JPH10142567A - 導波型光デバイス - Google Patents
導波型光デバイスInfo
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- JPH10142567A JPH10142567A JP29671596A JP29671596A JPH10142567A JP H10142567 A JPH10142567 A JP H10142567A JP 29671596 A JP29671596 A JP 29671596A JP 29671596 A JP29671596 A JP 29671596A JP H10142567 A JPH10142567 A JP H10142567A
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- waveguide
- dielectric
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- dielectric substrate
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エアギャップを設けることにより、マイクロ
波減衰を低減できる導波型光デバイスを提供する。 【解決手段】 光導波路を形成した結晶基板上、信号電
極及び接地電極を形成すると共に、基板を誘電体基板に
取り付け、更に、誘電体基板を金属基板に取り付けた構
造を有する導波型光デバイスにおいて、信号電極及び接
地電極の下部に位置する誘電体基板及び金属基板の少く
とも一方にエアギャップを形成する溝を設けた導波型光
デバイスが得られる。
波減衰を低減できる導波型光デバイスを提供する。 【解決手段】 光導波路を形成した結晶基板上、信号電
極及び接地電極を形成すると共に、基板を誘電体基板に
取り付け、更に、誘電体基板を金属基板に取り付けた構
造を有する導波型光デバイスにおいて、信号電極及び接
地電極の下部に位置する誘電体基板及び金属基板の少く
とも一方にエアギャップを形成する溝を設けた導波型光
デバイスが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速光通信、光ス
イッチングネットワーク、光情報処理、光画像処理な
ど、各種光システムに用いられる、導波型光変調器や導
波型光スイッチなどに関する。
イッチングネットワーク、光情報処理、光画像処理な
ど、各種光システムに用いられる、導波型光変調器や導
波型光スイッチなどに関する。
【０００２】
【従来の技術】導波型光変調器および導波型光スイッチ
は、高速光通信、光スイッチングネットワーク、光情報
処理、光画像処理など、各種光システムを実現する上で
非常に重要な要素となるものである。導波型光変調器
は、さまざまな製造方法により、注目される数種の基板
上に形成される。しかしながら、導波型光デバイスの研
究の大半は、ＬｉＮｂＯ３や半導体（たとえばＧａＡｓ
系の）基板に関するものである。ＬｉＮｂＯ３へのチタ
ンの内拡散法によれば、良好な電気光学特性を備えた低
損失ストリップ状導波路を基板に形成するための、便利
で比較的簡単な方法が得られる。導波型光変調器の重要
なパラメータは、駆動電力（あるいは駆動電圧）と、変
調帯域幅と、特性インピーダンスと、挿入損失である。
これらのパラメータのうち、変調帯域幅と駆動電圧とは
トレード・オフの関係にあった。すなわち、広い変調帯
域幅と低い駆動電圧に対する要請を、同時に満足するこ
とは困難であった。そこで、導波型光変調器の研究は、
このトレード・オフの関係を最適化することに集中して
いる。
は、高速光通信、光スイッチングネットワーク、光情報
処理、光画像処理など、各種光システムを実現する上で
非常に重要な要素となるものである。導波型光変調器
は、さまざまな製造方法により、注目される数種の基板
上に形成される。しかしながら、導波型光デバイスの研
究の大半は、ＬｉＮｂＯ３や半導体（たとえばＧａＡｓ
系の）基板に関するものである。ＬｉＮｂＯ３へのチタ
ンの内拡散法によれば、良好な電気光学特性を備えた低
損失ストリップ状導波路を基板に形成するための、便利
で比較的簡単な方法が得られる。導波型光変調器の重要
なパラメータは、駆動電力（あるいは駆動電圧）と、変
調帯域幅と、特性インピーダンスと、挿入損失である。
これらのパラメータのうち、変調帯域幅と駆動電圧とは
トレード・オフの関係にあった。すなわち、広い変調帯
域幅と低い駆動電圧に対する要請を、同時に満足するこ
とは困難であった。そこで、導波型光変調器の研究は、
このトレード・オフの関係を最適化することに集中して
いる。
【０００３】導波型変調器の帯域幅は、マイクロ波減衰
と、光波およびマイクロ波間の速度不整合により制限さ
れ、それ以外には、おもに、電極の種類・材料・配置
と、基板の誘電率に依存する。広帯域の用途には、進行
波電極が広く用いられている。その概念は、電極を駆動
伝送線路の延長として構成することである。そのため、
電極の特性インピーダンスは、電源およびケーブルの特
性インピーダンスと同じでなくてはならない。この場合
の変調速度は、光波およびマイクロ波の走行時間（また
は位相速度または有効屈折率）の差により制限される。
用い得る進行波電極構造としては、1)非対称ストリップ
ライン（Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｓｔｒｉｐ Ｌｉｎｅ
（以下、ＡＳＬと略称する））型または非対称平面スト
リップ（Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｃｏｐｌａｎａｒ Ｓ
ｔｒｉｐ（以下、ＡＣＰＳと略称する））型電極構造
と、2)平面導波（Ｃｏｐｌａｎａｒ Ｗａｖｅｇｕｉｄ
ｅｓ（以下、ＣＰＷと略称する））型電極構造の２種類
がある。
と、光波およびマイクロ波間の速度不整合により制限さ
れ、それ以外には、おもに、電極の種類・材料・配置
と、基板の誘電率に依存する。広帯域の用途には、進行
波電極が広く用いられている。その概念は、電極を駆動
伝送線路の延長として構成することである。そのため、
電極の特性インピーダンスは、電源およびケーブルの特
