JP2848454B2 - 導波型光デバイス - Google Patents
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Description
イッチングネットワーク、光情報処理、光画像処理な
ど、各種光システムに用いられる、導波型光変調器や導
波型光スイッチなどに関する。
は、高速光通信、光スイッチングネットワーク、光情報
処理、光画像処理など、各種光システムを実現する上で
非常に重要な要素となるものである。導波型光変調器
は、さまざまな製造方法により、注目される数種の基板
上に形成される。しかしながら、導波型光デバイスの研
究の大半は、LiNbO3や半導体(たとえばGaAs
系の)基板に関するものである。LiNbO3へのチタ
ンの内拡散法によれば、良好な電気光学特性を備えた低
損失ストリップ状導波路を基板に形成するための、便利
で比較的簡単な方法が得られる。導波型光変調器の重要
なパラメータは、駆動電力(あるいは駆動電圧)と、変
調帯域幅と、挿入損失である。これらのパラメータのう
ち、変調帯域幅と駆動電圧とはトレード・オフの関係に
あった。すなわち、広い変調帯域幅と低い駆動電圧に対
する要請を、同時に満足することは困難であった。そこ
で、導波型光変調器の研究は、このトレード・オフの関
係を最適化することに集中している。
種類・材料・配置と、基板の誘電率に依存する。広帯域
の用途には、進行波電極が広く用いられている。その概
念は、電極を駆動伝送線路の延長として構成することで
ある。そのため、電極の特性インピーダンスは、電源お
よびケーブルの特性インピーダンスと同じでなくてはな
らない。この場合の変調速度は、光波およびマイクロ波
の走行時間(または位相速度または有効屈折率)の差に
より制限される。用い得る進行波電極構造としては、1)
非対称ストリップライン(Asymmetric St
rip Line(以下、ASLと略称する))型また
は非対称平面ストリップ(Asymmetric Co
planar Strip(以下、ACPSと略称す
る))型電極構造と、2)平面導波(Coplanar
Waveguides(以下、CPWと略称する))型
電極構造の2種類がある。
ダ干渉計)およびCPW電極構造を備えたマッハ・ツェ
ンダ干渉計光変調器の基本構成(すなわち従来技術の構
成)を示している。図32は、図31のA−A´線に沿
う断面図である。図33は、図31の光導波路構造(マ
ッハ・ツェンダ干渉計)の層を分離して示し、図34
は、図31のCPW電極構造の層を分離して示してい
る。電気光学効果を有する結晶基板1上に、光導波路
2、3、4が、チタン金属膜ストリップを成膜し結晶中
に内拡散することにより形成される。光導波路構造は、
2つのY字分岐結合導波路(入射側および出射側の両側
にあって、入射側では電力分配器として、出射側では結
合器として機能する)2および3と、マッハ・ツェンダ
干渉計の2本のアームからなる位相シフト導波路構造4
から構成される。その上には、均一の厚さを有するバッ
ファ層5(誘電体層、例えば、SiO2層)が被覆され
る。バッファ層5上に、信号電極6および2つの接地電
極7からなる平面導波路(CPW)型電極構造が形成さ
れる。入射側および出射側には、ファイバ/ファイバ用
マウント9が取り付けられ、光学的フィールドが形成さ
れ、光はこのマウント9を通過して入射側および出射側
Y字分岐型導波路に入力/出力する。コネクタ及びコネ
クタ用パッケージ/マウント8がデバイスに取り付けら
れている。マイクロ波(電波)がコネクタを介して信号
電極上に与えられる。
部分(光波)に分割された入射光波は、位相シフト導波
路構造の2本のアーム内を伝搬する。2本のアーム間に
位相シフトが与えられない場合には(すなわち、外部電
圧が印加されない場合には)、2つの光波は同位相で結
合され、出射側Y字分岐導波路内に弱まることなく伝搬
する。外部電圧を印加することにより、位相シフトπが
2つの光波間に与えられた場合には、2つの光波は、出
射側Y字分岐導波路内で相殺的干渉を受け、光出力強度
(すなわち、出力側において送出される光)は、最小値
または0となる。このように、外部電圧の印加は、光波
の「オン」「オフ」状態を導き、このことは、切替また
は変調動作として考えることができる。
よいし、あるいは、広帯域の用途には、ASL電極構造
(2つの電極からなる)およびCPW電極構造(3つの
電極からなる)のいずれかの進行波電極構造が用いられ
ている。
光波およびマイクロ波の速度不整合nm−noにより制
限される。速度不整合(および特性インピーダンス)を
抑制するには、バッファ層パラメータおよび電極パラメ
ータ、特に、信号電極の幅と、信号電極と接地電極(A
CPS型電極構造の場合には1つ、CPW型電極構造の
場合には複数の接地電極)の間隔とを最適化すればよ
い。
の帯域幅は、電極構造によるマイクロ波減衰により制限
される。
するために、さまざまな手法及び設計が報告されてい
る。以下に、そのいくつかの例を示す。 1.「Waveguide electrooptic
modulators(導波路型電気光学変調器)」
(IEEE Transactions onMicr
owave Theory and Techniqu
es,Vol.MTT−30,No.8(1982
年),1121〜1137頁) 2.「Traveling−wave electro
−optic modulator with max
imum bandwidth−lengthprod
uct(帯域幅−長さの積を最大化した進行波電気光学
変調器)」(Applied Physics Let
ters,Vol.45,No.11(1984年),
1168〜1170頁) 3.「Optical intensity modu
lator to 40GHz using a wa
veguide electroopticswitc
h(導波路型電気光学スイッチを用いる40GHzの光
学強度変調器)」(Applied Physics
Letters,Vol.50,No.23(1987
年),1631〜1633頁) 4.「New traveling−wave ele
ctrode Mach−Zehnder optic
al modulator with 20 GHz
bandwidth and 4.7 V drivi
ng voltage at 1.552 μm(1.
