JPH04277650A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04277650A JPH04277650A JP3970991A JP3970991A JPH04277650A JP H04277650 A JPH04277650 A JP H04277650A JP 3970991 A JP3970991 A JP 3970991A JP 3970991 A JP3970991 A JP 3970991A JP H04277650 A JPH04277650 A JP H04277650A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に様々な素子分離領域幅の溝分離構造を備えた
半導体装置の製造方法に関する。
関し、特に様々な素子分離領域幅の溝分離構造を備えた
半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の製造方法について、図を参照して
工程順に説明する。
工程順に説明する。
【０００３】まず、図１５に示すように、シリコン基板
１の表面に既知の方法で第１の酸化シリコン膜２と窒化
シリコン膜３を形成し、素子分離領域となる部分以外に
レジスト等の図示しないパターニングマスクを用いてリ
アクティブ・イオン・エッチング法などの異方性エッチ
ングにより、窒化シリコン膜３，第１の酸化シリコン膜
２，シリコン基板１をエッチングして狭い素子分離溝５
と広い素子分離溝６を形成する。次に、化学気相成長法
などで酸化シリコンの第１の絶縁膜７を形成し、溝を埋
め込むようにＢＰＳＧなどで第２の絶縁膜８を、化学的
気相成長法などで形成する。
１の表面に既知の方法で第１の酸化シリコン膜２と窒化
シリコン膜３を形成し、素子分離領域となる部分以外に
レジスト等の図示しないパターニングマスクを用いてリ
アクティブ・イオン・エッチング法などの異方性エッチ
ングにより、窒化シリコン膜３，第１の酸化シリコン膜
２，シリコン基板１をエッチングして狭い素子分離溝５
と広い素子分離溝６を形成する。次に、化学気相成長法
などで酸化シリコンの第１の絶縁膜７を形成し、溝を埋
め込むようにＢＰＳＧなどで第２の絶縁膜８を、化学的
気相成長法などで形成する。
【０００４】次に、図１６に示すようにスチーム処理を
すると第２の絶縁膜８はリフローされて表面が平坦化さ
れる。更に、図１７に示すように、窒化シリコン膜３の
表面が現れるまで、第３の酸化膜１１をエッチバックし
、狭い素子分離溝５を第３の絶縁膜１１で埋め込んだ構
造が得られる。最後に、図１８に示すように窒化シリコ
ン膜３と第１の酸化シリコン膜２を除去する。
すると第２の絶縁膜８はリフローされて表面が平坦化さ
れる。更に、図１７に示すように、窒化シリコン膜３の
表面が現れるまで、第３の酸化膜１１をエッチバックし
、狭い素子分離溝５を第３の絶縁膜１１で埋め込んだ構
造が得られる。最後に、図１８に示すように窒化シリコ
ン膜３と第１の酸化シリコン膜２を除去する。
【０００５】またこの製造方法の他に広い素子分離溝の
かわりにフィールド酸化膜を用いる製造方法がある。こ
の製造方法について、図１９〜図２３を参照して工程順
に説明する。
かわりにフィールド酸化膜を用いる製造方法がある。こ
の製造方法について、図１９〜図２３を参照して工程順
に説明する。
【０００６】まず、図１９に示すように、シリコン基板
１の表面に既知の方法でフィールド酸化膜１２と第１の
酸化シリコン膜２を形成し、フィールド酸化膜１２と第
１の酸化シリコン膜２の表面に既知の方法で窒化シリコ
ン膜３を形成する。狭い素子分離溝を形成する箇所に開
孔を有するレジストなどのパターニングマスク４を形成
する。
１の表面に既知の方法でフィールド酸化膜１２と第１の
酸化シリコン膜２を形成し、フィールド酸化膜１２と第
１の酸化シリコン膜２の表面に既知の方法で窒化シリコ
ン膜３を形成する。狭い素子分離溝を形成する箇所に開
孔を有するレジストなどのパターニングマスク４を形成
する。
【０００７】次に、図２０に示すようにパターニングマ
スク４をマスクとしてリアクティブ・イオン・エッチン
グ法などにより窒化シリコン膜３，第１の酸化シリコン
膜２，シリコン基板１をエッチングして狭い素子分離溝
