JPH04262564A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPH04262564A
JPH04262564A JP3022505A JP2250591A JPH04262564A JP H04262564 A JPH04262564 A JP H04262564A JP 3022505 A JP3022505 A JP 3022505A JP 2250591 A JP2250591 A JP 2250591A JP H04262564 A JPH04262564 A JP H04262564A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
semiconductor device
cutting
cut
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3022505A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiji Tsukiide
月出 英治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP3022505A priority Critical patent/JPH04262564A/ja
Publication of JPH04262564A publication Critical patent/JPH04262564A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特にそのリード成形リード先端切断方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のモールド封止半導体装置は、半導
体装置用リードフレームに半導体素子を搭載し、半導体
素子の電極とリードフレームリードをAu配線で結線後
、樹脂封止し外部リード部に半田付が可能な半田めっき
を施した後、外部リードの先端を切断しリード成形して
いた。
【0003】図3(a)は、半導体装置1の外部リード
2をポンチ4で上より下へ切断する工程の断面図を示す
。次に、図3(b)でリード切断後の半導体装置1のリ
ード2がリード部2aで切断した状態を示し、図3(c
)の様にリードが成形される。
【0004】この様に、半導体装置1はめっき後に、そ
のリード2が切断されるため、図4(a)の様に切断だ
れ部10が上側にあり、リード2の先端で下側の半田め
っき6を除いた状態となってしまう。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
では、外部リード2の先端切断断面に半田めっき6が付
いていないため、プリント基板8への実装時に、リード
先端部は半田不着となりその半導体装置の信頼性を著し
く劣化させている。
【0006】図4(b)では、半導体装置1がプリント
基板8へ実装されたリード先端部の断面図であり、リー
ド2の先端切断面に半田めっき6が付いていないため半
田ペースト7がリード断面にメニスカスを作らない状態
となる。
【0007】また、このリード切断方向が逆になると、
リード先端部は、図5(a)の様になり、プレスのダレ
部がプリント基板側(リード断面下側)に来るため、図
5(b)の様に半田ペースト7はリード断面にメニスカ
スを作るが、それがリード2の上面までは上がらず十分
な接合となっていない。
【0008】なお、半田付後の実装検査はリード先端の
半田付状態を確認する事が多く、十分な半田付強度が得
られても以上の様にリード先端に半田ペースト7のメニ
スカスがなければ不良と見なされる。
【0009】本発明の目的は、このような問題を解決し
、リード先端部のはんだ付けを良好にできるようにした
半導体装置の製造方法を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法の構成は、半導体装置のリード成形時に、そのリ
ード先端切断前にその切断部にプレス成形によりリード
先端切断方向と反対面または、その両面に溝を形成し、
その後にこの溝部を切断することを特徴とする。
【0011】
【実施例】図1(a)〜(d)は本発明の一実施例の半
導体装置の外部リード成形工程を工程順に示した断面図
である。まず、図1(a)ではプレスの上金型3と下金
型3aとの間に、半導体装置1の外部リード2を挿入し
、そのリード切断部に溝(5)を入れる工程を示す。 次に、図1(b)ではこのプレスの切断ポンチ4を用い
て、外部リード2の溝5の反対面より切断する状態を示
す。図1(c)では、半導体装置1のリード2がリード
フレームから切断され、リード先端部2aと分離した様
子を示し、その後図1(d)の様に成形される。
【0012】この溝5はリード2の厚さの1/3〜1/
2の深さ位に形成し、この溝5とは逆方向からリード2
を切断することにより、切断破断面が中央部に位置する
ようになり、またその破断面がリード厚さの1/2以下
の長さにすることができる。
【0013】図2(a)は、本実施例による半導体装置
のリード先端部の断面図である。半田めっき6がリード
2の上下面からダレた形状となり、リード2の切断破断
面が中央部に位置している。この場合は、図2(b)の
ように半導体装置1をプリント基板8に実装した時に、
リードの破断面が小さいため、半田ペースト7により十
分なメニスカスを作ることができることを示す。
【0014】また、このリード切断部の溝5をリードの
両側より形成しても同じ効果が得られる。この場合には
、両側の溝深さ合計が板厚の1/3〜1/2になる様に
することにより切断破断面が1/2に小さくなる。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明はリードに予
め溝を設けることにより、リード切断破断面を中央に位
置させ破断面の長さを小さくすることができ、半田付実
装時リード先端に半田ペーストが付き、信頼性の高い接
合が得られる。また、リード先端に半田ペーストの十分
なメニスカスを形成するため、実装検査の自動化も可能
であり、検査工数の削減も可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(d)は本発明の一実施例のリード成
形工程を順に示す側面図。
【図2】(a),(b)は本実施例による半導体装置リ
ードの断面図。
【図3】(a)〜(c)は従来のリード成形を工程順に
示す側面図。
【図4】(a),(b)は従来の半導体装置のリード切
断時の断面図。
【図5】(a),(b)は従来の半導体装置のリード接
続時の他の断面図。
【符号の説明】
1    半導体装置 2    外部リード 3,3a    リード切断用上,下金型4    切
断ポンチ 5    溝 6    半田めっき 7    半田ペースト 8    プリント板 9    銅配線 10    切断ダレ部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  半導体装置のリード成形時に、そのリ
    ード先端切断前にその切断部にプレス成形によりリード
    先端切断方向と反対面または、その両面に溝を形成し、
    その後にこの溝部を切断することを特徴とする半導体装
    置の製造方法。
JP3022505A 1991-02-18 1991-02-18 半導体装置の製造方法 Pending JPH04262564A (ja)

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JP3022505A JPH04262564A (ja) 1991-02-18 1991-02-18 半導体装置の製造方法

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JPH04262564A true JPH04262564A (ja) 1992-09-17

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ID=12084608

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JP3022505A Pending JPH04262564A (ja) 1991-02-18 1991-02-18 半導体装置の製造方法

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JP (1) JPH04262564A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017004613A (ja) * 2015-06-04 2017-01-05 京セラ株式会社 ヒータ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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