552μmにおいて帯域幅20GHzと駆動電圧4.7
Vを有する新規な進行波電極マッハ・ツェンダ光変調
器)」(Electronics Letters,V
ol.25,No.20(1989年),1382〜1
383頁) 5.「20 GHz 3−dB−bandwidth
Ti:LiNbO3 Mach−Zehnder mo
dulator(3−dB−帯域幅が20GHzのT
i:LiNbO3マッハ・ツェンダ変調器)」(Pro
ceedingsof the conference
ECOC´90,Post deadline se
ssion) 本発明者らは、また、厚い従来のCPW型電極構造を用
いて、広帯域で、しかも比較的駆動電圧の低い光変調器
を実現した。これは、「A wide−band T
i:LiNbO3 optical modulato
r with aconventional copl
anar waveguide type elect
rode(従来の平面導波型電極を備えた、広帯域T
I:LiNbO3光変調器)」と題する論文(IEEE
Photonics Technology Let
ters、第4巻第9号(1992年)、1020〜1
022頁)に開示されている。本発明者らは、種々の電
極およびバッファ層のパラメータを最適化することによ
り、電極長2.5cmに対して帯域幅20GHz、駆動
電圧5Vを達成し、完璧に近い速度整合を実現した。駆
動電圧に悪影響を与えずに帯域幅をさらに広げるために
は、マイクロ波減衰を低減させる必要もある。
分岐部と、出射側Y字分岐部と、干渉計部の2本のアー
ムを含む光導波路は、伝搬方向、この場合は、Y方向
(図33)にすべて平行に形成される。特に、入射側Y
字分岐導波路および出射側Y字分岐導波路は直線的に形
成されており、光波を一方の端部から他方の端部に通過
させることができる。一方、信号電極(またはストリッ
プラインと呼ばれる)の一部と接地電極は、マッハ・ツ
ェンダ干渉計の2本のアーム上に配置されると共に、他
の部分は90°だけ曲げられ、導波路(すなわちY軸)
に垂直に配置されたコネクタに接続されている。このよ
うに、コネクタを介するマイクロ波接続を容易にするた
めに、光導波路は直線経路を形成し、電極は屈曲されて
いる。
衰は、以下の事象によって引き起こされる。
ファ層のパラメータなどの関数であるストリップライン
導体の損失、 b.LiNbO3基板の誘電率およびtanδ(損失タ
ンジェント)の関数である誘電損失、 c.高次モード伝搬による損失、 d.ストリップラインの曲りおよびテーパ状になること
による損失、 e.50Ωの光源および負荷とのインピーダンス不整合
による損失、 f.コネクタ/ストリップライン(信号電極)コンタク
トにおける損失を含む搭載パッケージ、および外側パッ
ケージによる損失。
より、マイクロ波減衰を抑制することを試みた。本発明
者らは、ストリップラインの屈曲による損失は少なから
ぬものであり、さらにこの損失を低減する必要があると
いうことを見出した。理想的には、屈曲を避けたほうが
好ましく、実際には、屈曲のない電極構造(図4)に示
すものと同様な)がマイクロ波減衰値を低減させること
を見出だした。
のない電極構造を形成することは、実現不可能である。
その理由は、特性やコストの要件を保ちながら、大きさ
や配置、及び、市販のコネクタによって定められる要
件、信頼性のための気密シール要件などを含むその他の
パッケージ条件により、ファイバ/ファイバ用パッケー
ジを同じ側にコネクタパッケージと同一の側面に配置す
ることは非常に難しいからである。
減衰を大幅に低減し帯域幅を制限した屈曲のない電極構
造を与えると共に、ファイバ/ファイバ用パッケージと
コネクタ/コネクタ用パッケージを異なる軸上に配置す
ることを可能とする。このため、本発明においては、適
切かつ最適な導波路構造により導波路屈曲損失を最小化
しつつ導波路構造に屈曲を設けることによって、電極構
造の屈曲という上記問題を解決する。これにより、導波
路伝搬損失を最小化した非常に広い帯域幅(40〜10
0GHz程度)を達成することができる。
ァイバ用パッケージとコネクタ/コネクタ用パッケージ
を介して、光波およびマイクロ波が容易に入力できる。
学効果を有する結晶基板と、前記結晶基板に設けられた
位相シフト部と入射側Y字型導波路および出射側Y字型
導波路からなる導波路群と、前記結晶基板上に形成され
たバッファ層と、1つの信号電極と少なくとも一つの接
地電極からなる電極群とを備え、前記位相シフト部は伝
搬軸(例えばY軸)と平行に設けられ、前記入射側Y字
型導波路および前記出射側Y字型導波路は伝搬方向を交
差する方向に設けられており、前記電極構造の内、少な
くとも前記信号電極は、伝搬方向と平行になるように構
成されており、当該信号電極の両端には前記伝搬方向と
平行に位置付けられたコネクタ部が備えられていること
を特徴とする導波型光デバイスが得られる。
示す。
含む、全体の構造図である。図2は、図1の位相シフト
位置におけるデバイスの断面図である。図3は、図1の
電極構造を取り除いて、光導波路構造のみを詳細に示し
ている。図4は、同様に、図1の電極構造のみを詳細に
示している。
する結晶基板1上に、導波路2、3、4が、幅5〜20
μm、厚さ500〜1200オングストロームのチタン
金属膜ストリップを成膜し、900〜1100℃で5〜
12時間、結晶中に内拡散することにより形成されてい
る。すなわち、入射側導波路2および出射側導波路3と
して機能する2つのY字分岐型導波路と、位相シフト部
4が設けられている。位相シフト部は伝搬軸(例えばY
軸)と平行に設けられる。入射側Y字型導波路および出
射側Y字型導波路はY軸に垂直に、すなわち、X軸に平
行に直線的に折り曲げられ、入射側および出射側Y字型
導波路の両方が同じ側に位置するように構成されてい
る。その上に、厚さ(T)1〜10μmのバッファ層5
(誘電率1.2〜40の誘電体層)が被覆される。バッ
ファ層5上に、平面導波(CPW)型電極構造が形成さ
れる。この電極構造は信号電極6と2つの接地電極7と
により構成され、信号電極は幅(W)5〜20μm、長
さ(L)10〜70mm、厚さ3〜40μmのサイズを
有し、他方、接地電極は幅100〜9000μm、長さ
10〜70mm、厚さ3〜40μmのサイズを有してい
る。信号電極6と接地電極7との間隔Gは、W/Gの値
が1〜0.1(すなわちG=5〜200μm)になるよ
うな長さに選択される。接地電極は、ファイバ/ファイ
バ用コネクタの入口部および出口部にギャップを設けて
対称的に形成され、他方においても同様の対称的なギャ
ップを設けて構成されている。電極構造は、信号電極お
よび接地電極がテーパ部と共に、伝搬方向と平行になる
ように形成されている。
8がデバイスに取り付けられる。この電極構造は、従来
構造のような屈曲部を有していない。マイクロ波(電
波)がコネクタを介して信号電極6に与えられる。デバ
イスの両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを
可能とするために、ファイバ及びファイバ用パッケージ
9は、コネクタ用パッケージ8に対して垂直な方向にお
いて、両方とも同じ側に取り付けられている。
示す。
含む、全体構造図である。図6は、図5の位相シフト位
置におけるデバイスの断面図である。図7は、図5の電
