αだけ偏光主軸から回転したとする。一方、記録によ
り未記録部とは逆方向の磁化を持つ磁化ドメインの部分
では、反射光の偏光面はＢのようにやはりＡと同一角度
αだけ今夜は逆向きに回転する。いまＡからＢへ偏光面
が回転した場合を考える。偏光ビームスプリツタ13がＰ
偏光成分を全透過、Ｓ偏光成分を全反射するものとすれ
ば、光検出器14へはＰ偏光軸への斜影分、すなわちａで
示した光量の増加が生じる。一方、光検出器15へはＳ偏
光軸への斜影分、すなわちｂで示した光量の減少が生じ
る。したがつて、両者の差をとれば、偏光面の回転、即
ち磁化方向を検出することができる。光磁気信号の検出
には、他の方法でも良く、本発明の実施にあつては特に
差動検出系に限定されるものではない。
次に、磁化ドメインの形成に関しては、光スポツトの
照射範囲内に複数個の磁化ドメインを形成する方法につ
いて説明する。磁界変調記録の場合、垂直磁化膜の熱伝
導の影響による磁化ドメイン間の干渉は光変調記録の場
合にくらべて少ない。
照射範囲内に複数個の磁化ドメインを形成する方法につ
いて説明する。磁界変調記録の場合、垂直磁化膜の熱伝
導の影響による磁化ドメイン間の干渉は光変調記録の場
合にくらべて少ない。
磁界変調記録方式で形成される磁化ドメイン形状の特
徴については後述する。
徴については後述する。
したがつて、変調磁界の方向切換の速度を上げること
により、光スポツトが１つ分だけ記録膜上を移動する間
に複数個の磁化ドメインを形成することができる。また
同様に光スポツトの１つ分の面積に対する磁化ドメイン
の面積を変化させることも可能である。
により、光スポツトが１つ分だけ記録膜上を移動する間
に複数個の磁化ドメインを形成することができる。また
同様に光スポツトの１つ分の面積に対する磁化ドメイン
の面積を変化させることも可能である。
第３図は、上記のように磁化ドメインを形成するため
の変調磁界と、形成された磁化ドメインから得られる再
生信号の様子を示したものである。第３図（ａ）は光ス
ポツト20の照射領域の面積の半分以下の磁化ドメイン21
を形成する場合を示した図である。いま光スポツト20の
有効径をWs（ｍ）、光スポツト20の単位時間当りの移動
量すなわち線速度をｖ（m/s）とすると、光スポツト径
の半分の長さの磁化ドメインを形成するためには、変調
磁界が磁化ドメイン形成側の方向にあるパルス長を光ス
ポツト径の半分、すなわちWs/2（ｍ）にすれば良い。該
変調パルスの時間は、Ws/2v（ｓ）に対応する。例え
ば、絞り込みレンズ８の開口数を0.5、半導体レーザ３
の波長を830（nm）とすると、光スポツトの有効径は、
両者の比として約1.6（μｍ）になる。ここで光スポツ
ト径の有効性は光強度が自然対数の底ｅの２乗分の１に
下がるところの直径としている。また、記録線速度、す
なわち光スポツトの移動速度を10（m/s）とすれば、光
スポツト径の半分の長さの磁化ドメインを形成するには
変調磁界のパルス時間を約80（ns）にしてやれば良い。
このようにして記録された磁化ドメインから得られる再
生信号19を第３図（ｂ）に示す。
の変調磁界と、形成された磁化ドメインから得られる再
生信号の様子を示したものである。第３図（ａ）は光ス
ポツト20の照射領域の面積の半分以下の磁化ドメイン21
を形成する場合を示した図である。いま光スポツト20の
有効径をWs（ｍ）、光スポツト20の単位時間当りの移動
量すなわち線速度をｖ（m/s）とすると、光スポツト径
の半分の長さの磁化ドメインを形成するためには、変調
磁界が磁化ドメイン形成側の方向にあるパルス長を光ス
ポツト径の半分、すなわちWs/2（ｍ）にすれば良い。該
変調パルスの時間は、Ws/2v（ｓ）に対応する。例え
ば、絞り込みレンズ８の開口数を0.5、半導体レーザ３
の波長を830（nm）とすると、光スポツトの有効径は、
両者の比として約1.6（μｍ）になる。ここで光スポツ
ト径の有効性は光強度が自然対数の底ｅの２乗分の１に
下がるところの直径としている。また、記録線速度、す
なわち光スポツトの移動速度を10（m/s）とすれば、光
スポツト径の半分の長さの磁化ドメインを形成するには
変調磁界のパルス時間を約80（ns）にしてやれば良い。
