JPH04274026A - カールのない磁気記録テープの製造方法 - Google Patents
カールのない磁気記録テープの製造方法Info
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- JPH04274026A JPH04274026A JP5558191A JP5558191A JPH04274026A JP H04274026 A JPH04274026 A JP H04274026A JP 5558191 A JP5558191 A JP 5558191A JP 5558191 A JP5558191 A JP 5558191A JP H04274026 A JPH04274026 A JP H04274026A
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 20
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 47
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、カールのない磁気記
録テープの製造方法に関するものである。
録テープの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現代は、高度情報化時代と呼ばれている
ように、高度な情報化がとりわけ重要視されている。か
かる高度情報化を支える一翼として、ハードディスク,
フロッピーディスクおよび磁気テープなど様々の磁気記
録媒体があり、現在、いずれの媒体についても記録密度
の向上が図られている。たとえば磁気記録テープについ
ては、テープ基板の薄肉化と共に、垂直磁気記録方式の
利用が進められつつある。
ように、高度な情報化がとりわけ重要視されている。か
かる高度情報化を支える一翼として、ハードディスク,
フロッピーディスクおよび磁気テープなど様々の磁気記
録媒体があり、現在、いずれの媒体についても記録密度
の向上が図られている。たとえば磁気記録テープについ
ては、テープ基板の薄肉化と共に、垂直磁気記録方式の
利用が進められつつある。
【0003】垂直磁気記録媒体の成膜方法としては、1
0−4Torr程度の低ガス圧でプラズマフリースパッ
タが行える対向ターゲット式スパッタ(FTS)法がと
りわけ有利であり、この方式によれば素晴らしい垂直磁
気異方性を有するCo−Cr膜を形成することができる
。ここに対向ターゲット式スパッタ法とは、例えば面積
が約100cm2の2枚のターゲットを約10cm程度
離して対向配置とし、各ターゲットの背後に設置した永
久磁石により、2枚のターゲット間に各ターゲット面に
垂直に約100 〜400 ガウスの磁界を走らせ、プ
ラズマを2枚のターゲット間に閉じ込めながら低ガス圧
でスパッタを行なう方法である。
0−4Torr程度の低ガス圧でプラズマフリースパッ
タが行える対向ターゲット式スパッタ(FTS)法がと
りわけ有利であり、この方式によれば素晴らしい垂直磁
気異方性を有するCo−Cr膜を形成することができる
。ここに対向ターゲット式スパッタ法とは、例えば面積
が約100cm2の2枚のターゲットを約10cm程度
離して対向配置とし、各ターゲットの背後に設置した永
久磁石により、2枚のターゲット間に各ターゲット面に
垂直に約100 〜400 ガウスの磁界を走らせ、プ
ラズマを2枚のターゲット間に閉じ込めながら低ガス圧
でスパッタを行なう方法である。
【0004】この時、基板は2枚のターゲットの端から
3〜10cm離してターゲット面に垂直かつターゲット
間の中心に設置する。このため基板上の堆積膜はプラズ
マからの高エネルギー粒子の衝撃を受けないので結晶性
の良い膜ができる。またc−軸配向性の良い結晶を得る
には、スパッタ粒子が大きな運動エネルギーを獲得でき
るように低ガス圧で成膜を行なうことが不可欠であるが
、FTS法であれば10−4Torr台で安定した放電
ができる。
3〜10cm離してターゲット面に垂直かつターゲット
間の中心に設置する。このため基板上の堆積膜はプラズ
マからの高エネルギー粒子の衝撃を受けないので結晶性
の良い膜ができる。またc−軸配向性の良い結晶を得る
には、スパッタ粒子が大きな運動エネルギーを獲得でき
るように低ガス圧で成膜を行なうことが不可欠であるが
、FTS法であれば10−4Torr台で安定した放電
ができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述したとお
り、磁気テープについては、体積記録密度の向上のため
基板テープが益々薄くなることから、これに伴って磁気
記録テープに発生するカールが問題となってきた。しか
もかかるカールの発生は、とくに低ガス圧で成膜を行な
った場合に著しく、たとえば低ガス圧のFTS法で成膜
したCo−Cr膜には、109 dyne/cm2もの
大きな圧縮歪が発生し、Co−Cr膜と基板から成る磁
気テープに大きなカールが引き起こされる。
