JPS6379951A - 磁性金属多層膜およびその製造方法 - Google Patents
磁性金属多層膜およびその製造方法Info
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- JPS6379951A JPS6379951A JP22205486A JP22205486A JPS6379951A JP S6379951 A JPS6379951 A JP S6379951A JP 22205486 A JP22205486 A JP 22205486A JP 22205486 A JP22205486 A JP 22205486A JP S6379951 A JPS6379951 A JP S6379951A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野） ゛
本発明は、Ｆｅ、Ｃｕを用いた主として磁気記録材料用
の磁性薄膜に関するものである。
の磁性薄膜に関するものである。
（従来技術）
近年、磁性材料の進歩は目覚しいものがある。
特に磁気記録媒体用の磁性材料は、記録密度の高度化、
高精度化の要求が高まり、種々の磁性材料が提案されて
いる。従来の磁気記録用薄膜材料はコパル） （Ｃｏ）
を主体とした合金が使用されているので、需要の増大に
伴いコスト高や資源の偏在が問題となってきた。そこで
Ｃｏの使用量を極力低下させ、Ｆｅ、Ｎｉ＋Ｃｒ等に置
替えた合金が種々提案されている。さらにはｃｏヲ含ま
ず鉄（Ｆｅ）をペースとした磁性材も提案されている。
高精度化の要求が高まり、種々の磁性材料が提案されて
いる。従来の磁気記録用薄膜材料はコパル） （Ｃｏ）
を主体とした合金が使用されているので、需要の増大に
伴いコスト高や資源の偏在が問題となってきた。そこで
Ｃｏの使用量を極力低下させ、Ｆｅ、Ｎｉ＋Ｃｒ等に置
替えた合金が種々提案されている。さらにはｃｏヲ含ま
ず鉄（Ｆｅ）をペースとした磁性材も提案されている。
しかしながらＦｅをベースとした軟磁性材料は保磁力が
１０〜２００ｅと低く、ヘッド材としては利用できても
記録材料としては利用できなかった。発明者らは互に固
溶体を形成しない鉄（Ｆｅ）−銅（Ｃｕ ）系合金につ
いて、薄膜構造にすると強磁性体となることを見出し研
究を重ねた結果、ＦｅとＣｕの多層膜を形成すると保磁
力が２００ｅ以上１１００ｅ程度ま、での強磁性体とな
ることを見出し、磁気ヘッドや磁気記録媒体用として有
用な軟磁性および硬磁性特性を有する磁性材料として使
いわけていくととが可能であることが判明した。
１０〜２００ｅと低く、ヘッド材としては利用できても
記録材料としては利用できなかった。発明者らは互に固
溶体を形成しない鉄（Ｆｅ）−銅（Ｃｕ ）系合金につ
いて、薄膜構造にすると強磁性体となることを見出し研
究を重ねた結果、ＦｅとＣｕの多層膜を形成すると保磁
力が２００ｅ以上１１００ｅ程度ま、での強磁性体とな
ることを見出し、磁気ヘッドや磁気記録媒体用として有
用な軟磁性および硬磁性特性を有する磁性材料として使
いわけていくととが可能であることが判明した。
また金属多層膜を製作する方法はＭＢＥ法、蒸着法及び
スパッタ法が知られている。スパッタ法は金属材料の種
類組成を問わず多層膜を作製する事が可能であるが、Ｍ
ＢＥ法で得られる様な一層の膜厚が単原子層以下である
急峻な界面を持つ多層膜、いわゆる超格子の作成は困難
である。これは従来のスパッタ技術では薄膜作製時に基
板がプラズマにさらされる、あるいはターゲットと向合
う為に基板温度が２００℃以上に上昇したり、ターケゞ
ットからの反跳アルゴン等の高エネルギー粒子の基板へ
の入射が生じることにより、数Ｘの厚さの極めて薄い膜
の形成が難かしく、又、各層間の原子の相互拡散が生じ
るなど、多層膜の作製には不都合な面が多かった。その
結果、さまざまな金属の組合わせによる多層膜の作製が
報告されているが、そのほとんどが、一層の膜厚が１０
数■以」二の多層膜に関するものである。本発明では一
層の厚さを極力薄くし、交互に積層することによって新
たな結晶構子を作シだし従来に無い磁気特性を得てこれ
を利用しようとするものである。
スパッタ法が知られている。スパッタ法は金属材料の種
類組成を問わず多層膜を作製する事が可能であるが、Ｍ
ＢＥ法で得られる様な一層の膜厚が単原子層以下である
急峻な界面を持つ多層膜、いわゆる超格子の作成は困難
である。これは従来のスパッタ技術では薄膜作製時に基
板がプラズマにさらされる、あるいはターゲットと向合
う為に基板温度が２００℃以上に上昇したり、ターケゞ
ットからの反跳アルゴン等の高エネルギー粒子の基板へ
の入射が生じることにより、数Ｘの厚さの極めて薄い膜
の形成が難かしく、又、各層間の原子の相互拡散が生じ
るなど、多層膜の作製には不都合な面が多かった。その
結果、さまざまな金属の組合わせによる多層膜の作製が
報告されているが、そのほとんどが、一層の膜厚が１０
数■以」二の多層膜に関するものである。本発明では一
層の厚さを極力薄くし、交互に積層することによって新
たな結晶構子を作シだし従来に無い磁気特性を得てこれ
を利用しようとするものである。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、Ｆｅ 、 Ｃｕという広く使用されている材
料を使用し保磁力Ｈｅが２〜１１００ｅと巾広く調整可
能な強磁性体を提供せんとするものである。
料を使用し保磁力Ｈｅが２〜１１００ｅと巾広く調整可
能な強磁性体を提供せんとするものである。
また、本発明は、Ｆｅ、Ｃｕという産業上広く使用され
ている材料を用いて磁性薄膜を作製するに当り、薄膜を
単に合金あるいは混合組成として作製するのではなく、
互いに数Ｘ〜数１０Ｘを交互に積層させて、多層膜構造
として新たな結晶構造あるいは界面効果をもたせて磁気
特性の向上を計ろうとするものである。
ている材料を用いて磁性薄膜を作製するに当り、薄膜を
単に合金あるいは混合組成として作製するのではなく、
互いに数Ｘ〜数１０Ｘを交互に積層させて、多層膜構造
として新たな結晶構造あるいは界面効果をもたせて磁気
特性の向上を計ろうとするものである。
（問題を解決するための手段）
状態図からも明らかなとおシ、Ｆｅ−Ｃｕ系におい士は
Ｆｅ中へのＣｕの固溶限界はせいぜい２〜３チであシ、
固溶体を形成しない。したがってＦｅ−Ｃｕ系で強磁性
を示すのはＦｅ成分であり、保持力Ｈｅについてはせい
ぜい２００ｅ程度であり、Ｃｕの割合を増すとＨｅは低
下していく。
Ｆｅ中へのＣｕの固溶限界はせいぜい２〜３チであシ、
固溶体を形成しない。したがってＦｅ−Ｃｕ系で強磁性
を示すのはＦｅ成分であり、保持力Ｈｅについてはせい
ぜい２００ｅ程度であり、Ｃｕの割合を増すとＨｅは低
下していく。
通常の複合ターケ゛ットや粉末冶金ターケゝットを使用
したＦｅ−Ｃｕ合金スパッタ膜では急冷効果によシ非平
衡固溶体となるが、Ｘ線回折によればｂｃｃのＦｅ結晶
を示すピークとｆｃｃのＣｕ結晶を示すピークが混相と
なって認められ、Ｃｕ濃度が６０ ａｔｍ ％以上では
ほとんどｆｃｃ相となる。ｆｃｃ相が支配的になると磁
気特性も常磁性となる。
したＦｅ−Ｃｕ合金スパッタ膜では急冷効果によシ非平
衡固溶体となるが、Ｘ線回折によればｂｃｃのＦｅ結晶
を示すピークとｆｃｃのＣｕ結晶を示すピークが混相と
なって認められ、Ｃｕ濃度が６０ ａｔｍ ％以上では
ほとんどｆｃｃ相となる。ｆｃｃ相が支配的になると磁
気特性も常磁性となる。
ところで、純鉄と純銅の二種類のターゲットを備えたス
パッタ装置を使用し、Ｆｅ（：Ｃｕの薄膜を交互に積層
した多層ス・ぐツタ膜については、個々の膜厚によって
は上述のＦｅ相やＣｕ相が消失し、新たなＦｅ−Ｃｕ合
金格子の回折像が出現し、磁気特性は強磁性を示すよう
になる。この様子を実験結果をもとにして説明する。
パッタ装置を使用し、Ｆｅ（：Ｃｕの薄膜を交互に積層
した多層ス・ぐツタ膜については、個々の膜厚によって
は上述のＦｅ相やＣｕ相が消失し、新たなＦｅ−Ｃｕ合
金格子の回折像が出現し、磁気特性は強磁性を示すよう
になる。この様子を実験結果をもとにして説明する。
多層膜の作製は大きさ１０Ｘ１６ｚのＦｅおよびＣ「タ
ーケ中りト（いずれも純度９９．９９％）を持つ対向タ
ーケゝット式スパッタ装置を用い、おのおの６００ Ｘ
／ｍｉｎの堆積速度が得られる様に電圧を調整しながら
同時にプラズマ放電させ、これらのプラズマに基板が一
定時間さらされる様に基板ホルダーを回転させなからＦ
ｅとＣｕを交互に基板上に堆積させて行なった。Ｆｅと
Ｃｕおのおののプラズマが６００ Ｘ／ｍｉｎの堆積速
度を有する場合、一層当シ５〜７０Ｘの薄膜が得られる
よう、基板の回転速度を変化させた。またＦｅを６００
Ｘ／ｍｉｎ 、 Ｃｕを３００〜１０００ Ｘ／ｍｉ
ｎに変化させる事によりＦｅとＣｕのおのおのの一層あ
たりの膜厚が異なる多層膜を得た。基板にはスライドガ
ラス（３Ｘ７．５ＸＯ，２５ｃｍ ）またはシリコンウ
ェノ・−を用いた。
ーケ中りト（いずれも純度９９．９９％）を持つ対向タ
ーケゝット式スパッタ装置を用い、おのおの６００ Ｘ
／ｍｉｎの堆積速度が得られる様に電圧を調整しながら
同時にプラズマ放電させ、これらのプラズマに基板が一
定時間さらされる様に基板ホルダーを回転させなからＦ
ｅとＣｕを交互に基板上に堆積させて行なった。Ｆｅと
Ｃｕおのおののプラズマが６００ Ｘ／ｍｉｎの堆積速
度を有する場合、一層当シ５〜７０Ｘの薄膜が得られる
よう、基板の回転速度を変化させた。またＦｅを６００
Ｘ／ｍｉｎ 、 Ｃｕを３００〜１０００ Ｘ／ｍｉ
ｎに変化させる事によりＦｅとＣｕのおのおのの一層あ
たりの膜厚が異なる多層膜を得た。基板にはスライドガ
ラス（３Ｘ７．５ＸＯ，２５ｃｍ ）またはシリコンウ
ェノ・−を用いた。
多層膜構造の解析はＸ線回折法を用い、特に、多層膜の
積層周期は、小角領域のＸ線回折線により求めた。磁気
特性は最大１０ｋＧ印加の振動型磁力計を用いた。作製
した多層膜の全膜厚の１例は約３５００Ｘであシ、この
膜厚測定には、触針式段差針を用いた。なお、積層数は
２５〜３５０層がよく、そのときの全厚さは２５０Ｘ以
上であればよい。
積層周期は、小角領域のＸ線回折線により求めた。磁気
特性は最大１０ｋＧ印加の振動型磁力計を用いた。作製
した多層膜の全膜厚の１例は約３５００Ｘであシ、この
膜厚測定には、触針式段差針を用いた。なお、積層数は
２５〜３５０層がよく、そのときの全厚さは２５０Ｘ以
上であればよい。
アルコゝン圧２ｍＴｏｒｒ、 Ｆｅ、Ｃｕの堆積速度が
６００ Ｘ／ｍｉｎとなるように各々の放電電圧を決定
した後、基板ホルダーの回転数を変えて、スライドガラ
ス上に交互にＦｅとＣｕを堆積させて、全膜厚約３５０
０Ｘの多層膜を作製して基板回転数の違いにより、一層
当りの膜厚がＦｅ 、 Ｃｕ共に５〜７０Ｘとなるよう
に変化させた。これらの多層膜のうち代表的なものにつ
いてＸ線回折パターｙｉ第１図に示す。
６００ Ｘ／ｍｉｎとなるように各々の放電電圧を決定
した後、基板ホルダーの回転数を変えて、スライドガラ
ス上に交互にＦｅとＣｕを堆積させて、全膜厚約３５０
０Ｘの多層膜を作製して基板回転数の違いにより、一層
当りの膜厚がＦｅ 、 Ｃｕ共に５〜７０Ｘとなるよう
に変化させた。これらの多層膜のうち代表的なものにつ
いてＸ線回折パターｙｉ第１図に示す。
第１図より一層当シの膜厚（ｄ）が７０Ｘでは、Ｃｕ（
１１１） 、Ｆｅ（１１０）の回折線の他に２０＝４４
°に多層構造に起因する新たなＦｅ −Ｃｕ相の回折線
が見られる。ｄが薄くなるに従いＦｅ 、 Ｃｕそれぞ
れの結晶構造を示す回折線は消え、２θ−４４°の回折
線のみが観測される。この回折線はｄが７Ｘでは強度が
弱くなるものの明瞭に観測されるが、ｄが５Ｘでは、ア
モルファス状の幅広い回折パターンとなる。また、第２
図にはｄが異なる場合の多層膜の飽和磁化（４πＭｓ）
の変化を示す。ｄが約１０Ｘまでは飽和磁化は約１０ｋ
Ｇ全保ち、ｄがＩＯＡ以下になると飽和磁化は急速に減
少し、ｄが５Ｘでは５．７ ｋＧの値を示した。−方、
保磁力（Ｈｅ）は、ｄが変化するにつれて第３図に示す
様に変化する。ｄを７０Ｘから約１３Ｘまで薄くすると
、保磁力（Ｈｅ）は２０ｅまで減少する。
１１１） 、Ｆｅ（１１０）の回折線の他に２０＝４４
°に多層構造に起因する新たなＦｅ −Ｃｕ相の回折線
が見られる。ｄが薄くなるに従いＦｅ 、 Ｃｕそれぞ
れの結晶構造を示す回折線は消え、２θ−４４°の回折
線のみが観測される。この回折線はｄが７Ｘでは強度が
弱くなるものの明瞭に観測されるが、ｄが５Ｘでは、ア
モルファス状の幅広い回折パターンとなる。また、第２
図にはｄが異なる場合の多層膜の飽和磁化（４πＭｓ）
の変化を示す。ｄが約１０Ｘまでは飽和磁化は約１０ｋ
Ｇ全保ち、ｄがＩＯＡ以下になると飽和磁化は急速に減
少し、ｄが５Ｘでは５．７ ｋＧの値を示した。−方、
保磁力（Ｈｅ）は、ｄが変化するにつれて第３図に示す
様に変化する。ｄを７０Ｘから約１３Ｘまで薄くすると
、保磁力（Ｈｅ）は２０ｅまで減少する。
さらにｄを減少させると、保磁力は増力１１ｅ始め約７
Ｘで１１００ｅに達する。磁化曲線は、ｄが約１３Ｘ以
上では角型比が０．８以上の磁壁移動型曲線を示すが、
ｄが約１３λ以下では、回転磁気異方性を示す曲線とな
る。これらの磁化曲線の代表例を第４図に示す。特に、
ｄが約１３Ｘ以下の多層膜では、膜面に垂直に磁場を加
えた場合、垂直磁気異方性が生じている事が磁化曲線か
ら確認された。
Ｘで１１００ｅに達する。磁化曲線は、ｄが約１３Ｘ以
上では角型比が０．８以上の磁壁移動型曲線を示すが、
ｄが約１３λ以下では、回転磁気異方性を示す曲線とな
る。これらの磁化曲線の代表例を第４図に示す。特に、
ｄが約１３Ｘ以下の多層膜では、膜面に垂直に磁場を加
えた場合、垂直磁気異方性が生じている事が磁化曲線か
ら確認された。
さらに上記と同様の方法を用いて、Ｆｅの堆積速度を６
００ Ｘ／ｍｉｎと固定し、Ｃｕの堆積速度を３００〜
１０００ Ｘ／ｍｉｎと変化させてＦｅとＣｕの一層あ
たりの膜厚（ｄ）が異々る多層膜を作製した。具体的に
はＦｅのｄを１３久、Ｃｕのｄを５〜２０Ｘに変化させ
た。第５図にこの方法で作製した多層膜の飽和磁化（４
πＭｓ）及び保磁力（Ｈｅ）の変化を示す。飽和磁化は
、Ｃｕのｄを減少させるに従い、増加し、ｄが約５久で
は、１４．．５ｋＧに達した。保磁力は、ｄが２０から
１３Ｘまでは減少し、最低２０ｅを示した後、ｄの減少
と共に増加を始めｄが５ｘにおいて、７２０ｅの値を示
した。磁化曲線は、ＣＩｌのｄが１３にでは、回転磁気
異方性を示す曲線となった。
００ Ｘ／ｍｉｎと固定し、Ｃｕの堆積速度を３００〜
１０００ Ｘ／ｍｉｎと変化させてＦｅとＣｕの一層あ
たりの膜厚（ｄ）が異々る多層膜を作製した。具体的に
はＦｅのｄを１３久、Ｃｕのｄを５〜２０Ｘに変化させ
た。第５図にこの方法で作製した多層膜の飽和磁化（４
πＭｓ）及び保磁力（Ｈｅ）の変化を示す。飽和磁化は
、Ｃｕのｄを減少させるに従い、増加し、ｄが約５久で
は、１４．．５ｋＧに達した。保磁力は、ｄが２０から
１３Ｘまでは減少し、最低２０ｅを示した後、ｄの減少
と共に増加を始めｄが５ｘにおいて、７２０ｅの値を示
した。磁化曲線は、ＣＩｌのｄが１３にでは、回転磁気
異方性を示す曲線となった。
以上の結果からＦｅおよびＣｕの個々の膜厚を５〜７０
Ｘ、好ましくは７〜１５Ｘの薄膜に積層堆積させると飽
和磁化が５〜１５ｋＧ、保磁力が２〜１１００ｅの磁性
金属多層膜が得られることが判かる。
Ｘ、好ましくは７〜１５Ｘの薄膜に積層堆積させると飽
和磁化が５〜１５ｋＧ、保磁力が２〜１１００ｅの磁性
金属多層膜が得られることが判かる。
特に膜厚を７Ｘと超薄膜にすると保磁力の高い皮膜が得
られる。
られる。
このような磁性金属多層膜のうち、保磁力の比較的小さ
い軟磁性のものは磁気記録用ヘッド拐料として有用であ
り、また保磁力の比較的高いものは高密度の礎気記録媒
体用制利として有用である。
い軟磁性のものは磁気記録用ヘッド拐料として有用であ
り、また保磁力の比較的高いものは高密度の礎気記録媒
体用制利として有用である。
次に製造方法について説明する。
本発明ではＦｅとＣｕの薄膜を交互に堆積させる。
そのための装置としては、通常使用されている対向式ス
パッタ装置で良い。ターゲットは純鉄製と純銅製の２極
を設置する。そして基板全基板ホルダーにセットして回
転させてス／（’ツタ空間を横切らせ、基板がＦｅ原子
流とＣｕ原子流に交互にさらされるようにする。その際
、スパッタ条件を制御してＦｅとＣｕの成膜速度を調節
しりわ、基板ホルダーの回転速度を調節して暴露時間全
制御することによフ、個々の一層の膜厚を制御する。
パッタ装置で良い。ターゲットは純鉄製と純銅製の２極
を設置する。そして基板全基板ホルダーにセットして回
転させてス／（’ツタ空間を横切らせ、基板がＦｅ原子
流とＣｕ原子流に交互にさらされるようにする。その際
、スパッタ条件を制御してＦｅとＣｕの成膜速度を調節
しりわ、基板ホルダーの回転速度を調節して暴露時間全
制御することによフ、個々の一層の膜厚を制御する。
スパッタ条件は特に制限は無く、通常使用されている成
膜条件で良い。
膜条件で良い。
成膜速度は２〜２０ Ｘ／ ｓｅｃ程度が良い。
このようにして全部で２０層から３００層の積層多層膜
とすれば通常の用途に対応できるものと寿る。
とすれば通常の用途に対応できるものと寿る。
（発明の効果）
以上に述べた様に、ＦｅとＣｕｉ交互に積層することに
よりＦｅのスノぐツタ膜では１０〜２００ｅが最低であ
った保磁力を一挙に２０ｅまで減少させたばかりでなく
、一層あたシの膜厚を変化させる事によジ飽和磁化の制
御が容易となった。又、Ｆｅ及びＣｕの一層あたりの膜
厚を約１３Ｘ以下にすると、保磁力が逆に１０００ｅに
も達する膜が得られる事が明らかとなった。一方、この
膜においては、垂直磁気異方性も生じている事が判った
。これらの結晶が示す様に、ＦｅとＣｕと云う、産業上
広く用いられている入手しやすい安価な拐料を用いて、
多層膜構造のスパッタ薄膜を作製する事で保磁力、飽和
磁化全任意に制御できる強磁性薄膜を作製することがで
きた。
よりＦｅのスノぐツタ膜では１０〜２００ｅが最低であ
った保磁力を一挙に２０ｅまで減少させたばかりでなく
、一層あたシの膜厚を変化させる事によジ飽和磁化の制
御が容易となった。又、Ｆｅ及びＣｕの一層あたりの膜
厚を約１３Ｘ以下にすると、保磁力が逆に１０００ｅに
も達する膜が得られる事が明らかとなった。一方、この
膜においては、垂直磁気異方性も生じている事が判った
。これらの結晶が示す様に、ＦｅとＣｕと云う、産業上
広く用いられている入手しやすい安価な拐料を用いて、
多層膜構造のスパッタ薄膜を作製する事で保磁力、飽和
磁化全任意に制御できる強磁性薄膜を作製することがで
きた。
本発明で作製した強磁性薄膜は、磁気記録材料としての
用途の他、磁気特性を必要とする種々の部材に広範に利
用できる。
用途の他、磁気特性を必要とする種々の部材に広範に利
用できる。
第１図は、本発明によって得られた金属多層膜のＸ線回
折ピークを示す図、第２図は飽和磁化の一層膜厚に対す
る変化を示す図、第３図は、保磁力の一層膜厚に対する
変化を示す図、第４図は、一層膜厚が１３Ｘと７Ｘの場
合の磁化曲線、第５図は、ｐｅの一層膜厚を１３Ｘとし
た場合のＣｕの一層膜厚に対する飽和磁化、保磁力の変
化を示す図である。
折ピークを示す図、第２図は飽和磁化の一層膜厚に対す
る変化を示す図、第３図は、保磁力の一層膜厚に対する
変化を示す図、第４図は、一層膜厚が１３Ｘと７Ｘの場
合の磁化曲線、第５図は、ｐｅの一層膜厚を１３Ｘとし
た場合のＣｕの一層膜厚に対する飽和磁化、保磁力の変
化を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）一層の厚さが５〜７０Åの鉄および銅の薄膜を交互
に積層した多層膜であって、飽和磁化が５〜１５ｋＧａ
ｕｓｓ、保磁力が２〜１１０Ｏｅであることを特徴とす
る磁性金属多層膜。 ２）対向ターゲット式スパッタ装置を用いて金属多層膜
を製造するにあたり、鉄および銅のターゲットを配置し
、基板を回転させながら鉄および銅のスパッタ空間を横
切らせることにより鉄および銅の薄膜を交互に堆積させ
ることを特徴とする磁性金属多層膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22205486A JPS6379951A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 磁性金属多層膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22205486A JPS6379951A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 磁性金属多層膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379951A true JPS6379951A (ja) | 1988-04-09 |
Family
ID=16776374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22205486A Pending JPS6379951A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 磁性金属多層膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6379951A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02293310A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-04 | Japan Pionics Co Ltd | 希ガスの高純度精製装置 |
| US5015352A (en) * | 1988-10-15 | 1991-05-14 | Yoshida Kogyo K.K. | Preparation method for amorphous superlattice alloys |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP22205486A patent/JPS6379951A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5015352A (en) * | 1988-10-15 | 1991-05-14 | Yoshida Kogyo K.K. | Preparation method for amorphous superlattice alloys |
| JPH02293310A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-04 | Japan Pionics Co Ltd | 希ガスの高純度精製装置 |
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