このようにして記録された磁化ドメインから得られる再
生信号19を第３図（ｂ）に示す。
第３図（ｃ）は、光スポツト20の有効径とほぼ同じ長
さの磁化ドメイン21を形成する場合を示している。この
場合、変調磁界22の方向が磁化ドメイン形成側の極性に
ある区間Ｔの長さをWsと等しくすれば良い。先程と同じ
記録条件ならば、変調磁界のパルス時間Ｔを約160（n
s）にすれば良い。第３図（ｄ）は、第３図（ｃ）のよ
うに記録された磁化ドメイン21から得られる再生信号19
を示した図である。第３図（ｂ）と第３図（ｄ）とを比
較すると、光スポツト20の中心付近に磁化ドメイン21が
存在しているときの再生信号のレベルが異なつている。
この場合、第３図（ｄ）のほうが再生信号のレベル24
が、第３図（ｂ）の再生信号のレベル23よりも高くな
る。このレベル差は、光スポツトの有効径内に存在する
磁化ドメインの面積に依存する。したがつて、レベル23
と24の中間値に閾値を設定すれば、両者を区別して検出
することができる。このように、光スポツト有効照射面
積に対する磁化ドメインの領域面積の違いを用いること
により、複数の閾値による多値量子化が実現できる。磁
化ドメインの占有面積を変化させるには、変調磁界22の
パルス時間Ｔを変化させる方法のほかに、パルス時間Ｔ
は変えずに変調磁界パルスのデユーテイ比を変えること
により、磁化ドメインの占有面積を変化させることもで
きる。
さの磁化ドメイン21を形成する場合を示している。この
場合、変調磁界22の方向が磁化ドメイン形成側の極性に
ある区間Ｔの長さをWsと等しくすれば良い。先程と同じ
記録条件ならば、変調磁界のパルス時間Ｔを約160（n
s）にすれば良い。第３図（ｄ）は、第３図（ｃ）のよ
うに記録された磁化ドメイン21から得られる再生信号19
を示した図である。第３図（ｂ）と第３図（ｄ）とを比
較すると、光スポツト20の中心付近に磁化ドメイン21が
存在しているときの再生信号のレベルが異なつている。
この場合、第３図（ｄ）のほうが再生信号のレベル24
が、第３図（ｂ）の再生信号のレベル23よりも高くな
る。このレベル差は、光スポツトの有効径内に存在する
磁化ドメインの面積に依存する。したがつて、レベル23
と24の中間値に閾値を設定すれば、両者を区別して検出
することができる。このように、光スポツト有効照射面
積に対する磁化ドメインの領域面積の違いを用いること
により、複数の閾値による多値量子化が実現できる。磁
化ドメインの占有面積を変化させるには、変調磁界22の
パルス時間Ｔを変化させる方法のほかに、パルス時間Ｔ
は変えずに変調磁界パルスのデユーテイ比を変えること
により、磁化ドメインの占有面積を変化させることもで
きる。
第４図は磁界ドメインの形成される方向の磁界パルス
幅Ｔを一定とし、この間隔τを変えた場合について示し
た図である。第４図（ａ）では、間隔τが短かいため、
再生信号19のレベル25は、第４図（ｂ）の場合のレベル
26にくらべて高くなる。この例では、光スポツトが２つ
の磁化ドメインを含む区間での磁化ドメインの占有面積
は等しい。しかし、実際には光スポツトの光強度分布
は、中心を最大とするガウス分布であることを考えると
光スポツト20の中心付近に２つの磁化ドメイン21が近接
して存在する第４図（ａ）のほうが、ピークレベルは高
くなく。第３図の場合と同様に両者レベルの中間に閾値
を設定すれば、（ａ）の状態と（ｂ）の状態を判別する
ことができる。
幅Ｔを一定とし、この間隔τを変えた場合について示し
た図である。第４図（ａ）では、間隔τが短かいため、
再生信号19のレベル25は、第４図（ｂ）の場合のレベル
26にくらべて高くなる。この例では、光スポツトが２つ
の磁化ドメインを含む区間での磁化ドメインの占有面積
は等しい。しかし、実際には光スポツトの光強度分布
は、中心を最大とするガウス分布であることを考えると
光スポツト20の中心付近に２つの磁化ドメイン21が近接
して存在する第４図（ａ）のほうが、ピークレベルは高
くなく。第３図の場合と同様に両者レベルの中間に閾値
を設定すれば、（ａ）の状態と（ｂ）の状態を判別する
ことができる。
第３図および第４図において形成される磁化ドメイン
21の形状は光変調記録の場合と異なつている。光変調記
