JPH04262564A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04262564A JPH04262564A JP3022505A JP2250591A JPH04262564A JP H04262564 A JPH04262564 A JP H04262564A JP 3022505 A JP3022505 A JP 3022505A JP 2250591 A JP2250591 A JP 2250591A JP H04262564 A JPH04262564 A JP H04262564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- semiconductor device
- cutting
- cut
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 6
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特にそのリード成形リード先端切断方法に関す
る。
に関し、特にそのリード成形リード先端切断方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のモールド封止半導体装置は、半導
体装置用リードフレームに半導体素子を搭載し、半導体
素子の電極とリードフレームリードをAu配線で結線後
、樹脂封止し外部リード部に半田付が可能な半田めっき
を施した後、外部リードの先端を切断しリード成形して
いた。
体装置用リードフレームに半導体素子を搭載し、半導体
素子の電極とリードフレームリードをAu配線で結線後
、樹脂封止し外部リード部に半田付が可能な半田めっき
を施した後、外部リードの先端を切断しリード成形して
いた。
【0003】図3(a)は、半導体装置1の外部リード
2をポンチ4で上より下へ切断する工程の断面図を示す
。次に、図3(b)でリード切断後の半導体装置1のリ
ード2がリード部2aで切断した状態を示し、図3(c
)の様にリードが成形される。
2をポンチ4で上より下へ切断する工程の断面図を示す
。次に、図3(b)でリード切断後の半導体装置1のリ
ード2がリード部2aで切断した状態を示し、図3(c
)の様にリードが成形される。
【0004】この様に、半導体装置1はめっき後に、そ
のリード2が切断されるため、図4(a)の様に切断だ
れ部10が上側にあり、リード2の先端で下側の半田め
っき6を除いた状態となってしまう。
のリード2が切断されるため、図4(a)の様に切断だ
れ部10が上側にあり、リード2の先端で下側の半田め
っき6を除いた状態となってしまう。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
では、外部リード2の先端切断断面に半田めっき6が付
いていないため、プリント基板8への実装時に、リード
先端部は半田不着となりその半導体装置の信頼性を著し
く劣化させている。
では、外部リード2の先端切断断面に半田めっき6が付
いていないため、プリント基板8への実装時に、リード
先端部は半田不着となりその半導体装置の信頼性を著し
く劣化させている。
【0006】図4(b)では、半導体装置1がプリント
基板8へ実装されたリード先端部の断面図であり、リー
ド2の先端切断面に半田めっき6が付いていないため半
田ペースト7がリード断面にメニスカスを作らない状態
となる。
基板8へ実装されたリード先端部の断面図であり、リー
ド2の先端切断面に半田めっき6が付いていないため半
田ペースト7がリード断面にメニスカスを作らない状態
となる。
【0007】また、このリード切断方向が逆になると、
リード先端部は、図5(a)の様になり、プレスのダレ
部がプリント基板側(リード断面下側)に来るため、図
5(b)の様に半田ペースト7はリード断面にメニスカ
スを作るが、それがリード2の上面までは上がらず十分
な接合となっていない。
リード先端部は、図5(a)の様になり、プレスのダレ
部がプリント基板側(リード断面下側)に来るため、図
5(b)の様に半田ペースト7はリード断面にメニスカ
スを作るが、それがリード2の上面までは上がらず十分
な接合となっていない。
【0008】なお、半田付後の実装検査はリード先端の
半田付状態を確認する事が多く、十分な半田付強度が得
られても以上の様にリード先端に半田ペースト7のメニ
スカスがなければ不良と見なされる。
半田付状態を確認する事が多く、十分な半田付強度が得
られても以上の様にリード先端に半田ペースト7のメニ
スカスがなければ不良と見なされる。
【0009】本発明の目的は、このような問題を解決し
、リード先端部のはんだ付けを良好にできるようにした
半導体装置の製造方法を提供することである。
、リード先端部のはんだ付けを良好にできるようにした
半導体装置の製造方法を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法の構成は、半導体装置のリード成形時に、そのリ
ード先端切断前にその切断部にプレス成形によりリード
先端切断方向と反対面または、その両面に溝を形成し、
その後にこの溝部を切断することを特徴とする。
造方法の構成は、半導体装置のリード成形時に、そのリ
ード先端切断前にその切断部にプレス成形によりリード
先端切断方向と反対面または、その両面に溝を形成し、
その後にこの溝部を切断することを特徴とする。
【0011】
【実施例】図1(a)〜(d)は本発明の一実施例の半
導体装置の外部リード成形工程を工程順に示した断面図
である。まず、図1(a)ではプレスの上金型3と下金
型3aとの間に、半導体装置1の外部リード2を挿入し
、そのリード切断部に溝(5)を入れる工程を示す。 次に、図1(b)ではこのプレスの切断ポンチ4を用い
て、外部リード2の溝5の反対面より切断する状態を示
す。図1(c)では、半導体装置1のリード2がリード
フレームから切断され、リード先端部2aと分離した様
子を示し、その後図1(d)の様に成形される。
導体装置の外部リード成形工程を工程順に示した断面図
である。まず、図1(a)ではプレスの上金型3と下金
型3aとの間に、半導体装置1の外部リード2を挿入し
、そのリード切断部に溝(5)を入れる工程を示す。 次に、図1(b)ではこのプレスの切断ポンチ4を用い
て、外部リード2の溝5の反対面より切断する状態を示
す。図1(c)では、半導体装置1のリード2がリード
フレームから切断され、リード先端部2aと分離した様
子を示し、その後図1(d)の様に成形される。
【0012】この溝5はリード2の厚さの1/3〜1/
2の深さ位に形成し、この溝5とは逆方向からリード2
を切断することにより、切断破断面が中央部に位置する
ようになり、またその破断面がリード厚さの1/2以下
の長さにすることができる。
2の深さ位に形成し、この溝5とは逆方向からリード2
を切断することにより、切断破断面が中央部に位置する
ようになり、またその破断面がリード厚さの1/2以下
の長さにすることができる。
【0013】図2(a)は、本実施例による半導体装置
のリード先端部の断面図である。半田めっき6がリード
2の上下面からダレた形状となり、リード2の切断破断
面が中央部に位置している。この場合は、図2(b)の
ように半導体装置1をプリント基板8に実装した時に、
リードの破断面が小さいため、半田ペースト7により十
分なメニスカスを作ることができることを示す。
のリード先端部の断面図である。半田めっき6がリード
2の上下面からダレた形状となり、リード2の切断破断
面が中央部に位置している。この場合は、図2(b)の
ように半導体装置1をプリント基板8に実装した時に、
リードの破断面が小さいため、半田ペースト7により十
分なメニスカスを作ることができることを示す。
【0014】また、このリード切断部の溝5をリードの
両側より形成しても同じ効果が得られる。この場合には
、両側の溝深さ合計が板厚の1/3〜1/2になる様に
することにより切断破断面が1/2に小さくなる。
両側より形成しても同じ効果が得られる。この場合には
、両側の溝深さ合計が板厚の1/3〜1/2になる様に
することにより切断破断面が1/2に小さくなる。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明はリードに予
め溝を設けることにより、リード切断破断面を中央に位
置させ破断面の長さを小さくすることができ、半田付実
装時リード先端に半田ペーストが付き、信頼性の高い接
合が得られる。また、リード先端に半田ペーストの十分
なメニスカスを形成するため、実装検査の自動化も可能
であり、検査工数の削減も可能となった。
め溝を設けることにより、リード切断破断面を中央に位
置させ破断面の長さを小さくすることができ、半田付実
装時リード先端に半田ペーストが付き、信頼性の高い接
合が得られる。また、リード先端に半田ペーストの十分
なメニスカスを形成するため、実装検査の自動化も可能
であり、検査工数の削減も可能となった。
【図1】(a)〜(d)は本発明の一実施例のリード成
形工程を順に示す側面図。
形工程を順に示す側面図。
【図2】(a),(b)は本実施例による半導体装置リ
ードの断面図。
ードの断面図。
【図3】(a)〜(c)は従来のリード成形を工程順に
示す側面図。
示す側面図。
【図4】(a),(b)は従来の半導体装置のリード切
断時の断面図。
断時の断面図。
【図5】(a),(b)は従来の半導体装置のリード接
続時の他の断面図。
続時の他の断面図。
1 半導体装置
2 外部リード
3,3a リード切断用上,下金型4 切
断ポンチ 5 溝 6 半田めっき 7 半田ペースト 8 プリント板 9 銅配線 10 切断ダレ部
断ポンチ 5 溝 6 半田めっき 7 半田ペースト 8 プリント板 9 銅配線 10 切断ダレ部
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体装置のリード成形時に、そのリ
ード先端切断前にその切断部にプレス成形によりリード
先端切断方向と反対面または、その両面に溝を形成し、
その後にこの溝部を切断することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3022505A JPH04262564A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3022505A JPH04262564A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04262564A true JPH04262564A (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=12084608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3022505A Pending JPH04262564A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04262564A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017004613A (ja) * | 2015-06-04 | 2017-01-05 | 京セラ株式会社 | ヒータ |
-
1991
- 1991-02-18 JP JP3022505A patent/JPH04262564A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017004613A (ja) * | 2015-06-04 | 2017-01-05 | 京セラ株式会社 | ヒータ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5780933A (en) | Substrate for semiconductor device and semiconductor device using the same | |
JPH11354705A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US20070001276A1 (en) | Semiconductor device and portable apparatus and electronic apparatus comprising the same | |
JPH041501B2 (ja) | ||
WO2006077870A1 (ja) | パッケージ型電子部品におけるリード端子の切断方法 | |
JP2003197663A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JPH04262564A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH09232499A (ja) | 半導体装置 | |
US6022763A (en) | Substrate for semiconductor device, semiconductor device using the same, and method for manufacture thereof | |
JP2586352B2 (ja) | 半導体装置用リード切断装置 | |
JPH05315517A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04326755A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
JPH08306844A (ja) | 面実装部品リード端子の製造法 | |
JPH03104148A (ja) | 半導体集積回路用パッケージ | |
JPH01128456A (ja) | 面実装型半導体デバイスおよびリードフレーム | |
JP2718146B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JPH04333267A (ja) | 表面実装半導体装置の製造方法 | |
JPS62198143A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
JP3230318B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JP2946775B2 (ja) | 樹脂封止金型 | |
JP2560869B2 (ja) | 二端子面実装形半導体装置 | |
JPH04162466A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JPH09213856A (ja) | 半導体装置 | |
JPH06334090A (ja) | 樹脂封止型半導体装置のリード構造およびその製造方法 | |
JP3563197B2 (ja) | 電子部品 |