JPH04249388A - レーザ配線形成装置 - Google Patents
レーザ配線形成装置Info
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- JPH04249388A JPH04249388A JP1449191A JP1449191A JPH04249388A JP H04249388 A JPH04249388 A JP H04249388A JP 1449191 A JP1449191 A JP 1449191A JP 1449191 A JP1449191 A JP 1449191A JP H04249388 A JPH04249388 A JP H04249388A
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Landscapes
- Lasers (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、ＹＡＧレ−ザ
光を照射して基板上に配線を形成するレ−ザ配線形成装
置。
光を照射して基板上に配線を形成するレ−ザ配線形成装
置。
【０００２】
【従来の技術】一般に、金属蒸気を用いたレ−ザＣＶＤ
には２つの方法がある。１つはＵＶレ−ザを用いてソ−
スガスとなる有機金属ガスを光解離する方法であり、他
の１つは可視レ−ザ光や赤外レ−ザ光を用いて上記有機
金属ガスを熱解離する方法である。この２つの方法のう
ち熱解離を利用したレ−ザＣＶＤは、蒸着の進行の観察
に使用されるウインドが汚れず、高い膜質が得られるた
め、光解離を利用したレ−ザＣＶＤよりも実用上優れて
いる。
には２つの方法がある。１つはＵＶレ−ザを用いてソ−
スガスとなる有機金属ガスを光解離する方法であり、他
の１つは可視レ−ザ光や赤外レ−ザ光を用いて上記有機
金属ガスを熱解離する方法である。この２つの方法のう
ち熱解離を利用したレ−ザＣＶＤは、蒸着の進行の観察
に使用されるウインドが汚れず、高い膜質が得られるた
め、光解離を利用したレ−ザＣＶＤよりも実用上優れて
いる。
【０００３】そして、この熱解離を利用する方法は、さ
らに２種類の方法に分類される。つまり、パルス発振さ
れたレ−ザ光（例えば、ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレ−ザ
光やＣＶＬ光など）を用いる方法と、連続発振されたレ
−ザ光（例えば、Ａｒ＋レ−ザ光やＣＷ−ＹＡＧレ−ザ
光など）を用いる方法である。
らに２種類の方法に分類される。つまり、パルス発振さ
れたレ−ザ光（例えば、ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレ−ザ
光やＣＶＬ光など）を用いる方法と、連続発振されたレ
−ザ光（例えば、Ａｒ＋レ−ザ光やＣＷ−ＹＡＧレ−ザ
光など）を用いる方法である。
【０００４】また、可視レ−ザ光や赤外レ−ザ光を用い
て熱解離するレ−ザＣＶＤにおける問題点は、低抵抗な
導電膜を形成するために必要とされる出力形態と、高反
射率、高熱伝導度な材質（例えば、Ａｌなど）上に成膜
して配線するために必要とされる出力形態とが異なるこ
とである。
て熱解離するレ−ザＣＶＤにおける問題点は、低抵抗な
導電膜を形成するために必要とされる出力形態と、高反
射率、高熱伝導度な材質（例えば、Ａｌなど）上に成膜
して配線するために必要とされる出力形態とが異なるこ
とである。
【０００５】つまり、低抵抗な導電膜を形成するために
は連続発振されたレ−ザ光が有効であり、また、Ａｌ等
への成膜には、表面へのダメ−ジが少なく、加熱の効率
が良いため、パルス発振されたレ−ザ光が有効である。
は連続発振されたレ−ザ光が有効であり、また、Ａｌ等
への成膜には、表面へのダメ−ジが少なく、加熱の効率
が良いため、パルス発振されたレ−ザ光が有効である。
【０００６】したがって、例えば互いに離間して低抵抗
な材質を介在させた２つのＡｌ配線を低抵抗な導電膜に