５を形成する。
スク４をマスクとしてリアクティブ・イオン・エッチン
グ法などにより窒化シリコン膜３，第１の酸化シリコン
膜２，シリコン基板１をエッチングして狭い素子分離溝
５を形成する。
【０００８】次に、図２１に示すように、化学的気相成
長法などで第２の絶縁膜８を形成する。次に、図２２に
示すように、窒化シリコン膜３の表面が現れるまで第２
の絶縁膜８をエッチバックする。
長法などで第２の絶縁膜８を形成する。次に、図２２に
示すように、窒化シリコン膜３の表面が現れるまで第２
の絶縁膜８をエッチバックする。
【０００９】最後に、図２３に示すように、窒化シリコ
ン膜３と第１の酸化シリコン膜２を除去する。
ン膜３と第１の酸化シリコン膜２を除去する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来、素子分離溝を埋
め込むために、その材料としてカバレッジのよい絶縁膜
を使っていた。この為従来の製造方法で面積の異なる素
子分離溝に絶縁膜を埋め込んでエッチバックした時に次
のような問題点があった。
め込むために、その材料としてカバレッジのよい絶縁膜
を使っていた。この為従来の製造方法で面積の異なる素
子分離溝に絶縁膜を埋め込んでエッチバックした時に次
のような問題点があった。
【００１１】狭い素子分離溝に絶縁膜を埋め込むことが
できる。しかし広い素子分離溝の中央部では、エッチバ
ック前の絶縁膜の厚さが端部よりも薄くなっている為に
、エッチバック後でも広い素子分離溝の中央部は端部に
比べて、絶縁膜の厚さが薄くなってしまい、素子分離溝
全体に均一に絶縁膜を埋め込むことができないという問
題点があった。
できる。しかし広い素子分離溝の中央部では、エッチバ
ック前の絶縁膜の厚さが端部よりも薄くなっている為に
、エッチバック後でも広い素子分離溝の中央部は端部に
比べて、絶縁膜の厚さが薄くなってしまい、素子分離溝
全体に均一に絶縁膜を埋め込むことができないという問
題点があった。
【００１２】そこで、広い素子分離溝に代えて従来のフ
ィールド酸化膜を形成し、狭い素子分離溝のみを形成し
、絶縁膜を埋め込むことによって素子分離をするという
方法があった。
ィールド酸化膜を形成し、狭い素子分離溝のみを形成し
、絶縁膜を埋め込むことによって素子分離をするという
方法があった。
【００１３】しかしこの製法では広い素子分離領域に形
成されたフィールド酸化膜によって、広い素子分離領域
ではバーズビークによる狭チャネル効果や熱処理工程な
どによるＴＡＴ（工程準備期間）の長期化などの問題点
があった。
成されたフィールド酸化膜によって、広い素子分離領域
ではバーズビークによる狭チャネル効果や熱処理工程な
どによるＴＡＴ（工程準備期間）の長期化などの問題点
があった。
【００１４】本発明の目的は、上記欠点を除去し、素子
分離の広い領域と狭い領域とに共に溝を形成し、素子分
離領域全体に均一に絶縁膜を埋め込むことの可能な半導
体装置の製造方法を提供することにある。
分離の広い領域と狭い領域とに共に溝を形成し、素子分
離領域全体に均一に絶縁膜を埋め込むことの可能な半導
体装置の製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本願第１の発明の半導体
装置の製造方法は、半導体基板の表面部に狭い素子分離
溝および広い素子分離溝を形成した後第１の絶縁膜およ
び第２の絶縁膜を順次堆積する工程と、前記広い素子分
離溝の底部の前記第２の絶縁膜上に所定のパターニング
マスクを形成した後エッチングを行ない前記狭い素子分
離溝および広い素子分離溝の形成されていない部分の前
記第２の絶縁膜および第１の絶縁膜を除去する工程と、
第３の絶縁膜を堆積したのち熱処理により表面の平坦化
を行なう工程と、エッチバックを行ない前記狭い素子分
離溝および広い素子分離溝内に前記第３の絶縁膜を残す
工程とを有するというものである。
装置の製造方法は、半導体基板の表面部に狭い素子分離
溝および広い素子分離溝を形成した後第１の絶縁膜およ
び第２の絶縁膜を順次堆積する工程と、前記広い素子分
離溝の底部の前記第２の絶縁膜上に所定のパターニング
マスクを形成した後エッチングを行ない前記狭い素子分
離溝および広い素子分離溝の形成されていない部分の前
