JP2002033426A - ステムおよび光ピックアップ - Google Patents
ステムおよび光ピックアップInfo
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の半導体素子を同一のステムに実装して
も、各半導体素子を独立して放熱することができ、熱の
クロストークの発生も防止することの可能なステムを提
供する。 【解決手段】 本発明のステムは、第１の伝熱部２５
と、断熱部２６と、第２の伝熱部２７とにより構成され
ている。ここで、第１の伝熱部２５と第２の伝熱部２７
は、例えば熱伝導率５１Ｗ／ｍ・Ｋの軟鋼からなってお
り、また、断熱部２６は、例えば熱伝導率０．２４Ｗ／
ｍ・Ｋのフッ素樹脂からなっている。そして、ステムの
第１の伝熱部２５には、ヒートシンク２２を介して半導
体レーザ（ＬＤ）２１が取り付けられている。また、ス
テムの第２の伝熱部２７には、半導体レーザ駆動用ＩＣ
（ＬＤ駆動用ＩＣ）２３が取り付けられている。
も、各半導体素子を独立して放熱することができ、熱の
クロストークの発生も防止することの可能なステムを提
供する。 【解決手段】 本発明のステムは、第１の伝熱部２５
と、断熱部２６と、第２の伝熱部２７とにより構成され
ている。ここで、第１の伝熱部２５と第２の伝熱部２７
は、例えば熱伝導率５１Ｗ／ｍ・Ｋの軟鋼からなってお
り、また、断熱部２６は、例えば熱伝導率０．２４Ｗ／
ｍ・Ｋのフッ素樹脂からなっている。そして、ステムの
第１の伝熱部２５には、ヒートシンク２２を介して半導
体レーザ（ＬＤ）２１が取り付けられている。また、ス
テムの第２の伝熱部２７には、半導体レーザ駆動用ＩＣ
（ＬＤ駆動用ＩＣ）２３が取り付けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を実装
可能なステムおよび光ピックアップに関する。
可能なステムおよび光ピックアップに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体レーザ（ＬＤ）等の発熱
量の多い半導体素子は、ヒートシンクを設けたステムと
呼ばれる金属製の実装部材に実装される。このようなス
テムには、ＬＤの他に光出力モニター用のＰＤ等も一緒
に実装されるが、最近ではホログラムやＯＰＩＣ等を１
つのステムに実装した一体化ステムがすでに商品化され
ている。さらに研究レベルにおいては、ＬＤの駆動用Ｉ
Ｃを一体化した高性能ステムも案出されている。
量の多い半導体素子は、ヒートシンクを設けたステムと
呼ばれる金属製の実装部材に実装される。このようなス
テムには、ＬＤの他に光出力モニター用のＰＤ等も一緒
に実装されるが、最近ではホログラムやＯＰＩＣ等を１
つのステムに実装した一体化ステムがすでに商品化され
ている。さらに研究レベルにおいては、ＬＤの駆動用Ｉ
Ｃを一体化した高性能ステムも案出されている。
【０００３】例えば特開平６−２２３３９９には、図１
に示すように、ＬＤ（半導体レーザ）とＬＤ駆動用ＩＣ
（半導体レーザ駆動用ＩＣ）とを一体化したステムの一
例が示されている。図１を参照すると、ステム４には、
ＬＤ１と、ヒートシンク２と、ＯＰＩＣとＬＤ駆動用Ｉ
Ｃが一体化されたチップ８とが実装されており、リード
７，ボンディングワイヤ１６，キャップ５，出射窓６が
取付られている。
に示すように、ＬＤ（半導体レーザ）とＬＤ駆動用ＩＣ
（半導体レーザ駆動用ＩＣ）とを一体化したステムの一
例が示されている。図１を参照すると、ステム４には、
ＬＤ１と、ヒートシンク２と、ＯＰＩＣとＬＤ駆動用Ｉ
Ｃが一体化されたチップ８とが実装されており、リード
７，ボンディングワイヤ１６，キャップ５，出射窓６が
取付られている。
【０００４】このようにＬＤ１とＬＤ駆動用ＩＣを一体
化する（同一のステム４に実装する）ことにより、部品
点数が減少し低コスト化が図れると共に、ＬＤ１，ＬＤ
駆動用ＩＣ間の配線からの不要な電磁輻射を低減するこ
とができる。
化する（同一のステム４に実装する）ことにより、部品
点数が減少し低コスト化が図れると共に、ＬＤ１，ＬＤ
駆動用ＩＣ間の配線からの不要な電磁輻射を低減するこ
とができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１の
構成では、ＬＤ１とＬＤ駆動用ＩＣを一体化する（同一
のステム４に実装する）ことにより性能を向上させるこ
とができる一方で、放熱という観点では新たな問題が生
じてしまう。すなわち、ＬＤ自身が元々高発熱な素子で