よって接続するためには、連続発振するものとパルス発
振するものの２台のレ−ザ装置が必要だった。このため
、従来は、レ−ザ配線形成装置が大型化し、複雑な光学
系が必要だった。
な材質を介在させた２つのＡｌ配線を低抵抗な導電膜に
よって接続するためには、連続発振するものとパルス発
振するものの２台のレ−ザ装置が必要だった。このため
、従来は、レ−ザ配線形成装置が大型化し、複雑な光学
系が必要だった。
【０００７】また、２台のレ−ザ装置を用いて配線形成
を行った場合でも、パルス発振されたレ−ザ光による膜
質は悪く、２つのＡｌ配線を低抵抗な導電膜で接続する
ことは難しい。
を行った場合でも、パルス発振されたレ−ザ光による膜
質は悪く、２つのＡｌ配線を低抵抗な導電膜で接続する
ことは難しい。
【０００８】本発明の目的とするところは、成膜される
材質に関わらず、１台のレ−ザ装置を用いて低抵抗な配
線を形成することが可能なレ−ザ配線形成装置を提供す
ることにある。
材質に関わらず、１台のレ−ザ装置を用いて低抵抗な配
線を形成することが可能なレ−ザ配線形成装置を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために本発明は、Ｑスイッチ素子を有しこのＱス
イッチ素子をブラッグ角となるように角度調節可能に支
持したＱスイッチ素子支持手段と、Ｑスイッチ素子へ超
音波信号を印加する超音波信号印加手段と、連続励起さ
れたＹＡＧレ−ザ光をＱスイッチによりパルス化して発
振するＹＡＧレ−ザ装置と、有機金属ガスが供給された
チャンバを有しこのチャンバ内にレ−ザ配線形成用の基
板を収納しＹＡＧレ−ザ装置から発振されたＹＡＧレ−
ザ光を集光して基板に照射するとともに、ＹＡＧレ−ザ
光と基板とを相対変位させて基板上に配線を形成する配
線形成手段と、Ｑスイッチ素子支持手段を制御しＱスイ
ッチの角度を調節するとともに超音波信号印加手段を制
御しＱスイッチに印加される超音波信号を調節してＹＡ
Ｇレ−ザ光にパルス出力成分と連続出力成分とを混合さ
せる制御部とを具備したことにある。こうすることによ
って本発明は、成膜される材質に関わらず、１台のレ−
ザ装置を用いて低抵抗な配線を形成できるようにしたこ
とにある。
成するために本発明は、Ｑスイッチ素子を有しこのＱス
イッチ素子をブラッグ角となるように角度調節可能に支
持したＱスイッチ素子支持手段と、Ｑスイッチ素子へ超
音波信号を印加する超音波信号印加手段と、連続励起さ
れたＹＡＧレ−ザ光をＱスイッチによりパルス化して発
振するＹＡＧレ−ザ装置と、有機金属ガスが供給された
チャンバを有しこのチャンバ内にレ−ザ配線形成用の基
板を収納しＹＡＧレ−ザ装置から発振されたＹＡＧレ−
ザ光を集光して基板に照射するとともに、ＹＡＧレ−ザ
光と基板とを相対変位させて基板上に配線を形成する配
線形成手段と、Ｑスイッチ素子支持手段を制御しＱスイ
ッチの角度を調節するとともに超音波信号印加手段を制
御しＱスイッチに印加される超音波信号を調節してＹＡ
Ｇレ−ザ光にパルス出力成分と連続出力成分とを混合さ
せる制御部とを具備したことにある。こうすることによ
って本発明は、成膜される材質に関わらず、１台のレ−
ザ装置を用いて低抵抗な配線を形成できるようにしたこ
とにある。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１〜図４に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例を示しており、図
中の１はレ−ザ配線形成装置（以下、配線装置と称する
）である。この配線装置１は、レ−ザ装置２と、配線形
成手段３、および、制御手段としてのコントロ−ラ４と
により構成されている。
中の１はレ−ザ配線形成装置（以下、配線装置と称する
）である。この配線装置１は、レ−ザ装置２と、配線形
成手段３、および、制御手段としてのコントロ−ラ４と
により構成されている。
【００１２】これらのうちレ−ザ装置２は、ＹＡＧロッ