記第２の絶縁膜および第１の絶縁膜を除去する工程と、
第３の絶縁膜を堆積したのち熱処理により表面の平坦化
を行なう工程と、エッチバックを行ない前記狭い素子分
離溝および広い素子分離溝内に前記第３の絶縁膜を残す
工程とを有するというものである。
【００１６】また、本願第２の発明の半導体装置の製造
方法は、半導体基板の表面部に狭い素子分離溝および広
い素子分離溝を形成した後第１の絶縁膜およびポリシリ
コン膜を順次に堆積する工程と、前記広い素子分離溝の
底部の前記ポリシリコン膜上に所定のパターニングマス
クを形成した後エッチングを行ない前記狭い素子分離溝
および広い素子分離溝の形成されていない部分の前記ポ
リシリコン膜および第１の絶縁膜を除去する工程と、第
２の絶縁膜を堆積したのち熱処理により表面の平坦化を
行なう工程と、エッチバックを行ない前記狭い素子分離
溝および広い素子分離溝内に前記第２の絶縁膜を残す工
程とを有するというものである。
方法は、半導体基板の表面部に狭い素子分離溝および広
い素子分離溝を形成した後第１の絶縁膜およびポリシリ
コン膜を順次に堆積する工程と、前記広い素子分離溝の
底部の前記ポリシリコン膜上に所定のパターニングマス
クを形成した後エッチングを行ない前記狭い素子分離溝
および広い素子分離溝の形成されていない部分の前記ポ
リシリコン膜および第１の絶縁膜を除去する工程と、第
２の絶縁膜を堆積したのち熱処理により表面の平坦化を
行なう工程と、エッチバックを行ない前記狭い素子分離
溝および広い素子分離溝内に前記第２の絶縁膜を残す工
程とを有するというものである。
【００１７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１〜図８は本願第１の発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示す半導体チップの断面図である。
。図１〜図８は本願第１の発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示す半導体チップの断面図である。
【００１８】例えば、図１に示すように、Ｐ型シリコン
基板１の表面に第１の酸化シリコン膜２を例えば厚さ５
０ｎｍ形成し、第１の酸化シリコン膜２の表面に例えば
化学的気相成長法で窒化シリコン膜３を厚さ１５０ｎｍ
形成する。次に例えばホトリソグラフィ技術を用いて素
子分離領域上に開孔を有するパターニングマスク４を形
成する。
基板１の表面に第１の酸化シリコン膜２を例えば厚さ５
０ｎｍ形成し、第１の酸化シリコン膜２の表面に例えば
化学的気相成長法で窒化シリコン膜３を厚さ１５０ｎｍ
形成する。次に例えばホトリソグラフィ技術を用いて素
子分離領域上に開孔を有するパターニングマスク４を形
成する。
【００１９】つづいて図２に示すように、パターニング
マスク４をマスクにして、例えばリアクティブ・イオン
・エッチング法で異方性エッチングを行い、窒化シリコ
ン膜３と第１の酸化シリコン膜２とシリコン基板１を順
番にエッチングして、深さが例えば１．５μｍの狭い素
子分離溝５と広い素子分離溝６を形成する。
マスク４をマスクにして、例えばリアクティブ・イオン
・エッチング法で異方性エッチングを行い、窒化シリコ
ン膜３と第１の酸化シリコン膜２とシリコン基板１を順
番にエッチングして、深さが例えば１．５μｍの狭い素
子分離溝５と広い素子分離溝６を形成する。
【００２０】次に、図３に示すように、パターニングマ
スク４を除去した後に、窒化シリコン膜３の表面と狭い
素子分離溝５と広い素子分離溝６を覆うように、例えば
酸化シリコン膜などの第１の絶縁膜７を例えば化学的気
相成長法で厚さ２００ｎｍ形成する。更に第１の絶縁膜
７の上に例えばＢＰＳＧなどの第２の絶縁膜８を例えば
化学的気相成長法で厚さ５００ｎｍ形成し、広い素子分
離溝６内の第２の絶縁膜８の上に、例えばレジスト等の
パターニングマスク９を形成する。
スク４を除去した後に、窒化シリコン膜３の表面と狭い
素子分離溝５と広い素子分離溝６を覆うように、例えば
酸化シリコン膜などの第１の絶縁膜７を例えば化学的気
相成長法で厚さ２００ｎｍ形成する。更に第１の絶縁膜
７の上に例えばＢＰＳＧなどの第２の絶縁膜８を例えば
化学的気相成長法で厚さ５００ｎｍ形成し、広い素子分