あるのに加えて、同じく発熱量の高いＬＤ駆動用ＩＣを
ＬＤに近接して配置するため、ステムの温度が上昇して
しまう。特に最近の高速な光ディスクに搭載されるＬＤ
駆動用ＩＣは数百ＭＨｚの高速な変調が要求されるた
め、その発熱量はＬＤに迫るほどである。
構成では、ＬＤ１とＬＤ駆動用ＩＣを一体化する（同一
のステム４に実装する）ことにより性能を向上させるこ
とができる一方で、放熱という観点では新たな問題が生
じてしまう。すなわち、ＬＤ自身が元々高発熱な素子で
あるのに加えて、同じく発熱量の高いＬＤ駆動用ＩＣを
ＬＤに近接して配置するため、ステムの温度が上昇して
しまう。特に最近の高速な光ディスクに搭載されるＬＤ
駆動用ＩＣは数百ＭＨｚの高速な変調が要求されるた
め、その発熱量はＬＤに迫るほどである。
【０００６】一方、次世代の光ディスクシステムに使用
される高出力赤色ＬＤや青色ＬＤにおいては、発光材料
の物性上、発光層とクラッド層のバンドギャップ差が十
分に大きく取れないため、素子特性の温度変化依存性が
大きくなってしまう。そのため動作可能な上限温度が従
来の赤外ＬＤより低く、駆動用ＩＣ一体化によるステム
の温度上昇は致命的な問題となってしまう。
される高出力赤色ＬＤや青色ＬＤにおいては、発光材料
の物性上、発光層とクラッド層のバンドギャップ差が十
分に大きく取れないため、素子特性の温度変化依存性が
大きくなってしまう。そのため動作可能な上限温度が従
来の赤外ＬＤより低く、駆動用ＩＣ一体化によるステム
の温度上昇は致命的な問題となってしまう。
【０００７】このように従来のステムを用いて単純にＬ
ＤとＬＤ駆動用ＩＣを一体化（同一のステムに実装）し
ても、低コスト化やノイズ低減の効果がある反面、ＬＤ
の放熱特性が劣化してしまうため、実際の実用化は難し
かった。
ＤとＬＤ駆動用ＩＣを一体化（同一のステムに実装）し
ても、低コスト化やノイズ低減の効果がある反面、ＬＤ
の放熱特性が劣化してしまうため、実際の実用化は難し
かった。
【０００８】本発明は、複数の半導体素子（例えば、半
導体レーザと半導体レーザ駆動用ＩＣ）を一体化（同一
のステムに実装）しても、各半導体素子を独立して放熱
することができ、熱のクロストークの発生も防止するこ
との可能なステムおよび光ピックアップを提供すること
を目的としている。
導体レーザと半導体レーザ駆動用ＩＣ）を一体化（同一
のステムに実装）しても、各半導体素子を独立して放熱
することができ、熱のクロストークの発生も防止するこ
との可能なステムおよび光ピックアップを提供すること
を目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、複数の半導体素子を実装可
能なステムにおいて、該ステムは熱伝導率の高い伝熱部
を複数有し、各伝熱部は、各伝熱部に比べて熱伝導率の
低い断熱部により熱的に分離されていることを特徴とし
ている。
に、請求項１記載の発明は、複数の半導体素子を実装可
能なステムにおいて、該ステムは熱伝導率の高い伝熱部
を複数有し、各伝熱部は、各伝熱部に比べて熱伝導率の
低い断熱部により熱的に分離されていることを特徴とし
ている。
【００１０】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載のステムにおいて、該ステムは、複数の半導体素子の
うちの少なくとも１つの半導体素子として、半導体レー
ザを実装可能であることを特徴としている。
載のステムにおいて、該ステムは、複数の半導体素子の
うちの少なくとも１つの半導体素子として、半導体レー
ザを実装可能であることを特徴としている。
【００１１】また、請求項３記載の発明は、請求項２記
載のステムにおいて、該ステムに半導体レーザが実装さ
れる場合、半導体レーザが実装される第１の伝熱部とは
熱的に分離された第２の伝熱部に実装される半導体素子
は、半導体レーザ駆動用ＩＣであることを特徴としてい
る。
載のステムにおいて、該ステムに半導体レーザが実装さ
れる場合、半導体レーザが実装される第１の伝熱部とは
熱的に分離された第２の伝熱部に実装される半導体素子
は、半導体レーザ駆動用ＩＣであることを特徴としてい
る。
【００１２】また、請求項４記載の発明は、請求項１乃
至請求項３のいずれか一項に記載のステムにおいて、該
ステムの複数の伝熱部の少なくとも１つの伝熱部には、
ヒートパイプが接続されていることを特徴としている。
至請求項３のいずれか一項に記載のステムにおいて、該
ステムの複数の伝熱部の少なくとも１つの伝熱部には、
