JPH05335124A - 耐食性を改善したr−tm−b系永久磁石及びその製造方法 - Google Patents

耐食性を改善したr−tm−b系永久磁石及びその製造方法

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JPH05335124A
JPH05335124A JP4162064A JP16206492A JPH05335124A JP H05335124 A JPH05335124 A JP H05335124A JP 4162064 A JP4162064 A JP 4162064A JP 16206492 A JP16206492 A JP 16206492A JP H05335124 A JPH05335124 A JP H05335124A
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JP
Japan
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permanent magnet
bath
corrosion resistance
plating
improved corrosion
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JP4162064A
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Inventor
Atsushi Tagaya
敦 多賀谷
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Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/0253Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing permanent magnets
    • H01F41/026Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing permanent magnets protecting methods against environmental influences, e.g. oxygen, by surface treatment

Abstract

(57)【要約】 【目的】 信頼性の高い耐食性を改善したR−TM−B
系永久磁石を提供する。 【構成】 重量比でR(ここでは、Yを含む希土類元素
の1種又は2種以上の組み合わせ)5〜40%、TM
(ここでTMは、Feを主体とする遷移金属であって、
一部を他の金属元素又は非金属元素で置換してよい。)
50〜90%B(硼素)0.2〜8%からなるR−TM
−B系永久磁石において、該永久磁石体の表面に層状組
織を有するNiめっき層が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、R−TM−B系永久磁
石であって、磁石体表面に平滑化されたNiめっき層を
設ける事により耐食性を著しく改善したものに関する。
【0002】
【従来の技術】電気・電子機器の高性能・小型化に伴な
って、その一部品たる永久磁石にも同様の要求が強まっ
てきた。すなわち以前の最強の永久磁石は希土類・コバ
ルト(R−Co)系であったが、近年、より強力なR−
TM−B系永久磁石が台頭してきた(特開昭59−46
008号)。ここにRはYをふくむ希土類元素の1種又
は2種以上の組み合わせであり、TMはFe、Co等の
遷移金属中心として、一部を他の金属元素又は非金属元
素で置換したもの、Bは硼素である。しかし、R−TM
−B系永久磁石は極めて錆やすいという問題点があっ
た。そのため、耐食性を改善するために、永久磁石表面
に耐酸化性の被覆層を設ける手段がとられてきた。被覆
層の種類としては、Niめっき耐酸化性樹脂、Alイオ
ンプレーティングによる金属被膜等が提案されており、
とりわけNiめっきは簡易な処理でR−TM−B系永久
磁石の耐食性を向上するものとして注目されている(特
開昭60−54406号)。Niめっきは、耐酸化性樹
脂と比較して表面被覆層の機械的強度に優れており、ま
た被覆層自体の吸湿性がほとんどないという長所を有し
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来行
われていたNiめっき被覆層は、図2に示す様に磁石体
表面に対して垂直方向に連続成長するため、電析時初期
に生じたピンホールが残存するという問題があった。そ
のため、被覆層自身の吸湿性の有無にかかわらず、経時
変化に伴い水分がピンホールを通じて磁石体に浸透し、
腐食劣化を引き起こすという問題があった。そこで、本
発明の目的は、信頼性の高い耐食性を改善したR−TM
−B系永久磁石を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、重量比でR
(ここでRは、これを含む希土類元素の1種又は2種以
上の組み合わせ)5〜40%、TM(ここでTMはFe
を主体とする遷移金属であって一部を他の金属元素又は
非金属元素で置換してよい。)50〜90%、B(硼
素)0.2〜8%からなるR−TM−B系永久磁石の表
面に層状組織を有するNiめっき層を設けることを特徴
とする耐食性を改善したR−TM−B系永久磁石であ
る。図1に本発明にかかるNiめっき層を示す。このN
iめっき層は、磁石体表面に対して横方向に連続成長し
(これを平滑化作用という)層状組織として形成され
る。したがって、初期にピンホールが生じたとしても、
その後その上層にめっき層が成長してピンホールの残存
が防止され、同時に下地も守られるものと考えられる。
本発明は、上記平滑化作用により、R−TM−B系永久
磁石の耐食性を向上するものである。
【0005】本発明において、Fe、Co、Ni等のT
Mの一部を置換する元素は、その添加目的に応じて、G
a、Al、Ti、V、Cr、Mn、Zr、Hf、Nb、
Ta、Mo、Ge、Sb、Sn、Bi、Ni他を添加で
き、本発明はいかなるR−TM−B系磁石にも適用でき
る。また、その製造方法は焼結法、溶湯急冷法、あるい
はそれらの変形法のいずれかの方法でもよい。製造方法
としては、有機溶剤による脱脂の後にめっきを施す。電
流密度は1〜2A/dm2が良くめっき層の厚さは5〜
20μmが好ましい。めっき前処理に関しては、加工変
質層の除去及びめっき前活性化を図る上で、酸性溶液を
用いるのが良い。硫酸や塩酸等の強酸がめっき前活性化
にとって有効であるが、めっき前処理の材質への影響を
極力避けるためには、2〜10vol%の硝酸による第
1エッチング、その後過酸化水素5〜10vol%、酢
酸10〜30vol%の混酸による第2エッチングが最
も望ましい。次いでNiめっき処理を行う。
【0006】Niめっき浴の種類としてはワット浴、ス
ルファミン酸浴、アンモン浴、高硫酸浴のいずれでも良
く、特に高硫酸浴が良い。高硫酸浴の基本成分の中には
優れた平滑化作用を有する硫酸ナトリウムが含まれてい
ることから、高硫酸浴に関しては特別な添加剤の有無と
は関係なく平滑性の良好なNiめっき層を得ることがで
きる。
【0007】ワット浴、スルファミン酸浴、アンモン浴
に関しては、ラウリル硫酸ナトリウム、クマリン、2ブ
チン−1・4ジオール、エチレンシアンヒドリン、ホル
マリン、チオ尿素、ピリジンから選ばれた少なくとも1
種以上の有機添加剤及びサッカリン、1・5ナフタレン
ジスルホン酸ナトリウム、1・3・6ナフタレントリス
ルホン酸ナトリウム、パラトルエンスルホンアミドから
選ばれた少なくとも1種以上の応力減少剤の両方を各適
量添加して用いるのが良い。前記した有機添加剤は優れ
た平滑化作用を有しているが、単独で使用すると脆弱で
内部応力の高いNiめっき層が形成されてしまうため好
ましくない。応力減少剤については、それ自体は平滑化
作用を有してはいないが、平滑化を助ける触媒的効果を
有しているので、有機添加剤と応力減少剤は併用して添
加するのが望ましい。本発明のNiめっき層は単独で用
いるのみならず、複層のNiめっきおよびその他のめっ
き層、耐酸化樹脂層との複層として用いることもでき
る。
【0008】
【実施例】Nd(Fe0.7Co0.20.07Ga0.036.5
なる組成の合金をアーク溶解にて作製し、得られたイン
ゴットをスタンプミル及びディスクミルで粗粉砕した。
その後、N2ガスを粉砕媒体としてジェットミルで微粉
砕を行い、粉砕粒度3.5μm(FSSS)の微粉砕を
得た。得られた原料粉を15KOeの磁場中で横磁場成
形した。成形圧力は2Ton/cm2であった。本成形
体を真空中で1090℃×2時間焼結した。焼結体を1
8×10×6mmの寸法に切り出し、次いで900℃の
アルゴン雰囲気中に2時間加熱保持した後に、急冷し温
度を600℃のアルゴン雰囲気中で1時間保持した。こ
うして得られた試料について、めっき前処理として5v
ol%の硝酸による第1エッチング、その後過酸化水素
10vol%、酢酸25vol%の混酸による第2エッ
チングを行った。その後表1および表2に示す条件で、
各種Niめっき処理を施した。
【0009】
【表1】
【0010】
【表2】
【0011】なお、表1および表2に記載した試料のN
iめっき層の膜厚は、試料番号1.2.3.4ともに1
0μmであった。表1および表2に示した試料に関して
80℃ 90%RHでの500時間の耐食試験及び35
℃ 5%NaClでの100時間の塩水噴霧試験を行っ
た。結果を表3に示す。
【0012】
【表3】
【0013】表3において、耐食試験結果は試料の外観
変化を、塩水噴霧試験結果は赤錆発生時間を示したもの
である。表3より、本発明による永久磁石は、従来の磁
石と比較して、耐食性を著しく向上し得ることがわか
る。
【0014】
【発明の効果】本発明により、希土類と鉄を主体とした
磁石において、従来のめっきでは不十分であった耐食性
の顕著な向上が図られた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るNiめっき層の断面の走査型電子
顕微鏡による金属ミクロ組織写真である。
【図2】従来までのNiめっき層の断面の走査型電子顕
微鏡による金属ミクロ組織写真である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 重量比でR(ここでは、Yを含む希土類
    元素の1種又は2種以上の組み合わせ)5〜40%、T
    M(ここでTMは、Feを主体とする遷移金属であっ
    て、一部を他の金属元素又は非金属元素で置換してよ
    い。)50〜90%B(硼素)0.2〜8%からなるR
    −TM−B系永久磁石において、該永久磁石体の表面に
    層状組織を有するNiめっき層が形成されていることを
    特徴とする耐食性を改善したR−TM−B系永久磁石。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のNiめっき層を高硫酸
    浴から電析させて得ることを特徴とする耐食性を改善し
    たR−TM−B系永久磁石の製造方法。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載のNiめっき層をラウリ
    ル硫酸ナトリウム、クマリン、2ブチン−1・4ジオー
    ル、エチレンシアンヒドリン、ホルマリン、チオ尿素、
    ピリジンから選ばれた少なくとも1種以上の有機添加剤
    及びサッカリン、1・5ナフタレンジスルホン酸ナトリ
    ウム、1・3・6ナフタレントリスルホン酸ナトリウ
    ム、パラトルエンスルホンアミドから選ばれた少なくと
    も1種以上の応力減少剤の両方を複合添加したNiめっ
    き浴から電析させて得ることを特徴とする耐食性を改善
    したR−TM−B系永久磁石の製造方法。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載のNiめっき浴が、ワッ
    ト浴、スルファミン酸浴、アンモン浴のいずれかである
    ことを特徴とする耐食性を改善したR−TM−B系永久
    磁石の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005001855A1 (ja) * 2003-06-27 2005-01-06 Tdk Corporation R-t-b系永久磁石

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