JPH04269706A - 光変調素子 - Google Patents
光変調素子Info
- Publication number
- JPH04269706A JPH04269706A JP3039191A JP3039191A JPH04269706A JP H04269706 A JPH04269706 A JP H04269706A JP 3039191 A JP3039191 A JP 3039191A JP 3039191 A JP3039191 A JP 3039191A JP H04269706 A JPH04269706 A JP H04269706A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wave electrode
- thickness
- traveling wave
- overlay
- buffer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 7
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 abstract 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、動作速度が速い光変調
素子に関するものである。
素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のマッハシェンダ形強度光変調素子
の構成例として、河野他，”Ｂｒｏａｄ−ｂａｎｄ ａ
ｎｄ ｌｏｗ−ｄｒｉｖｉｎｇ−ｐｏｗｅｒ ＬｉＮｂ
０３ ｅｘｔｅｒｎａｌ ｏｐｔｉｃａｌ ｍｏｄｕｌ
ａｔｏｒｓ”，ＮＴＴ Ｒｅｖｉｅｗ， ｖｏｌ．１，
ｐｐ．１０３， １９８９．に示されているものを図
６および図７に示す。
の構成例として、河野他，”Ｂｒｏａｄ−ｂａｎｄ ａ
ｎｄ ｌｏｗ−ｄｒｉｖｉｎｇ−ｐｏｗｅｒ ＬｉＮｂ
０３ ｅｘｔｅｒｎａｌ ｏｐｔｉｃａｌ ｍｏｄｕｌ
ａｔｏｒｓ”，ＮＴＴ Ｒｅｖｉｅｗ， ｖｏｌ．１，
ｐｐ．１０３， １９８９．に示されているものを図
６および図７に示す。
【０００３】この例では、電気光学効果を有するｚカッ
トＬｉＮｂＯ３ 基板１にＴｉ熱拡散によりマッハツェ
ンダ形光導波路２が形成されている。その基板１の上に
は厚さＤのＳｉＯ２ バッファ層３が形成され、さらに
そのバッファ層３の上に中心導体４およびアース導体５
から構成されたコプレーナウェーブガイド（ＣＰＷ）形
の進行波電極が形成されている。６はＣＰＷ電極４と５
の間に接続された終端抵抗、７は、電極４と５に接続さ
れ、変調用マイクロ波信号をこれら電極４および５に供
給する給電用同軸線である。なお、この例では、中心導
体４の幅２Ｗは８μｍ，導体４と５とのギャップ２Ｇは
１５μｍ，ＳｉＯ２ バッファ層３の厚みＤは１．２μ
ｍ、進行波電極を構成する導体４および５の厚みＴは４
μｍとしている。
トＬｉＮｂＯ３ 基板１にＴｉ熱拡散によりマッハツェ
ンダ形光導波路２が形成されている。その基板１の上に
は厚さＤのＳｉＯ２ バッファ層３が形成され、さらに
そのバッファ層３の上に中心導体４およびアース導体５
から構成されたコプレーナウェーブガイド（ＣＰＷ）形
の進行波電極が形成されている。６はＣＰＷ電極４と５
の間に接続された終端抵抗、７は、電極４と５に接続さ
れ、変調用マイクロ波信号をこれら電極４および５に供
給する給電用同軸線である。なお、この例では、中心導
体４の幅２Ｗは８μｍ，導体４と５とのギャップ２Ｇは
１５μｍ，ＳｉＯ２ バッファ層３の厚みＤは１．２μ
ｍ、進行波電極を構成する導体４および５の厚みＴは４
μｍとしている。
【０００４】変調用マイクロ波信号給電線７から駆動電
力が供給されると、この光変調器では中心導体４とアー
ス導体５との間に電界が加わる。ＬｉＮｂＯ３基板１は
電気光学効果を有するので、この電界により屈折率変化
を生じる。その結果、２本の光導波路２を伝搬する光の
位相にずれが生じる。このずれがπになった場合、マッ
ハツェンダ形光導波路の合波部で高次モードを励振し、
光はＯＦＦ状態となる。
力が供給されると、この光変調器では中心導体４とアー
ス導体５との間に電界が加わる。ＬｉＮｂＯ３基板１は
電気光学効果を有するので、この電界により屈折率変化
を生じる。その結果、２本の光導波路２を伝搬する光の