ド５と励起ランプ６とを反射集光鏡７内に収納し、ＹＡ
Ｇレ−ザ光（以下、レ−ザ光と称する）Ｌ１を励起する
励起部８を有している。さらに、レ−ザ装置２は、励起
部８の出力側に位置する出力鏡９と反射側に位置する反
射鏡１０とを、ＹＡＧロッド５と同軸的に配設している
。そして、レ−ザ装置２は、励起部８によってレ−ザ光
Ｌ１を連続励起し、励起されたレ−ザ光Ｌ１を反射鏡１
０と出力鏡９とにより共振して出力する。
ド５と励起ランプ６とを反射集光鏡７内に収納し、ＹＡ
Ｇレ−ザ光（以下、レ−ザ光と称する）Ｌ１を励起する
励起部８を有している。さらに、レ−ザ装置２は、励起
部８の出力側に位置する出力鏡９と反射側に位置する反
射鏡１０とを、ＹＡＧロッド５と同軸的に配設している
。そして、レ−ザ装置２は、励起部８によってレ−ザ光
Ｌ１を連続励起し、励起されたレ−ザ光Ｌ１を反射鏡１
０と出力鏡９とにより共振して出力する。
【００１３】また、レ−ザ装置２は、ＹＡＧロッド５と
同軸的に並んだＡＯ（音響光学）Ｑスイッチ素子（以下
、Ｑスイッチと称する）１１と非線形結晶（例えば、Ｋ
ＴＰなど）１２とを有しており、Ｑスイッチ１１を励起
部８と反射鏡１０との間に配置するとともに、非線形結
晶１２を励起部８と出力鏡９との間に配置している。
同軸的に並んだＡＯ（音響光学）Ｑスイッチ素子（以下
、Ｑスイッチと称する）１１と非線形結晶（例えば、Ｋ
ＴＰなど）１２とを有しており、Ｑスイッチ１１を励起
部８と反射鏡１０との間に配置するとともに、非線形結
晶１２を励起部８と出力鏡９との間に配置している。
【００１４】Ｑスイッチ１１は、石英ブロック等にトラ
ンスデュ−サ（図示しない）を接着してなるものである
。そして、Ｑスイッチ１１は、超音波信号付加手段とし
てのＱスイッチドライバ１３と接続されており、Ｑスイ
ッチドライバ１３からトランスデュ−サにＲＦ信号を印
加される。
ンスデュ−サ（図示しない）を接着してなるものである
。そして、Ｑスイッチ１１は、超音波信号付加手段とし
てのＱスイッチドライバ１３と接続されており、Ｑスイ
ッチドライバ１３からトランスデュ−サにＲＦ信号を印
加される。
【００１５】また、Ｑスイッチ１１は、Ｑスイッチ素子
支持手段（以下、支持手段と称する）１４によって支持
されている。この支持手段１４は、Ｑスイッチ１１をレ
−ザ装置２の光路上に位置させている。そして、支持手
段１４はＱスイッチ１１を、例えばレ−ザ光Ｌ１の光軸
に対し垂直な軸を中心として矢印Ａで示すように回動変
位させてＱスイッチ１１の角度調節を行う。
支持手段（以下、支持手段と称する）１４によって支持
されている。この支持手段１４は、Ｑスイッチ１１をレ
−ザ装置２の光路上に位置させている。そして、支持手
段１４はＱスイッチ１１を、例えばレ−ザ光Ｌ１の光軸
に対し垂直な軸を中心として矢印Ａで示すように回動変
位させてＱスイッチ１１の角度調節を行う。
【００１６】上記配線形成手段３は、内部空間を気密的
に閉じたチャンバ１５と、このチャンバ１５と配管１６
ａを介して接続されチャンバ１５の内部に有機金属ガス
を供給する有機金属ガス発生手段１７とを備えている。 さらに、配線形成手段３はチャンバ１５に、配管１６ｂ
を介して排気装置１８を接続している。そして、配線形
成手段３は、チャンバ１５をＸ−Ｙテ−ブル１９上に載
置しており、Ｘ−Ｙテ−ブル１９を駆動してチャンバ１
５を、直交するＸ−Ｙ方向に変位させる。
に閉じたチャンバ１５と、このチャンバ１５と配管１６
ａを介して接続されチャンバ１５の内部に有機金属ガス
を供給する有機金属ガス発生手段１７とを備えている。 さらに、配線形成手段３はチャンバ１５に、配管１６ｂ
を介して排気装置１８を接続している。そして、配線形
成手段３は、チャンバ１５をＸ−Ｙテ−ブル１９上に載
置しており、Ｘ−Ｙテ−ブル１９を駆動してチャンバ１
５を、直交するＸ−Ｙ方向に変位させる。
【００１７】また、配線形成手段３は、チャンバ１５に
ウインド２０を有している。さらに、配線形成手段３は
、このウインド２０に集光レンズ２１を対向させており
