JPH04253306A - 耐食性を改善したｒ−ｔｍ−ｂ系永久磁石 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、Ｒ−ＴＮ−Ｂ系永久磁
石であって、磁石体表面に２層Ｎｉめっき層を被覆する
事により耐食性を著しく改善したものに関する。

【０００２】

【従来の技術】電気・電子機器の高性能・小型化に伴な
って、その一部品たる永久磁石にも同様の要求が強まっ
てきた。すなわち以前の最強の永久磁石は希土類・コバ
ルト（Ｒ−Ｃｏ）系であったが、近年、より強力なＲ−
ＴＭ−Ｂ系永久磁石が台頭してきた（特開昭５９−４６
００８号）。ここにＲはＹを含む希土類元素の１種又は
２種以上の組合わせであり、ＴＭはＦｅ、Ｃｏ等の遷移
金属中心として、一部を他の金属元素又は非金属元素で
置換したもの、Ｂは硼素である。しかし、Ｒ−ＴＭ−Ｂ
系永久磁石は極めて錆やすいという問題点があった。そ
のため、耐食性を改善するために、永久磁石表面に耐酸
化性の被覆層を設ける手段がとられてきた。被覆層の種
類としては、Ｎｉめっき、耐酸化性樹脂、Ａｌイオンプ
レーティング等が提案されており、とりわけＮｉめっき
は簡易な処理でＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石の耐食性を向上
するものとして注目されている（特開昭６０−５４４０
６号）。Ｎｉめっきは、耐酸化性樹脂と比較して表面被
覆層の機械的強度に優れており、また被覆層自体の吸湿
性がほとんどないという長所を有している。しかしなが
ら、耐酸化性樹脂と異なり、Ｎｉめっき被覆層表面には
ピンホールが存在するという問題点があった。そのため
被覆層自身の吸湿性の有無にかかわらず、経時変化に伴
い水分がピンホールを通じて磁石体に浸透し、腐食劣化
を引き起こすという問題があった。この問題を解決する
ため、現在までにＮｉめっき層の上に耐酸化性樹脂を施
し、ピンホールの埋め込みを行う手法が提案されている
（特開昭６３−１１０７０７号）。

【０００３】

【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、耐酸
化性樹脂の被覆による手法は、Ｎｉめっき層と耐酸化性
樹脂層との密着性ならびに耐酸化性樹脂層自身の耐食性
に関する問題点を有していた。そのため、上記手法では
十分な耐食性改善を図ることができず問題となっていた
。そこで、本発明の目的は、信頼性の高い耐食性を改善
したＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石を提供することにある。

【０００４】

【問題点を解決するための手段】本発明は、重量比でＲ
（ここでＲは、Ｙを含む希土類元素の１種又は２種以上
の組合せ）５〜４０％、ＴＭ（ここでＴＭはＦｅを主体
とする遷移金属であって一部を他の金属元素又は非金属
元素で置換してよい。）５０〜９０％、Ｂ（硼素）０．
２〜８％からなるＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石の表面に、０
．００１〜０．０１ｗｔ％のＳを含有すＮｉめっき層を
下層として設け、その上に０．０１〜１．０ｗｔ％のＳ
を含有するＮｉめっき層を上層として設けたことを特徴
とする耐食性を改善したＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石である
。また本発明は、上層として、下層Ｎｉめっき層よりも
０．０１ｗｔ％以上多くＳを含有するＮｉめっき層を設
けることを特徴としている。表材表面に、少量のＳを含
有するＮｉめっき層を下層として設け、その上層として
多層のＳを含有するＮｉめっき層を設けると、上層の自
然電位は下層に対し卑なものとなる。すなわち、上層が
アノード化して陽極効果を発生することにより、下層が
防食されるものと考えられる。本発明は、上記２層めっ
きの防食作用により、Ｒ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石の耐食性
を向上するものである。本発明における、下層Ｎｉめっ
き層中のＳの含有量は、０．００１〜０．０１ｗｔ％が
良い。０．００１ｗｔ％未満であると、Ｎｉめっき層は
柱状晶組織となってしまい、組織の微細化の面で好まし
くない。また、０．００１ｗｔ％未満であると素材との
自然電位差が極端に大きくなり、Ｎｉめっき層の素材表
面への被覆の際にその界面において電気化学的な局部電
池を形成する可能性があることから、下層Ｎｉめっき層
中のＳの含有量は０．００１ｗｔ％未満であってはなら
ない。上層Ｎｉめっき層中のＳの含有量は０．０１〜１
．０ｗｔ％が良い。ここで注意すべき点は、下層Ｎｉめ
っき層よりも０．０１ｗｔ％以上多くＳを含有するＮｉ
めっき層を上層として設けることである。０．０１ｗｔ
％以下であると、前述した２層めっきの防食効果を得る
ことができないため好ましくない。そのため上層として
は、下層Ｎｉめっき層よりも０．０１ｗｔ％以上多くＳ
を含有するＮｉめっき層を設けることが望ましい。本発
明において、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等のＴＭの一部を置換す
る元素は、その添加目的に応じて、Ｇａ，Ａｌ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｇｅ
，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｎｉ他を添加でき、本発明はいか
なるＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石にも適用できる。また、そ
の製造方法は焼結法、溶湯急冷法、あるいはそれらの変
形法のいずれの方法でもよい。製造方法としては、有機
溶剤による脱脂の後にめっきを施す。電流密度は１〜２
Ａ／ｄｍ２が良くめっき層の厚さは５〜２０μｍが好ま
しい。めっき前処理に関しては、加工変質層の除去及び
めっき前活性化を図る上で、酸性溶液を用いるのが良い
。硫酸や塩酸等の強酸がめっき前活性化にとって有効で
あるが、めっき前処理の材質への影響を極力避けるため
には、２〜１０ｖｏｌ％の硝酸による第１エッチング、
その後過酸化水素５〜１０ｖｏｌ％、酢酸１０〜３０ｖ
ｏｌ％の混酸による第２エッチングが最も望ましい。次
いでＮｉめっき処理を行う。本発明における２層めっき
に関しては、ワット浴スルファミン酸浴、アンモン浴い
ずれでもよい。

【０００５】

【実施例】Ｎｄ（Ｆｅ０．７Ｃｏ０．２Ｂ０．０７Ｇａ
０．０３）６．５なる組成の合金をアーク溶解にて作製
し、得られたインゴットをスタンプミル及びディスクミ
ルで粗粉砕した。 その後、Ｎ２ガスを粉砕媒体としてジェットミルで微粉
砕を行い、粉砕粒度３．５μｍｌ（ＦＳＳＳ）の微粉砕
粉を得た。得られた原料粉を１５ＫＯｅの磁場中で横磁
場成形した。成形圧力は２Ｔｏｎ／ｃｍ２であった。本
成形体を真空中で１０９０℃×２時間焼結した。焼結体
を１８×１０×６ｍｍ寸法に切り出し、次いで９００℃
のアルゴン雰囲気中に２時間加熱保持した後に急冷し温
度を６００℃に保持したアルゴンの雰囲気中で１時間保
持した。こうして得られた試料について、めっき前処理
として５ｖｏｌ％の硝酸による第１エッチング、その後
過酸化水素１０ｖｏｌ％、酢酸２５ｖｏｌ％の混酸によ
る第２エッチングを行った。その後、ワット浴により表
１に示したＮｉめっき層を被覆し、これを試験片とした
。

【０００６】

【表１】 　　表１に示した試料に関して、８０℃９０％ＲＨでの
１０００時間の耐食試験及び３５℃５％ＮａＣｌでの２
００時間の塩水噴霧試験を行った。結果を表２に示す。

【０００７】

【表２】 表２において、耐食試験結果は試料の外観変化を、塩水
噴霧試験結果は赤錆発生時間を示したものである。表２
より、本発明による永久磁石は、従来の磁石と比較して
、耐食性を著しく向上し得ることがわかる。

【０００８】

【発明の効果】本発明により、希土類と鉄を主体とした
磁石において、従来のめっきでは不十分であった耐食性
の顕著な向上が図られた。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　重量比でＲ（ここでＲは、Ｙを含む希
   土類元素の１種又は２種以上の組合わせ）５〜４０％、
   ＴＭ（ここでＴＭは、Ｆｅ，Ｃｏを中心とする遷移金属
   であって、一部を他の金属元素又は非金属元素で置換し
   てよい。）５０〜９０％、Ｂ（硼素）０．２〜８％から
   なるＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石において、該永久磁石体の
   表面に、０．００１〜０．０１ｗｔ％のＳを含有するＮ
   ｉめっき層を下層として設け、その上に０．０１〜１０
   ｗｔ％のＳを含有するＮｉめっき層を上層として設ける
   ことを特徴とする耐食性を改善したＲ−ＴＭ−Ｂ系永久
   磁石。
2. 【請求項２】　　前記上層として、前記下層Ｎｉめっき
   層よりも０．０１ｗｔ％以上多くＳを含有するＮｉめっ
   き層を設けることを特徴とする請求項１に記載の耐食性
   を改善したＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石。