ヒートパイプが接続されていることを特徴としている。
【００１３】また、請求項５記載の発明は、請求項２乃
至請求項４のいずれか一項に記載のステムを使用するこ
とを特徴とする光ピックアップである。
至請求項４のいずれか一項に記載のステムを使用するこ
とを特徴とする光ピックアップである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１５】従来のステムは、軟鋼等からなる円盤状の
アイレット上に銅からなるヒートシンクが取付けられた
構造をしている。このステムにＬＤ（半導体レーザ）と
ＬＤ駆動用ＩＣ（半導体レーザ駆動用ＩＣ）を実装（一
体化実装）した場合、ＬＤとＬＤ駆動用ＩＣとステムと
は熱的には一体となっているので、一方の発熱は他方に
容易に伝わってしまい、いわゆる熱のクロストークが生
じてしまう。
アイレット上に銅からなるヒートシンクが取付けられた
構造をしている。このステムにＬＤ（半導体レーザ）と
ＬＤ駆動用ＩＣ（半導体レーザ駆動用ＩＣ）を実装（一
体化実装）した場合、ＬＤとＬＤ駆動用ＩＣとステムと
は熱的には一体となっているので、一方の発熱は他方に
容易に伝わってしまい、いわゆる熱のクロストークが生
じてしまう。
【００１６】本願の発明者は、上記の問題を回避するた
めには、ステムの中で各半導体素子の放熱を担う伝熱部
を複数に分けて、熱的に分離した構造を設けてやればよ
いことを見出し、本発明を完成させた。
めには、ステムの中で各半導体素子の放熱を担う伝熱部
を複数に分けて、熱的に分離した構造を設けてやればよ
いことを見出し、本発明を完成させた。
【００１７】すなわち、本発明では、複数の半導体素子
を実装可能なステムにおいて、該ステムは熱伝導率の高
い伝熱部を複数有し、各伝熱部は、各伝熱部に比べて熱
伝導率の低い断熱部により熱的に分離されている構造と
なっている。このような構造とすることによって、各半
導体素子を独立して放熱することができ、熱のクロスト
ークも発生することが無いステムを実現することができ
る。
を実装可能なステムにおいて、該ステムは熱伝導率の高
い伝熱部を複数有し、各伝熱部は、各伝熱部に比べて熱
伝導率の低い断熱部により熱的に分離されている構造と
なっている。このような構造とすることによって、各半
導体素子を独立して放熱することができ、熱のクロスト
ークも発生することが無いステムを実現することができ
る。
【００１８】具体的には、上記本発明のステムに実装さ
れる複数の半導体素子のうちの少なくとも１つの半導体
素子として、半導体レーザを実装することができる。す
なわち、前述したように、次世代の光ディスクシステム
に使用される高出力赤色半導体レーザや青色半導体レー
ザはＬＤ素子特性の温度変化依存性が大きいため、他の
素子からの熱のクロストークの影響を特に受けやすい。
そこで、本発明のステムに半導体レーザを実装すると、
この半導体レーザは、ステムに実装される他の半導体素
子からの熱のクロストークの影響を特に受けにくくな
り、半導体レーザを安定して動作させることが可能にな
る。
れる複数の半導体素子のうちの少なくとも１つの半導体
素子として、半導体レーザを実装することができる。す
なわち、前述したように、次世代の光ディスクシステム
に使用される高出力赤色半導体レーザや青色半導体レー
ザはＬＤ素子特性の温度変化依存性が大きいため、他の
素子からの熱のクロストークの影響を特に受けやすい。
そこで、本発明のステムに半導体レーザを実装すると、
この半導体レーザは、ステムに実装される他の半導体素
子からの熱のクロストークの影響を特に受けにくくな
り、半導体レーザを安定して動作させることが可能にな
る。
【００１９】また、本発明のステムに半導体レーザが実
装される場合、半導体レーザが実装される第１の伝熱部
とは熱的に分離された第２の伝熱部には、半導体レーザ
駆動用ＩＣを実装することができる。
装される場合、半導体レーザが実装される第１の伝熱部
とは熱的に分離された第２の伝熱部には、半導体レーザ
駆動用ＩＣを実装することができる。
【００２０】すなわち、半導体レーザ（ＬＤ）と半導体
レーザ駆動用ＩＣ（ＬＤ駆動用ＩＣ）を一体化する（同
一のステムに実装する）ことにより、部品点数が減少し
低コスト化が図れると共に、ＬＤとＬＤ駆動用ＩＣ間の
配線からの不要な電磁輻射を低減することが期待でき
る。しかしながら、前述したように、従来のステムを用
いて単純にＬＤとＬＤ駆動用ＩＣを一体化しても、低コ
スト化やノイズ低減の効果がある反面、ＬＤの放熱特性
が劣化してしまうため、実際に実用化することは難し
い。これに対し、本発明では、半導体レーザが実装され
る第１の伝熱部とは熱的に分離された第２の伝熱部に、
半導体レーザ駆動用ＩＣが実装されることにより、ＬＤ
とＬＤ駆動用ＩＣを一体化してもＬＤの放熱特性を劣化
させずに済む。
レーザ駆動用ＩＣ（ＬＤ駆動用ＩＣ）を一体化する（同
一のステムに実装する）ことにより、部品点数が減少し
低コスト化が図れると共に、ＬＤとＬＤ駆動用ＩＣ間の
配線からの不要な電磁輻射を低減することが期待でき
る。しかしながら、前述したように、従来のステムを用
いて単純にＬＤとＬＤ駆動用ＩＣを一体化しても、低コ
スト化やノイズ低減の効果がある反面、ＬＤの放熱特性
が劣化してしまうため、実際に実用化することは難し
い。これに対し、本発明では、半導体レーザが実装され
る第１の伝熱部とは熱的に分離された第２の伝熱部に、
半導体レーザ駆動用ＩＣが実装されることにより、ＬＤ
とＬＤ駆動用ＩＣを一体化してもＬＤの放熱特性を劣化
させずに済む。
【００２１】このように、本発明のステムにおいては、
複数の半導体素子をそれぞれ独立した伝熱部を通じて放
熱することが可能であるが、伝熱部が複数に分割された
分、個々の伝熱部の熱抵抗は従来のステムに比較して多
少増加することになる。これは通常の場合ほとんど問題
とならない程度であるが、青色ＬＤ等の非常に発熱量の
多い素子を実装する場合には、このわずかな差が問題と
なってしまう。
複数の半導体素子をそれぞれ独立した伝熱部を通じて放
熱することが可能であるが、伝熱部が複数に分割された
分、個々の伝熱部の熱抵抗は従来のステムに比較して多
少増加することになる。これは通常の場合ほとんど問題
とならない程度であるが、青色ＬＤ等の非常に発熱量の
多い素子を実装する場合には、このわずかな差が問題と
なってしまう。
【００２２】この問題を回避するためには、上述した本
発明のステムの複数の伝熱部の少なくとも１つの伝熱部
にヒートパイプを接続するのが良い。ヒートパイプは、
実効的な熱伝導率が銅の１０倍以上にもなるので、高発
熱な素子を実装した伝熱部から、大量の熱を効果的に放
熱することが可能になる。このように、本発明のステム
の複数の伝熱部の少なくとも１つの伝熱部にヒートパイ
プを接続することにより、本発明のステムの構造（複数
の半導体素子を実装可能なステムにおいて、該ステムは
熱伝導率の高い伝熱部を複数有し、各伝熱部は、各伝熱
部に比べて熱伝導率の低い断熱部により熱的に分離され
ていることを特徴とする構造）を青色ＬＤ等の非常に発
熱量の多い素子にも適用することが可能となる。
発明のステムの複数の伝熱部の少なくとも１つの伝熱部
にヒートパイプを接続するのが良い。ヒートパイプは、
実効的な熱伝導率が銅の１０倍以上にもなるので、高発
熱な素子を実装した伝熱部から、大量の熱を効果的に放
熱することが可能になる。このように、本発明のステム
の複数の伝熱部の少なくとも１つの伝熱部にヒートパイ
プを接続することにより、本発明のステムの構造（複数
の半導体素子を実装可能なステムにおいて、該ステムは
熱伝導率の高い伝熱部を複数有し、各伝熱部は、各伝熱
部に比べて熱伝導率の低い断熱部により熱的に分離され
ていることを特徴とする構造）を青色ＬＤ等の非常に発
熱量の多い素子にも適用することが可能となる。
【００２３】上述した本発明のステムの特徴は、光ピッ
クアップに使用するＬＤステムとして非常に望ましい特
徴である。従って、本発明のステムを光ピックアップに
使用することにより、低コストで輻射ノイズの少ない、
高機能な光ピックアップを実現することが可能になる。
クアップに使用するＬＤステムとして非常に望ましい特
徴である。従って、本発明のステムを光ピックアップに
使用することにより、低コストで輻射ノイズの少ない、
高機能な光ピックアップを実現することが可能になる。
【００２４】次に、本発明のステムの具体例を説明す
る。
る。
【００２５】図２は本発明に係るステムの一例を示す図
である。図２を参照すると、このステムは、第１の伝熱
部２５と、断熱部２６と、第２の伝熱部２７とにより構
成されている。ここで、第１の伝熱部２５と第２の伝熱
部２７は、例えば熱伝導率５１Ｗ／ｍ・Ｋの軟鋼からな
っており、また、断熱部２６は、例えば熱伝導率０．２
４Ｗ／ｍ・Ｋのフッ素樹脂からなっている。
である。図２を参照すると、このステムは、第１の伝熱
部２５と、断熱部２６と、第２の伝熱部２７とにより構
成されている。ここで、第１の伝熱部２５と第２の伝熱
部２７は、例えば熱伝導率５１Ｗ／ｍ・Ｋの軟鋼からな
っており、また、断熱部２６は、例えば熱伝導率０．２
４Ｗ／ｍ・Ｋのフッ素樹脂からなっている。
【００２６】そして、ステムの第１の伝熱部２５には、
ヒートシンク２２を介して半導体レーザ（ＬＤ）２１が
取り付けられている。また、ステムの第２の伝熱部２７
には、半導体レーザ駆動用ＩＣ（ＬＤ駆動用ＩＣ）２３
が取り付けられている。なお、図２において、符号２４
はリードを表わしている。
ヒートシンク２２を介して半導体レーザ（ＬＤ）２１が
取り付けられている。また、ステムの第２の伝熱部２７
には、半導体レーザ駆動用ＩＣ（ＬＤ駆動用ＩＣ）２３
が取り付けられている。なお、図２において、符号２４
はリードを表わしている。
【００２７】図２の構成では、半導体レーザ２１が取り
付けられている第１の伝熱部２５は、断熱部２６によ
り、半導体レーザ駆動用ＩＣ２３が取り付けられている
第２の伝熱部２７と熱的に分離されているので、半導体
レーザ駆動用ＩＣ２３の発熱が半導体レーザ２１に影響
を及ぼすことを防止できる。
付けられている第１の伝熱部２５は、断熱部２６によ
り、半導体レーザ駆動用ＩＣ２３が取り付けられている
第２の伝熱部２７と熱的に分離されているので、半導体
レーザ駆動用ＩＣ２３の発熱が半導体レーザ２１に影響
を及ぼすことを防止できる。
【００２８】また、図３は本発明に係るステムの他の例
を示す図である。図３を参照すると、このステムは、第
１の伝熱部３５と、断熱部３６と、第２の伝熱部３７と
により構成されている。また、このステムには、ステム
の位置合わせ用切欠き３８が設けられている。ここで、
第１の伝熱部３５と第２の伝熱部３７は、例えば熱伝導
率５１Ｗ／ｍ・Ｋの軟鋼からなっており、また、断熱部
３６は、例えば熱伝導率０．２４Ｗ／ｍ・Ｋのフッ素樹
脂からなっている。
を示す図である。図３を参照すると、このステムは、第
１の伝熱部３５と、断熱部３６と、第２の伝熱部３７と
により構成されている。また、このステムには、ステム
の位置合わせ用切欠き３８が設けられている。ここで、
第１の伝熱部３５と第２の伝熱部３７は、例えば熱伝導
率５１Ｗ／ｍ・Ｋの軟鋼からなっており、また、断熱部
３６は、例えば熱伝導率０．２４Ｗ／ｍ・Ｋのフッ素樹
脂からなっている。
【００２９】そして、ステムの第１の伝熱部３５には、
ヒートシンク３２を介して半導体レーザ（ＬＤ）３１が
取り付けられている。また、ステムの第２の伝熱部３７
には、半導体レーザ駆動用ＩＣ（ＬＤ駆動用ＩＣ）３３
が取り付けられている。なお、図３において、符号３４
はリードを表わしている。
ヒートシンク３２を介して半導体レーザ（ＬＤ）３１が
取り付けられている。また、ステムの第２の伝熱部３７
には、半導体レーザ駆動用ＩＣ（ＬＤ駆動用ＩＣ）３３
が取り付けられている。なお、図３において、符号３４
はリードを表わしている。
【００３０】図３の構成では、半導体レーザ３１が取り
付けられている第１の伝熱部３５は、断熱部３６によ
り、半導体レーザ駆動用ＩＣ３３が取り付けられている
第２の伝熱部３７と熱的に分離されているので、半導体
レーザ駆動用ＩＣ３３の発熱が半導体レーザ３１に影響
を及ぼすことを防止できる。
付けられている第１の伝熱部３５は、断熱部３６によ
り、半導体レーザ駆動用ＩＣ３３が取り付けられている
第２の伝熱部３７と熱的に分離されているので、半導体
レーザ駆動用ＩＣ３３の発熱が半導体レーザ３１に影響
を及ぼすことを防止できる。
【００３１】また、図３のステムは、ＬＤの位置精度が
必要な用途に適している。すなわち、図３のステムで
は、ヒートシンク３２が実装される第１の伝熱部３５に
ステムの位置合わせ用切欠き３８が設けられていること
で、半導体レーザ３１の位置決め精度を向上させること
ができる。
必要な用途に適している。すなわち、図３のステムで
は、ヒートシンク３２が実装される第１の伝熱部３５に
ステムの位置合わせ用切欠き３８が設けられていること
で、半導体レーザ３１の位置決め精度を向上させること
ができる。
【００３２】また、図４は本発明に係るステムの他の例
を示す図である。図４を参照すると、このステムは、第
１の伝熱部４５と、断熱部４６と、第２の伝熱部４７と
により構成されている。ここで、第１の伝熱部４５と第
２の伝熱部４７は、例えば熱伝導率５１Ｗ／ｍ・Ｋの軟
鋼からなっており、また、断熱部４６は、例えば熱伝導
率０．２４Ｗ／ｍ・Ｋのフッ素樹脂からなっている。
を示す図である。図４を参照すると、このステムは、第
１の伝熱部４５と、断熱部４６と、第２の伝熱部４７と