性インピーダンスと同じでなくてはならない。この場合
の変調速度は、光波およびマイクロ波の走行時間（また
は位相速度または有効屈折率）の差により制限される。
用い得る進行波電極構造としては、1)非対称ストリップ
ライン（Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｓｔｒｉｐ Ｌｉｎｅ
（以下、ＡＳＬと略称する））型または非対称平面スト
リップ（Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｃｏｐｌａｎａｒ Ｓ
ｔｒｉｐ（以下、ＡＣＰＳと略称する））型電極構造
と、2)平面導波（Ｃｏｐｌａｎａｒ Ｗａｖｅｇｕｉｄ
ｅｓ（以下、ＣＰＷと略称する））型電極構造の２種類
がある。
【０００４】完全な速度整合が得られたとしても帯域幅
はマイクロ波減衰により制限されるから、マイクロ波減
衰は非常に重要な意味をもっている。そこで、マイクロ
波減衰を低減させることが必要となる。
はマイクロ波減衰により制限されるから、マイクロ波減
衰は非常に重要な意味をもっている。そこで、マイクロ
波減衰を低減させることが必要となる。
【０００５】マイクロ波減衰は以下の事象によって引き
起こされる。
起こされる。
【０００６】ａ．電極の配置、電極材料の抵抗率、バッ
ファ層のパラメータなどの関数であるストリップライン
導体の損失、 ｂ．ＬｉＮｂＯ３基板の誘電率およびｔａｎδ（損失タ
ンジェント）の関数である誘電損失、 ｃ．高次モード伝搬による損失、 ｄ．ストリップラインの曲りおよびテーパ状になること
による損失、 ｅ．５０Ωの光源および負荷とのインピーダンス不整合
による損失、 ｆ．コネクタ及びコネクタ用ストリップライン（信号電
極）コンタクトにおける損失を含む搭載パッケージ、お
よび外側パッケージによる損失。
ファ層のパラメータなどの関数であるストリップライン
導体の損失、 ｂ．ＬｉＮｂＯ３基板の誘電率およびｔａｎδ（損失タ
ンジェント）の関数である誘電損失、 ｃ．高次モード伝搬による損失、 ｄ．ストリップラインの曲りおよびテーパ状になること
による損失、 ｅ．５０Ωの光源および負荷とのインピーダンス不整合
による損失、 ｆ．コネクタ及びコネクタ用ストリップライン（信号電
極）コンタクトにおける損失を含む搭載パッケージ、お
よび外側パッケージによる損失。
【０００７】本発明者らは、上記の要因を減らすことに
より、特に、ストリップライン導体の損失および高次モ
ード伝搬による損失に重点をおいて、マイクロ波減衰を
低減することを試みた。本発明者らは、厚いバッファ層
と厚い電極構造を用いて、広帯域でしかも駆動電圧の低
い（比較的）光変調器を実現した。これは、「Ａ ｗｉ
ｄｅ−ｂａｎｄ Ｔｉ：ＬｉＮｂＯ３ ｏｐｔｉｃａｌ
ｍｏｄｕｌａｔｏｒｗｉｔｈ ａ ｃｏｎｖｅｎｔｉ
ｏｎａｌ ｃｏｐｌａｎａｒ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｔ
ｙｐｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ（従来の平面導波型電極を
備えた、広帯域ＴＩ：ＬｉＮｂＯ３光変調器）」と題す
る論文（ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ、第４巻第９号（１９９２
年）、１０２０〜１０２２頁）に開示されている。本発
明者らは、電極長２．５ｃｍに対して帯域幅２０ＧＨｚ
と駆動電圧５Ｖを達成した。ここで、チップの厚さを約
０．２ｍｍに減少させることにより、高次モード伝搬損
失は低減された。
より、特に、ストリップライン導体の損失および高次モ
ード伝搬による損失に重点をおいて、マイクロ波減衰を
低減することを試みた。本発明者らは、厚いバッファ層
と厚い電極構造を用いて、広帯域でしかも駆動電圧の低
い（比較的）光変調器を実現した。これは、「Ａ ｗｉ
ｄｅ−ｂａｎｄ Ｔｉ：ＬｉＮｂＯ３ ｏｐｔｉｃａｌ
ｍｏｄｕｌａｔｏｒｗｉｔｈ ａ ｃｏｎｖｅｎｔｉ
ｏｎａｌ ｃｏｐｌａｎａｒ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｔ
ｙｐｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ（従来の平面導波型電極を
備えた、広帯域ＴＩ：ＬｉＮｂＯ３光変調器）」と題す
る論文（ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ、第４巻第９号（１９９２
年）、１０２０〜１０２２頁）に開示されている。本発
明者らは、電極長２．５ｃｍに対して帯域幅２０ＧＨｚ
と駆動電圧５Ｖを達成した。ここで、チップの厚さを約
０．２ｍｍに減少させることにより、高次モード伝搬損
失は低減された。
【０００８】実用的な変調器を実現するためには、適切
なパッケージを備えたファイバー／ファイバー用コネク
タを、チップの端部に取り付ける必要がある。ファイバ
ーの接続を容易にするために、端部におけるチップの厚
さ（または表面積）は、断面で数ミリ程度でなければな
らない。したがって、通常、実用的なデバイスにおいて
は、端部において必要な厚さを得るために、ニオブ酸リ
チウム基板の熱特性と適合した熱特性（熱膨脹など）を
もつ誘電体基板、例えばガラス基板上にチップを配置す
る。この誘電体基板はまた、薄いニオブ酸リチウムチッ
プ（厚さ約０．２ｍｍ）に強度を与えるためにも役立
つ。必要な場合には、追加の誘電体基板をチップの端部
上に配置して、さらに端部表面積を増大させることもで
きる。さらに、変調器の動作の安定性および信頼性を得
るために、チップと、その下および端部に設けた誘電体
基板とを、金属パッケージ内に収容することができる。
なパッケージを備えたファイバー／ファイバー用コネク
タを、チップの端部に取り付ける必要がある。ファイバ
ーの接続を容易にするために、端部におけるチップの厚
さ（または表面積）は、断面で数ミリ程度でなければな
らない。したがって、通常、実用的なデバイスにおいて
は、端部において必要な厚さを得るために、ニオブ酸リ
チウム基板の熱特性と適合した熱特性（熱膨脹など）を
もつ誘電体基板、例えばガラス基板上にチップを配置す
る。この誘電体基板はまた、薄いニオブ酸リチウムチッ
プ（厚さ約０．２ｍｍ）に強度を与えるためにも役立
つ。必要な場合には、追加の誘電体基板をチップの端部
上に配置して、さらに端部表面積を増大させることもで
きる。さらに、変調器の動作の安定性および信頼性を得
るために、チップと、その下および端部に設けた誘電体
基板とを、金属パッケージ内に収容することができる。
【０００９】図１３（ａ）は、光導波路構造（マッハ・
ツェンダ干渉計）およびＣＰＷ電極構造を備えたマッハ
・ツェンダ干渉計光変調器の基本構成を示している。図
１３（ｂ）は、Ａ−Ａ´線に沿う断面図である。電気光
学効果を有する結晶基板（ニオブ酸リチウム結晶など
の）１上に、導波路２、３、４が、チタン金属膜ストリ
ップを成膜し結晶中に高温で内拡散することにより形成
される。光導波路構造は、２つのＹ字分岐型導波路（入
射側および出射側の両側）２および３と、位相シフト部
４からなる。その上を、厚さ約１μｍのバッファ層（Ｓ
ｉＯ２誘電体層）５で被覆する。バッファ層は、光導波
路構造上を均一に被覆する。その上に、信号電極および
２つの接地電極からなる平面導波（ＣＰＷ）型電極構造
が形成される。この電極構造は長さ２．５ｃｍ、幅７μ
ｍ、厚さ１２μｍのサイズを有している。信号電極と接
地電極との間隔は、１５μｍである。チップの厚さは、
約０．２〜０．８ｍｍとする。取扱いを簡単にし、強度
を補い、ファイバーの取り付けを容易にするために、厚
さ０．５〜５ｍｍの誘電体基板８がチップの下に取り付
けられる。チップの両端部を研磨し、ファイバー／ファ
イバー用コネクタを両側に取り付ける。次に、コネクタ
およびコネクタ用パッケージ９をデバイスに取り付け
る。マイクロ波（電波）がコネクタを介して信号電極に
与えられる。デバイスに光が入射し、出射するのを可能
とするために、デバイスの両側には、ファイバーおよび
ファイバー用パッケージ１２が取り付けられる。誘電体
基板を備えたチップが金属基板１０上に配置され、金属
パッケージ１１内に収容される。
ツェンダ干渉計）およびＣＰＷ電極構造を備えたマッハ
・ツェンダ干渉計光変調器の基本構成を示している。図
１３（ｂ）は、Ａ−Ａ´線に沿う断面図である。電気光
学効果を有する結晶基板（ニオブ酸リチウム結晶など
の）１上に、導波路２、３、４が、チタン金属膜ストリ
ップを成膜し結晶中に高温で内拡散することにより形成
される。光導波路構造は、２つのＹ字分岐型導波路（入
射側および出射側の両側）２および３と、位相シフト部
４からなる。その上を、厚さ約１μｍのバッファ層（Ｓ
ｉＯ２誘電体層）５で被覆する。バッファ層は、光導波
路構造上を均一に被覆する。その上に、信号電極および
２つの接地電極からなる平面導波（ＣＰＷ）型電極構造
が形成される。この電極構造は長さ２．５ｃｍ、幅７μ
ｍ、厚さ１２μｍのサイズを有している。信号電極と接
地電極との間隔は、１５μｍである。チップの厚さは、
約０．２〜０．８ｍｍとする。取扱いを簡単にし、強度
を補い、ファイバーの取り付けを容易にするために、厚
さ０．５〜５ｍｍの誘電体基板８がチップの下に取り付
けられる。チップの両端部を研磨し、ファイバー／ファ
イバー用コネクタを両側に取り付ける。次に、コネクタ
およびコネクタ用パッケージ９をデバイスに取り付け
る。マイクロ波（電波）がコネクタを介して信号電極に
与えられる。デバイスに光が入射し、出射するのを可能
とするために、デバイスの両側には、ファイバーおよび
ファイバー用パッケージ１２が取り付けられる。誘電体
基板を備えたチップが金属基板１０上に配置され、金属
パッケージ１１内に収容される。
【００１０】この構造において、高次モード伝搬損失が
問題となる。高次モード伝搬によるマイクロ波減衰を低
減するために、理想的な場合には、チップの厚さを０．
２ｍｍ未満に減少させなければならず、チップの上下に
エアギャップを設ける必要がある。この種の構造は、取
扱いや処理が難しく、同時に、このように薄いチップに
ファイバー／ファイバー用コネクタを取り付けるのは困
難である。そこで、上述したように、チップは誘電体基
板上に取り付けられる。しかし、チップの下にエアギャ
ップを有するという条件を満たしていないため、エアギ
ャップを用いる場合に比べると、マイクロ波減衰が増大
してしまう。
問題となる。高次モード伝搬によるマイクロ波減衰を低
減するために、理想的な場合には、チップの厚さを０．
２ｍｍ未満に減少させなければならず、チップの上下に
エアギャップを設ける必要がある。この種の構造は、取
扱いや処理が難しく、同時に、このように薄いチップに
ファイバー／ファイバー用コネクタを取り付けるのは困
難である。そこで、上述したように、チップは誘電体基
板上に取り付けられる。しかし、チップの下にエアギャ
ップを有するという条件を満たしていないため、エアギ
ャップを用いる場合に比べると、マイクロ波減衰が増大
してしまう。
【００１１】先の日本国特許出願、特願平５−８５８１
９において、本発明者らは、端部を除いたすべての部分
を窪ませて（すなわち、スリット構造をもたせて）端部
を除くチップの厚さを０．２ｍｍ未満に保つことによ
り、高次モード伝搬によるマイクロ波減衰を低減するこ
とのできる誘電体基板を設けたデバイスを提案した。し
かし、この場合には、誘電体基板（ガラス基板）は端部
を除いて窪んでいるため、取扱いや処理はやはりある程
度困難であった。
９において、本発明者らは、端部を除いたすべての部分
を窪ませて（すなわち、スリット構造をもたせて）端部
を除くチップの厚さを０．２ｍｍ未満に保つことによ
り、高次モード伝搬によるマイクロ波減衰を低減するこ
とのできる誘電体基板を設けたデバイスを提案した。し
かし、この場合には、誘電体基板（ガラス基板）は端部
を除いて窪んでいるため、取扱いや処理はやはりある程
度困難であった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、チップ
全体にではなく、信号電極近傍のチップの下にエアギャ
ップを設ければ、高次モード伝搬によるマイクロ波減衰
を低減するために十分であることを見出した。
全体にではなく、信号電極近傍のチップの下にエアギャ
ップを設ければ、高次モード伝搬によるマイクロ波減衰
を低減するために十分であることを見出した。
【００１３】この知見に基づき、本発明では、取扱いや
処理ならびにファイバー取り付けが困難であるという上
記問題を解決すると同時に、溝付（信号電極近傍に溝を
集中的に設け、大部分は溝のないままにした）誘電体基
板および金属基板をチップの下に設けることによりチッ
プの下にエアギャップを形成することができる。この構
造によれば、取扱いや処理動作、およびファイバー／フ
ァイバー用コネクタの取り付けを容易にし、同時に、信
号電極の下にエアギャップを設けることができる。
処理ならびにファイバー取り付けが困難であるという上
記問題を解決すると同時に、溝付（信号電極近傍に溝を
集中的に設け、大部分は溝のないままにした）誘電体基
板および金属基板をチップの下に設けることによりチッ
プの下にエアギャップを形成することができる。この構
造によれば、取扱いや処理動作、およびファイバー／フ
ァイバー用コネクタの取り付けを容易にし、同時に、信
号電極の下にエアギャップを設けることができる。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、電気光
学効果を有する結晶基板と、前記結晶基板に設けられた
少なくとも１つの導波路と、所定の誘電率を有するバッ
ファ層と、１つの信号電極と少なくとも１つの接地電極
とによって構成された電極群と、前記結晶基板の下に設
けられた誘電体基板と、前記誘電体基板の下に設けられ
た金属基板とを備えた導波型光デバイスにおいて、前記
誘電体基板と前記金属基板との少なくとも誘電体基板の
前記信号電極の下部に相当する領域には、溝が形成され
ていることを特徴とする導波型光デバイスが得られる。
学効果を有する結晶基板と、前記結晶基板に設けられた
少なくとも１つの導波路と、所定の誘電率を有するバッ
ファ層と、１つの信号電極と少なくとも１つの接地電極
とによって構成された電極群と、前記結晶基板の下に設
けられた誘電体基板と、前記誘電体基板の下に設けられ
た金属基板とを備えた導波型光デバイスにおいて、前記
誘電体基板と前記金属基板との少なくとも誘電体基板の
前記信号電極の下部に相当する領域には、溝が形成され
ていることを特徴とする導波型光デバイスが得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】第１の実施の形態 本発明による基本的な導波型光デバイスの構造を図１に
示す。ここで、図１は本発明の第１の実施の形態に係わ
る導波型光デバイスの平面図であり、図２は、図１のＡ
−Ａ´面に沿うデバイスの横断面図である。また、図３
は、図１の溝付誘電体基板を分離して示している。
示す。ここで、図１は本発明の第１の実施の形態に係わ
る導波型光デバイスの平面図であり、図２は、図１のＡ
−Ａ´面に沿うデバイスの横断面図である。また、図３
は、図１の溝付誘電体基板を分離して示している。
【００１６】電気光学効果を有する結晶基板（例えば、
ニオブ酸リチウム結晶など）１上に、導波路２、３、４
が、幅５〜２０μｍ、厚さ５００〜１２００オングスト
ロームのチタン金属膜ストリップを成膜し、９００〜１
１００℃で５〜１２時間、結晶中に内拡散することによ
り形成されている。すなわち、入射側導波路２および出
射側導波路３として機能する２つのＹ字分岐型導波路
と、位相シフト部４が設けられている。その上を、厚さ
（Ｔ）１〜１０μｍのバッファ層５（誘電率１．２〜４
０の誘電体層）で被覆する。バッファ層５は、光導波路
構造上を均一に被覆する。バッファ層５上に、平面導波
（ＣＰＷ）型電極構造が形成される。この電極構造は信
号電極６と２つの接地電極７とにより構成され、信号電
極は幅（Ｗ）５〜２０μｍ、長さ（Ｌ）１０〜７０ｍ
ｍ、厚さ３〜４０μｍのサイズを有し、他方、接地電極
は幅１００〜９０００μｍ、長さ１０〜７０ｍｍ、厚さ
３〜４０μｍのサイズを有している。信号電極６と接地
電極７との間隔Ｇは、Ｗ／Ｇの値が１〜０．１（すなわ
ちＧ＝５〜２００μｍ）になるような長さに選択され
る。
ニオブ酸リチウム結晶など）１上に、導波路２、３、４
が、幅５〜２０μｍ、厚さ５００〜１２００オングスト
ロームのチタン金属膜ストリップを成膜し、９００〜１
１００℃で５〜１２時間、結晶中に内拡散することによ
り形成されている。すなわち、入射側導波路２および出
射側導波路３として機能する２つのＹ字分岐型導波路
と、位相シフト部４が設けられている。その上を、厚さ
（Ｔ）１〜１０μｍのバッファ層５（誘電率１．２〜４
０の誘電体層）で被覆する。バッファ層５は、光導波路
構造上を均一に被覆する。バッファ層５上に、平面導波
（ＣＰＷ）型電極構造が形成される。この電極構造は信
号電極６と２つの接地電極７とにより構成され、信号電
極は幅（Ｗ）５〜２０μｍ、長さ（Ｌ）１０〜７０ｍ
ｍ、厚さ３〜４０μｍのサイズを有し、他方、接地電極
は幅１００〜９０００μｍ、長さ１０〜７０ｍｍ、厚さ
３〜４０μｍのサイズを有している。信号電極６と接地
電極７との間隔Ｇは、Ｗ／Ｇの値が１〜０．１（すなわ
ちＧ＝５〜２００μｍ）になるような長さに選択され
る。
【００１７】チップは、厚さ０．５〜５ｍｍ、幅０．５
〜２０ｍｍの誘電体基板８上に配置される。誘電体基板
８に、溝が設けられており、溝の厚さは０．５〜５ｍ
ｍ、溝の幅は１０μｍ〜１０ｍｍであり、信号電極下の
領域と、少なくとも信号電極と接地電極との間の間隙に
わたって存在している。チップおよび溝付誘電体基板の
下には、金属基板１０が配置され、金属ボックス／パッ
ケージ１１内に収容されている。
〜２０ｍｍの誘電体基板８上に配置される。誘電体基板
８に、溝が設けられており、溝の厚さは０．５〜５ｍ
ｍ、溝の幅は１０μｍ〜１０ｍｍであり、信号電極下の
領域と、少なくとも信号電極と接地電極との間の間隙に
わたって存在している。チップおよび溝付誘電体基板の
下には、金属基板１０が配置され、金属ボックス／パッ
ケージ１１内に収容されている。
【００１８】更に、コネクタ及びコネクタ用パッケージ
９がデバイスに取り付けられる。マイクロ波（電波）が
コネクタを介して信号電極６に与えられる。デバイスの
両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを可能と
するために、ファイバ及びファイバー用パッケージ１２
が取り付けられている。
９がデバイスに取り付けられる。マイクロ波（電波）が
コネクタを介して信号電極６に与えられる。デバイスの
両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを可能と
するために、ファイバ及びファイバー用パッケージ１２
が取り付けられている。
【００１９】第２の実施の形態 本発明による基本的な導波型光デバイスの構造を図４に
示す。図４は、本発明の第２の実施の形態に係わる導波
型光デバイスの平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ´
面に沿うデバイスの横断面図である。また、図６は、図
４の溝付金属基板を下側に設けた溝付誘電体基板を分離
して示している。
示す。図４は、本発明の第２の実施の形態に係わる導波
型光デバイスの平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ´
面に沿うデバイスの横断面図である。また、図６は、図
４の溝付金属基板を下側に設けた溝付誘電体基板を分離
して示している。
【００２０】電気光学効果を有する結晶基板（例えば、
ニオブ酸リチウム結晶など）１上に、導波路２、３、４
が、幅５〜２０μｍ、厚さ５００〜１２００オングスト
ロームのチタン金属膜ストリップを成膜し、９００〜１
１００℃で５〜１２時間、結晶中に内拡散することによ
り形成されている。すなわち、入射側導波路２および出
射側導波路３として機能する２つのＹ字分岐型導波路
と、位相シフト部４が設けられている。その上を、厚さ
（Ｔ）１〜１０μｍのバッファ層５（誘電率１．２〜４
０の誘電体層）で被覆する。バッファ層５は、光導波路
構造上を均一に被覆する。バッファ層５上に、平面導波
（ＣＰＷ）型電極構造が形成される。この電極構造は信
号電極６と２つの接地電極７とにより構成され、信号電
極は幅（Ｗ）５〜２０μｍ、長さ（Ｌ）１０〜７０ｍ
ｍ、厚さ３〜４０μｍのサイズを有し、他方、接地電極
は幅１００〜９０００μｍ、長さ１０〜７０ｍｍ、厚さ
３〜４０μｍのサイズを有している。信号電極６と接地
電極７との間隔Ｇは、Ｗ／Ｇの値が１〜０．１（すなわ
ちＧ＝５〜２００μｍ）になるような長さに選択され
る。
ニオブ酸リチウム結晶など）１上に、導波路２、３、４
が、幅５〜２０μｍ、厚さ５００〜１２００オングスト
ロームのチタン金属膜ストリップを成膜し、９００〜１
１００℃で５〜１２時間、結晶中に内拡散することによ
り形成されている。すなわち、入射側導波路２および出
射側導波路３として機能する２つのＹ字分岐型導波路
と、位相シフト部４が設けられている。その上を、厚さ
（Ｔ）１〜１０μｍのバッファ層５（誘電率１．２〜４
０の誘電体層）で被覆する。バッファ層５は、光導波路
構造上を均一に被覆する。バッファ層５上に、平面導波
（ＣＰＷ）型電極構造が形成される。この電極構造は信
号電極６と２つの接地電極７とにより構成され、信号電
極は幅（Ｗ）５〜２０μｍ、長さ（Ｌ）１０〜７０ｍ
ｍ、厚さ３〜４０μｍのサイズを有し、他方、接地電極
は幅１００〜９０００μｍ、長さ１０〜７０ｍｍ、厚さ
３〜４０μｍのサイズを有している。信号電極６と接地
電極７との間隔Ｇは、Ｗ／Ｇの値が１〜０．１（すなわ
ちＧ＝５〜２００μｍ）になるような長さに選択され
る。
【００２１】チップは、厚さ０．５〜５ｍｍ、幅０．５
〜２０ｍｍの誘電体基板８上に配置される。誘電体基板
８に、溝が設けられており、溝の厚さは０．５〜５ｍ
ｍ、溝の幅は１０μｍ〜１０ｍｍであり、信号電極下の
領域と、少なくとも信号電極と接地電極との間の間隙に
わたって存在している。チップおよび溝付誘電体基板の
下には、溝付金属基板１０が配置され、金属ボックス／
パッケージ１１内に収容されている。溝付金属基板１０
は、上述の溝付誘電体（ガラス）基板と同様に形成され
る。溝付金属基板を設けるという考えに基づき、エアギ
ャップをさらに拡大して、高次モード伝搬によるマイク
ロ波減衰をさらに改善することである。
〜２０ｍｍの誘電体基板８上に配置される。誘電体基板
８に、溝が設けられており、溝の厚さは０．５〜５ｍ
ｍ、溝の幅は１０μｍ〜１０ｍｍであり、信号電極下の
領域と、少なくとも信号電極と接地電極との間の間隙に
わたって存在している。チップおよび溝付誘電体基板の
下には、溝付金属基板１０が配置され、金属ボックス／
パッケージ１１内に収容されている。溝付金属基板１０
は、上述の溝付誘電体（ガラス）基板と同様に形成され
る。溝付金属基板を設けるという考えに基づき、エアギ
ャップをさらに拡大して、高次モード伝搬によるマイク
ロ波減衰をさらに改善することである。
【００２２】更に、コネクタ及びコネクタ用パッケージ
９がデバイスに取り付けられる。マイクロ波（電波）が
コネクタを介して信号電極６に与えられる。デバイスの
両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを可能と
するために、ファイバ及びファイバー用パッケージ１２
が取り付けられている。
９がデバイスに取り付けられる。マイクロ波（電波）が
コネクタを介して信号電極６に与えられる。デバイスの
両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを可能と
するために、ファイバ及びファイバー用パッケージ１２
が取り付けられている。
【００２３】第３の実施の形態 本発明による基本的な導波型光デバイスの構造を図７に
示す。図７は、本発明の第３の実施の形態に係わる導波
型光デバイスの平面図であり、図８は、図７のＡ−Ａ´
面に沿うデバイスの横断面図である。また、図９は、図
７の溝付誘電体基板を分離して示している。
示す。図７は、本発明の第３の実施の形態に係わる導波
型光デバイスの平面図であり、図８は、図７のＡ−Ａ´
面に沿うデバイスの横断面図である。また、図９は、図
７の溝付誘電体基板を分離して示している。
【００２４】電気光学効果を有する結晶基板（例えば、
ニオブ酸リチウム結晶など）１上に、導波路２、３、４
が、幅５〜２０μｍ、厚さ５００〜１２００オングスト
ロームのチタン金属膜ストリップを成膜し、９００〜１
１００℃で５〜１２時間、結晶中に内拡散することによ
り形成されている。すなわち、入射側導波路２および出
射側導波路３として機能する２つのＹ字分岐型導波路
と、位相シフト部４が設けられている。その上を、厚さ
（Ｔ）１〜１０μｍのバッファ層５（誘電率１．２〜４
０の誘電体層）で被覆する。バッファ層５は、光導波路
構造上を均一に被覆する。バッファ層５上に、非対称平
面ストリップ（ＡＣＰＳ）型（または非対称ストリップ
ライン（ＡＳＬ））型電極構造が形成される。これは、
幅（Ｗ）５〜２０μｍ、長さ（Ｌ）１０〜７０ｍｍ、厚
さ３〜４０μｍの信号電極６と、幅１００〜９０００μ
ｍ、長さ１０〜７０ｍｍ、厚さ３〜４０μｍの単一の接
地電極７からなる。信号電極６と接地電極７との間隔Ｇ
は、Ｗ／Ｇの値が１〜０．１（すなわちＧ＝５〜２００
μｍ）になるような長さに選択される。
ニオブ酸リチウム結晶など）１上に、導波路２、３、４
が、幅５〜２０μｍ、厚さ５００〜１２００オングスト
ロームのチタン金属膜ストリップを成膜し、９００〜１
１００℃で５〜１２時間、結晶中に内拡散することによ
り形成されている。すなわち、入射側導波路２および出
射側導波路３として機能する２つのＹ字分岐型導波路
と、位相シフト部４が設けられている。その上を、厚さ
（Ｔ）１〜１０μｍのバッファ層５（誘電率１．２〜４
０の誘電体層）で被覆する。バッファ層５は、光導波路
構造上を均一に被覆する。バッファ層５上に、非対称平
面ストリップ（ＡＣＰＳ）型（または非対称ストリップ
ライン（ＡＳＬ））型電極構造が形成される。これは、
幅（Ｗ）５〜２０μｍ、長さ（Ｌ）１０〜７０ｍｍ、厚
さ３〜４０μｍの信号電極６と、幅１００〜９０００μ
ｍ、長さ１０〜７０ｍｍ、厚さ３〜４０μｍの単一の接
地電極７からなる。信号電極６と接地電極７との間隔Ｇ
は、Ｗ／Ｇの値が１〜０．１（すなわちＧ＝５〜２００
μｍ）になるような長さに選択される。
【００２５】チップは、厚さ０．５〜５ｍｍ、幅０．５
〜２０ｍｍの誘電体基板８上に配置される。誘電体基板
８に、溝が設けられており、溝の厚さは０．５〜５ｍ
ｍ、溝の幅は１０μｍ〜１０ｍｍであり、信号電極下の
領域と、少なくとも信号電極と接地電極との間の間隙に
わたって存在している。チップおよび溝付誘電体基板の
下には、金属基板１０が配置され、金属ボックス／パッ
ケージ１１内に収容される。
〜２０ｍｍの誘電体基板８上に配置される。誘電体基板
８に、溝が設けられており、溝の厚さは０．５〜５ｍ
ｍ、溝の幅は１０μｍ〜１０ｍｍであり、信号電極下の
領域と、少なくとも信号電極と接地電極との間の間隙に
わたって存在している。チップおよび溝付誘電体基板の
下には、金属基板１０が配置され、金属ボックス／パッ
ケージ１１内に収容される。
【００２６】更に、コネクタ及びコネクタ用パッケージ
９がデバイスに取り付けられる。マイクロ波（電波）が
コネクタを介して信号電極６に与えられる。デバイスの
両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを可能と
するために、ファイバ及びファイバー用パッケージ１２
が取り付けられている。
９がデバイスに取り付けられる。マイクロ波（電波）が
コネクタを介して信号電極６に与えられる。デバイスの
両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを可能と
するために、ファイバ及びファイバー用パッケージ１２
が取り付けられている。
【００２７】第４の実施の形態 本発明による基本的な導波型光デバイスの構造を図１０
に示す。図１０は、本発明の第４の実施の形態に係わる
導波型光デバイスの平面図であり、図１１は、図１０の
Ａ−Ａ´面に沿うデバイスの横断面図である。また、図
１２は、図１０の溝付金属基板を下側に設けた溝付誘電
体基板を分離して示している。
に示す。図１０は、本発明の第４の実施の形態に係わる
導波型光デバイスの平面図であり、図１１は、図１０の
Ａ−Ａ´面に沿うデバイスの横断面図である。また、図
１２は、図１０の溝付金属基板を下側に設けた溝付誘電
体基板を分離して示している。
【００２８】電気光学効果を有する結晶基板（例えば、
ニオブ酸リチウム結晶など）１上に、導波路２、３、４
が、幅５〜２０μｍ、厚さ５００〜１２００オングスト
ロームのチタン金属膜ストリップを成膜し、９００〜１
１００℃で５〜１２時間、結晶中に内拡散することによ
り形成されている。すなわち、入射側導波路２および出
射側導波路３として機能する２つのＹ字分岐型導波路
と、位相シフト部４が設けられている。その上を、厚さ
（Ｔ）１〜１０μｍのバッファ層５（誘電率１．２〜４
０の誘電体層）で被覆する。バッファ層５は、光導波路
構造上を均一に被覆する。バッファ層５上に、非対称平
面ストリップ（ＡＣＰＳ）型（または非対称ストリップ
ライン（ＡＳＬ））型電極構造が形成される。これは、
幅（Ｗ）５〜２０μｍ、長さ（Ｌ）１０〜７０ｍｍ、厚
さ３〜４０μｍの信号電極６と、幅１００〜９０００μ
ｍ、長さ１０〜７０ｍｍ、厚さ３〜４０μｍの単一の接
地電極７からなる。信号電極６と接地電極７との間隔Ｇ
は、Ｗ／Ｇの値が１〜０．１（すなわちＧ＝５〜２００
μｍ）になるような長さに選択される。
ニオブ酸リチウム結晶など）１上に、導波路２、３、４
が、幅５〜２０μｍ、厚さ５００〜１２００オングスト
ロームのチタン金属膜ストリップを成膜し、９００〜１
１００℃で５〜１２時間、結晶中に内拡散することによ
り形成されている。すなわち、入射側導波路２および出
射側導波路３として機能する２つのＹ字分岐型導波路
と、位相シフト部４が設けられている。その上を、厚さ
（Ｔ）１〜１０μｍのバッファ層５（誘電率１．２〜４
０の誘電体層）で被覆する。バッファ層５は、光導波路
構造上を均一に被覆する。バッファ層５上に、非対称平
面ストリップ（ＡＣＰＳ）型（または非対称ストリップ
ライン（ＡＳＬ））型電極構造が形成される。これは、
幅（Ｗ）５〜２０μｍ、長さ（Ｌ）１０〜７０ｍｍ、厚
さ３〜４０μｍの信号電極６と、幅１００〜９０００μ
ｍ、長さ１０〜７０ｍｍ、厚さ３〜４０μｍの単一の接
地電極７からなる。信号電極６と接地電極７との間隔Ｇ
は、Ｗ／Ｇの値が１〜０．１（すなわちＧ＝５〜２００
μｍ）になるような長さに選択される。
【００２９】チップは、厚さ０．５〜５ｍｍ、幅０．５
〜２０ｍｍの誘電体基板８上に配置される。誘電体基板
８に、溝が設けられており、溝の厚さは０．５〜５ｍ
ｍ、溝の幅は１０μｍ〜１０ｍｍであり、信号電極下の
領域と、少なくとも信号電極と接地電極との間の間隙に
わたって存在している。チップおよび溝付誘電体基板の
下には、溝付金属基板１０が配置され、金属ボックス／
パッケージ１１内に収容されている。溝付金属基板１０
は、上述の溝付誘電体（ガラス）基板と同様に形成され
る。溝付金属基板を設けるという考えに基づき、エアギ
ャップをさらに拡大して、高次モード伝搬によるマイク
ロ波減衰をさらに改善することである。
〜２０ｍｍの誘電体基板８上に配置される。誘電体基板
８に、溝が設けられており、溝の厚さは０．５〜５ｍ
ｍ、溝の幅は１０μｍ〜１０ｍｍであり、信号電極下の
領域と、少なくとも信号電極と接地電極との間の間隙に
わたって存在している。チップおよび溝付誘電体基板の
下には、溝付金属基板１０が配置され、金属ボックス／
パッケージ１１内に収容されている。溝付金属基板１０
は、上述の溝付誘電体（ガラス）基板と同様に形成され
る。溝付金属基板を設けるという考えに基づき、エアギ
ャップをさらに拡大して、高次モード伝搬によるマイク
ロ波減衰をさらに改善することである。
【００３０】更に、コネクタ及びコネクタ用パッケージ
９がデバイスに取り付けられる。マイクロ波（電波）が
コネクタを介して信号電極６に与えられる。デバイスの
両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを可能と
するために、ファイバ及びファイバー用パッケージ１２
が取り付けられている。
９がデバイスに取り付けられる。マイクロ波（電波）が
コネクタを介して信号電極６に与えられる。デバイスの
両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを可能と
するために、ファイバ及びファイバー用パッケージ１２
が取り付けられている。
【００３１】
【発明の効果】本発明では信号電極及び接地電極のよう
な電極の下部に位置する誘電体基板及び金属基板の少く
とも一方に、溝を形成することにより、マイクロ波の減
衰、特に、高次モードのマイクロ波減衰を低減できる。
な電極の下部に位置する誘電体基板及び金属基板の少く
とも一方に、溝を形成することにより、マイクロ波の減
衰、特に、高次モードのマイクロ波減衰を低減できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による導波型光デバ
イスの基本構成を示す平面図である。
イスの基本構成を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ´線に沿う断面図である。
【図３】図１の溝付誘電体基板を分離して示した図であ
る。
る。
【図４】本発明の第２の実施の形態による導波型光デバ
イスの基本構成を示す平面図である。
イスの基本構成を示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ´線に沿う断面図である。
【図６】図４の溝付誘電体基板を分離して示した図であ
る。
る。
【図７】本発明の第３の実施の形態による導波型光デバ
イスの基本構成を示す平面図である。
イスの基本構成を示す平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ´線に沿う断面図である。
【図９】図７の溝付誘電体基板を分離して示した図であ
る。
る。
【図１０】本発明の第４の実施の形態による導波型光デ
バイスの基本構成を示す平面図である。
バイスの基本構成を示す平面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ´線に沿う断面図である。
【図１２】図１０の溝付誘電体基板を分離して示した図
である。
である。
【図１３】（ａ）は従来の導波型光デバイスの基本構成
を示す平面図である。（ｂ）は図１３（ａ）のＡ−Ａ´
線に沿う断面図である。
を示す平面図である。（ｂ）は図１３（ａ）のＡ−Ａ´
線に沿う断面図である。
１ 電気光学結晶 ２ 入射側Ｙ字型導波路 ３ 出射側Ｙ字型導波路 ４ 位相シフト部 ５ バッファ層 ６ 信号電極 ７ 接地電極 ８ ガラス基板 ９ コネクタ及びコネクタ用パッケージ／マウント １０ 金属基板 １１ 金属ボックス（パッケージ） １２ ファイバ及びファイバ用パッケージ（コネクタ）
Claims (5)
- 【請求項１】 電気光学効果を有する結晶基板と、前記
結晶基板に設けられた少なくとも１つの導波路と、所定
の誘電率を有するバッファ層と、１つの信号電極と少な
くとも１つの接地電極とによって構成された電極群と、
前記結晶基板の下に設けられた誘電体基板と、前記誘電
体基板の下に設けられた金属基板とを備えた導波型光デ
バイスにおいて、前記誘電体基板と前記金属基板との少
なくとも誘電体基板の前記信号電極の下部に相当する領
域には、溝が形成されていることを特徴とする導波型光
デバイス。 - 【請求項２】 電気光学効果を有する結晶基板と、前記
結晶基板に設けられた少なくとも１つの導波路と、バッ
ファ層（１．１〜４０の誘電率を有する）と、１つの信
号電極と前記信号電極を囲む２つの接地電極からなる電
極群と、前記結晶基板の下に設けられた溝付誘電体基板
と、前記誘電体基板の下に設けられた金属基板と、前記
金属基板を囲む金属ボックス（パッケージ）と、コネク
タ及びコネクタ用パッケージ／マウントと、前記光導波
路の両端に取り付けられたファイバ及びファイバパッケ
ージとを有することを特徴とする導波型光デバイス。 - 【請求項３】 電気光学効果を有する結晶基板と、前記
結晶基板に設けられた少なくとも１つの導波路と、バッ
ファ層（１．１〜４０の誘電率を有する）と、１つの信
号電極と前記信号電極を囲む２つの接地電極からなる電
極群と、前記結晶基板の下に設けられた溝付誘電体基板
と、前記誘電体基板の下に設けられた溝付金属基板と、
前記金属基板を囲む金属ボックス（パッケージ）と、コ
ネクタ及びコネクタ用パッケージ／マウントと、前記光
導波路の両端に取り付けられたファイバ及びファイバパ
ッケージとを有することを特徴とする導波型光デバイ
ス。 - 【請求項４】 電気光学効果を有する結晶基板と、前記
結晶基板に設けられた少なくとも１つの導波路と、バッ
ファ層（１．１〜４０の誘電率を有する）と、１つの信
号電極と１つの接地電極からなる電極群と、前記結晶基
板の下に設けられた溝付誘電体基板と、前記誘電体基板
の下に設けられた金属基板と、前記金属基板を囲む金属
ボックス（パッケージ）と、コネクタ及びコネクタ用パ
ッケージ／マウントと、前記光導波路の両端に取り付け
られたファイバ及びファイバパッケージとを有すること
を特徴とする導波型光デバイス。 - 【請求項５】 電気光学効果を有する結晶基板と、前記
結晶基板に設けられた少なくとも１つの導波路と、バッ
ファ層（１．１〜４０の誘電率を有する）と、１つの信
号電極と１つの接地電極からなる電極群と、前記結晶基
板の下に設けられた溝付誘電体基板と、前記誘電体基板
の下に設けられた溝付金属基板と、前記金属基板を囲む
金属ボックス（パッケージ）と、コネクタ及びコネクタ
用パッケージ／マウントと、前記光導波路の両端に取り
付けられたファイバ及びファイバパッケージとを有する
ことを特徴とする導波型光デバイス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29671596A JPH10142567A (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 導波型光デバイス |
| US08/966,698 US5991491A (en) | 1996-11-08 | 1997-11-10 | Optical waveguide type device for reducing microwave attenuation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29671596A JPH10142567A (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 導波型光デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10142567A true JPH10142567A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17837154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29671596A Pending JPH10142567A (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 導波型光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10142567A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7035485B2 (en) | 2001-11-16 | 2006-04-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide device, and a travelling wave form optical modulator |
| US7397974B2 (en) | 2001-08-01 | 2008-07-08 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulator |
| JP2008250258A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光制御素子 |
| JP2009145695A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Anritsu Corp | 光変調器 |
| JP2017067856A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 住友大阪セメント株式会社 | 光デバイス |
| JP2019517761A (ja) * | 2016-06-06 | 2019-06-24 | オクラロ テクノロジー リミテッド | 最適化されたｒｆ入力部 |
-
1996
- 1996-11-08 JP JP29671596A patent/JPH10142567A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7397974B2 (en) | 2001-08-01 | 2008-07-08 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulator |
| US7035485B2 (en) | 2001-11-16 | 2006-04-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide device, and a travelling wave form optical modulator |
| JP2008250258A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光制御素子 |
| JP4589354B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-12-01 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調素子 |
| JP2009145695A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Anritsu Corp | 光変調器 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A02 | Decision of refusal |
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