り、磁気テープについては、体積記録密度の向上のため
基板テープが益々薄くなることから、これに伴って磁気
記録テープに発生するカールが問題となってきた。しか
もかかるカールの発生は、とくに低ガス圧で成膜を行な
った場合に著しく、たとえば低ガス圧のFTS法で成膜
したCo−Cr膜には、109 dyne/cm2もの
大きな圧縮歪が発生し、Co−Cr膜と基板から成る磁
気テープに大きなカールが引き起こされる。
【0006】従って、かかるカールの発生を避けるため
には、磁性薄膜中における内部応力の発生を防止するこ
とが重要である。この発明は、上記の問題を有利に解決
するもので、磁性膜の成膜時において内部応力の発生が
少なく、従って磁気テープにおけるカールの発生を軽減
できる磁気記録テープの製造方法を提案することを目的
とする。
には、磁性薄膜中における内部応力の発生を防止するこ
とが重要である。この発明は、上記の問題を有利に解決
するもので、磁性膜の成膜時において内部応力の発生が
少なく、従って磁気テープにおけるカールの発生を軽減
できる磁気記録テープの製造方法を提案することを目的
とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上述したとおり、従来の
スパッタ成膜法では、内部応力がなくかつ結晶性の良い
磁性膜を成膜することは極めて難しかった。そこで発明
者らは、この問題を解決すべく、鋭意研究を重ねた結果
、内部応力の大きさはスパッタガス圧に依存し、低ガス
圧では圧縮応力が、一方高ガス圧では引っ張り圧力が発
生することが判明した。従って、その中間に内部応力が
なくなる最適のガス圧が存在するものと考えられる。 また圧縮歪の原因は、ターゲットから反跳したイオンや
原子の膜への衝撃によるものであると考えられ、従って
、これらの反跳粒子を抑えて内部応力を少なくするため
には、スパッタガスとして原子質量のより大きいものを
用いること有効と考えられる。
スパッタ成膜法では、内部応力がなくかつ結晶性の良い
磁性膜を成膜することは極めて難しかった。そこで発明
者らは、この問題を解決すべく、鋭意研究を重ねた結果
、内部応力の大きさはスパッタガス圧に依存し、低ガス
圧では圧縮応力が、一方高ガス圧では引っ張り圧力が発
生することが判明した。従って、その中間に内部応力が
なくなる最適のガス圧が存在するものと考えられる。 また圧縮歪の原因は、ターゲットから反跳したイオンや
原子の膜への衝撃によるものであると考えられ、従って
、これらの反跳粒子を抑えて内部応力を少なくするため
には、スパッタガスとして原子質量のより大きいものを
用いること有効と考えられる。
【0008】そこで発明者らは、次に、上記の条件を満
たすスパッタガスおよびガス圧についてさらに研究を重
ねたところ、スパッタ成膜用のガスとしてKrガスを主
成分とするガスを所定のガス圧で用いることが、所期し
た目的の達成に関し、極めて有効であることの知見を得
た。この発明は、上記の知見に立脚するものである。
たすスパッタガスおよびガス圧についてさらに研究を重
ねたところ、スパッタ成膜用のガスとしてKrガスを主
成分とするガスを所定のガス圧で用いることが、所期し
た目的の達成に関し、極めて有効であることの知見を得
た。この発明は、上記の知見に立脚するものである。
【0009】すなわちこの発明は、ガス圧力が10 m
Torr以下のKrガス又は(Kr+Ar)混合ガスを
用いた対向ターゲット式スパッタ法によって、膜厚が5
〜500 μm のフレキシブルテープの基板上に、C
o組成が75〜90at%のCo−Cr垂直磁気記録媒
体層を形成することからなるカールのない磁気記録テー
プの製造方法である。
Torr以下のKrガス又は(Kr+Ar)混合ガスを
用いた対向ターゲット式スパッタ法によって、膜厚が5
〜500 μm のフレキシブルテープの基板上に、C
o組成が75〜90at%のCo−Cr垂直磁気記録媒
体層を形成することからなるカールのない磁気記録テー
プの製造方法である。
【0010】以下、この発明を具体的に説明する。従来
、スパッタ成膜用のガスとしてはArガスが最も一般的
であった。ここにArとKrの原子質量の値はそれぞれ
、40及び84であり、一方CoとCrのそれはそれぞ
れ59,52であり、従ってKrガスによるスパッタの
方がより好ましい。 ところでKrガスによる内部応力のなくなる最適ガス圧
は、Arの場合よりも低ガス圧側に大幅にシフトするが
、この点、Krガスはイオン化断面積がArのそれより
も大きいので10−5Torr台というさらに低ガス圧
の放電が可能であり、しかもこの低い最適ガス圧におい
て結晶性の良好な膜を作ることができる。さらにFTS
法では、より低ガス圧での放電が可能であるので、Kr
イオンをFTS法と一緒に用いれば、非常に薄いテープ
基板の上にも薄いCo−Cr膜をそなえた磁気記録テー
プを、結晶性が良く、しかもカールの発生なしに作製す
ることができる。
、スパッタ成膜用のガスとしてはArガスが最も一般的
であった。ここにArとKrの原子質量の値はそれぞれ
、40及び84であり、一方CoとCrのそれはそれぞ
れ59,52であり、従ってKrガスによるスパッタの
方がより好ましい。 ところでKrガスによる内部応力のなくなる最適ガス圧
は、Arの場合よりも低ガス圧側に大幅にシフトするが
、この点、Krガスはイオン化断面積がArのそれより
も大きいので10−5Torr台というさらに低ガス圧
の放電が可能であり、しかもこの低い最適ガス圧におい
て結晶性の良好な膜を作ることができる。さらにFTS
法では、より低ガス圧での放電が可能であるので、Kr
イオンをFTS法と一緒に用いれば、非常に薄いテープ
基板の上にも薄いCo−Cr膜をそなえた磁気記録テー
プを、結晶性が良く、しかもカールの発生なしに作製す
ることができる。
【0011】
【作用】この発明では、スパッタガスとしてKrガスを
用いるが、必ずしも純Krガスである必要はなく、50
%以下程度であればArを混入させた(Kr+Ar)混
合ガスであっても良い。またスパッタ圧については、対
向ターゲット式スパッタ法を利用する場合は、10 m
Torr以下好ましくは1 mTorr以下のガス圧と
する必要がある。というのは10mTorrを超えるガ
ス圧では、成膜は可能ではあるが、平均自由工程が減少
し、カラム構造の膜質となり、さらには成膜速度の低下
を招くからである。なおKrガスはArよりも高価では
あるが、FTS法でのKrガスの使用量は通常のスパッ
タ法におけるArガスの使用量の数%以下ですますこと
ができるので、コスト増を招くこともない。
用いるが、必ずしも純Krガスである必要はなく、50
%以下程度であればArを混入させた(Kr+Ar)混
合ガスであっても良い。またスパッタ圧については、対
向ターゲット式スパッタ法を利用する場合は、10 m
Torr以下好ましくは1 mTorr以下のガス圧と
する必要がある。というのは10mTorrを超えるガ
ス圧では、成膜は可能ではあるが、平均自由工程が減少
し、カラム構造の膜質となり、さらには成膜速度の低下
を招くからである。なおKrガスはArよりも高価では
あるが、FTS法でのKrガスの使用量は通常のスパッ
タ法におけるArガスの使用量の数%以下ですますこと
ができるので、コスト増を招くこともない。
【0012】次に基板テープとしては、ポリエチレンテ
レフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(
PEN)およびポリアミド(PA)のような熱可塑性プ
ラスチックテープやポリイミド(PI)のような熱硬化
性プラスチックテープなどがとりわけ有利に適合する。 また基板テープの厚みが5μm に満たないと機械的強
度が不足し、一方、 500μm を超えるとフレキシ
ビリティがなくなるので、基板テープの厚みは5〜50
0μm の範囲とする。さらに磁気記録層としては、と
くに限定されることはないが、垂直磁気記録層中でもC
o−Cr垂直磁気記録層がとりわけ好適である。
レフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(
PEN)およびポリアミド(PA)のような熱可塑性プ
ラスチックテープやポリイミド(PI)のような熱硬化
性プラスチックテープなどがとりわけ有利に適合する。 また基板テープの厚みが5μm に満たないと機械的強
度が不足し、一方、 500μm を超えるとフレキシ
ビリティがなくなるので、基板テープの厚みは5〜50
0μm の範囲とする。さらに磁気記録層としては、と
くに限定されることはないが、垂直磁気記録層中でもC
o−Cr垂直磁気記録層がとりわけ好適である。
【0013】
【実施例】実施例1
対向ターゲット式スパッタ法により、純Krガスおよび
Arガスを用い、種々のガス圧で、1500Å−Co7
9Cr21と1500Å−Co80Cr17Ta3 薄
膜を、12μm −ポリエチレンナフタレート(PEN
)テープ基板の上に、室温で成膜した。 かくして得られたテープについて、図4に示す反りから
、次式によって内部応力σを求めた結果を、図1および
図2に示す。
Arガスを用い、種々のガス圧で、1500Å−Co7
9Cr21と1500Å−Co80Cr17Ta3 薄
膜を、12μm −ポリエチレンナフタレート(PEN
)テープ基板の上に、室温で成膜した。 かくして得られたテープについて、図4に示す反りから
、次式によって内部応力σを求めた結果を、図1および
図2に示す。
【0014】図1,図2中、‖、|はそれぞれテープの
長さ方向及び幅方向における応力を示す。 σ=Eb2 /{6(1−ν)rd} r=l/{2tan −1(δ/a)}ここで E:基板のヤング率 b:基板の厚さ ν
:基板のポアソン比 d:薄膜の厚さ l:基板の長さ
長さ方向及び幅方向における応力を示す。 σ=Eb2 /{6(1−ν)rd} r=l/{2tan −1(δ/a)}ここで E:基板のヤング率 b:基板の厚さ ν
:基板のポアソン比 d:薄膜の厚さ l:基板の長さ
【00
15】図1および図2から明らかなように、Arガスで