離溝６内の第２の絶縁膜８の上に、例えばレジスト等の
パターニングマスク９を形成する。
【００２１】つづいて、図４に示すようにパターニング
マスク９をマスクに、窒化シリコン膜３の表面が現れる
まで、例えばリアクティブ・イオン・エッチング法で、
第２の絶縁膜８をエッチバックする。
マスク９をマスクに、窒化シリコン膜３の表面が現れる
まで、例えばリアクティブ・イオン・エッチング法で、
第２の絶縁膜８をエッチバックする。
【００２２】さらに、図５に示すように、例えば化学的
気相成長法で例えば有機オキシシランの熱分解法による
ＢＰＳＧなどの第３の絶縁膜１０を例えば厚さ８００ｎ
ｍ形成する。
気相成長法で例えば有機オキシシランの熱分解法による
ＢＰＳＧなどの第３の絶縁膜１０を例えば厚さ８００ｎ
ｍ形成する。
【００２３】さらに、図６に示すように、第３の絶縁膜
１０に例えば９００℃の酸素雰囲気中で熱処理を施して
やることにより第３の絶縁膜１０は平坦化される。
１０に例えば９００℃の酸素雰囲気中で熱処理を施して
やることにより第３の絶縁膜１０は平坦化される。
【００２４】つづいて、図７に示すように、窒化シリコ
ン膜３の表面が現れるまで第３の絶縁膜を例えばリアク
ティブ・イオン・エッチング法でエッチバックし、広い
素子分離溝６に埋め込む。
ン膜３の表面が現れるまで第３の絶縁膜を例えばリアク
ティブ・イオン・エッチング法でエッチバックし、広い
素子分離溝６に埋め込む。
【００２５】最後に図８に示すように、窒化シリコン膜
３をホットリン酸で、さらに第１の酸化膜をフッ酸で除
去する。
３をホットリン酸で、さらに第１の酸化膜をフッ酸で除
去する。
【００２６】本実施例の特色は、広い素子分離溝６内に
絶縁膜を埋め込む際に、第２の絶縁膜８を一度パターニ
ングしてから、再び第３の絶縁膜１０を埋め込んでいる
点である。
絶縁膜を埋め込む際に、第２の絶縁膜８を一度パターニ
ングしてから、再び第３の絶縁膜１０を埋め込んでいる
点である。
【００２７】本実施例の効果は、広い素子分離溝の中央
部に絶縁膜をパターニングして残すことによって、広い
素子分離溝の中央部の絶縁膜の厚さがカバレッジの良い
絶縁膜を利用していることで端部よりも薄くなりすぎる
ことを防ぎ、２回目の絶縁膜の埋め込みで、素子分離溝
内に絶縁膜を均一に埋め込むことができるという点であ
る。
部に絶縁膜をパターニングして残すことによって、広い
素子分離溝の中央部の絶縁膜の厚さがカバレッジの良い
絶縁膜を利用していることで端部よりも薄くなりすぎる
ことを防ぎ、２回目の絶縁膜の埋め込みで、素子分離溝
内に絶縁膜を均一に埋め込むことができるという点であ
る。
【００２８】次に本願第２の発明の一実施例について、
図９〜図１４を参照して説明する。
図９〜図１４を参照して説明する。
【００２９】狭い素子分離溝５と広い素子分離溝６を形
成するところまでは前述の実施例と同じである。その後
パターニングマスク４を除去し、図９に示すように、例
えば９００℃のスチーム雰囲気中で溝内部と窒化シリコ
ン膜３表面を酸化して例えば厚さ３０ｎｍの第１の絶縁
膜７を形成する。つづいて、第１の絶縁膜７の表面にポ
リシリコン層１１を例えば化学的気相成長法で厚さ８０
０ｎｍ形成し、広い素子分離溝６内のポリシリコン層１
１の上に、例えばレジストなどのパターニングマスク９
を形成する。
成するところまでは前述の実施例と同じである。その後
パターニングマスク４を除去し、図９に示すように、例
えば９００℃のスチーム雰囲気中で溝内部と窒化シリコ
ン膜３表面を酸化して例えば厚さ３０ｎｍの第１の絶縁
膜７を形成する。つづいて、第１の絶縁膜７の表面にポ
リシリコン層１１を例えば化学的気相成長法で厚さ８０
０ｎｍ形成し、広い素子分離溝６内のポリシリコン層１
１の上に、例えばレジストなどのパターニングマスク９
を形成する。
【００３０】次に、図１０に示すように、パターニング
マスク９をマスクにしてポリシリコン層１１を前記狭い
素子分離溝５の深さが例えば７００ｎｍになるまでエッ
チバックする。
マスク９をマスクにしてポリシリコン層１１を前記狭い
素子分離溝５の深さが例えば７００ｎｍになるまでエッ
チバックする。
【００３１】つづいて、図１１に示すように、例えば有
機オキシシランの熱分解法によるＢＰＳＧなどの第２の