録の場合、形成される磁化ドメインはほぼ同形状にな
る。第５図の（ａ）は光変調記録の場合、（ｂ）は磁界
変調記録の場合の磁化ドメインの形状を示している。第
５図において隣接する磁化ドメインの間隔は磁界変調記
録の場合のほうが広くなる。この理由は先に述べた熱干
渉の影響の違いに加え、磁化ドメインの前縁，後縁の形
状が記録光スポツトの曲率で決定されることによる。し
たがつて磁界変調記録のほうが高密度化できることがわ
かる。また変調磁界のパルス幅に対して形成される磁化
ドメインの面積は一対一の対応が成立しており、このた
め再生信号レベルも記録変調磁界のパルス幅とも一定の
関係が成立する。したがつて複数の閾値による多値量子
化が容易に実現できる。閾値の生成方法としては、デイ
スクフオーマツトとしてサンプルサーボフオーマツトを
用い、サンプルピツトのレベルを閾値の基準値として多
段階の閾値生成する方法が一例として挙げられる。その
具体的方法については特願昭61−292309号公報に述べら
れている。
21の形状は光変調記録の場合と異なつている。光変調記
録の場合、形成される磁化ドメインはほぼ同形状にな
る。第５図の（ａ）は光変調記録の場合、（ｂ）は磁界
変調記録の場合の磁化ドメインの形状を示している。第
５図において隣接する磁化ドメインの間隔は磁界変調記
録の場合のほうが広くなる。この理由は先に述べた熱干
渉の影響の違いに加え、磁化ドメインの前縁，後縁の形
状が記録光スポツトの曲率で決定されることによる。し
たがつて磁界変調記録のほうが高密度化できることがわ
かる。また変調磁界のパルス幅に対して形成される磁化
ドメインの面積は一対一の対応が成立しており、このた
め再生信号レベルも記録変調磁界のパルス幅とも一定の
関係が成立する。したがつて複数の閾値による多値量子
化が容易に実現できる。閾値の生成方法としては、デイ
スクフオーマツトとしてサンプルサーボフオーマツトを
用い、サンプルピツトのレベルを閾値の基準値として多
段階の閾値生成する方法が一例として挙げられる。その
具体的方法については特願昭61−292309号公報に述べら
れている。
本実施例の動作について以下に述べる。第１図に示し
た構成により、第５図（ｂ）に示したような磁化ドメイ
ンが記録された場合、光スポツト径内の磁化反転領域の
面積を信号レベルの変化として検出し、スライス回路に
より量子化するには、閾値の基準レベルを与える必要が
ある。閾値の基準レベルとしては、デイスク１上に予め
デイスク作製時に凹凸ピツトを設けておき、再生時に該
ピツトから得られる信号の尖頭値あるいは積分値を用い
る方法がある。第１図では、再生信号19は磁化情報であ
るため光検出器で検出した信号の差のみを必要とした。
凹凸ピツトからの信号は、デイスク１からの反射光の変
化として検出されるため、ビームスプリツタ11を透過し
た信号光量、すなわち自動焦点サーボ，トラツク追従サ
ーボ系で必要とする信号の一部を用いれば、ピツト信号
のみを検出することができる。第６図はそのようなデイ
スクフオーマツトの一実施例である。
た構成により、第５図（ｂ）に示したような磁化ドメイ
ンが記録された場合、光スポツト径内の磁化反転領域の
面積を信号レベルの変化として検出し、スライス回路に
より量子化するには、閾値の基準レベルを与える必要が
ある。閾値の基準レベルとしては、デイスク１上に予め
デイスク作製時に凹凸ピツトを設けておき、再生時に該
ピツトから得られる信号の尖頭値あるいは積分値を用い
る方法がある。第１図では、再生信号19は磁化情報であ
るため光検出器で検出した信号の差のみを必要とした。
凹凸ピツトからの信号は、デイスク１からの反射光の変
化として検出されるため、ビームスプリツタ11を透過し
た信号光量、すなわち自動焦点サーボ，トラツク追従サ
ーボ系で必要とする信号の一部を用いれば、ピツト信号
のみを検出することができる。第６図はそのようなデイ
スクフオーマツトの一実施例である。
第６図において、トラツク案内溝51はトラツキング信
号を得るためのもので、凹凸ピツト50は、外案内溝間に
ある間隔で設けられている。磁化情報は、磁化ドメイン
21として、該ピツト間の領域に図のように記憶されたも
のとする。ピツト信号52は、ピツトの中心で最も信号レ