位相にずれが生じる。このずれがπになった場合、マッ
ハツェンダ形光導波路の合波部で高次モードを励振し、
光はＯＦＦ状態となる。
【０００５】この光変調器の場合、ＣＰＷ電極４および
５は進行波電極として構成されているので、ＣＰＷ電極
を伝搬する変調用マイクロ波信号と光導波路２を伝搬す
る光との間に速度の差がなければ、理想的には光変調帯
域の制限はない。
５は進行波電極として構成されているので、ＣＰＷ電極
を伝搬する変調用マイクロ波信号と光導波路２を伝搬す
る光との間に速度の差がなければ、理想的には光変調帯
域の制限はない。
【０００６】しかしながら、実際にはマイクロ波伝搬損
失の他、マイクロ波信号波と光との間の速度の差によっ
て変調帯域が制限される。信号波に対するＣＰＷ電極の
マイクロ波実効屈折率をｎｍ 、光に対する光導波路２
の実効屈折率をｎｏ とすると、３ｄＢ光変調帯域Δｆ
はｌ／（ｎｍ −ｎｏ ）に反比例する。但し、この比
例関係の式では、マイクロ波の伝搬損失を無視している
。従って、光変調の帯域を拡大するためには、マイクロ
波と光の実効屈折率を近付けること、すなわち、マイク
ロ波と光の速度を整合させることが不可欠である。
失の他、マイクロ波信号波と光との間の速度の差によっ
て変調帯域が制限される。信号波に対するＣＰＷ電極の
マイクロ波実効屈折率をｎｍ 、光に対する光導波路２
の実効屈折率をｎｏ とすると、３ｄＢ光変調帯域Δｆ
はｌ／（ｎｍ −ｎｏ ）に反比例する。但し、この比
例関係の式では、マイクロ波の伝搬損失を無視している
。従って、光変調の帯域を拡大するためには、マイクロ
波と光の実効屈折率を近付けること、すなわち、マイク
ロ波と光の速度を整合させることが不可欠である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そのために、図５およ
び図６の従来例では、ＳｉＯ２ バッファ層３の厚みＤ
を厚くすることにより、マイクロ波と光との実効屈折率
を近付けている。しかしながら、バッファ層３を厚くす
るこの手法でマイクロ波と光との速度整合をとろうとす
ると、バッファ層３を数μｍの厚みとする必要があり、
駆動電圧が上昇してしまうという欠点があった。
び図６の従来例では、ＳｉＯ２ バッファ層３の厚みＤ
を厚くすることにより、マイクロ波と光との実効屈折率
を近付けている。しかしながら、バッファ層３を厚くす
るこの手法でマイクロ波と光との速度整合をとろうとす
ると、バッファ層３を数μｍの厚みとする必要があり、
駆動電圧が上昇してしまうという欠点があった。
【０００８】そこで、本発明の目的は、駆動電圧が低く
かつマイクロ波と光との速度を完全に整合させた広帯域
の光変調素子を提供することにある。
かつマイクロ波と光との速度を完全に整合させた広帯域
の光変調素子を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、少なくとも一本の光導波路を備え
た電気光学効果を有する基板と、前記基板の上に配置さ
れたバッファ層と、前記バッファ層の上に配置された進
行波電極と、前記光導波路と前記進行波電極とが相互作
用する領域の近傍にオーバーレイを介して配設されたシ
ールド導体とを備えた光変調素子において、前記進行波
電極に印加されるマイクロ波実効屈折率が前記光導波路
を伝搬する光の実効屈折率に近づくとともに、前記進行
波電極の特性インピーダンスが外部電気回路の特性イン
ピーダンスに近づくように、前記進行波電極の厚み、前
記バッファ層の厚み、および前記オーバーレイの厚みを
定めたことを特徴とする。
るために、本発明は、少なくとも一本の光導波路を備え
た電気光学効果を有する基板と、前記基板の上に配置さ
れたバッファ層と、前記バッファ層の上に配置された進
行波電極と、前記光導波路と前記進行波電極とが相互作
用する領域の近傍にオーバーレイを介して配設されたシ
ールド導体とを備えた光変調素子において、前記進行波
電極に印加されるマイクロ波実効屈折率が前記光導波路
を伝搬する光の実効屈折率に近づくとともに、前記進行
波電極の特性インピーダンスが外部電気回路の特性イン
ピーダンスに近づくように、前記進行波電極の厚み、前
記バッファ層の厚み、および前記オーバーレイの厚みを
定めたことを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明では、進行波電極の厚みを厚くすること
によりマイクロ波実効屈折率を下げるようにし、かつオ
ーバーレイを設けたシールド導体を用いることにより、
そのオーバレイの厚みを厚くすることができるので、マ
イクロ波と光との完全な速度整合を実現でき、以てマイ
クロ波の伝搬損失を低く押えることができ、従って広帯
域光変調が可能となる。
によりマイクロ波実効屈折率を下げるようにし、かつオ
ーバーレイを設けたシールド導体を用いることにより、
そのオーバレイの厚みを厚くすることができるので、マ
イクロ波と光との完全な速度整合を実現でき、以てマイ
クロ波の伝搬損失を低く押えることができ、従って広帯
域光変調が可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１２】本発明の一実施例の平面図および横断面図
を図１および図２にそれぞれ示す。ここで、図５および
図６と同様の個所には同一符号を付す。この実施例にお
いては、図５および図６に示した従来例の構造と異なっ
て、ＣＰＷ進行波電極を構成する中心導体４およびアー
ス導体５の厚みＴを厚くする。光導波路２とＣＰＷ進行
波電極とが相互作用する領域の近傍において、例えば空
気などによる、誘電率の低いオーバレイ８を介して、シ
ールド導体９を中心導体４を内包するようにしてアース
導体５に固着する。残余の構成は図６および図７の従来
例と同様である。
を図１および図２にそれぞれ示す。ここで、図５および
図６と同様の個所には同一符号を付す。この実施例にお
いては、図５および図６に示した従来例の構造と異なっ
て、ＣＰＷ進行波電極を構成する中心導体４およびアー
ス導体５の厚みＴを厚くする。光導波路２とＣＰＷ進行
波電極とが相互作用する領域の近傍において、例えば空
気などによる、誘電率の低いオーバレイ８を介して、シ
ールド導体９を中心導体４を内包するようにしてアース
導体５に固着する。残余の構成は図６および図７の従来
例と同様である。
【００１３】図３および図４は図１および図２に示した
本発明の実施例について、それぞれ、マイクロ波実効屈
折率ｎｍ と特性インピーダンスＺを有限要素法により
算出した結果を示す。図中、ｎｏ は光の実効屈折率で
ある。ここで、ＣＰＷ進行波電極の中心導体４の幅２Ｗ
を８μｍ、ギャップ２Ｇを３０μｍ、ＳｉＯ２ バッフ
ァ層３の厚みを１．２μｍとし、パラメータとして進行
波電極の厚みＴを取り、Ｔ＝４μｍ、１０μｍ、１６μ
ｍの場合についてオーバレイ８の厚みＨに対する計算結
果を示している。
本発明の実施例について、それぞれ、マイクロ波実効屈
折率ｎｍ と特性インピーダンスＺを有限要素法により
算出した結果を示す。図中、ｎｏ は光の実効屈折率で
ある。ここで、ＣＰＷ進行波電極の中心導体４の幅２Ｗ
を８μｍ、ギャップ２Ｇを３０μｍ、ＳｉＯ２ バッフ
ァ層３の厚みを１．２μｍとし、パラメータとして進行
波電極の厚みＴを取り、Ｔ＝４μｍ、１０μｍ、１６μ
ｍの場合についてオーバレイ８の厚みＨに対する計算結
果を示している。
【００１４】図５は図１および図２に示した本発明の実
施例についての相互作用長が２．７ｃｍの場合について
、３−ｄＢ光変調帯域の計算結果を示している。
施例についての相互作用長が２．７ｃｍの場合について
、３−ｄＢ光変調帯域の計算結果を示している。
【００１５】図３のｎｍ の計算結果と図５の光変調帯
域の計算結果からわかるように、進行波電極の厚みＴが
厚いほど、厚みＨの厚いオーバレイ８でマイクロ波と光
との速度整合（ｎｍ ＝ｎｏ ）を達成できる。なお、
実際に進行波電極の厚みＴの効果が顕著に現われるよう
にするためには、この厚みＴとして４〜５μｍ以上の厚
みが必要であると考えられる。
域の計算結果からわかるように、進行波電極の厚みＴが
厚いほど、厚みＨの厚いオーバレイ８でマイクロ波と光
との速度整合（ｎｍ ＝ｎｏ ）を達成できる。なお、
実際に進行波電極の厚みＴの効果が顕著に現われるよう
にするためには、この厚みＴとして４〜５μｍ以上の厚
みが必要であると考えられる。
【００１６】ここで、オーバレイ８の厚みＨを厚くする
ことによって、進行波電極の中心導体４およびアース導
体５の表面からシールド導体９までの距離を長くでき、
従って、シールド導体９に起因するマイクロ波伝搬損失
を小さくできる利点がある。しかも、進行波電極の厚み
Ｔを厚くすることによって、その断面積が大きくなり、
低周波付近でのマイクロ波伝搬損失を低減できる効果も
ある。なお、高周波では表皮効果によりマイクロ波伝搬