絶縁膜８を例えば厚さ１０００ｎｍ形成する。次に、図
１２に示すように、第２の絶縁膜８に例えば９００℃の
酸素雰囲気中で熱処理を施してやることにより、第２の
絶縁膜８は平坦化される。
機オキシシランの熱分解法によるＢＰＳＧなどの第２の
絶縁膜８を例えば厚さ１０００ｎｍ形成する。次に、図
１２に示すように、第２の絶縁膜８に例えば９００℃の
酸素雰囲気中で熱処理を施してやることにより、第２の
絶縁膜８は平坦化される。
【００３２】次に、図１３に示すように、第２の絶縁膜
８を窒化シリコン膜３の表面が現れるまでエッチバック
する。最後に、図１４に示すように、窒化シリコン膜３
と第１の酸化膜２を除去する。
８を窒化シリコン膜３の表面が現れるまでエッチバック
する。最後に、図１４に示すように、窒化シリコン膜３
と第１の酸化膜２を除去する。
【００３３】本実施例の特色は、広い素子分離溝６内に
ポリシリコン層１１を設けてパターニングすることと、
狭い素子分離溝７の途中までポリシリコン層１１を埋め
込むことにある。
ポリシリコン層１１を設けてパターニングすることと、
狭い素子分離溝７の途中までポリシリコン層１１を埋め
込むことにある。
【００３４】本実施例の効果は、ポリシリコン層を素子
分離溝内に形成することによって、第２の絶縁膜の流動
性を抑えることができ、又、広い素子分離溝内を絶縁膜
で埋め込みやすくなるということである。
分離溝内に形成することによって、第２の絶縁膜の流動
性を抑えることができ、又、広い素子分離溝内を絶縁膜
で埋め込みやすくなるということである。
【００３５】しかし、素子分離の広い領域と狭い領域を
共に溝分離構造にして、広い素子分離溝に絶縁膜を均一
に埋め込むという本発明の主旨は保たれている。
共に溝分離構造にして、広い素子分離溝に絶縁膜を均一
に埋め込むという本発明の主旨は保たれている。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、次のよう
な効果がある。広い素子分離溝内にパターニングした第
２の絶縁膜またはポリシリコン膜を設けることによって
どんな広さの素子分離溝も均一に絶縁膜で埋め込むこと
ができる。従って平面の平坦性を確保できる。又フィー
ルド酸化膜を形成する必要がないのでバーズビークなど
による狭チャネル効果を避けることができ、フィールド
酸化，素子分離領域へのイオン注入などの時間のかかる
工程を不要とし、ＴＡＴの短縮化が可能になるという効
果がある。
な効果がある。広い素子分離溝内にパターニングした第
２の絶縁膜またはポリシリコン膜を設けることによって
どんな広さの素子分離溝も均一に絶縁膜で埋め込むこと
ができる。従って平面の平坦性を確保できる。又フィー
ルド酸化膜を形成する必要がないのでバーズビークなど
による狭チャネル効果を避けることができ、フィールド
酸化，素子分離領域へのイオン注入などの時間のかかる
工程を不要とし、ＴＡＴの短縮化が可能になるという効
果がある。
【図１】本願第１の発明の一実施例の説明に使用する断
面図である。
面図である。
【図２】本願第１の発明の一実施例の説明に使用する断
面図である。
面図である。
【図３】本願第１の発明の一実施例の説明に使用する断
面図である。
面図である。
【図４】本願第１の発明の一実施例の説明に使用する断
面図である。
面図である。
【図５】本願第１の発明の一実施例の説明に使用する断
面図である。
面図である。
【図６】本願第１の発明の一実施例の説明に使用する断
面図である。
面図である。
【図７】本願第１の発明の一実施例の説明に使用する断
面図である。
面図である。
【図８】本願第１の発明の一実施例の説明に使用する断
面図である。
面図である。
【図９】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する断
面図である。
面図である。
【図１０】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する
断面図である。
断面図である。
【図１１】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する
断面図である。
断面図である。