極構造を取り除いて、光導波路構造のみを詳細に示して
いる。図8は、同様に、図5の電極構造のみを詳細に示
している。
する結晶基板1上に、導波路2、3、4が、幅5〜20
μm、厚さ500〜1200オングストロームのチタン
金属膜ストリップを成膜し、900〜1100℃で5〜
12時間、結晶中に内拡散することにより形成されてい
る。すなわち、入射側導波路2および出射側導波路3と
して機能する2つのY字分岐型導波路と、位相シフト部
4が設けられている。位相シフト部は伝搬軸(例えばY
軸)と平行に設けられる。入射側Y字型導波路および出
射側Y字型導波路はY軸に垂直に、すなわち、X軸に平
行に直線的に折り曲げられ、入射側および出射側Y字型
導波路が互いに反対側に位置するように構成されてい
る。その上に、厚さ(T)1〜10μmのバッファ層5
(誘電率1.2〜40の誘電体層)が被覆される。バッ
ファ層5上に、平面導波(CPW)型電極構造が形成さ
れる。この電極構造は信号電極6と2つの接地電極7と
により構成され、信号電極は幅(W)5〜20μm、長
さ(L)10〜70mm、厚さ3〜40μmのサイズを
有し、他方、接地電極は幅100〜9000μm、長さ
10〜70mm、厚さ3〜40μmのサイズを有してい
る。信号電極6と接地電極7との間隔Gは、W/Gの値
が1〜0.1(すなわちG=5〜200μm)になるよ
うな長さに選択される。接地電極は、ファイバ/ファイ
バ用コネクタの入口部および出口部にギャップを設けて
対称的に形成され、他方においても同様の対称的なギャ
ップを設けて構成されている(図4に示された接地電極
と同様)。電極構造は、信号電極および接地電極がテー
パ部と共に、伝搬方向と平行になるように形成されてい
る。
8がデバイスに取り付けられる。この電極構造は、従来
構造のような屈曲部を有していない。マイクロ波(電
波)がコネクタを介して信号電極6に与えられる。デバ
イスの両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを
可能とするために、ファイバ及びファイバ用パッケージ
9は、コネクタ用パッケージ8に対して垂直な方向にお
いて、両方とも同じ側に取り付けられている。
示す。
含む、全体の構造図である。図10は、図9の位相シフ
ト位置におけるデバイスの断面図である。図11は、図
9の電極構造を取り除いて、光導波路構造のみを詳細に
示している。図12は、同様に、図9の電極構造のみを
詳細に示している。
する結晶基板1上に、導波路2、3、4が、幅5〜20
μm、厚さ500〜1200オングストロームのチタン
金属膜ストリップを成膜し、900〜1100℃で5〜
12時間、結晶中に内拡散することにより形成されてい
る。すなわち、入射側導波路2および出射側導波路3と
して機能する2つのY字分岐型導波路と、位相シフト部
4が設けられている。位相シフト部は伝搬軸(例えばY
軸)と平行に設けられる。入射側Y字型導波路および出
射側Y字型導波路はY軸に垂直に、すなわち、X軸に平
行に直線的に折り曲げられ、入射側および出射側Y字型
導波路が互いに反対側に位置するように構成されてい
る。その上に、厚さ(T)1〜10μmのバッファ層5
(誘電率1.2〜40の誘電体層)が被覆される。バッ
ファ層5上に、平面導波(CPW)型電極構造が形成さ
れる。この電極構造は信号電極6と2つの接地電極7と
により構成され、信号電極は幅(W)5〜20μm、長
さ(L)10〜70mm、厚さ3〜40μmのサイズを
有し、他方、接地電極は幅100〜9000μm、長さ
10〜70mm、厚さ3〜40μmのサイズを有してい
る。信号電極6と接地電極7との間隔Gは、W/Gの値
が1〜0.1(すなわちG=5〜200μm)になるよ
うな長さに選択される。接地電極は、相互に対称である
とともにその一方においてファイバ/ファイバ用コネク
タの入口部にギャップを設け、他方においてファイバ/
ファイバ用コネクタの出口部にギャップを設けて構成さ
れている。電極構造は、信号電極および接地電極がテー
パ部と共に、伝搬方向と平行になるように形成されてい
る。
8がデバイスに取り付けられる。この電極構造は、従来
構造のような屈曲部を有していない。マイクロ波(電
波)がコネクタを介して信号電極6に与えられる。デバ
イスの両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを
可能とするために、ファイバ及びファイバ用パッケージ
9は、コネクタ用パッケージ8に対して垂直な方向にお
いて、両方とも同じ側に取り付けられている。
に示す。
を含む、全体構造図である。図14は、図13の位相シ
フト位置におけるデバイスの断面図である。図15は、
図13の電極構造を取り除いて、光導波路構造のみを詳
細に示している。図16は、同様に、図13の電極構造
のみを詳細に示している。
する結晶基板1上に、導波路2、3、4が、幅5〜20
μm、厚さ500〜1200オングストロームのチタン
金属膜ストリップを成膜し、900〜1100℃で5〜
12時間、結晶中に内拡散することにより形成されてい
る。すなわち、入射側導波路2および出射側導波路3と
して機能する2つのY字分岐型導波路と、位相シフト部
4が設けられている。位相シフト部は伝搬軸(例えばY
軸)と平行になるように形成される。入射側Y字型導波
路および出射側Y字型導波路は、導波路伝搬損失を低減
するために、Y軸に垂直に、すなわち、X軸に平行に湾
曲した導波路湾曲部を用いて曲げられ、入射側および出
射側Y字型導波路の両方が同じ側に位置するように構成
されている。その上に、厚さ(T)1〜10μmのバッ
ファ層5(誘電率1.2〜40の誘電体層)が被覆され
る。バッファ層5上に、平面導波(CPW)型電極構造
が形成される。この電極構造は信号電極6と2つの接地
電極7とにより構成され、信号電極は幅(W)5〜20
μm、長さ(L)10〜70mm、厚さ3〜40μmの
サイズを有し、他方、接地電極は幅100〜9000μ
m、長さ10〜70mm、厚さ3〜40μmのサイズを
有している。信号電極6と接地電極7との間隔Gは、W
/Gの値が1〜0.1(すなわちG=5〜200μm)
になるような長さに選択される。接地電極は、ファイバ
/ファイバ用コネクタの入口部および出口部にギャップ
を設けて対称的に形成され、他方においても同様の対称
的なギャップを設けて構成されている(図4に示された
接地電極と同様)。電極構造は、信号電極および接地電
極がテーパ部と共に、伝搬方向と平行になるように形成
されている。
8がデバイスに取り付けられる。この電極構造は、従来
構造のような屈曲部を有していない。マイクロ波(電
波)がコネクタを介して信号電極6に与えられる。デバ
イスの両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを
可能とするために、ファイバ及びファイバ用パッケージ
9は、コネクタ用パッケージ8に対して垂直な方向にお
いて、両方とも同じ側に取り付けられている。
に示す。
を含む、全体構造図である。図18は、図17の位相シ
フト位置におけるデバイスの断面図である。図19は、
図17の電極構造を取り除いて、光導波路構造のみを詳
細に示している。図20は、同様に、図17の電極構造
のみを詳細に示している。
する結晶基板1上に、導波路2、3、4が、幅5〜20
μm、厚さ500〜1200オングストロームのチタン
金属膜ストリップを成膜し、900〜1100℃で5〜
12時間、結晶中に内拡散することにより形成されてい
る。すなわち、入射側導波路2および出射側導波路3と
して機能する2つのY字分岐型導波路と、位相シフト部
4が設けられている。位相シフト部は伝搬軸(例えばY
軸)と平行になるように形成される。入射側Y字型導波
路および出射側Y字型導波路は、導波路伝搬損失を低減
するために、Y軸に垂直に、すなわち、X軸に平行に湾
曲した導波路湾曲部を用いて曲げられ、入射側および出
射側Y字型導波路が互いに反対側に位置するように構成
されている。その上に、厚さ(T)1〜10μmのバッ
ファ層5(誘電率1.2〜40の誘電体層)が被覆され
る。バッファ層5上に、平面導波(CPW)型電極構造
が形成される。この電極構造は信号電極6と2つの接地
電極7とにより構成され、信号電極は幅(W)5〜20
μm、長さ(L)10〜70mm、厚さ3〜40μmの
サイズを有し、他方、接地電極は幅100〜9000μ
m、長さ10〜70mm、厚さ3〜40μmのサイズを
有している。信号電極6と接地電極7との間隔Gは、W
/Gの値が1〜0.1(すなわちG=5〜200μm)
になるような長さに選択される。接地電極は、ファイバ
/ファイバ用コネクタの入口部および出口部にギャップ
を設けて対称的に形成され、他方においても同様の対称
的なギャップを設けて構成されている(図4に示された
接地電極と同様)。電極構造は、信号電極および接地電
極がテーパ部と共に、伝搬方向と平行になるように形成
されている。
8がデバイスに取り付けられる。この電極構造は、従来
構造のような屈曲部を有していない。マイクロ波(電
波)がコネクタを介して信号電極6に与えられる。デバ
イスの両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを
可能とするために、ファイバ及びファイバ用パッケージ
9は、コネクタ用パッケージ8に対して垂直な方向にお
いて、両方とも同じ側に取り付けられている。
に示す。
を含む、全体構造図である。図22は、図21の位相シ
フト位置におけるデバイスの断面図である。図23は、
図21の電極構造を取り除いて、光導波路構造のみを詳
細に示している。図24は、同様に、図21の電極構造
のみを詳細に示している。
する結晶基板1上に、導波路2、3、4が、幅5〜20
μm、厚さ500〜1200オングストロームのチタン
金属膜ストリップを成膜し、900〜1100℃で5〜
12時間、結晶中に内拡散することにより形成されてい
る。すなわち、入射側導波路2および出射側導波路3と
して機能する2つのY字分岐型導波路と、位相シフト部
4が設けられている。位相シフト部は伝搬軸(例えばY
軸)と平行になるように形成される。入射側Y字型導波
路および出射側Y字型導波路は、導波路伝搬損失を低減
するために、Y軸に垂直に、すなわち、X軸に平行に湾
曲した導波路湾曲部を用いて曲げられ、入射側および出
射側Y字型導波路が互いに反対側に位置するように構成
されている。その上に、厚さ(T)1〜10μmのバッ
ファ層5(誘電率1.2〜40の誘電体層)が被覆され
る。バッファ層5上に、平面導波(CPW)型電極構造
が形成される。この電極構造は信号電極6と2つの接地
電極7とにより構成され、信号電極は幅(W)5〜20
μm、長さ(L)10〜70mm、厚さ3〜40μmの
サイズを有し、他方、接地電極は幅100〜9000μ
m、長さ10〜70mm、厚さ3〜40μmのサイズを
有している。信号電極6と接地電極7との間隔Gは、W
/Gの値が1〜0.1(すなわちG=5〜200μm)
になるような長さに選択される。接地電極は、相互に対
称であるとともにその一方においてファイバ/ファイバ
用コネクタの入口部にギャップを設け、他方においてフ
ァイバ/ファイバ用コネクタの出口部にギャップを設け
て構成されている(図12に示された接地電極と同
様)。電極構造は、信号電極および接地電極がテーパ部
と共に、伝搬方向と平行になるように形成されている。
8がデバイスに取り付けられる。この電極構造は、従来
構造のような屈曲部を有していない。マイクロ波(電
波)がコネクタを介して信号電極6に与えられる。デバ
イスの両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを
可能とするために、ファイバ及びファイバ用パッケージ
9は、コネクタ用パッケージ8に対して垂直な方向にお
いて、両方とも同じ側に取り付けられている。
に示す。
を含む、全体構造図である。
する結晶基板1上に、導波路2、3、4が、幅5〜20
μm、厚さ500〜1200オングストロームのチタン
金属膜ストリップを成膜し、900〜1100℃で5〜
12時間、結晶中に内拡散することにより形成されてい
る。すなわち、入射側導波路2および出射側導波路3と
して機能する2つのY字分岐型導波路と、位相シフト部
4が設けられている。位相シフト部は伝搬軸(例えばY
軸)と平行に設けられる。入射側Y字型導波路および出
射側Y字型導波路はY軸に垂直に、すなわち、X軸に平
行に直線的に折り曲げられ、入射側および出射側Y字型
導波路の両方が同じ側に位置するように構成されてい
る。その上に、厚さ(T)1〜10μmのバッファ層5
(誘電率1.2〜40の誘電体層)が被覆される。バッ
ファ層5上に、非対称平面ストリップ(ACPS)型電
極構造が形成される。この電極構造は信号電極6と1つ
の接地電極7とにより構成され、信号電極は幅(W)5
〜20μm、長さ(L)10〜70mm、厚さ3〜40
μmのサイズを有し、他方、接地電極は幅100〜90
00μm、長さ10〜70mm、厚さ3〜40μmのサ
イズを有している。信号電極6と接地電極7との間隔G
は、W/Gの値が1〜0.1(すなわちG=5〜200
μm)になるような長さに選択される。接地電極は、フ
ァイバ/ファイバ用コネクタの入口部および出口部にそ
れぞれギャップを設けて構成されている。電極構造は、
信号電極および接地電極がテーパ部と共に、伝搬方向と
平行になるように形成されている。
8がデバイスに取り付けられる。この電極構造は、従来
構造のような屈曲部を有していない。マイクロ波(電
波)がコネクタを介して信号電極6に与えられる。デバ
イスの両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを
可能とするために、ファイバ及びファイバ用パッケージ
9は、コネクタ用パッケージ8に対して垂直な方向にお
いて、両方とも同じ側に取り付けられている。
に示す。
を含む、全体構造図である。
する結晶基板1上に、導波路2、3、4が、幅5〜20
μm、厚さ500〜1200オングストロームのチタン
金属膜ストリップを成膜し、900〜1100℃で5〜
12時間、結晶中に内拡散することにより形成されてい
る。すなわち、入射側導波路2および出射側導波路3と
して機能する2つのY字分岐型導波路と、位相シフト部
4が設けられている。位相シフト部は伝搬軸(例えばY
軸)と平行に設けられる。入射側Y字型導波路および出
射側Y字型導波路はY軸に垂直に、すなわち、X軸に平
行に直線的に折り曲げられ、入射側および出射側Y字型
導波路が互いに反対側に位置するように構成されてい
る。その上に、厚さ(T)1〜10μmのバッファ層5
(誘電率1.2〜40の誘電体層)が被覆される。バッ
ファ層5上に、非対称平面ストリップ(ACPS)型電
極構造が形成される。この電極構造は信号電極6と1つ
の接地電極7とにより構成され、信号電極は幅(W)5
〜20μm、長さ(L)10〜70mm、厚さ3〜40
μmのサイズを有し、他方、接地電極は幅100〜90
00μm、長さ10〜70mm、厚さ3〜40μmのサ
イズを有している。信号電極6と接地電極7との間隔G
は、W/Gの値が1〜0.1(すなわちG=5〜200
μm)になるような長さに選択される。接地電極は、フ
ァイバ/ファイバ用コネクタの入口部と出口部の反対側
の位置とにそれぞれギャップを設けて構成されている
(図25に示された接地電極と同様)。電極構造は、信
号電極および接地電極がテーパ部と共に、伝搬方向と平
行になるように形成されている。
8がデバイスに取り付けられる。この電極構造は、従来
構造のような屈曲部を有していない。マイクロ波(電
波)がコネクタを介して信号電極6に与えられる。デバ
イスの両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを
可能とするために、ファイバ及びファイバ用パッケージ
9は、コネクタ用パッケージ8に対して垂直な方向にお
いて、両方とも同じ側に取り付けられている。
に示す。
を含む、全体構造図である。
する結晶基板1上に、導波路2、3、4が、幅5〜20
μm、厚さ500〜1200オングストロームのチタン
金属膜ストリップを成膜し、900〜1100℃で5〜
12時間、結晶中に内拡散することにより形成されてい
る。すなわち、入射側導波路2および出射側導波路3と
して機能する2つのY字分岐型導波路と、位相シフト部
4が設けられている。位相シフト部は伝搬軸(例えばY
軸)と平行に設けられる。入射側Y字型導波路および出
射側Y字型導波路はY軸に垂直に、すなわち、X軸に平
行に直線的に折り曲げられ、入射側および出射側Y字型
導波路が互いに反対側に位置するように構成されてい
る。その上に、厚さ(T)1〜10μmのバッファ層5
(誘電率1.2〜40の誘電体層)が被覆される。バッ
ファ層5上に、非対称平面ストリップ(ACPS)型電
極構造が形成される。この電極構造は信号電極6と1つ
の接地電極7とにより構成され、信号電極は幅(W)5
〜20μm、長さ(L)10〜70mm、厚さ3〜40
μmのサイズを有し、他方、接地電極は幅100〜90
00μm、長さ10〜70mm、厚さ3〜40μmのサ
イズを有している。信号電極6と接地電極7との間隔G
は、W/Gの値が1〜0.1(すなわちG=5〜200
μm)になるような長さに選択される。接地電極のファ
イバ/ファイバ用コネクタの入口部にギャップを設けて
構成されている。電極構造は、信号電極および接地電極
がテーパ部と共に、伝搬方向と平行になるように形成さ
れている。
8がデバイスに取り付けられる。この電極構造は、従来
構造のような屈曲部を有していない。マイクロ波(電
波)がコネクタを介して信号電極6に与えられる。デバ
イスの両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを
可能とするために、ファイバ及びファイバ用パッケージ
9は、コネクタ用パッケージ8に対して垂直な方向にお
いて、両方とも同じ側に取り付けられている。
に示す。
を含む、全体構造図である。
する結晶基板1上に、導波路2、3、4が、幅5〜20
μm、厚さ500〜1200オングストロームのチタン
金属膜ストリップを成膜し、900〜1100℃で5〜
12時間、結晶中に内拡散することにより形成されてい
る。すなわち、入射側導波路2および出射側導波路3と
して機能する2つのY字分岐型導波路と、位相シフト部
4が設けられている。位相シフト部は伝搬軸(例えばY
軸)と平行に設けられる。入射側Y字型導波路および出
射側Y字型導波路はY軸に垂直に、すなわち、X軸に平
行に湾曲した導波路湾曲部を用いて曲げられ、入射側お
よび出射側Y字型導波路の両方が同じ側に位置するよう
に構成されている。その上に、厚さ(T)1〜10μm
のバッファ層5(誘電率1.2〜40の誘電体層)が被
覆される。バッファ層5上に、非対称平面ストリップ
(ACPS)型電極構造が形成される。この電極構造は
信号電極6と1つの接地電極7とにより構成され、信号
電極は幅(W)5〜20μm、長さ(L)10〜70m
m、厚さ3〜40μmのサイズを有し、他方、接地電極
は幅100〜9000μm、長さ10〜70mm、厚さ
3〜40μmのサイズを有している。信号電極6と接地
電極7との間隔Gは、W/Gの値が1〜0.1(すなわ
ちG=5〜200μm)になるような長さに選択され
る。接地電極は、ファイバ/ファイバ用コネクタの入口
部および出口部にそれぞれギャップを設けて構成されて
いる(図25に示された接地電極と同様)。電極構造
は、信号電極および接地電極がテーパ部と共に、伝搬方
向と平行になるように形成されている。
8がデバイスに取り付けられる。この電極構造は、従来
構造のような屈曲部を有していない。マイクロ波(電
波)がコネクタを介して信号電極6に与えられる。デバ
イスの両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを
可能とするために、ファイバ及びファイバ用パッケージ
9は、コネクタ用パッケージ8に対して垂直な方向にお
いて、両方とも同じ側に取り付けられている。
に示す。
を含む、全体構造図である。
する結晶基板1上に、導波路2、3、4が、幅5〜20
μm、厚さ500〜1200オングストロームのチタン
金属膜ストリップを成膜し、900〜1100℃で5〜
12時間、結晶中に内拡散することにより形成されてい
る。すなわち、入射側導波路2および出射側導波路3と
して機能する2つのY字分岐型導波路と、位相シフト部
4が設けられている。位相シフト部は伝搬軸(例えばY
軸)と平行に設けられる。入射側Y字型導波路および出
射側Y字型導波路は、導波路伝搬損失を低減するため
に、Y軸に垂直に、すなわち、X軸に平行に湾曲した導
波路湾曲部を用いて曲げられ、入射側および出射側Y字
型導波路が互いに反対側に位置するように構成されてい
る。その上に、厚さ(T)1〜10μmのバッファ層5
(誘電率1.2〜40の誘電体層)が被覆される。バッ
ファ層5上に、非対称平面ストリップ(ACPS)型電
極構造が形成される。この電極構造は信号電極6と1つ
の接地電極7とにより構成され、信号電極は幅(W)5
〜20μm、長さ(L)10〜70mm、厚さ3〜40
μmのサイズを有し、他方、接地電極は幅100〜90
00μm、長さ10〜70mm、厚さ3〜40μmのサ
イズを有している。信号電極6と接地電極7との間隔G
は、W/Gの値が1〜0.1(すなわちG=5〜200
μm)になるような長さに選択される。接地電極は、フ
ァイバ/ファイバ用コネクタの入口部と出口部の反対側
の位置とにそれぞれギャップを設けて構成されている
(図25に示された接地電極と同様)。電極構造は、信
号電極および接地電極がテーパ部と共に、伝搬方向と平
行になるように形成されている。
8がデバイスに取り付けられる。この電極構造は、従来
構造のような屈曲部を有していない。マイクロ波(電
波)がコネクタを介して信号電極6に与えられる。デバ
イスの両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを
可能とするために、ファイバ及びファイバ用パッケージ
9は、コネクタ用パッケージ8に対して垂直な方向にお
いて、両方とも同じ側に取り付けられている。
に示す。
を含む、全体構造図である。
する結晶基板1上に、導波路2、3、4が、幅5〜20
μm、厚さ500〜1200オングストロームのチタン
金属膜ストリップを成膜し、900〜1100℃で5〜
12時間、結晶中に内拡散することにより形成されてい
る。すなわち、入射側導波路2および出射側導波路3と
して機能する2つのY字分岐型導波路と、位相シフト部
4が設けられている。位相シフト部は伝搬軸(例えばY
軸)と平行に設けられる。入射側Y字型導波路および出
射側Y字型導波路は、導波路伝搬損失を低減するため
に、Y軸に垂直に、すなわち、X軸に平行に湾曲した導
波路湾曲部を用いて曲げられ、入射側および出射側Y字
型導波路が互いに反対側に位置するように構成されてい
る。その上に、厚さ(T)1〜10μmのバッファ層5
(誘電率1.2〜40の誘電体層)が被覆される。バッ
ファ層5上に、非対称平面ストリップ(ACPS)型電
極構造が形成される。この電極構造は信号電極6と1つ
の接地電極7とにより構成され、信号電極は幅(W)5
〜20μm、長さ(L)10〜70mm、厚さ3〜40
μmのサイズを有し、他方、接地電極は幅100〜90
00μm、長さ10〜70mm、厚さ3〜40μmのサ
イズを有している。信号電極6と接地電極7との間隔G
は、W/Gの値が1〜0.1(すなわちG=5〜200
μm)になるような長さに選択される。接地電極のファ
イバ/ファイバ用コネクタの入口部にギャップを設けて
構成されている(図27に示された接地電極と同様)。
電極構造は、信号電極および接地電極がテーパ部と共
に、伝搬方向と平行になるように形成されている。
8がデバイスに取り付けられる。この電極構造は、従来
構造のような屈曲部を有していない。マイクロ波(電
波)がコネクタを介して信号電極6に与えられる。デバ
イスの両側には、デバイスに光が入射し、出射するのを
可能とするために、ファイバ及びファイバ用パッケージ
9は、コネクタ用パッケージ8に対して垂直な方向にお
いて、両方とも同じ側に取り付けられている。
信号電極を平行に、且つ、屈曲がないように構成する一
方、光導波路の入射側及び出射側を屈曲させることによ
り、電極構造の屈曲による影響を低減できる。
イスの基本構成を示す図である。
図である。
みを詳細に示している。
イスの基本構成を示す図である。
図である。
みを詳細に示している。
イスの基本構成を示す図である。
面図である。
のみを詳細に示している。
バイスの基本構成を示す図である。
断面図である
造のみを詳細に示している。
バイスの基本構成を示す図である。
断面図である。
造のみを詳細に示している。
バイスの基本構成を示す図である。
断面図である。
造のみを詳細に示している。
バイスの基本構成を示す図である。
バイスの基本構成を示す図である。
バイスの基本構成を示す図である。
デバイスの基本構成を示す図である。
デバイスの基本構成を示す図である。
デバイスの基本構成を示す図である。
である。
断面図である。
造のみを詳細に示している。
Claims (13)
- 【請求項1】 電気光学効果を有する結晶基板と、前記
結晶基板に設けられた位相シフト部と入射側Y字型導波
路および出射側Y字型導波路からなる導波路群と、前記
結晶基板上に形成されたバッファ層と、1つの信号電極
と少なくとも一つの接地電極からなる進行波型電極群と
を備え、前記位相シフト部は伝搬軸(例えばY軸)と平
行に設けられ、前記入射側Y字型導波路および前記出射
側Y字型導波路は伝搬方向を交差する方向に設けられて
おり、前記進行波型電極群の電極構造の内、少なくとも
前記信号電極は、伝搬方向と平行になるように構成され
ており、当該信号電極の両端には前記伝搬方向と平行に
位置付けられたコネクタ部が備えられていることを特徴
とする導波型光デバイス。 - 【請求項2】 電気光学効果を有する結晶基板と、前記
結晶基板に設けられた位相シフト部と入射側Y字型導波
路および出射側Y字型導波路からなる導波路群と、前記
結晶基板上に形成されたバッファ層と、1つの信号電極
と前記信号電極を囲む2つの接地電極からなる進行波型
電極群と、前記光導波路の両端に取り付けられたコネク
タ及びコネクタ用パッケージ/マウントと、伝搬方向に
垂直に取り付けられたファイバ及びファイバパッケージ
とを備え、前記位相シフト部は伝搬軸(例えばY軸)と
平行に設けられ、前記入射側Y字型導波路および前記出
射側Y字型導波路は伝搬方向に垂直に、すなわち、X軸
に平行にかつ前記入射側および前記出射側Y字型導波路
の両方が同じ側に位置するように直線的に折り曲げられ
て、前記接地電極は相互に対称であるとともにその一方
において前記ファイバ/ファイバ用コネクタの入口部お
よび出口部に対称的なギャップが設けられており、他方
においても同様の対称的なギャップが設けられ、前記進
行波型電極群の電極構造は、前記信号電極および前記接
地電極がテーパ部と共に、伝搬方向と平行になるように
構成され、且つ、前記信号電極の両端には、前記伝搬方
向に平行に位置付けられたコネクタ及びコネクタ用パッ
ケージ/マウントが備えられていることを特徴とする導
波型光デバイス。 - 【請求項3】 電気光学効果を有する結晶基板と、前記
結晶基板に設けられた位相シフト部と入射側Y字型導波
路および出射側Y字型導波路からなる導波路群と、前記
結晶基板上に形成されたバッファ層と、1つの信号電極
と前記信号電極を囲む2つの接地電極からなる進行波型
電極群と、前記光導波路の両端に取り付けられたコネク
タ及びコネクタ用パッケージ/マウントと、伝搬方向に
垂直に取り付けられたファイバ及びファイバパッケージ
とを備え、前記位相シフト部は伝搬軸(例えばY軸)と
平行に設けられ、前記入射側Y字型導波路および前記出
射側Y字型導波路は伝搬方向に垂直に、すなわち、X軸
に平行にかつ前記入射側および前記出射側Y字型導波路
が互いに反対側に位置するように直線的に折り曲げられ
て、前記接地電極は相互に対称であるとともにその一方
において前記ファイバ/ファイバ用コネクタの入口部お
よび出口部に対称的なギャップが設けられており、他方
においても同様の対称的なギャップが設けられ、前記進
行波型電極群の電極構造は、前記信号電極および前記接
地電極がテーパ部と共に、伝搬方向と平行になるように
構成され、且つ、前記信号電極の両端には前記伝搬方向
に平行に位置付けられたコネクタ及びコネクタ用パッケ
ージ/マウントが備えられていることを特徴とする導波
型光デバイス。 - 【請求項4】 電気光学効果を有する結晶基板と、前記
結晶基板に設けられた位相シフト部と入射側Y字型導波
路および出射側Y字型導波路からなる導波路群と、前記
結晶基板上に形成されたバッファ層と、1つの信号電極
と前記信号電極を囲む2つの接地電極からなる進行波型
電極群と、前記光導波路の両端に取り付けられたコネク
タ及びコネクタ用パッケージ/マウントと、伝搬方向に
垂直に取り付けられたファイバ及びファイバパッケージ
とを備え、前記位相シフト部は伝搬軸(例えばY軸)と
平行に設けられ、前記入射側Y字型導波路および前記出
射側Y字型導波路は伝搬方向に垂直に、すなわち、X軸
に平行にかつ前記入射側および前記出射側Y字型導波路
が互いに反対側に位置するように直線的に折り曲げられ
て、前記接地電極は相互に対称であるとともにその一方
において前記ファイバ/ファイバ用コネクタの入口部に
ギャップを設け、他方において前記ファイバ/ファイバ
用コネクタの出口部にギャップを設けて構成され、前記
進行波型電極群の電極構造は、前記信号電極および前記
接地電極がテーパ部と共に伝搬方向と平行になるように
構成され、且つ、前記信号電極の両端には前記伝搬方向
に平行に位置付けられたコネクタ及びコネクタ用パッケ
ージ/マウントが備えられていることを特徴とする導波
型光デバイス。 - 【請求項5】 電気光学効果を有する結晶基板と、前記
結晶基板に設けられた位相シフト部と入射側Y字型導波
路および出射側Y字型導波路からなる導波路群と、前記
結晶基板上に形成されたバッファ層と、1つの信号電極
と前記信号電極を囲む2つの接地電極からなる進行波型
電極群と、前記光導波路の両端に取り付けられたコネク
タ及びコネクタ用パッケージ/マウントと、伝搬方向に
垂直に取り付けられたファイバ及びファイバパッケージ
とを備え、前記位相シフト部は伝搬軸(例えばY軸)と
平行に設けられ、前記入射側Y字型導波路および前記出
射側Y字型導波路は伝搬方向に垂直に、すなわち、X軸
に平行にかつ前記入射側および前記出射側Y字型導波路
の両方が同じ側に位置するように導波路湾曲部を用いて
曲げられ、前記接地電極は相互に対称であるとともにそ
の一方において前記ファイバ/ファイバ用コネクタの入
口部および出口部に対称的なギャップを設け、他方にお
いても同様の対称的なギャップを設けて構成され、前記
進行波型電極群の電極構造は、前記信号電極および前記
接地電極がテーパ部と共に伝搬方向と平行になるように
構成され、且つ、前記信号電極の両端には前記伝搬方向
に平行に位置付けられたコネクタ及びコネクタ用パッケ
ージ/マウントが備えられていることを特徴とする導波
型光デバイス。 - 【請求項6】 電気光学効果を有する結晶基板と、前記
結晶基板に設けられた位相シフト部と入射側Y字型導波
路および出射側Y字型導波路からなる導波路群と、前記
結晶基板上に形成されたバッファ層と、1つの信号電極
と前記信号電極を囲む2つの接地電極からなる進行波型
電極群と、前記光導波路の両端に取り付けられたコネク
タ及びコネクタ用パッケージ/マウントと、伝搬方向に
垂直に取り付けられたファイバ及びファイバパッケージ
とを備え、前記位相シフト部は伝搬軸(例えばY軸)と
平行に設けられ、前記入射側Y字型導波路および前記出
射側Y字型導波路は伝搬方向に垂直に、すなわち、X軸
に平行にかつ前記入射側および前記出射側Y字型導波路
が互いに反対側に位置するように導波路湾曲部を用いて
曲げられ、前記接地電極は相互に対称であるとともにそ
の一方において前記ファイバ/ファイバ用コネクタの入
口部および出口部に対称的なギャップを設け、他方にお
いても同様の対称的なギャップを設けて構成され、前記
進行波型電極群の電極構造は、前記信号電極および前記
接地電極がテーパ部と共に伝搬方向と平行になるように
構成され、且つ、前記信号電極の両端には前記伝搬方向
に平行に位置付けられたコネクタ及びコネクタ用パッケ
ージ/マウントが備えられていることを特徴とする導波
型光デバイス。 - 【請求項7】 電気光学効果を有する結晶基板と、前記
結晶基板に設けられた位相シフト部と入射側Y字型導波
路および出射側Y字型導波路からなる導波路群と、前記
結晶基板上に形成されたバッファ層と、1つの信号電極
と前記信号電極を囲む2つの接地電極からなる進行波型
電極群と、前記光導波路の両端に取り付けられたコネク
タ及びコネクタ用パッケージ/マウントと、伝搬方向に
垂直に取り付けられたファイバ及びファイバパッケージ
とを備え、前記位相シフト部は伝搬軸(例えばY軸)と
平行に設けられ、前記入射側Y字型導波路および前記出
射側Y字型導波路は伝搬方向に垂直に、すなわち、X軸
に平行にかつ前記入射側および前記出射側Y字型導波路
が互いに反対側に位置するように導波路湾曲部を用いて
曲げられ、前記接地電極は相互に対称であるとともにそ
の一方において前記ファイバ/ファイバ用コネクタの入
口部にギャップを設け、他方において前記ファイバ/フ
ァイバ用コネクタの出口部にギャップを設けて構成さ
れ、前記進行波型電極群の電極構造は、前記信号電極お
よび前記接地電極がテーパ部と共に伝搬方向と平行にな
るように構成され、且つ、前記信号電極の両端には前記
伝搬方向に平行に位置付けられたコネクタ及びコネクタ
用パッケージ/マウントが備えられていることを特徴と
する導波型光デバイス。 - 【請求項8】 電気光学効果を有する結晶基板と、前記
結晶基板に設けられた位相シフト部と入射側Y字型導波
路および出射側Y字型導波路からなる導波路群と、前記
結晶基板上に形成されたバッファ層と、1つの信号電極
と1つの接地電極からなる進行波型電極群と、前記光導
波路の両端に取り付けられたコネクタ及びコネクタ用パ
ッケージ/マウントと、伝搬方向に垂直に取り付けられ
たファイバ及びファイバパッケージとを備え、前記位相
シフト部は伝搬軸(例えばY軸)と平行に設けられ、前
記入射側Y字型導波路および前記出射側Y字型導波路は
伝搬方向に垂直に、すなわち、X軸に平行にかつ前記入
射側および前記出射側Y字型導波路の両方が同じ側に位
置するように直線的に折り曲げられて、前記接地電極の
前記ファイバ/ファイバ用コネクタの入口部および出口
部にそれぞれギャップを設け、前記進行波型電極群の電
極構造は、前記信号電極および前記接地電極がテーパ部
と共に伝搬方向と平行になるように構成され、且つ、前
記信号電極の両端には前記伝搬方向に平行に位置付けら
れたコネクタ及びコネクタ用パッケージ/マウントが備
えられていることを特徴とする導波型光デバイス。 - 【請求項9】 電気光学効果を有する結晶基板と、前記
結晶基板に設けられた位相シフト部と入射側Y字型導波
路および出射側Y字型導波路からなる導波路群と、前記
結晶基板上に形成されたバッファ層と、1つの信号電極
と1つの接地電極からなる進行波型電極群と、前記光導
波路の両端に取り付けられたコネクタ及びコネクタ用パ
ッケージ/マウントと、伝搬方向に垂直に取り付けられ
たファイバ及びファイバパッケージとを備え、前記位相
シフト部は伝搬軸(例えばY軸)と平行に設けられ、前
記入射側Y字型導波路および前記出射側Y字型導波路は
伝搬方向に垂直に、すなわち、X軸に平行にかつ前記入
射側および前記出射側Y字型導波路が互いに反対側に位
置するように直線的に折り曲げられて、前記接地電極の
前記ファイバ/ファイバ用コネクタの入口部と出口部の
反対側の位置とにそれぞれギャップを設け、前記進行波
型電極群の電極構造は、前記信号電極および前記接地電
極がテーパ部と共に伝搬方向と平行になるように構成さ
れ、且つ、前記信号電極の両端には前記伝搬方向に平行
に位置付けられたコネクタ及びコネクタ用パッケージ/
マウントが備えられていることを特徴とする導波型光デ
バイス。 - 【請求項10】 電気光学効果を有する結晶基板と、前
記結晶基板に設けられた位相シフト部と入射側Y字型導
波路および出射側Y字型導波路からなる導波路群と、前
記結晶基板上に形成されたバッファ層と、1つの信号電
極と1つの接地電極からなる進行波型電極群と、前記光
導波路の両端に取り付けられたコネクタ及びコネクタ用
パッケージ/マウントと、伝搬方向に垂直に取り付けら
れたファイバ及びファイバパッケージとを備え、前記位
相シフト部は伝搬軸(例えばY軸)と平行に設けられ、
前記入射側Y字型導波路および前記出射側Y字型導波路
は伝搬方向に垂直に、すなわち、X軸に平行にかつ前記
入射側および前記出射側Y字型導波路が互いに反対側に
位置するように直線的に折り曲げられて、前記接地電極
の前記ファイバ/ファイバ用コネクタの入口部にギャッ
プを設け、前記進 行波型電極群の電極構造は、前記信号
電極および前記接地電極がテーパ部と共に伝搬方向と平
行になるように構成され、且つ、前記信号電極の両端に
は前記伝搬方向に平行に位置付けられたコネクタ及びコ
ネクタ用パッケージ/マウントが備えられていることを
特徴とする導波型光デバイス。 - 【請求項11】 電気光学効果を有する結晶基板と、前
記結晶基板に設けられた位相シフト部と入射側Y字型導
波路および出射側Y字型導波路からなる導波路群と、前
記結晶基板上に形成されたバッファ層と、1つの信号電
極と1つの接地電極からなる進行波型電極群と、前記光
導波路の両端に取り付けられたコネクタ及びコネクタ用
パッケージ/マウントと、伝搬方向に垂直に取り付けら
れたファイバ及びファイバパッケージとを備え、前記位
相シフト部は伝搬軸(例えばY軸)と平行に設けられ、
前記入射側Y字型導波路および前記出射側Y字型導波路
は伝搬方向に垂直に、すなわち、X軸に平行にかつ前記
入射側および前記出射側Y字型導波路の両方が同じ側に
位置するように導波路湾曲部を用いて曲げられ、前記接
地電極の前記ファイバ/ファイバ用コネクタの入口部お
よび出口部にそれぞれギャップを設け、前記進行波型電
極群の電極構造は、前記信号電極および前記接地電極が
テーパ部と共に伝搬方向と平行になるように構成され、
且つ、前記信号電極の両端には前記伝搬方向に平行に位
置付けられたコネクタ及びコネクタ用パッケージ/マウ
ントが備えられていることを特徴とする導波型光デバイ
ス。 - 【請求項12】 電気光学効果を有する結晶基板と、前
記結晶基板に設けられた位相シフト部と入射側Y字型導
波路および出射側Y字型導波路からなる導波路群と、前
記結晶基板上に形成されたバッファ層と、1つの信号電
極と1つの接地電極からなる進行波型電極群と、前記光
導波路の両端に取り付けられたコネクタ及びコネクタ用
パッケージ/マウントと、伝搬方向に垂直に取り付けら
れたファイバ及びファイバパッケージとを備え、前記位
相シフト部は伝搬軸(例えばY軸)と平行に設けられ、
前記入射側Y字型導波路および前記出射側Y字型導波路
は伝搬方向に垂直に、すなわち、X軸に平行にかつ前記
入射側および前記出射側Y字型導波路が互いに反対側に
位置するように導波路湾曲部を用いて曲げられ、前記接
地電極の前記ファイバ/ファイバ用コネクタの入口部と
出口部の反対側の位置とにそれぞれギャップを設け、前
記進行波型電極群の電極構造は、前記信号電極および前
記接地電極がテーパ部と共に伝搬方向と平行になるよう
に構成され、且つ、前記信号電極の両端には前記伝搬方
向に平行に位置付けられたコネクタ及びコネクタ用パッ
ケージ/マウントが備えられていることを特徴とする導
波型光デバイス。 - 【請求項13】 電気光学効果を有する結晶基板と、前
記結晶基板に設けられた位相シフト部と入射側Y字型導
波路および出射側Y字型導波路からなる導波路群と、前
記結晶基板上に形成されたバッファ層と、1つの信号電
極と1つの接地電極からなる電極群と、前記光導波路の
両端に取り付けられたコネクタ及びコネクタ用パッケー
ジ/マウントと、伝搬方向に垂直に取り付けられたファ
イバ及びファイバパッケージとを備え、前記位相シフト
部は伝搬軸(例えばY軸)と平行に設けられ、前記入射
側Y字型導波路および前記出射側Y字型導波路は伝搬方
向に垂直に、すなわち、X軸に平行にかつ前記入射側お
よび前記出射側Y字型導波路が互いに反対側に位置する
ように導波路湾曲部を用いて曲げられ、前記接地電極の
前記ファイバ/ファイバ用コネクタの入口部にギャップ
を設け、前記進行波型電極群の電極構造は、前記信号電
極および前記接地電極がテーパ部と共に伝搬方向と平行
になるように構成され、且つ、前記信号電極の両端には
前記伝搬方向に平行に位置付けられたコネクタ及びコネ
クタ用パッケージ/マウントが備えられていることを特
徴とする導波型光デバイス。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8296521A JP2848454B2 (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 導波型光デバイス |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH10142566A JPH10142566A (ja) | 1998-05-29 |
JP2848454B2 true JP2848454B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=17834618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8296521A Expired - Fee Related JP2848454B2 (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | 導波型光デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2848454B2 (ja) |
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JP5012624B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2012-08-29 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
JP5493670B2 (ja) * | 2009-10-07 | 2014-05-14 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光変調器および光送信器 |
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FR3027415B1 (fr) * | 2014-10-15 | 2017-11-10 | Photline Tech | Modulateur de phase electrooptique |
JP2017173365A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 日本電信電話株式会社 | 光変調器 |
KR102426155B1 (ko) * | 2020-05-25 | 2022-07-26 | 성균관대학교산학협력단 | 공진링을 갖는 전송라인 구조 |
-
1996
- 1996-11-08 JP JP8296521A patent/JP2848454B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH10142566A (ja) | 1998-05-29 |
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