は最適圧力が、磁性膜の結晶性の低下を招いてしまう1
〜2mTorr という高い圧力であったのに対し、純
Krガスを用いた場合には結晶性のよい膜が形成できる
0.1〜0.3 mTorr であった。
15】図1および図2から明らかなように、Arガスで
は最適圧力が、磁性膜の結晶性の低下を招いてしまう1
〜2mTorr という高い圧力であったのに対し、純
Krガスを用いた場合には結晶性のよい膜が形成できる
0.1〜0.3 mTorr であった。
【0016】また図3に、Co79Cr21膜のx線回
折より求めた (002)面のΔθ50(c軸の分散角
半値幅)と面間隔(d) との関係を示す。
折より求めた (002)面のΔθ50(c軸の分散角
半値幅)と面間隔(d) との関係を示す。
【0017】同図より明らかなよう、この発明に従い純
Krガスを用いた場合には面間隔が小さくなり、圧縮応
力が軽減されていることが判る。なおこの傾向はCo8
0Cr17Ta3 薄膜の場合にも同様に見受けられた
。
Krガスを用いた場合には面間隔が小さくなり、圧縮応
力が軽減されていることが判る。なおこの傾向はCo8
0Cr17Ta3 薄膜の場合にも同様に見受けられた
。
【0018】
【発明の効果】かくしてこの発明によれば、磁性層の結
晶配向性に優れた磁気記録テープを、カールの発生を伴
うことなしに製造することができる。
晶配向性に優れた磁気記録テープを、カールの発生を伴
うことなしに製造することができる。
【図1】Co79Cr21薄膜成膜時における、ガス圧
と内部応力との関係を示したグラフである。
と内部応力との関係を示したグラフである。
【図2】Co80Cr17Ta3 薄膜成膜時における
、ガス圧と内部応力との関係を示したグラフである。
、ガス圧と内部応力との関係を示したグラフである。
【図3】Co79Cr21薄膜成膜時における、ガス圧
と (002)面のΔθ50および面間隔(d) との
関係示したグラフである。
と (002)面のΔθ50および面間隔(d) との
関係示したグラフである。
【図4】テープの反り形状を示した図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 ガス圧力が10 mTorr以下のK
rガス又は(Kr+Ar)混合ガスを用いた対向ターゲ
ット式スパッタ法によって、膜厚が5〜500 μm
のフレキシブルテープの基板上に、Co組成が75〜9
0at%のCo−Cr垂直磁気記録媒体層を形成するこ
とを特徴とするカールのない磁気記録テープの製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5558191A JPH04274026A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | カールのない磁気記録テープの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5558191A JPH04274026A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | カールのない磁気記録テープの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04274026A true JPH04274026A (ja) | 1992-09-30 |
Family
ID=13002708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5558191A Pending JPH04274026A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | カールのない磁気記録テープの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04274026A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9193000B2 (en) | 2010-06-28 | 2015-11-24 | Robert Bosch Gmbh | Metallic component for high-pressure applications |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP5558191A patent/JPH04274026A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9193000B2 (en) | 2010-06-28 | 2015-11-24 | Robert Bosch Gmbh | Metallic component for high-pressure applications |
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