ベルが低下する。したがつてこの尖頭レベル53はピーク
検出回路で検出すれば得ることができる。ピツト信号52
は、デイスクからの反射光量の変化のみに応答するた
め、該ピツト信号の中に磁化ドメイン21の影響は現れな
いので光学的に分離されている。一方、再生信号19の量
子化をするには、該尖頭レベル53の電位を分圧し、１レ
ベル以上の閾値を生成する必要がある。閾値の生成に関
しても特願昭61−292309号公報に述べられているが、簡
単に説明することにする。第７図は、ピツト信号52の尖
頭レベル53を検出し、それから閾値を生成するための回
路例である。ピツト信号52はピーク検出回路60に入力さ
れ尖頭レベル53が検出される。この尖頭レベル53はピー
ク保持回路61によりホールドされる。ピーク検出回路60
およびピーク保持回路61は一般的なもので良く、内部詳
細についての説明は省く。ピーク保持回路61の出力は、
極性を再生信号19と合わせるべく、反転増幅器62により
反転されたあと、分圧器63〜65で構成される分圧回路へ
入力される。分圧器63〜65は、例えば可変抵抗のような
ものであり、電圧レベルを分圧する機能を持つ。分圧器
63〜65で生成されたレベルは、それぞれ閾値A54,閾値B5
5となる。この閾値により再生信号19を比較器66,67によ
り二値化すれば、再生パルスA56,再生パルスB57を得る
ことができる。再生パルスA,Bから閾値Ａのみ越える再
生信号、閾値A,Bともに越える再生信号を抽出するには
以下のようにすればよい。再生パルスA56と再生パルスB
57との排他的論理和（Exclusive OR）をとれば、閾値Ａ
のみ越える再生信号に対応した再生パルスＡ′58が得ら
れ、再生パルスA56と再生パルスB57の論理積（AND）を
とれば、閾値A,Bともに越える再生パルスＢ′59を得る
ことができる。
号を得るためのもので、凹凸ピツト50は、外案内溝間に
ある間隔で設けられている。磁化情報は、磁化ドメイン
21として、該ピツト間の領域に図のように記憶されたも
のとする。ピツト信号52は、ピツトの中心で最も信号レ
ベルが低下する。したがつてこの尖頭レベル53はピーク
検出回路で検出すれば得ることができる。ピツト信号52
は、デイスクからの反射光量の変化のみに応答するた
め、該ピツト信号の中に磁化ドメイン21の影響は現れな
いので光学的に分離されている。一方、再生信号19の量
子化をするには、該尖頭レベル53の電位を分圧し、１レ
ベル以上の閾値を生成する必要がある。閾値の生成に関
しても特願昭61−292309号公報に述べられているが、簡
単に説明することにする。第７図は、ピツト信号52の尖
頭レベル53を検出し、それから閾値を生成するための回
路例である。ピツト信号52はピーク検出回路60に入力さ
れ尖頭レベル53が検出される。この尖頭レベル53はピー
ク保持回路61によりホールドされる。ピーク検出回路60
およびピーク保持回路61は一般的なもので良く、内部詳
細についての説明は省く。ピーク保持回路61の出力は、
極性を再生信号19と合わせるべく、反転増幅器62により
反転されたあと、分圧器63〜65で構成される分圧回路へ
入力される。分圧器63〜65は、例えば可変抵抗のような
ものであり、電圧レベルを分圧する機能を持つ。分圧器
63〜65で生成されたレベルは、それぞれ閾値A54,閾値B5
5となる。この閾値により再生信号19を比較器66,67によ
り二値化すれば、再生パルスA56,再生パルスB57を得る
ことができる。再生パルスA,Bから閾値Ａのみ越える再
生信号、閾値A,Bともに越える再生信号を抽出するには
以下のようにすればよい。再生パルスA56と再生パルスB
57との排他的論理和（Exclusive OR）をとれば、閾値Ａ
のみ越える再生信号に対応した再生パルスＡ′58が得ら
れ、再生パルスA56と再生パルスB57の論理積（AND）を
とれば、閾値A,Bともに越える再生パルスＢ′59を得る
ことができる。
第６図に示したデイスクフオーマツトでは、再生クロ
ツクの生成法としては、再生パルス58,59の前縁の立ち
上がり、および後縁の立ち下がりをPLL（フエーズ・ロ
ツクド・ループ）回路に入力し、再生用のクロツクを得
ることもできるが、ピツト信号52のピーク位置を該ピツ
ト信号52の微粉波形の零クロス位置信号として得て、こ
れをPLL回路に入力し、ピツト50と次のピツトとの間の
データ記録領域に再生用のクロツクを生成することもで
きる。
ツクの生成法としては、再生パルス58,59の前縁の立ち
上がり、および後縁の立ち下がりをPLL（フエーズ・ロ
ツクド・ループ）回路に入力し、再生用のクロツクを得
ることもできるが、ピツト信号52のピーク位置を該ピツ
ト信号52の微粉波形の零クロス位置信号として得て、こ
れをPLL回路に入力し、ピツト50と次のピツトとの間の
データ記録領域に再生用のクロツクを生成することもで
きる。
本発明によれば、磁界変調記録方式において、再生用
光スポツトの照射領域内に存在する磁化ドメインの個
数、ないしは該光スポツト照射領域内に占める磁化ドメ
イン領域の面積を変えることにより、異なる再生信号レ
ベルが得られるため、複数の閾値での量子化を行なえば
多値記録が可能である。これにより線記録密度の向上を
図ることができる。
光スポツトの照射領域内に存在する磁化ドメインの個
数、ないしは該光スポツト照射領域内に占める磁化ドメ
イン領域の面積を変えることにより、異なる再生信号レ
ベルが得られるため、複数の閾値での量子化を行なえば
多値記録が可能である。これにより線記録密度の向上を
図ることができる。
第１図は本発明を実施するための光磁気デイスク装置の
記録再生系の構成例を示す図、第２図は差動検出系によ
る光磁気信号再生の原理を示す図、第３図は光スポツト
照射領域に対する磁化ドメインの占める面積を変化させ
る場合の記録再生を示す図、第４図は磁化ドメインの間
隔を変化させた場合の記録再生を示す図、第５図は光変
調記録と磁界変調記録による磁化ドメインの形状を示す
図、第６図は本発明で用いるデイスクフオーマツトの一
例とその再生波形を示す図、第７図は閾値生成回路の一
例を示す図である。
記録再生系の構成例を示す図、第２図は差動検出系によ
る光磁気信号再生の原理を示す図、第３図は光スポツト
照射領域に対する磁化ドメインの占める面積を変化させ
る場合の記録再生を示す図、第４図は磁化ドメインの間
隔を変化させた場合の記録再生を示す図、第５図は光変
調記録と磁界変調記録による磁化ドメインの形状を示す
図、第６図は本発明で用いるデイスクフオーマツトの一
例とその再生波形を示す図、第７図は閾値生成回路の一
例を示す図である。
Claims (6)
- 【請求項１】磁界変調方式により記録媒体に磁化ドメイ
ンを形成する際に情報を再生光スポット径内に存在する
上記磁化ドメインの面積に１対１対応させて多値記録を
行う情報記録方法において、上記再生光スポット径１つ
分だけ記録光スポットが移動する間における上記磁化ド
メインを形成している時間を変化させることにより多値
記録を行うことを特徴とする情報記録方法。 - 【請求項２】磁界変調方式により記録媒体に磁化ドメイ
ンを形成する際に情報を再生光スポット径内に存在する
上記磁化ドメインの面積に１対１対応させて多値記録を
行い、上記記録媒体に上記再生光スポットを照射して情
報を再生する情報記録再生方法において、上記再生光ス
ポット径１つ分だけ記録光スポットが移動する間におけ
る上記磁化ドメインを形成している時間を変化させるこ
とにより多値記録を行い、再生時には上記再生光スポッ
トを上記記録媒体に照射し、上記記録媒体から戻る光を
光電変換して再生波形を得、該再生波形を複数の閾値を
用いて量子化することを特徴とする情報記録再生方法。 - 【請求項３】上記複数の閾値は記録媒体に所定の間隔で
設けられているマークから得られるレベルを基準として
生成されることを特徴とする請求項２記載の情報記録再
生方法。 - 【請求項４】磁界変調方式により記録媒体に磁化ドメイ
ンを形成する際に情報を再生光スポット径内に存在する
上記磁化ドメインの面積に１対１対応させて多値記録を
行う情報記録方法において、上記記録媒体に光スポット
を照射する照射手段と、上記再生光スポット径１つ分だ
け記録光スポットが移動する間における上記磁化ドメイ
ンを形成している時間を変化させることにより多値記録
を行うための変調磁界を印加する変調磁界印加手段とを
具備することを特徴とする情報記録装置。 - 【請求項５】磁界変調方式により記録媒体に磁化ドメイ
ンを形成する際に情報を再生光スポット径内に存在する
上記磁化ドメインの面積に１対１対応させて多値記録を
行い、上記記録媒体に上記再生光スポットを照射して情
報を再生する情報記録再生装置において、上記記録媒体
に光スポットを照射する照射手段と、上記再生光スポッ
ト径１つ分だけ記録光スポットが移動する間における上
記磁化ドメインを形成している時間を変化させることに
より多値記録を行うための変調磁界を印加する変調磁界
印加手段と、上記再生光スポット径内に存在する上記磁
化ドメインに応じた再生信号を得る検出手段と、上記再
生信号を複数の閾値で量子化するスライス回路とを具備
することを特徴とする情報記録再生装置。 - 【請求項６】上記記録媒体に所定の間隔で設けられてい
るマークから得られるレベルを基準として上記スライス
回路で用いる上記複数の閾値を生成する閾値生成回路を
具備することを特徴とする請求項５記載の情報記録再生
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181902A JP2749067B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 情報記録方法及び装置及び情報記録再生方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181902A JP2749067B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 情報記録方法及び装置及び情報記録再生方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0233750A JPH0233750A (ja) | 1990-02-02 |
| JP2749067B2 true JP2749067B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=16108886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63181902A Expired - Fee Related JP2749067B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 情報記録方法及び装置及び情報記録再生方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2749067B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5270987A (en) * | 1988-02-08 | 1993-12-14 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording and reproducing method, magneto-optical memory apparatus and magneto-optical recording medium therefor |
| JPH06314447A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Pioneer Electron Corp | 光記録媒体再生装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07109673B2 (ja) * | 1986-12-27 | 1995-11-22 | ソニー株式会社 | 光磁気記録方式 |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP63181902A patent/JP2749067B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0233750A (ja) | 1990-02-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |