JPH04267376A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及びその製造方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
子及びその製造方法に関する。
であるGaN、AlNは、バンドギャップがそれぞれ3
.4eV 、6eVで、また直接遷移型であり、短波長
発光素子用材料として期待されている。
1)(以下GaAlNと記す)層を形成する際、これら
と格子整合する良質な基板が無いため、便宜上、格子定
数が15%程度大きいサファイア基板上に結晶成長する
ことが多いが、転位、歪により格子欠陥が多く生じ、良
質な結晶が得られなかった。さらに、得られた結晶にp
型ド−プを行う際、p型ド−パントが欠陥の周りに集中
し、有効に働かない等の理由によりp型結晶が得られな
かった。そこで、サファイア基板上に結晶成長する際に
は、一旦アモルファス状のAlNによりAlNバッファ
層を形成してからGaAlN層を成長させたり、予め基
板表面をNH3 により窒化してからGaAlN層の成
長を行うといった方法が採られた。これによりアンド−
プ時のキャリア濃度が1019cm−3以上であったの
を1017cm−3程度まで低下させることができたが
、実用的な素子の実現のためには未だ不十分な値であり
、ド−ピングにより良好なp型結晶を得ることはできな
かった。
N層の成長には、格子整合をする基板がないために格子
欠陥が生じ、伝導型の制御が十分に行われないといった
問題があった。
子欠陥が少なく、伝導型の制御を十分に行うことができ
る半導体発光素子と、その製造方法を提供することを目
的とする。[発明の構成]
全に格子整合させるためには、格子定数を合わせるだけ
ではなく格子型が等しいことが重要である。GaAlN
と同じ六方晶で格子定数が最も近い基板としてはSiC
が考えられる。特に2H−SiCはGaAlNと同じウ
ルツ鉱型である。SiCは発光波長に対して透明であり
、短波長発光素子用の基板として最適であるが、GaA
lNより3%程度格子が短い。一方、同じIII −V
族結合であるBNの格子定数はGaAlNに比べ、20
%程度も小さい。そこで、Bを少量、GaAlN中に添
加することができれば、SiCと格子整合させることが
可能となる。通常格子定数に大きな違いのある物質同士
を混合させることは非常に困難で、単にGaAlN中に
Bを添加した場合には、Bが析出したり、多結晶化した
りしてGaAlN結晶中にBを取り込ませることはでき
なかった。しかし、SiCのような、格子定数が比較的
近い基板上においてGaAlNを成長させながらBを添
加していくと、SiC基板付近で急激にBの取り込まれ
が増大し、格子整合させることができる。このような方
法によれば、SiC基板上にBを添加して格子整合した
GaAlN層を成長することが可能となる。
長することにより、格子不整合により発生する転位や、
歪みが飛躍的に減少し低欠陥のGaAlN結晶の成長が
可能となる。低欠陥結晶の成長が可能になると欠陥まわ
りに集中し有効に働かなかったド−パントの活性化率を
高め、ド−ピングをすることにより低抵抗のp型結晶を
得ることが可能となる。図5に格子不整合とp型ド−ピ
ング後のキャリア濃度の関係について1例を示す。成長
温度において±0.5%の以内の格子不整合であれば、
構成材料等により異なるが、キャリア濃度は1016か
ら1018程度が得られる。格子不整合が大きくなると
キャリア濃度は急激に減少する。これらより、格子不整
合を緩和することが低抵抗のp型結晶を得るために重要
であることがわかる。
も発光波長に対して透明であるSiC基板を用いること
により光取り出しが効率よく行われ、高効率の青色光お
よび紫外光発光素子の実現が可能となる。本発明により
、高品質で伝導型の制御も行なえるGaAlN層の作成
が可能となり、高輝度短波長発光素子が実現できる。
する。図1は、本発明の第1の実施例であるLEDの概
略構成図である。n−6H−SiC基板11上にn−G
a0.85B0.15N層12(Siド−プ、1×10
17cm−3)が3μm形成され、その上にp−Ga0
.85B0.15層13(Mgド−プ、1×1017c
m−3)が2μm形成されている。図中14、15は金
属電極である。以下に、このLEDにおける結晶成長方
法について説明する。
を示す概略構成図である。図中21は石英製の反応管(
反応炉)であり、この反応管21内にはガス導入口22
から原料混合ガスが導入される。そして、反応管21内
のガスはガス排気口23から排気されるものとなってい
る。反応管21内には、カ−ボン製のサセプタ24が配
置されており、試料基板25はこのサセプタ24上に載
置される。またサセプタ24は高周波コイル26により
誘導加熱されるものとなっている。
上に載置する。ガス導入管22から高純度水素を毎分2
.5 l導入し、反応管21内の大気を置換する。次い
で、ガス排気口23をロ−タリ−ポンプに接続し、反応
管21内を減圧し、内部の圧力を20〜300torr
の範囲に設定する。その後ガス導入口22からH2 ガ
スを導入し、高周波コイル26によりサセプタ及び基板
25を加熱し基板温度1150〜1850℃で30分間
保持して基板の清浄化を行う。
に低下させた後、H2 ガスをN供給ガス(例えばNH
3 ガス)に切り替えると共に、Ga供給ガス(例えば
Ga(CH3 )3、Ga(C2 H5 )3 )、A
l供給ガス(例えばAl(CH3 )3 、Al(C2
H5 )3 を導入して成長を行う。同時にB供給ガス
(例えばB2 H6 、B(CH3 )3 、B(C2
H5)3 )を導入してBの添加を行う。
としてNH3 を1×10−3mol /min、Ga
(C2 H5 )3 を1×10−5mol /min
、B2 H6 を1×10−7mol /min 導
入して成長を行った。基板温度は1150℃、圧力22
0torr 、原料ガスの総流量は1l/min とす
る。ここでアンド−プではキャリア濃度1016cm−
3の良好なGa0.85B0.15N結晶が得られる。 これに、シラン(SiH4 )を原料ガスに混入するこ
とによりSiをド−プし、キャリア濃度1×1017/
cm−3のn型Ga0.85B0.15N結晶を、シク
ロペンタジエニルマグネシウム(Cp2 Mg)を原料
ガスに導入することによりMgをド−プし、キャリア濃
度1×1017/cm−3p型Ga0.85B0.15
N結晶が得られた。図3はこの実施例によるLEDチッ
プ31をレンズを兼ねた樹脂ケ−ス32に埋めこんだ状
態を示す。33は内部リ−ド、34は外部リ−ドである
。この実施例によるLEDは、基板面を光取りだし面と
して樹脂ケ−スに埋め込んで約50mcd の青色発光
が確認された。
Dの概略構成図である。n−6H−SiC基板41上に
n−Ga0.8 Al0.1 B0.1 N層42(S
iド−プ、1×1017cm−3)が3μm形成され、
その上にp−Ga0.8 Al0.1 B0.1 N層
43(Mgド−プ、1×1017cm−3)が2μm形
成されている。図中44、45は金属電極である。第1
の実施例と異なるのは、Alを添加しているという点で
あり,このことにより、GaBNより広いバンドギャッ
プが得られる。すなわち、Alを添加することによって
発光波長を青色から紫外の領域とすることができる。
様にして作成される。原料としてNH3 を1×10−
3mol /min 、Ga(C2 H5 )3 を8
×10−6mol /min 、Al(CH3 )3
を1×10−6mol /min 、B2 H6 を1
×10−7mol /min 導入して成長を行った。 基板温度は1150℃、圧力220torr 、原料ガ
スの総流量は1l/minとする。ここでアンド−プで
はキャリア濃度1016cm−3の良好なGa0.8
Al0.1 B0.1 N結晶が得られる。これに、シ
ラン(SiH4 )を原料ガスに混入することによりS
iをド−プし、キャリア濃度1×1017/cm−3の
n型Ga0.8 Al0.1B0.1 N結晶を、シク
ロペンタジエニルマグネシウム(Cp2 Mg)を原料
ガスに導入することによりMgをド−プし、キャリア濃
度1×1017/cm−3p型Ga0.8 Al0.1
B0.1 N結晶が得られた。第1の実施例と同様に
樹脂ケ−スに埋め込んで、約50mcd の第1の実施
例より短波長の青色発光が得られた。
るものではない。例えば、実施例において、n型基板を
用いた例について示したが、p型基板を用いても同様に
実施できる。また、BをGaAlN中に平均的に添加し
ているが、例えばGaAlN,BNの薄膜を交互に堆積
するなど層状に添加しても良い。さらに、Ga,Alの
供給源として、Ga若しくはAlとCとの結合が2つ以
下であるものを用いたり、Nの供給源として、NがH以
外の元素と結合を持っているものを用いることも有効で
ある。またBの添加量としては、基板と略格子を整合す
る範囲であればよく、特にSiC基板上においては、G
ax Al1−x−y By N(0<y≦0.2 )
で添加するのがよい。その他、本発明はその趣旨を逸脱
しない範囲で種々変形して実施することができる。
長することにより、格子不整合により発生する転位や歪
みが飛躍的に減少し,低欠陥のGax Al1−x−y
By N(0<x<1、0<y<1)層の成長が可能
となり、高輝度で短波長の半導体発光素子が実現できる
。
EDの概略構成図。
概略構成図。
め込んだ図。
EDの概略構成図。
Claims (5)
- 【請求項1】 Gax Al1−x−y By N(
0<x<1、0<y<1)層を用いたことを特徴とする
半導体発光素子。 - 【請求項2】 前記Gax Al1−x−y By
N(0<x<1、0<y<1)層が基板と略格子整合し
ていることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子
。 - 【請求項3】 前記Gax Al1−x−y By
N(0<x<1、0<y<1)層が基板と±0.5%以
内の格子不整合であることを特徴とする請求項1記載の
半導体発光素子。 - 【請求項4】 前記基板がSiCから成ることを特徴
とする請求項1乃至請求項3記載の半導体発光素子。 - 【請求項5】 基板と格子整合させながらGax A
l1−x−yBy N(0<x<1、0<y<1)層を
成長させることを特徴とする半導体発光素子の製造方法
。
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JP3100644B2 (ja) | 2000-10-16 |
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