、この集光レンズ２１を、チャンバ１５とレ−ザ装置２
との間に介在した光路調節ミラ−２２とウインド２０と
の間に位置させている。
ウインド２０を有している。さらに、配線形成手段３は
、このウインド２０に集光レンズ２１を対向させており
、この集光レンズ２１を、チャンバ１５とレ−ザ装置２
との間に介在した光路調節ミラ−２２とウインド２０と
の間に位置させている。
【００１８】そして、配線形成手段３は、レ−ザ装置２
から出射され光路調節ミラ−２２によって光路調節され
たレ−ザ光Ｌ２を、集光レンズ２１により集光する。そ
して、配線形成手段３は、集光されたレ−ザ光Ｌ２をウ
インド２０に透過させ、チャンバ１５内に収納された基
板２３に照射する。
から出射され光路調節ミラ−２２によって光路調節され
たレ−ザ光Ｌ２を、集光レンズ２１により集光する。そ
して、配線形成手段３は、集光されたレ−ザ光Ｌ２をウ
インド２０に透過させ、チャンバ１５内に収納された基
板２３に照射する。
【００１９】また、配線形成手段３は、有機金属ガスの
チャンバ１５内への供給を行うとともに、排気装置１８
によってチャンバ１５内の排気を行っている。そして、
ガスの供給と排出とは連続的に行われている。
チャンバ１５内への供給を行うとともに、排気装置１８
によってチャンバ１５内の排気を行っている。そして、
ガスの供給と排出とは連続的に行われている。
【００２０】コントロ−ラ４は、Ｑスイッチドライバ１
３と支持手段１４、および、Ｘ−Ｙテ−ブル１９と接続
されている。そして、コントロ−ラ４は、Ｑスイッチド
ライバ１３からＱスイッチ１１に印加されるＲＦ信号、
Ｑスイッチ１１の角度、および、基板２３の変位量等を
制御する。つぎに、レ−ザ配線装置１の作用を説明する
。
３と支持手段１４、および、Ｘ−Ｙテ−ブル１９と接続
されている。そして、コントロ−ラ４は、Ｑスイッチド
ライバ１３からＱスイッチ１１に印加されるＲＦ信号、
Ｑスイッチ１１の角度、および、基板２３の変位量等を
制御する。つぎに、レ−ザ配線装置１の作用を説明する
。
【００２１】チャンバ１５内に、金属ガス供給手段１７
から有機金属ガスが供給され、チャンバ１５に収納され
た基板２３は、有機金属ガスの雰囲気中に置かれる。さ
らに、レ−ザ装置２から出射されたレ−ザ光Ｌ２が、光
路調節ミラ−２２によって配線形成手段３へ導かれ、集
光レンズ２１により集光されて、ウインド２０を透過す
る。
から有機金属ガスが供給され、チャンバ１５に収納され
た基板２３は、有機金属ガスの雰囲気中に置かれる。さ
らに、レ−ザ装置２から出射されたレ−ザ光Ｌ２が、光
路調節ミラ−２２によって配線形成手段３へ導かれ、集
光レンズ２１により集光されて、ウインド２０を透過す
る。
【００２２】そして、ウインド２０を透過したレ−ザ光
Ｌ２は、チャンバ１５内において基板２３の表面に照射
され、基板２３のレ−ザ光Ｌ２が照射された部位に、有
機金属ガスの材質に応じた金属膜が蒸着されて堆積する
。
Ｌ２は、チャンバ１５内において基板２３の表面に照射
され、基板２３のレ−ザ光Ｌ２が照射された部位に、有
機金属ガスの材質に応じた金属膜が蒸着されて堆積する
。
【００２３】さらに、Ｘ−Ｙテ−ブル１９がコントロ−
ラ４の指令を受けて駆動され、基板２３がチャンバ１５
とともにレ−ザ光Ｌ２に対して所定量変位する。そして
、レ−ザ光Ｌ２と基板２３とが相対変位し、レ−ザ光Ｌ
２が基板２３の表面を移動する。そして、レ−ザ光Ｌ２
の移動に伴って金属膜が連続的に堆積し、基板２３の表
面に、レ−ザ光Ｌ２の移動経路に応じた形状の配線が形
成される。
ラ４の指令を受けて駆動され、基板２３がチャンバ１５
とともにレ−ザ光Ｌ２に対して所定量変位する。そして
、レ−ザ光Ｌ２と基板２３とが相対変位し、レ−ザ光Ｌ
２が基板２３の表面を移動する。そして、レ−ザ光Ｌ２
の移動に伴って金属膜が連続的に堆積し、基板２３の表
面に、レ−ザ光Ｌ２の移動経路に応じた形状の配線が形
成される。
【００２４】ここで、基板２３とレ−ザ光Ｌ２との相対
