JPH04286179A - 半導体レーザ用パッケージ - Google Patents

半導体レーザ用パッケージ

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JPH04286179A
JPH04286179A JP7470091A JP7470091A JPH04286179A JP H04286179 A JPH04286179 A JP H04286179A JP 7470091 A JP7470091 A JP 7470091A JP 7470091 A JP7470091 A JP 7470091A JP H04286179 A JPH04286179 A JP H04286179A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
package
fins
window
present
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP7470091A
Other languages
English (en)
Inventor
Jiro Shinkai
次郎 新開
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ用パッケ
ージに関する。より詳細には、本発明は、半導体レーザ
が発生するレーザ光を透過させる窓を備えたキャンタイ
プのパッケージであって、特に、半導体レーザの発生す
る熱を効率良く放散する機能を有する新規な半導体レー
ザ用パッケージの構成に関する。
【0002】
【従来の技術】III−V族化合物であるGaAs等に
代表される化合物半導体により形成された半導体レーザ
は動作中に発熱ので、発生した熱を効率良く拡散させる
目的で、熱伝導性に優れた材料で作製されたサブマウン
トやヒートシンク上に搭載した上で半導体レーザ用パッ
ケージに収容される。
【0003】図2は、従来の一般的な半導体レーザ用パ
ッケージの構成を示す図である。
【0004】同図に示すように、半導体レーザ用パッケ
ージ1は、半導体レーザ1を搭載するヘッダ3と、ヘッ
ダ上に搭載された素子を封止するためのキャン4とから
主に構成されている。
【0005】ヘッダ3は、自身を貫通するリードピン5
を備えると共に、その上面上に、ヒートシンク2を装着
された半導体レーザ1を搭載している。一方、キャン4
は、半導体レーザ1から発生されるレーザ光を外部に出
射するためのガラス製の透明な窓6を備えている。ここ
で、この窓6を装着するキャン4は、ガラスと同じ熱膨
張率を有するコパールによって形成されている。その理
由は、半導体レーザ1は動作時に熱を発生するので、キ
ャン4と窓6との熱膨張率差が大きいと窓6が破損した
り剥がれたりするからである。
【0006】以上のように構成された半導体レーザ用パ
ッケージにおいて、半導体レーザ1で発生した熱は、ヒ
ートシンク2およびキャン4を順次伝播し、キャン4の
表面から放散さされる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
半導体レーザ用パッケージにおいては、収容した素子を
封止するためにコバール製のキャン4を使用していた。
【0008】しかしながら、コバールは、金属としては
必ずしも熱伝導性に優れているわけではなく、半導体レ
ーザ1の発生した熱がキャン4の内部に蓄積され、半導
体レーザ1の長期信頼性が低下するという問題がある。
【0009】そこで、本発明は、上記従来技術の問題点
を解決し、半導体レーザの発生した熱を効率良く放散す
ることができる新規な半導体レーザ用パッケージを提供
することをその目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明に従うと、
ヘッダと、該ヘッダ上に搭載された半導体レーザおよび
ヒートシンクを封止すると共に、該半導体レーザから放
出されるレーザ光を透過する窓を備えたキャンとを含む
半導体レーザ用パッケージにおいて、該キャンの外側表
面に、該キャンの表面積を増加させるようなフィンを備
えていることを特徴とする半導体レーザ用パッケージが
提供される。また、本発明の一態様によれば、上記本発
明に係る半導体レーザ用パッケージであって、更に、前
記フィンが、前記窓を除いて黒色に塗装されていること
を特徴とする半導体レーザ用パッケージが提供される。
【0011】
【作用】本発明に係る半導体レーザ用パッケージは、そ
のキャンの表面にフィンを具備すること、並びに、キャ
ンおよびフィンが黒色に塗装されていることとをその主
要な特徴としている。
【0012】半導体レーザ用パッケージにおいて、ガラ
ス製の窓を備えるキャンの材料は、前述の理由により選
択の余地が無い。そこで、本発明に係る半導体レーザ用
パッケージは、キャンの形状並びに色彩によって、キャ
ンの放熱性を向上させることにより半導体レーザの冷却
効率を高めている。
【0013】即ち、本発明に係る半導体半導体レーザ用
パッケージにおいては、そのキャンの表面にフィンが設
けられており、キャンの表面積を増加させることにより
熱放射効率を向上させている。尚、このようなフィンの
機能に鑑みて、フィンは、他の条件が許す限り、大きく
または多数とすることが好ましい。
【0014】更に、本発明に係る半導体半導体レーザ用
パッケージは、そのキャンの表面が黒色に塗装されてい
る。従って、キャンからの熱放射効率は更に向上される
【0015】以上のような機能を有する本発明に係る半
導体レーザ用パッケージは、半導体レーザの高出力動作
および/または長連続連続動作時の半導体レーザの信頼
性を高くする。
【0016】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎず
、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
【0017】
【実施例】図1は、本発明に係る半導体レーザ用パッケ
ージの具体的な構成例を示す図である。尚、同図におい
て、図2に示した従来の半導体レーザ用パッケージと同
じ構成部材には同じ参照番号を付している。
【0018】同図に示すように、この半導体レーザ用パ
ッケージは、基本的な構成は、図2に示した従来の半導
体レーザ用パッケージと同じであり、キャン4aの形状
並びに色彩にその主要な特徴がある。
【0019】即ち、図1に示す半導体レーザ用パッケー
ジのキャン4aは、その側面に、放射状に配列された複
数の板状フィン7を備えている。また、これらのフィン
7を含むキャン4a全体は、黒色に塗装されている。
【0020】ところで、物体からの熱放射エネルギEは
、一般に、下記の式1で表すことができる。
【0021】E=εσT4 S・・・・式1但し、εは
放射率、 σはシュテファン・ボルツマン定数(5.67×10−
12 W・cm−2 deg−4) Tは絶対温度、 Sは表面積をそれぞれ表す。
【0022】ここで、本発明に係る半導体レーザ用パッ
ケージでは、キャン4aにフィン7を設けることにより
、式1における表面積Sを増加させている。また、本発
明に従って黒色塗装されたキャン4aの放射率εは約 
0.9であり、Niめっき等により金属色であった従来
のパッケージのキャン4の放射率 0.2〜0.4 に
比較して著しく高い。これらの点を総合すると、本発明
に係る半導体レーザ用パッケージは、従来のパッケージ
の3〜4倍の熱放射効率Eを有している。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体レーザ用パッケージは、熱伝導性においては必ずしも
優れていないコバール金属を使用しているにもかかわら
ず、その独自の構成により、熱放射効率を向上させてい
る。従って、半導体レーザの動作時に発生した熱を効率
良く放散させることができ、高出力動作時の半導体レー
ザの信頼性を高くすると共に、半導体レーザの長寿命化
にも寄与する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体レーザ用パッケージの具体
的な構成例を示す図である。
【図2】従来の半導体レーザ用パッケージの典型的な構
成を示す図である
【符号の説明】
1    半導体レーザ、 2    ヒートシンク、 3    ヘッダ、 4、4a    キャン、 5    リードピン、 6    窓、 7    フィン

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ヘッダと、該ヘッダ上に搭載された半導体
    レーザおよびヒートシンクを封止すると共に、該半導体
    レーザから放出されるレーザ光を透過する窓を備えたキ
    ャンとを含む半導体レーザ用パッケージにおいて、該キ
    ャンの外側表面に、該キャンの表面積を増加させるよう
    なフィンを備えていることを特徴とする半導体レーザ用
    パッケージ。
  2. 【請求項2】請求項1に記載された半導体レーザ用パッ
    ケージであって、前記キャンおよび前記フィンが、前記
    窓を除いて黒色に塗装されていることを特徴とする半導
    体レーザ用パッケージ。
JP7470091A 1991-03-14 1991-03-14 半導体レーザ用パッケージ Withdrawn JPH04286179A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005333029A (ja) * 2004-05-20 2005-12-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 光半導体装置および光モジュール
WO2013164876A1 (ja) * 2012-05-01 2013-11-07 三菱電機株式会社 半導体パッケージ

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Effective date: 19980514