により構成されている。ここで、第１の伝熱部４５と第
２の伝熱部４７は、例えば熱伝導率５１Ｗ／ｍ・Ｋの軟
鋼からなっており、また、断熱部４６は、例えば熱伝導
率０．２４Ｗ／ｍ・Ｋのフッ素樹脂からなっている。
【００３３】そして、ステムの第１の伝熱部４５には、
ヒートシンク４２を介して半導体レーザ（ＬＤ）４１が
取り付けられている。また、ステムの第２の伝熱部４７
には、半導体レーザ駆動用ＩＣ（ＬＤ駆動用ＩＣ）４３
が取り付けられている。なお、図４において、符号４４
はリードを表わしている。
ヒートシンク４２を介して半導体レーザ（ＬＤ）４１が
取り付けられている。また、ステムの第２の伝熱部４７
には、半導体レーザ駆動用ＩＣ（ＬＤ駆動用ＩＣ）４３
が取り付けられている。なお、図４において、符号４４
はリードを表わしている。
【００３４】図４の構成では、半導体レーザ４１が取り
付けられている第１の伝熱部４５は、断熱部４６によ
り、半導体レーザ駆動用ＩＣ４３が取り付けられている
第２の伝熱部４７と熱的に分離されているので、半導体
レーザ駆動用ＩＣ４３の発熱が半導体レーザ４１に影響
を及ぼすことを防止できる。
付けられている第１の伝熱部４５は、断熱部４６によ
り、半導体レーザ駆動用ＩＣ４３が取り付けられている
第２の伝熱部４７と熱的に分離されているので、半導体
レーザ駆動用ＩＣ４３の発熱が半導体レーザ４１に影響
を及ぼすことを防止できる。
【００３５】また、図４の例では、ヒートシンク４２に
は、ヒートパイプ４８が直接取り付けられている。これ
により、半導体レーザ４１で発生した熱を、ヒートシン
ク４２を介してヒートパイプ４８からステム外部に放熱
させることができる。
は、ヒートパイプ４８が直接取り付けられている。これ
により、半導体レーザ４１で発生した熱を、ヒートシン
ク４２を介してヒートパイプ４８からステム外部に放熱
させることができる。
【００３６】上述の説明では、本発明に係るステムの具
体例として、図２，図３，図４を挙げたが、図２，図
３，図４に挙げた伝熱部の分割数や形状，その他の要素
との組合わせなどについては、図２，図３，図４に示し
たものに限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲で
変更することが可能である。
体例として、図２，図３，図４を挙げたが、図２，図
３，図４に挙げた伝熱部の分割数や形状，その他の要素
との組合わせなどについては、図２，図３，図４に示し
たものに限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲で
変更することが可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上に説明したように、請求項１記載の
発明によれば、複数の半導体素子を実装可能なステムに
おいて、該ステムは熱伝導率の高い伝熱部を複数有し、
各伝熱部は、各伝熱部に比べて熱伝導率の低い断熱部に
より熱的に分離されているので、各半導体素子を独立し
て放熱することができ、熱のクロストークも発生するこ
とが無いステムを実現することができる。
発明によれば、複数の半導体素子を実装可能なステムに
おいて、該ステムは熱伝導率の高い伝熱部を複数有し、
各伝熱部は、各伝熱部に比べて熱伝導率の低い断熱部に
より熱的に分離されているので、各半導体素子を独立し
て放熱することができ、熱のクロストークも発生するこ
とが無いステムを実現することができる。
【００３８】また、請求項２記載の発明によれば、請求
項１記載のステムにおいて、該ステムは、複数の半導体
素子のうちの少なくとも１つの半導体素子として、半導
体レーザを実装可能であり、この場合、半導体レーザ
は、他の素子からの熱のクロストークの影響を特に受け
にくくなり、半導体レーザを安定して動作させることが
できる。
項１記載のステムにおいて、該ステムは、複数の半導体
素子のうちの少なくとも１つの半導体素子として、半導
体レーザを実装可能であり、この場合、半導体レーザ
は、他の素子からの熱のクロストークの影響を特に受け
にくくなり、半導体レーザを安定して動作させることが
できる。
【００３９】また、請求項３記載の発明によれば、請求
項２記載のステムにおいて、該ステムに半導体レーザが
実装される場合、半導体レーザが実装される第１の伝熱
部とは熱的に分離された第２の伝熱部に半導体レーザ駆
動用ＩＣを実装することにより、半導体レーザと半導体
レーザ駆動用ＩＣを同一のステムに実装しても（一体化
しても）、半導体レーザの放熱特性を劣化させない駆動
用ＩＣ一体型ＬＤステムを実現することが可能になる。
項２記載のステムにおいて、該ステムに半導体レーザが
実装される場合、半導体レーザが実装される第１の伝熱
部とは熱的に分離された第２の伝熱部に半導体レーザ駆
動用ＩＣを実装することにより、半導体レーザと半導体
レーザ駆動用ＩＣを同一のステムに実装しても（一体化
しても）、半導体レーザの放熱特性を劣化させない駆動
用ＩＣ一体型ＬＤステムを実現することが可能になる。
【００４０】また、請求項４記載の発明によれば、請求
項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のステムにおい
て、該ステムの複数の伝熱部の少なくとも１つの伝熱部
には、ヒートパイプが接続されているので、請求項１，
請求項２または請求項３に記載されたステムに、青色半
導体レーザ等の非常に発熱量の多い素子を実装すること
が可能となる。
項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のステムにおい
て、該ステムの複数の伝熱部の少なくとも１つの伝熱部
には、ヒートパイプが接続されているので、請求項１，
請求項２または請求項３に記載されたステムに、青色半
導体レーザ等の非常に発熱量の多い素子を実装すること
が可能となる。
【００４１】また、請求項５記載の発明によれば、請求
項２乃至請求項４のいずれか一項に記載のステムを使用
して光ピックアップを構成することにより、低コストで
輻射ノイズの少ない、高機能な光ピックアップを実現す
ることが可能になる。
項２乃至請求項４のいずれか一項に記載のステムを使用
して光ピックアップを構成することにより、低コストで
輻射ノイズの少ない、高機能な光ピックアップを実現す
ることが可能になる。
【図１】従来のステムの一例を示す図である。
【図２】本発明に係るステムの一例を示す図である。
【図３】本発明に係るステムの他の例を示す図である。
【図４】本発明に係るステムの他の例を示す図である。
２１，３１，４１ 半導体レーザ ２２，３２，４２ ヒートシンク ２４，３４，４４ リード ２３，３３，４３ 半導体レーザ駆動用ＩＣ ２５，２７，３５，３７，４５，４７ 伝熱部 ２６，３６，４６ 断熱部 ３８ ステム位置合わせ用切欠き ４８ ヒートパイプ
Claims (5)
- 【請求項１】 複数の半導体素子を実装可能なステムに
おいて、該ステムは熱伝導率の高い伝熱部を複数有し、
各伝熱部は、各伝熱部に比べて熱伝導率の低い断熱部に
より熱的に分離されていることを特徴とするステム。 - 【請求項２】 請求項１記載のステムにおいて、該ステ
ムは、複数の半導体素子のうちの少なくとも１つの半導
体素子として、半導体レーザを実装可能であることを特
徴とするステム。 - 【請求項３】 請求項２記載のステムにおいて、該ステ
ムに半導体レーザが実装される場合、半導体レーザが実
装される第１の伝熱部とは熱的に分離された第２の伝熱
部に実装される半導体素子は、半導体レーザ駆動用ＩＣ
であることを特徴とするステム。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に
記載のステムにおいて、該ステムの複数の伝熱部の少な
くとも１つの伝熱部には、ヒートパイプが接続されてい
ることを特徴とするステム。 - 【請求項５】 請求項２乃至請求項４のいずれか一項に
記載のステムを使用することを特徴とする光ピックアッ
プ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000222373A JP2002033426A (ja) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | ステムおよび光ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000222373A JP2002033426A (ja) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | ステムおよび光ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002033426A true JP2002033426A (ja) | 2002-01-31 |
Family
ID=18716624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000222373A Pending JP2002033426A (ja) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | ステムおよび光ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002033426A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004015693A2 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical unit with light-emitting source |
| JP2007157192A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Sharp Corp | 光ピックアップ装置およびそれを備える電子機器 |
| JP2007273521A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Eudyna Devices Inc | 電子部品、および電子部品用モジュール |
| JP2012517115A (ja) * | 2009-02-05 | 2012-07-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｌｅｄの組み合わせの改良された実装 |
| KR101757749B1 (ko) * | 2013-07-03 | 2017-07-14 | 로젠버거 호흐프리쿠벤츠테흐닉 게엠베하 운트 코. 카게 | 고 대역폭 상호 연결을 위한 단열 구조 |
-
2000
- 2000-07-18 JP JP2000222373A patent/JP2002033426A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004015693A2 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical unit with light-emitting source |
| WO2004015693A3 (en) * | 2002-08-09 | 2004-04-22 | Koninkl Philips Electronics Nv | Optical unit with light-emitting source |
| JP2007157192A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Sharp Corp | 光ピックアップ装置およびそれを備える電子機器 |
| US7778142B2 (en) | 2005-11-30 | 2010-08-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup apparatus and electronic equipment having the same |
| JP4537308B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2010-09-01 | シャープ株式会社 | 光ピックアップ装置およびそれを備える電子機器 |
| JP2007273521A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Eudyna Devices Inc | 電子部品、および電子部品用モジュール |
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| KR101757749B1 (ko) * | 2013-07-03 | 2017-07-14 | 로젠버거 호흐프리쿠벤츠테흐닉 게엠베하 운트 코. 카게 | 고 대역폭 상호 연결을 위한 단열 구조 |
| US9859188B2 (en) | 2013-07-03 | 2018-01-02 | Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg | Heat isolation structures for high bandwidth interconnects |
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