変位を、レ−ザ光Ｌ２を基板２３に対して変位させるこ
とにより行ってもよい。さらに、コントロ−ラ４がレ−
ザ光Ｌ２を変位させるようにしてもよい。
変位を、レ−ザ光Ｌ２を基板２３に対して変位させるこ
とにより行ってもよい。さらに、コントロ−ラ４がレ−
ザ光Ｌ２を変位させるようにしてもよい。
【００２５】コントロ−ラ４は、Ｘ−Ｙテ−ブル１９の
制御の外に、Ｑスイッチ１１の角度の制御、および、Ｑ
スイッチドライバ１３のパワ−の制御を行う。そして、
コントロ−ラ４は、パルス成分と連続成分とが混合した
レ−ザ光Ｌ２を発生させる。
制御の外に、Ｑスイッチ１１の角度の制御、および、Ｑ
スイッチドライバ１３のパワ−の制御を行う。そして、
コントロ−ラ４は、パルス成分と連続成分とが混合した
レ−ザ光Ｌ２を発生させる。
【００２６】つまり、Ｑスイッチ１１は、超音波と光の
相互作用を利用した素子である。超音波媒体である石英
ブロック内にトランスデュ−サを介して超音波を発生さ
せると、光弾性効果により周期的な屈折率変動が生じ、
石英ブロックは、超音波の波長と同じ値の間隔をもつ位
相格子を形成する。通常のＱスイッチの角度は、レ−ザ
光が以下のブラッグ条件、 ｓｉｎθ＝λ／２Λ λ：媒質内光波長 Λ：超音波波長 を満たす角度θで入射し、上記位相格子に対して発振器
損失が最大となるよう調節されている。
相互作用を利用した素子である。超音波媒体である石英
ブロック内にトランスデュ−サを介して超音波を発生さ
せると、光弾性効果により周期的な屈折率変動が生じ、
石英ブロックは、超音波の波長と同じ値の間隔をもつ位
相格子を形成する。通常のＱスイッチの角度は、レ−ザ
光が以下のブラッグ条件、 ｓｉｎθ＝λ／２Λ λ：媒質内光波長 Λ：超音波波長 を満たす角度θで入射し、上記位相格子に対して発振器
損失が最大となるよう調節されている。
【００２７】レ−ザ発振中に、Ｑスイッチ１１にＲＦ信
号が印加されると、Ｑスイッチ１１によって発振器損失
が増え、レ−ザ発振が抑えられる。この間も、励起ラン
プ６による励起が続けられ、レ−ザ媒質（ＹＡＧロッド
５）内に励起によって決まる反転分布が生じる。
号が印加されると、Ｑスイッチ１１によって発振器損失
が増え、レ−ザ発振が抑えられる。この間も、励起ラン
プ６による励起が続けられ、レ−ザ媒質（ＹＡＧロッド
５）内に励起によって決まる反転分布が生じる。
【００２８】この状態において瞬時にＲＦ信号の印加を
停止すると、パルスレ−ザ発振が急速に立上り、図２に
示すように、パルス幅が短くピ−クパワ−が高いレ−ザ
出力が得られる。ここで、例えば、Ｑスイッチ１１の周
波数を３０ｋＨｚとした場合、図２中に示すパルスの間
隔Ｄは約３３μｓであり、パルス幅Ｅは３００ｎｓとな
った。
停止すると、パルスレ−ザ発振が急速に立上り、図２に
示すように、パルス幅が短くピ−クパワ−が高いレ−ザ
出力が得られる。ここで、例えば、Ｑスイッチ１１の周
波数を３０ｋＨｚとした場合、図２中に示すパルスの間
隔Ｄは約３３μｓであり、パルス幅Ｅは３００ｎｓとな
った。
【００２９】また、Ｑスイッチ１１の角度をブラック条
件からはずれるよう調節したり、或いは、ＲＦ信号のパ
ワ−を下げたりすると、Ｑスイッチ１１の損失が低下し
、図３に示すように、パルス出力のレ−ザ光に連続出力
成分が混入する。
件からはずれるよう調節したり、或いは、ＲＦ信号のパ
ワ−を下げたりすると、Ｑスイッチ１１の損失が低下し
、図３に示すように、パルス出力のレ−ザ光に連続出力
成分が混入する。
【００３０】また、パルス出力成分と連続出力成分との
混合は、Ｑスイッチ１１の角度の制御およびＲＦ信号の
パワ−の制御により、基板２３の表面の材質の変化に合
わせて行われる。
混合は、Ｑスイッチ１１の角度の制御およびＲＦ信号の
パワ−の制御により、基板２３の表面の材質の変化に合
わせて行われる。
【００３１】より具体的には、例えば、図４に示すよう
に、基板２３の表面がＡｌとＳｉＯ２のようにレ−ザ光
の吸収率や熱伝導度等について異なる材質の膜により構
成され、ＳｉＯ２膜２４を介在させたＡｌ配線２５ａ、