【図１２】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する
断面図である。
断面図である。
【図１３】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する
断面図である。
断面図である。
【図１４】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する
断面図である。
断面図である。
【図１５】従来技術の説明に使用する断面図である。
【図１６】従来技術の説明に使用する断面図である。
【図１７】従来技術の説明に使用する断面図である。
【図１８】従来技術の説明に使用する断面図である。
【図１９】従来技術の説明に使用する断面図である。
【図２０】従来技術の説明に使用する断面図である。
【図２１】従来技術の説明に使用する断面図である。
【図２２】従来技術の説明に使用する断面図である。
【図２３】従来技術の説明に使用する断面図である。
１ シリコン基板
２ 第１の酸化シリコン膜
３ 窒化シリコン膜
４ パターニングマスク
５ 狭い素子分離溝
６ 広い素子分離溝
７ 第１の絶縁膜
８ 第２の絶縁膜
９ パターニングマスク
１０ 第３の絶縁膜
１１ ポリシリコン層
１２ フィールド酸化膜
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の表面部に狭い素子分離溝
および広い素子分離溝を形成した後第１の絶縁膜および
第２の絶縁膜を順次堆積する工程と、前記広い素子分離
溝の底部の前記第２の絶縁膜上に所定のパターニングマ
スクを形成した後エッチングを行ない前記狭い素子分離
溝および広い素子分離溝の形成されていない部分の前記
第２の絶縁膜および第１の絶縁膜を除去する工程と、第
３の絶縁膜を堆積したのち熱処理により表面の平坦化を
行なう工程と、エッチバックを行ない前記狭い素子分離
溝および広い素子分離溝内に前記第３の絶縁膜を残す工
程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板の表面部に狭い素子分離溝
および広い素子分離溝を形成した後第１の絶縁膜および
ポリシリコン膜を順次堆積する工程と、前記広い素子分
離溝の底部の前記ポリシリコン膜上に所定のパターニン
グマスクを形成した後エッチングを行ない前記狭い素子
分離溝および広い素子分離溝の形成されていない部分の
前記ポリシリコン膜および第１の絶縁膜を除去する工程
と、第２の絶縁膜を堆積したのち熱処理により表面の平
坦化を行なう工程と、エッチバックを行ない前記狭い素
子分離溝および広い素子分離溝内に前記第２の絶縁膜を
残す工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3970991A JPH04277650A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3970991A JPH04277650A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04277650A true JPH04277650A (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=12560524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3970991A Pending JPH04277650A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04277650A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0883837A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-06 JP JP3970991A patent/JPH04277650A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0883837A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991130 |