損失が決まるので、かかる厚みＴを厚くする必要はない
。
ことによって、進行波電極の中心導体４およびアース導
体５の表面からシールド導体９までの距離を長くでき、
従って、シールド導体９に起因するマイクロ波伝搬損失
を小さくできる利点がある。しかも、進行波電極の厚み
Ｔを厚くすることによって、その断面積が大きくなり、
低周波付近でのマイクロ波伝搬損失を低減できる効果も
ある。なお、高周波では表皮効果によりマイクロ波伝搬
損失が決まるので、かかる厚みＴを厚くする必要はない
。
【００１７】以上の実施例では、基板としてｚカットの
ＬｉＮｂＯ３ 基板を用いたが、本発明では、ｘカット
のＬｉＮｂＯ３ 基板を用いてもよいし、電気光学効果
を有するその他の基板でもよい。また、進行波電極とし
ては、上述したＣＰＷに限られず、非対称コプレーナス
トリップや対象コプレーナストリップなどのその他のマ
イクロ波電極を用いてもよいことは明白である。
ＬｉＮｂＯ３ 基板を用いたが、本発明では、ｘカット
のＬｉＮｂＯ３ 基板を用いてもよいし、電気光学効果
を有するその他の基板でもよい。また、進行波電極とし
ては、上述したＣＰＷに限られず、非対称コプレーナス
トリップや対象コプレーナストリップなどのその他のマ
イクロ波電極を用いてもよいことは明白である。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、進行
波電極の厚みを厚くすることによりマイクロ波実効屈折
率を下げるようにし、かつオーバーレイを設けたシール
ド導体を用いることにより、そのオーバレイの厚みを厚
くすることができるので、マイクロ波と光との完全な速
度整合を実現でき、以てマイクロ波の伝搬損失を低く押
えることができ、従って広帯域光変調が可能となる。
波電極の厚みを厚くすることによりマイクロ波実効屈折
率を下げるようにし、かつオーバーレイを設けたシール
ド導体を用いることにより、そのオーバレイの厚みを厚
くすることができるので、マイクロ波と光との完全な速
度整合を実現でき、以てマイクロ波の伝搬損失を低く押
えることができ、従って広帯域光変調が可能となる。
【図１】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施例を示す横断面図である。
【図３】マイクロ波実効屈折率ｎｍ との有限要素法に
よる計算結果を示す図である。
よる計算結果を示す図である。
【図４】特性インピーダンスの有限要素法による計算結
果を示す図である。
果を示す図である。
【図５】図１，図２の本発明実施例について計算した光
３−ｄＢ帯域の値を示す図である。
３−ｄＢ帯域の値を示す図である。
【図６】従来のＬｉＮｂＯ３ 光変調器の平面図である
。
。
【図７】従来のＬｉＮｂＯ３ 光変調器の横断面図であ
る。
る。
１ ＬｉＮｂＯ３ 基板
２ マッハツェンダ形光導波路
３ ＳｉＯ２ バッファ層
４ 中心導体
５ アース導体
６ 終端抵抗
７ 給電用同軸線
８ オーバレイ
９ シールド導体
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも一本の光導波路を備えた電
気光学効果を有する基板と、前記基板の上に配置された
バッファ層と、前記バッファ層の上に配置された進行波
電極と、前記光導波路と前記進行波電極とが相互作用す
る領域の近傍にオーバーレイを介して配設されたシール
ド導体とを備えた光変調素子において、前記進行波電極
に印加されるマイクロ波実効屈折率が前記光導波路を伝
搬する光の実効屈折率に近づくとともに、前記進行波電
極の特性インピーダンスが外部電気回路の特性インピー
ダンスに近づくように、前記進行波電極の厚み、前記バ
ッファ層の厚み、および前記オーバーレイの厚みを定め
たことを特徴とする光変調素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039191A JPH04269706A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 光変調素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039191A JPH04269706A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 光変調素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04269706A true JPH04269706A (ja) | 1992-09-25 |
Family
ID=12302620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3039191A Pending JPH04269706A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 光変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04269706A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014066941A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
-
1991
- 1991-02-25 JP JP3039191A patent/JPH04269706A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014066941A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
| US9235066B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-01-12 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulator |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2603437B2 (ja) | 周期的ドメイン反転電気・光変調器 | |
| JPH05196902A (ja) | 進行波光変調器 | |
| US6304685B1 (en) | Low drive voltage LiNbO3 intensity modulator with reduced electrode loss | |
| JP2007017683A (ja) | 光変調器 | |
| JP2728150B2 (ja) | 光変調素子 | |
| US6504640B2 (en) | Resonant optical modulators with zero chirp | |
| JP2758538B2 (ja) | 光変調素子と光変調装置及びその駆動方法 | |
| Gheorma et al. | Thin layer design of X-cut LiNbO 3 modulators | |
| JPH1039266A (ja) | 光制御デバイス | |
| JP2612948B2 (ja) | 光変調素子 | |
| JP2806425B2 (ja) | 導波型光デバイス | |
| JP2007079249A (ja) | 光変調器 | |
| US6885780B2 (en) | Suppression of high frequency resonance in an electro-optical modulator | |
| US6891982B2 (en) | Optical modulation device having excellent electric characteristics by effectively restricting heat drift | |
| JPH08166566A (ja) | 光制御デバイス | |
| JP4920212B2 (ja) | 光変調器 | |
| JP2007033894A (ja) | 光変調器 | |
| JPH04269706A (ja) | 光変調素子 | |
| JPH06308437A (ja) | 光制御素子 | |
| JPS63261219A (ja) | 光変調素子 | |
| JP3719563B2 (ja) | 光変調器 | |
| JP2758540B2 (ja) | 光変調素子及びそれを用いた光変調装置 | |
| JPH10142567A (ja) | 導波型光デバイス | |
| JPH05264937A (ja) | 光制御デバイス | |
| JP2692715B2 (ja) | 光スイッチ |