２５ｂ間がレ−ザ配線される場合、連続出力のみのレ−
ザ光によってＡｌ配線２５ａ上に、Ａｌ膜にダメ−ジを
与えずに配線を形成することは困難である。
に、基板２３の表面がＡｌとＳｉＯ２のようにレ−ザ光
の吸収率や熱伝導度等について異なる材質の膜により構
成され、ＳｉＯ２膜２４を介在させたＡｌ配線２５ａ、
２５ｂ間がレ−ザ配線される場合、連続出力のみのレ−
ザ光によってＡｌ配線２５ａ上に、Ａｌ膜にダメ−ジを
与えずに配線を形成することは困難である。
【００３２】このため、図２に示すようにパルス出力比
率の高いレ−ザ光が得られるようＱスイッチの角度およ
びＲＦ信号のパワ−が制御され、Ａｌ配線２５ａが効率
的に加熱されて金属膜が形成される。このとき、成膜の
ための適性なレ−ザ出力として、図２中にＢで示す示す
Ｑスイッチ成分は約３Ｗ、Ｃで示す連続出力成分は約０
Ｗであった。
率の高いレ−ザ光が得られるようＱスイッチの角度およ
びＲＦ信号のパワ−が制御され、Ａｌ配線２５ａが効率
的に加熱されて金属膜が形成される。このとき、成膜の
ための適性なレ−ザ出力として、図２中にＢで示す示す
Ｑスイッチ成分は約３Ｗ、Ｃで示す連続出力成分は約０
Ｗであった。
【００３３】また、レ−ザ光Ｌ２が矢印Ｆで示すように
他方のＡｌ配線２５ｂへ向って変位し、ＳｉＯ２膜２４
に達した時には、図３に示すように連続出力成分比率の
高いレ−ザ光が得られるようＱスイッチの角度およびＲ
Ｆ信号のパワ−が制御され、ＳｉＯ２膜２４上に低抵抗
な金属膜が形成される。このときの適性レ−ザ出力は、
連続出力成分が３０〜６０ｍＷであり、Ｑスイッチ出力
成分は約０Ｗだった。
他方のＡｌ配線２５ｂへ向って変位し、ＳｉＯ２膜２４
に達した時には、図３に示すように連続出力成分比率の
高いレ−ザ光が得られるようＱスイッチの角度およびＲ
Ｆ信号のパワ−が制御され、ＳｉＯ２膜２４上に低抵抗
な金属膜が形成される。このときの適性レ−ザ出力は、
連続出力成分が３０〜６０ｍＷであり、Ｑスイッチ出力
成分は約０Ｗだった。
【００３４】そして、パルス出力成分と連続出力成分と
の混合比との調節は、基板２３の表面をモニタして得ら
れた結果や、コントロ−ラ内に予め入力された位置座標
デ−タを基にして行われる。この外に、放射温度計によ
って基板２３の表面の温度をモニタし表面の組成の変化
を検知して出力成分の混合比を調節することも可能であ
る。
の混合比との調節は、基板２３の表面をモニタして得ら
れた結果や、コントロ−ラ内に予め入力された位置座標
デ−タを基にして行われる。この外に、放射温度計によ
って基板２３の表面の温度をモニタし表面の組成の変化
を検知して出力成分の混合比を調節することも可能であ
る。
【００３５】このようなレ−ザ配線装置１においては、
パルス出力成分と連続出力成分とを混合させることがで
き、表面を特性の異なる複数の材質により構成された基
板２３に１台のレ−ザ装置によって配線を形成すること
ができる。
パルス出力成分と連続出力成分とを混合させることがで
き、表面を特性の異なる複数の材質により構成された基
板２３に１台のレ−ザ装置によって配線を形成すること
ができる。
【００３６】さらに、配線される下地膜（ここでは、Ａ
ｌ膜とＳｉＯ２膜）の材質に合わせてパルス出力成分と
連続出力成分との混合比率を変化させることができ、高
速に且つ安定して低抵抗な配線を形成することができる
。
ｌ膜とＳｉＯ２膜）の材質に合わせてパルス出力成分と
連続出力成分との混合比率を変化させることができ、高
速に且つ安定して低抵抗な配線を形成することができる
。
【００３７】そして、パルス出力成分に連続出力成分が
混合しているので、パルス出力成分のみのレ−ザ光によ
って形成された配線に比べて、膜質が向上する。そして
、具体的には、Ａｌ上では連続出力成分を約０とするこ
とができるとともに、ＳｉＯ２上ではＱスイッチ出力成
分を約０とすることができる。また、２００μｍ間隔で
並んだＡｌ配線を抵抗が５Ωの配線によって接続するこ
とが可能になった。なお、本発明は要旨を逸脱しない範
囲で種々に変形することが可能である。
混合しているので、パルス出力成分のみのレ−ザ光によ
って形成された配線に比べて、膜質が向上する。そして
、具体的には、Ａｌ上では連続出力成分を約０とするこ
とができるとともに、ＳｉＯ２上ではＱスイッチ出力成
分を約０とすることができる。また、２００μｍ間隔で
並んだＡｌ配線を抵抗が５Ωの配線によって接続するこ
とが可能になった。なお、本発明は要旨を逸脱しない範
囲で種々に変形することが可能である。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、Ｑスイッ
チ素子を有しこのＱスイッチ素子を角度調節可能に支持
したＱスイッチ素子支持手段と、Ｑスイッチ素子へ超音
波信号を印加する超音波信号印加手段と、連続励起され
たＹＡＧレ−ザ光をＱスイッチによりパルス化して発振
するＹＡＧレ−ザ装置と、有機金属ガスがその内部に供
給されたチャンバを有しこのチャンバ内にレ−ザ配線形
成用の基板を収納しＹＡＧレ−ザ装置から発振されたＹ
ＡＧレ−ザ光を集光して基板に照射するとともに、ＹＡ
Ｇレ−ザ光と基板とを相対変位させて基板上に配線を形
成する配線形成手段と、Ｑスイッチ素子支持手段を制御
しＱスイッチの角度を調節するとともに超音波信号印加
手段を制御しＱスイッチに印加される超音波信号を調節
してＹＡＧレ−ザ光にパルス出力成分と連続出力成分と
を混合させる制御部とを具備したものである。したがっ
て本発明は、成膜される材質に関わらず、１台のレ−ザ
装置を用いて低抵抗な配線を形成できるという効果があ
る。
チ素子を有しこのＱスイッチ素子を角度調節可能に支持
したＱスイッチ素子支持手段と、Ｑスイッチ素子へ超音
波信号を印加する超音波信号印加手段と、連続励起され
たＹＡＧレ−ザ光をＱスイッチによりパルス化して発振
するＹＡＧレ−ザ装置と、有機金属ガスがその内部に供
給されたチャンバを有しこのチャンバ内にレ−ザ配線形
成用の基板を収納しＹＡＧレ−ザ装置から発振されたＹ
ＡＧレ−ザ光を集光して基板に照射するとともに、ＹＡ
Ｇレ−ザ光と基板とを相対変位させて基板上に配線を形
成する配線形成手段と、Ｑスイッチ素子支持手段を制御
しＱスイッチの角度を調節するとともに超音波信号印加
手段を制御しＱスイッチに印加される超音波信号を調節
してＹＡＧレ−ザ光にパルス出力成分と連続出力成分と
を混合させる制御部とを具備したものである。したがっ
て本発明は、成膜される材質に関わらず、１台のレ−ザ
装置を用いて低抵抗な配線を形成できるという効果があ
る。
【図１】本発明の一実施例のレ−ザ配線形成装置を示す
概略構成図。
概略構成図。
【図２】Ａｌ膜上に配線する場合のレ−ザ出力特性を示
すグラフ。
すグラフ。
【図３】ＳｉＯ２膜上に配線する場合のレ−ザ出力特性
を示す同じくグラフ。
を示す同じくグラフ。
【図４】配線形成時の様子を示す説明図。
１…レ−ザ配線形成装置、２…ＹＡＧレ−ザ装置、３…
配線形成手段、４…コントロ−ラ（制御部）、１１…Ａ
ＯＱスイッチ素子（Ｑスイッチ素子）、１３…Ｑスイッ
チドライバ（超音波信号付加手段）、１４…Ｑスイッチ
素子支持手段、１５…チャンバ、２３…基板、Ｌ１、Ｌ
２…ＹＡＧレ−ザ光。
配線形成手段、４…コントロ−ラ（制御部）、１１…Ａ
ＯＱスイッチ素子（Ｑスイッチ素子）、１３…Ｑスイッ
チドライバ（超音波信号付加手段）、１４…Ｑスイッチ
素子支持手段、１５…チャンバ、２３…基板、Ｌ１、Ｌ
２…ＹＡＧレ−ザ光。
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｑスイッチ素子を有しこのＱスイッチ
素子をブラッグ角となるように角度調節可能に支持した
Ｑスイッチ素子支持手段と、上記Ｑスイッチ素子へ超音
波信号を印加する超音波信号印加手段と、連続励起され
たＹＡＧレ−ザ光を上記Ｑスイッチによりパルス化して
発振するＹＡＧレ−ザ装置と、有機金属ガスが供給され
たチャンバを有しこのチャンバ内にレ−ザ配線形成用の
基板を収納し上記ＹＡＧレ−ザ装置から発振されたＹＡ
Ｇレ−ザ光を集光して上記基板に照射するとともに、上
記ＹＡＧレ−ザ光と上記基板とを相対変位させて上記基
板上に配線を形成する配線形成手段と、上記Ｑスイッチ
素子支持手段を制御し上記Ｑスイッチの角度を調節する
とともに上記超音波信号印加手段を制御し上記Ｑスイッ
チに印加される超音波信号を調節して上記ＹＡＧレ−ザ
光にパルス出力成分と連続出力成分とを混合させる制御
部とを具備したレ−ザ配線形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03014491A JP3080667B2 (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | レーザ配線形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03014491A JP3080667B2 (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | レーザ配線形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04249388A true JPH04249388A (ja) | 1992-09-04 |
| JP3080667B2 JP3080667B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=11862524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03014491A Expired - Fee Related JP3080667B2 (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | レーザ配線形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3080667B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006196645A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Institute Of Physical & Chemical Research | パルスレーザーのレーザー発振制御方法およびパルスレーザーシステム |
| JP2006196638A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Institute Of Physical & Chemical Research | パルスレーザーのレーザー発振制御方法およびパルスレーザーシステム |
-
1991
- 1991-02-05 JP JP03014491A patent/JP3080667B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006196645A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Institute Of Physical & Chemical Research | パルスレーザーのレーザー発振制御方法およびパルスレーザーシステム |
| JP2006196638A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Institute Of Physical & Chemical Research | パルスレーザーのレーザー発振制御方法およびパルスレーザーシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3080667B2 (ja) | 2000-08-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |