JP3391301B2 - 加工用レーザ装置 - Google Patents
加工用レーザ装置Info
- Publication number
- JP3391301B2 JP3391301B2 JP19593399A JP19593399A JP3391301B2 JP 3391301 B2 JP3391301 B2 JP 3391301B2 JP 19593399 A JP19593399 A JP 19593399A JP 19593399 A JP19593399 A JP 19593399A JP 3391301 B2 JP3391301 B2 JP 3391301B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- crystal
- laser
- output power
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3501—Constructional details or arrangements of non-linear optical devices, e.g. shape of non-linear crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3501—Constructional details or arrangements of non-linear optical devices, e.g. shape of non-linear crystals
- G02F1/3505—Coatings; Housings; Supports
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
- G02F1/3544—Particular phase matching techniques
- G02F1/3546—Active phase matching, e.g. by electro- or thermo-optic tuning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長変換素子を用
いて波長変換を行い、波長変換光を多層プリント板等の
被加工物に照射して加工を行う加工用レーザ装置に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】プリント基板のビアホールの孔あけ、フ
ィルム・金属の切断等の加工にレーザが使用される。近
年、微細加工の要求により、加工に用いられるレーザが
短波長化している。短波長のレーザの発生には、非線形
光学結晶を用いた波長変換方式を用いることが有効であ
る。 【０００３】図９に、非線形光学結晶を用いた波長変換
により加工を行なう加工用レーザ装置１０の概略構成を
示す。レーザ光源１１から出射されるレーザ光は、集光
レンズ１２によって集光され、非線形光学結晶１３に入
射する。非線形光学結晶１３に入射されたレーザ光の一
部が波長変換されて、非線形光学結晶１３から出射し、
出射光は集光レンズ１４によって集光され被加工物１５
に照射される。使用される非線形光学結晶１３として
は、例えばＬＢＯ，ＣＬＢＯ等がある。上記した非線形
光学結晶１３は温度と位相整合角（レーザ光が結晶に入
射する角度) が変化すると、出力するレーザパワーが変
化することが知られている。したがって、非線形光学結
晶１３はその温度一定になるように制御されている。非
線形光学結晶１３の温度制御は、非線形光学結晶１３の
表面に熱電対１６のような温度測定素子を接触させ、非
線形光学結晶全体をヒータ１８等の加熱手段、もしくは
ペルチェ素子等の冷却手段で覆う。そして、熱電対１６
の出力を温度調節器１７（以下温調器１７という）に入
力する。温調器１７は、あらかじめ設定された温度にな
るように、測定された非線形光学結晶１３の温度をフィ
ードバックし、加熱手段もしくは冷却手段の入力を制御
し、非線形光学結晶１３の温度を調節する。 【０００４】図９ではヒータ１８を用いて非線形光学結
晶１３を加熱する場合が図示されており、以下では非線
形光学結晶１３を加熱する場合を例にして説明する。加
工用レーザ装置１０からの出力は、次のようにして調整
する。 非線形光学結晶１３を設定された所定の温度に加熱
し、一定温度になるように制御する。その状態で、レー
ザ光源１１からのレーザ光を、非線形光学結晶１３に入
射し、波長変換されて出力されるレーザ光を図示しない
パワーモニタによって受光する。 パワーモニタの表示を見ながら、その値が最大にな
るように、非線形光学結晶１３の位相整合角を調整し、
非線形光学結晶１３を配置する角度を決定する。 【０００５】上記した加工用レーザ装置１０により、多
層プリント板のビアホール加工等を行う場合には、レー
ザ光をシャッタあるいはＱ−ＳＷによりオン／オフし
て、パルス状のレーザ光を間欠的に被加工物１５に照射
する。図１０にレーザ光によるビアホール加工の様子を
示す。同図（ａ）に示すように、通常、一枚の基板上に
は、複数の照射領域Ａ１，Ａ２，…が形成されており、
各照射領域Ａ１，Ａ２，…には複数の孔あけ箇所が設け
られている。そして、加工用レーザ装置から放出される
レーザ光を、ガルバノメータ等の制御手段により走査し
て、多層プリント板の各孔あけ位置に位置決めし、各孔
あけ位置にパルス状のレーザ光を複数回照射してビアホ
ール加工を行う。 【０００６】すなわち、同図（ｄ）に示すように半値全
幅（ピーク値の１／２のときのパルス幅）が数１０ｎｓ
〜数１００ｎｓで、繰り返し周波数が数ｋＨｚ〜数１０
ｋＨｚのレーザパルスを、領域Ａ１の各孔あけ箇所で同
図（ｃ）に示すように複数回照射して孔あけ加工を行
い、一つの孔あけが終わると同じ領域の次の孔あけ位置
にレーザ光を移動させ、同様にして孔あけを行う操作を
繰り返す。そして、領域Ａ１の全ての孔あけが終了する
と、同図（ｂ）示すように、レーザ光をオフにして、レ
ーザ光を次の領域Ａ２に移動させ、同様な孔あけ加工を
行う。以下同様にして多層プリント板の各領域Ａ１，Ａ
２，…の孔あけ加工を順次行い、一枚の多層プリント基
板の孔あけが終わると、レーザ光をオフとして多層プリ
ント板を交換して、次のプリント板の加工を行う。ここ
で、レーザのショット回数は、例えば一つの孔あけに１
〜３０ショット必要となる。なお、図１０（ｃ）ではレ
ーザ光の出射開始直後、レーザ光の大きさが次第に大き
くなっているが、これは後述するように非線形光学結晶
の内部温度の上昇による出力変動である。 【０００７】上記したように、加工用レーザ装置を多層
プリント板のビアホール等の加工に用いる場合、加工処
理済のワーク（多層プリント板）を未処理のワークに取
り換えたり、１つの多層プリント板内で、レーザ光を照
射する領域を移動させるなどの操作が必要である（この
操作を「段取り換え」という）。この段取り換えの時間
は、通常、数秒から数十秒（場合によっては数分間) か
かる。段取り換えを行なっている時は、図１０で説明し
たようにレーザ光源からのレーザ光の出射を行なわず、
加工用レーザ装置はレーザを出力しない。そして、段取
り換え終了後、レーザ光源からレーザ光を出射し、ワー
クに波長変換されたレーザ光を照射する。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した加
工用レーザ装置において、段取り換え終了後（レーザ光
の出射停止期間の終了後) に加工用レーザ装置から出力
される波長変換されたレーザ光の出力が、非線形光学結
晶の温度を設定された温度に一定制御しているにもかか
わらず、数秒から十数秒の間大きく変化する( 徐々にパ
ワーが大きくなる) 現象が生じた。図１１は、図９のレ
ーザ装置において、出力されるレーザパワーの変化を示
したものである。同図は非線形光学結晶としてＬＢＯを
用い、ＬＢＯを５５．１°Ｃで一定に制御した場合を示
している。同図に示すように、レーザ出射開始直後のレ
ーザパワーは４．２Ｗであるが、それが徐々に上昇し、
約１５秒後に５．５Ｗに達し、その後出力はほぼ一定に
なった。すなわち、出力が１５秒間に約２４％変化した
ことになる。 【０００９】レーザ光出力が図１１のように変化する
と、例えばビアホール加工の場合、ビアホールの孔の深
さが変化したり、切断加工の場合切断面の形状が乱れる
等、実用上問題が生ずる。実用上、レーザ光出力の変動
は１０％以内に抑えることが要望されている。本発明は
上記した事情に鑑みなされたものであって、本発明の目
的は、非線形光学結晶を用いて波長変換したレーザ光を
被加工物に照射して加工を行う加工用のレーザ装置にお
いて、段取り換え等によりレーザ光の出射を停止した後
のレーザ光の出力パワーが大きく変動することを極力小
さくし、良好な加工を可能とすることである。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明者らが種々検討し
た結果、加工用レーザ装置におけるレーザ光の出力の変
動は、非線形光学結晶のレーザ光が通過する部分の温度
の変化が関係していることがわかった。一般に、ＬＢＯ
結晶やＣＬＢＯ結晶等の非線形光学結晶は、その温度が
変化すると波長変換効率が変化する。非線形光学結晶
は、前記図９で説明したように温調器により一定温度に
なるように制御されているが、これは非線形光学結晶の
表面温度を一定に制御しているにすぎず、非線形光学結
晶のレーザ光が通過する部分の温度（これを以下内部温
度という）を直接制御しているわけではない。前記した
加工用レーザ装置においてはレーザ光を間欠的に照射し
ているため、レーザ光出射開始直後、非線形光学結晶は
波長変換された光を吸収し、レーザ光が通過する結晶の
内部温度が上昇していく。また、レーザ光の出射が停止
し所定時間経過すると結晶内部の温度は低下する。この
内部温度の変化はレーザ光がオン／オフする毎に繰り返
される。このため、非線形光学結晶の表面温度を一定に
なるように制御しても、レーザ光のオン／オフにより結
晶の内部温度が変化し、それに応じて、結晶の位相整合
角が変動し、レーザ光の出力パワーが変動するもの考え
られる。特に、前記図１０で説明したような多層プリン
ト板の加工においては、段取り換えの間に非線形光学結
晶の内部温度が低下するため、段取り換え後レーザ光を
出射したとき非線形光学結晶の内部温度が上昇し、図１
０（ｃ）に示したように出力パワーが大きく変動する。 【００１１】上記に基づき本発明者らがさらに検討した
ところ、後述するように、非線形光学素子を用いた波長
変換素子の表面温度を、レーザ光照射開始時の上記波長
変換素子の内部温度が出力パワーが最大になる内部温度
より低く、かつ、照射終了時の上記波長変換素子の内部
温度が出力パワーが最大となる内部温度より高くなるよ
うに保持すれば、出力パワーの変動を小さくすることが
できることがわかった。 【００１２】 【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例の加
工用レーザ装置の構成を示す図である。同図において、
１ａはＮｄ：ＹＡＧ，Ｎｄ：ＹＬＦ等のレーザ媒質、１
ｂは全反射鏡、１ｃは透過鏡、１ｄはＱ−ＳＷ、１ｅは
励起光源であり、１ａ〜１ｅでレーザ光源１を構成して
おり、励起光源１ｅにより励起することにより、透過鏡
１ｃを介してレーザ光源１から基本波レーザ光（レーザ
媒質がＮｄ：ＹＬＦの場合には、１０４７ｎｍ）が放出
される。また、Ｑ−ＳＷドライバ２により上記Ｑ−ＳＷ
を制御することにより、レーザ光の放出／停止を制御す
ることができる。３は例えば、ＬＢＯ結晶、ＢＢＯ結晶
等の非線形光学結晶を用いた第１の波長変換素子であ
り、上記基本波レーザ光が入射し、基本レーザ光とその
２倍波とを出射する。 【００１３】４は、上記第１の波長変換素子３を加熱す
る温度調節ヒータ（温調ヒータという）、５は温調制御
器であり、温調制御器５には第１の波長変換素子３の表
面に取り付けた熱電対等の温度測定器の出力が入力さ
れ、前記図９で説明したように、温調ヒータ４を制御し
てあらかじめ設定された温度になるように第１の波長変
換素子３の温度を調節する。６はＬＢＯ結晶、ＣＬＢＯ
結晶等の非線形光学結晶を用いた第２の波長変換素子で
あり、第１の波長変換素子３が出射する基本レーザ光と
その２倍波が入射し、基本波レーザ光と、基本波レーザ
光の２倍波と３倍波を出射する。７は、上記第２の波長
変換素子６を加熱する温調ヒータ、８は温調制御器であ
り、温調制御器８は、上記のように温度調節ヒータ７を
制御して、あらかじめ設定された温度になるように第２
の波長変換素子６の温度を調節する。９はレーザ制御装
置であり、上記励起光源１ｅ，Ｑ−ＳＷドライバ２を制
御して、レーザ光源１からのレーザ光の放出を制御す
る。 【００１４】上記構成の加工用レーザ装置において、上
記温調制御器５，８は、前記したように、第１、第２の
波長変換素子３，６の表面温度を、レーザ光照射開始時
の上記波長変換素子の内部温度が出力パワーが最大にな
る内部温度より低く、かつ、照射終了時の上記波長変換
素子の内部温度が出力パワーが最大となる内部温度より
高くなるような温度に保持する。これによりレーザ出射
直後の出力パワー変動を小さくすることができ、出力パ
ワー変動を１０％以下とすることができた。 【００１５】以下、波長変換素子３，６の表面温度を上
記のような温度に保持することにより、レーザ光の出力
変動を小さくできる理由を説明する。まず、結晶温度と
波長変換効率との関係について説明する。一般に、非線
形結晶の波長変換効率η（イータ) は、次のような(1)
式で表すことができる。 η∝｛sin2( ΔｋＬ／２）｝／（ΔｋＬ／２）2 …(1) ここで、Ｌは非線形結晶の光学的距離、Δｋは非線形結
晶に入射するレーザと出射するレーザとの波数の差であ
り、次のような(2) 式で表される。 【００１６】また、λ１，λ２は非線形結晶に入射する
レーザの波長、λ３は非線形結晶から出射する波長変換
されたレーザの波長、ｎi は波長λｉに対する屈折率
で、非線形結晶の物理光学座標に対する入射光の入射角
（θ）とその偏光方位（φ) 、及び非線形結晶の温度
（Ｔ) によって決まる。即ち、屈折率ｎは次の(3) 式に
示すようにθ，φ，Ｔの関数として表すことができる。 ｎ＝ｆ（θ，φ，Ｔ）…(3) 【００１７】したがって、(1)(2)(3) 式より、波長変換
効率ηは、非線形結晶の温度Ｔの関数として表すことが
できる。上記(1)(2)(3) 式により、結晶温度に対する波
長変換効率ηを求めると図２のようになる。以上のこと
を検証するため、ＬＢＯ結晶の表面温度を変化させ、安
定時の出力パワーを実測した。測定に使用したレーザ装
置は以下の通りである。非線形光学結晶としては、光学
距離Ｌ＝１５ｍｍのＬＢＯ結晶を用いた。該ＬＢＯ結晶
に波長λ１＝１０４７ｍｍのレーザ光および波長λ２＝
５２３．５ｎｍのレーザ光を入射させ、ＬＢＯ結晶から
波長変換により波長λ３＝３４９ｎｍの光を出射させ
た。ここで、ＬＢＯ結晶の入射光の入射角θ＝４８°±
１°、偏光方位φ＝９０°である。 【００１８】図３は、上記実測結果をプロットした図で
ある。図３から明らかなように、非線形光学結晶の温度
が５５°Ｃの時、出力パワーが最大の５．５Ｗになり、
温度が高くなっても、低くなっても、出力パワーは低下
している。この結果は、前記(1)(2)(3) 式で求めた結果
と良く一致した。図２、図３に従えば、結晶の温度が一
定に制御されていれば、レーザ光の出力パワーは変動し
ないはずである。ところが、実際は、レーザ光の出射開
始後の数秒〜十数秒間に出力が上昇する。その原因を種
々検討したところ、これは、非線形光学結晶のレーザ光
が通過する部分の局部的な温度（内部温度）が変化（上
昇) するためであることがわかった。前記したように、
非線形光学結晶の温度は結晶の表面での温度を測定し、
その温度が設定された温度になるように制御されてい
る。例えば、結晶の（表面) 温度を５５°Ｃに制御して
いる場合を考える。非線形光学結晶にレーザ光が入射し
ていない時、非線形光学結晶の温度は全体としてほぼ均
一な状態で、５５°Ｃに制御されている。 【００１９】ここで、非線形光学結晶にレーザ光が入射
すると、波長変換されたレーザ光が出射される。結晶は
波長変換されたレーザ光を吸収し、その部分の温度が上
昇する（この温度上昇は、波長変換されて出力されるレ
ーザ光のパワーに主に依存する。短波長の光のほうが結
晶に吸収されやすいためである) 。したがって、熱伝導
によって結晶の表面温度も上昇するが、熱電対が結晶表
面の温度上昇を検出し、温調器により表面温度が５５°
Ｃになるように温度制御がなされる。 【００２０】レーザ光が通過する部分の加熱は、内部か
ら表面に伝わり、表面温度が５５°Ｃに制御されること
により放熱される。そして、非線形光学結晶内部のレー
ザ光が通過している部分の温度が、表面温度に対してや
や高い状態で熱平衡状態になる（結晶内部で温度勾配が
生じている) 。したがって、レーザ光の出力が安定した
時の非線形光学結晶の内部温度は、実際はその表面温度
である５５°Ｃよりもやや高い温度であるはずである。
即ち、非線形光学結晶の（表面) 温度を５５°Ｃに制御
し、レーザ光の安定時の出力パワーが最大になるよう
に、位相整合角を調整すると、非線形光学結晶の内部温
度が５５°Ｃよりもやや高い温度（例えば５５．７°
Ｃ）の時に、出力パワーが最大になるように位相整合角
を調整することになる。 【００２１】以上のことから、次のような結論が導かれ
る。非線形光学結晶にレーザ光が入射していない時、非
線形光学結晶全体の温度は５５°Ｃである。この温度で
レーザ光が入射するが、非線形光学結晶の位相整合角
は、例えば５５．７°Ｃの時に出力パワーが最大になる
ように調整されているのであるから、非線形光学結晶の
内部温度が５５°Ｃであれば、当然、最大効率のときよ
り変換効率は小さく、したがって、出力パワーも小さい
こととなる。レーザ光の非線形光学結晶からの出力が続
くにしたがって、結晶の内部温度が上昇し、それに伴い
出力パワーも上昇する。結晶の内部温度が５５．７°Ｃ
に達すると、位相整合角との関係が最適となり出力パワ
ーが最大となり安定する。非線形光学結晶へのレーザ光
の入力を停止する（非線形光学結晶からのレーザ出力を
停止する) と、内部温度が低下し、再び結晶全体の温度
が５５°Ｃになる。 【００２２】このことからレーザ出射開始後の出力パワ
ー変動は、非線形光学結晶の温度を表面温度によって制
御しているために生じる問題であるということがわか
る。したがって、非線形光学結晶のレーザ光が通過する
部分、即ち結晶内部の温度を測定し、その部分の温度が
一定になるように制御することができれば、このような
問題は生じない。しかし、結晶の内部に熱電対等の測定
素子を埋め込むことは困難であり、たとえそれができた
としても、レーザ光の光路にそのような測定素子が存在
すると、出力されるレーザ光に影が生じることになるの
で、実用上用いることができない。 【００２３】そこで、非線形光学結晶のレーザ出力時の
レーザ光が通過する部分の温度（内部温度) を推定し、
該内部温度が変動してもレーザ光の出力パワーの変動が
少ない結晶の温度範囲を求めることとした。以下、前記
したＬＢＯ結晶に波長λ１＝１０４７ｍｍのレーザ光お
よび波長λ２＝５２３．５ｎｍのレーザ光を入射させ、
波長λ３＝３４９ｎｍの光を出射するレーザ装置を例に
して説明する。まず、レーザ光源からのレーザ光入射角
（位相整合角) が設定されている非線形光学結晶を、あ
る表面温度、例えば５５°Ｃ設定する。その条件でレー
ザ光源よりレーザ光を入射し、レーザ出射開始直後の出
力パワーを測定する。この出力パワーが得られる時の結
晶の内部温度は、表面温度と等しいと考える。即ち、内
部温度が５５°Ｃの時の出力パワーは、例えば、前記図
１１の場合は、４．２Ｗである。 【００２４】次に、非線形光学結晶の表面温度を変化さ
せて、上記と同様に、レーザ出射開始直後の出力パワー
を測定する。このような測定を繰り返し、結晶の内部温
度が表面温度と等しいと考えられるときの出力パワーを
求める。このようにして求めた結晶温度に対する出力パ
ワーを図４に示す。上記説明から明らかなように、図４
はある位相整合角における内部温度に対する出力パワー
である。同図より、結晶の内部温度が５５．７°Ｃの時
に最大の出力パワー（図４では５．５Ｗ）になると考え
られる。 【００２５】すなわち、レーザ出射開始直後の結晶の内
部温度は結晶の表面温度に一致すると考えれば、レーザ
光が通過する非線形光学結晶の内部の温度に対するレー
ザ光の出力パワーの変化は次のようにして求めることが
できる。 非線形光学結晶にレーザ光源からのレーザ光を入射
していない状態で、該結晶の表面温度を一定温度に制御
しておく。 非線形光学結晶のレーザ光を入射し、レーザ光を入
射した直後の出射される波長変換されたレーザ光の出力
パワーを求める。 レーザ光源からのレーザ光を入射していない状態で
の結晶の表面温度変えて上記，の測定を繰り返し、
各表面温度における出力パワーの変化を求める。ここ
で、前記図３に示した、非線形結晶の表面温度に対する
レーザの出力パワーの変化を示す図において、ある位相
整合角における最大の出力パワーが得られるときの表面
温度（図３においては、５５．０°Ｃ）を「最大の出力
パワーが得られる表面温度」と定義し、また、上記のよ
うにして求めた非線形光学結晶の内部温度とレーザの出
力パワーの関係において、上記位相整合角における最大
の出力パワーが得られるときの内部温度（図４の場合は
５５．７°Ｃ）を「最大の出力パワーが得られる内部温
度」と定義する。 【００２６】ところで、上述したように、表面温度を５
５°Ｃに制御している場合は、出力が例えば４．２Ｗか
ら５．５Ｗに上昇して安定するのであるから、結晶の内
部温度はレーザ光の出力によって０．７°Ｃ上昇すると
考えられる。そこで、図４において、非線形光学結晶の
温度が０．７°Ｃ変化しても、レーザ光の出力パワーの
変動が１０％以下（およそ出力パワーの変動幅が５〜
５．５Ｗ）になるような、非線形光学結晶の内部温度の
範囲を求めると、この場合、約５５．４°Ｃ〜５６．１
°Ｃとなる。したがって、非線形光学結晶にレーザ光を
入射していない時の結晶の温度を５５．４°Ｃに設定し
ておけば、結晶の内部温度も５５．４°Ｃになっている
ので、レーザ光出射開始時、約５Ｗのレーザ光が出力さ
れることになる。また、非線形光学結晶へのレーザ光の
入射が続くと、結晶の内部温度は上昇し、５５．７°Ｃ
に達した時、レーザ光の出力パワーが最大の５．５Ｗに
なる。 【００２７】非線形光学結晶へのレーザ光の入射がさら
に続くと、結晶の内部温度はさらに上昇し、例えば、約
５６．１°Ｃになって安定する。この時の出力パワーは
約５Ｗになる。すなわち、図５（ａ）に示すように、レ
ーザ光を出射していないときの結晶の表面温度を５５．
４°Ｃに設定しておくと、レーザ光出射開始後、結晶の
内部温度は同図の矢印に示すように上昇していき、これ
に伴い、レーザ光の出力パワーが増大していく。そし
て、結晶の内部温度が５５．７°Ｃになると出力パワー
は最大となり、さらに結晶に内部温度が上昇すると出力
パワーは減少する。 【００２８】したがって、結晶の内部温度の範囲が５
５．４°Ｃ〜５６．１°Ｃの場合には、出力パワーは同
図に示すＡの範囲で変化することになる。これに対し、
レーザ光を出射していないときの結晶の表面温度を５５
°Ｃに設定しておくと、結晶の内部温度変化が０．７°
Ｃの場合、結晶の内部温度は図５（ｂ）のように変化す
る。すなわち、同図に示すように、レーザ光出射開始
後、結晶の内部温度は同図の矢印に示すように上昇して
いき、これに伴い、レーザ光の出力パワーが増大してい
く。結晶の内部温度が５５．７°Ｃになったとき出力パ
ワーは最大となる。この場合には、出力パワーは同図に
示すＢの範囲で変化することとなる。 【００２９】図５（ａ）、（ｂ）から明らかなように、
波長変換素子の表面温度を、照射開始時の上記波長変換
素子の内部温度が出力パワーが最大になる内部温度〔図
５（ａ）のＱ点〕より低く、かつ、照射終了時の上記波
長変換素子の内部温度が出力パワーが最大となる内部温
度〔上記Ｑ点〕より高くなるような温度に保持すれば、
図５（ｂ）の場合に比べ出力パワーの変動を小さくする
ことができる。すなわち、前記したように、図３におけ
る最大の出力パワーが得られる時の表面温度を「最大の
出力パワーが得られる表面温度」と定義し、また、図４
における最大の出力パワーが得られる時の内部の温度を
「最大の出力パワーが得られる内部温度」と定義する
と、非線形光学結晶の表面温度を、上記「最大の出力パ
ワーが得られる表面温度」（図５（ａ）のＰ点）と「最
大の出力パワーが得られる内部温度」（図５（ａ）のＱ
点）との間に設定することにより、従来例に比べ、出力
パワーの変動を小さくすることができる。 【００３０】実用的には、出力パワーの変動は１０％以
内、最大でも１５％以内であればよいから、上記非線形
光学結晶の表面温度を、照射開始時の上記波長変換素子
の内部温度が出力パワーが最大になる内部温度〔図５
（ａ）のＱ点〕より低く、かつ、照射終了時の上記波長
変換素子の内部温度が出力パワーが最大となる内部温度
〔上記Ｑ点〕より高くなるような温度であって、出力変
動が１５％以内になるような値に設定すればよい。特
に、図５（ａ）に示すように、結晶の内部温度変化に対
する変換効率曲線の最大値Ｑ点が、結晶の内部温度の変
化範囲の中点になるように、上記「最大の出力パワーが
得られる表面温度」を設定すれば、出力パワーの変動を
最も小さくすることができる。 【００３１】図６はＬＢＯ結晶の表面温度を５５．４°
Ｃに設定したときのレーザ光の出力パワーの変動を示す
図である。同図は、前記した図１１において使用したレ
ーザ装置と同じレーザ装置を用いた場合を示している。
同図から明らかなように、レーザ出射開始照射直後の出
力パワーの変動が、前記図１１に比べて小さく、変動の
幅は１０％以下となっている。なお、図６では、レーザ
光出力を続けるにつれて、前記したように結晶の内部温
度が最適値よりもやや高くなるため、出力パワーがやや
減少している。しかし、その変動は１０％以下である。
以上のように本実施例においては、非線形光学結晶の表
面温度を、該結晶の内部温度の変化に対して波長変換効
率の変動が少なくなる温度領域に保持するようにしたの
で、出力パワーの変動を従来例に比べて小さくすること
ができ、良好な加工を行うことが可能となる。なお、上
記では、非線形光学結晶としてＬＢＯ結晶を用いて３倍
波を発生する場合について説明したが、ＢＢＯ結晶、Ｃ
ＬＢＯ結晶等のその他の非線形光学結晶において２倍
波、４倍波、その他の和周波を発生させる場合にも本発
明を適用することが可能である。 【００３２】図７は、レーザ光の出力パワーの変動をさ
らに小さくするため、波長変換素子の表面温度を、出力
パワーが最大になる内部温度を保つように制御した場合
の構成を示す図である。図７において、前記図１に示し
たものと同様の構成を有しており、１ａはＮｄ：ＹＡ
Ｇ，Ｎｄ：ＹＬＦ等のレーザ媒質、１ｂは全反射鏡、１
ｃは透過鏡、１ｄはＱ−ＳＷ、１ｅは励起光源であり、
１ａ〜１ｅでレーザ光源１を構成しており、励起光源１
ｅにより励起することにより、透過鏡１ｃを介してレー
ザ光源１から基本波レーザ光（レーザ媒質がＮｄ：ＹＬ
Ｆの場合には、１０４７ｎｍ）が放出される。また、Ｑ
−ＳＷドライバ２により上記Ｑ−ＳＷを制御することに
より、レーザ光の放出／停止を制御することができる。
３は非線形光学結晶を用いた第１の波長変換素子であ
り、上記基本波レーザ光が入射し、基本レーザ光とその
２倍波とを出射する。 【００３３】４は、上記第１の波長変換素子３を加熱す
る温度調節ヒータ（温調ヒータという）、５は温調制御
器であり、温調制御器５には第１の波長変換素子３の表
面に取り付けた熱電対等の温度測定器の出力が入力さ
れ、前記図９で説明したように、温度調節ヒータ４を制
御して、設定された温度になるように第１の波長変換素
子３の温度を調節する。６は非線形光学結晶を用いた第
２の波長変換素子であり、第１の波長変換素子３が出射
する基本レーザ光とその２倍波が入射し、基本波レーザ
光と、基本波レーザ光の２倍波と３倍波を出射する。７
は、上記第２の波長変換素子６を加熱する温調ヒータ、
８は温調制御器であり、温調制御器７は、上記のように
温調ヒータ７を制御して、設定された温度になるように
第２の波長変換素子６の温度を調節する。９はレーザ制
御装置であり、上記励起光源１ｅ，Ｑ−ＳＷドライバ２
を制御して、レーザ光源１からのレーザ光の放出を制御
するとともに、上記温調制御器５，６に温度指示信号を
出力する。 【００３４】図８は図７に示した装置の動作を示す図で
あり、同図を参照しながら図７に示した装置の動作を前
記ＬＢＯ結晶の例により説明する。なお、図８に付した
(1)〜(3) は以下の括弧付き数字に対応している。 (1) 非線形光学結晶を用いた波長変換素子３，６にレー
ザ光が入射していないときは、非線形光学結晶の表面温
度を、その位相整合角の時、レーザ光の安定時の出力パ
ワーが最大になる結晶の内部温度（前記ＬＢＯ結晶の場
合は、５５．７°Ｃ）に向かって下降させる。具体的に
は、レーザ制御装置９から温調制御器５，８へ上昇を指
示する制御信号（図８においてで示す）を発振する。
これにより結晶の表面温度（図８においてで示す）が
上昇してさらに結晶の内部温度（図８においてで示
す）も上昇する。 (2) 波長変換素子３，６にレーザ光が入射されると、レ
ーザ制御装置９は温調制御器５，８に対して温度下降信
号を出力し、内部温度の上昇に合わせて結晶（表面) の
温度を、レーザ光出力が最大になって安定する表面温度
に下降させる（前記ＬＢＯ結晶の場合は、５５°Ｃに向
かって下降させる）。ここで、レーザ光照射中の結晶表
面温度を下げる割合は、入力されるレーザ光のパワー
や、レーザ光が結晶に入射している時間等で決める。レ
ーザ光のパワーや、レーザ光が結晶に入射している時間
は、被加工物であるワークの種類や、加工の条件によっ
て、あらかじめ求めることができる。したがって、それ
ら値をレーザ制御装置９に設定し、演算によって結晶表
面温度を下げる割合を求めるようにしておけばよい。レ
ーザ制御装置９は、それに応じた時間幅の下降信号を出
力する。 【００３５】(3) 次いで、波長変換素子３，６へのレー
ザ光が入射が停止すると、レーザ制御装置９は温調制御
器５，８に対して温度上昇信号を出力し、内部温度の下
降に合わせて結晶（表面) 温度を、レーザ光出力が最大
になって安定する表面温度にまで上昇させる（前記ＬＢ
Ｏ結晶の場合は、５５．７°Ｃに向かって上昇させ
る）。すなわち、レーザ制御装置９は、上記したように
求めた結晶表面温度を上げる割合に応じた時間幅の上昇
信号を出力する。以下、上記(2)(3)制御をレーザ光の出
射／出射停止に応じて繰り返し、結晶の温度を制御す
る。上記のように制御することにより、波長変換素子の
の内部温度を、常にレーザ光の安定時の出力パワーが最
大になる結晶の内部温度（前記ＬＢＯ結晶の場合は、５
５．７°Ｃ）とすることができ、レーザ光の出力パワー
を最大で、安定した状態で保つことができる。以上のよ
うに本実施例においては、非線形光学結晶の表面温度を
制御し、該結晶の内部温度が波長変換効率が最大となる
温度を保持するようにしたので、出力パワーの変動を従
来例に比べて小さくすることができ、良好な加工を行う
ことが可能となる。 【００３６】 【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
以下の効果を得ることができる。非線形光学結晶を用い
た波長変換素子により、波長変換を行なったレーザ光
を、被加工物に照射して加工を行なう加工用レーザ装置
において、波長変換素子の表面温度を、照射開始時の上
記波長変換素子の内部温度が出力パワーが最大になる内
部温度より低く、かつ、照射終了時の上記波長変換素子
の内部温度が出力パワーが最大となる内部温度より高く
なるような温度に保持するようにしたので、加工用レー
ザ装置から出力されるレーザパワーの変動を小さくする
ことができる。このため、例えば多層プリント板のビア
ホール加工において、段取り換え等でレーザ光の出力を
停止したあと、レーザ光の出力を再開する時、レーザ光
出力開始後の出力パワーの変動を小さくすることがで
き、加工不良等が発生するのを回避することができる。
いて波長変換を行い、波長変換光を多層プリント板等の
被加工物に照射して加工を行う加工用レーザ装置に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】プリント基板のビアホールの孔あけ、フ
ィルム・金属の切断等の加工にレーザが使用される。近
年、微細加工の要求により、加工に用いられるレーザが
短波長化している。短波長のレーザの発生には、非線形
光学結晶を用いた波長変換方式を用いることが有効であ
る。 【０００３】図９に、非線形光学結晶を用いた波長変換
により加工を行なう加工用レーザ装置１０の概略構成を
示す。レーザ光源１１から出射されるレーザ光は、集光
レンズ１２によって集光され、非線形光学結晶１３に入
射する。非線形光学結晶１３に入射されたレーザ光の一
部が波長変換されて、非線形光学結晶１３から出射し、
出射光は集光レンズ１４によって集光され被加工物１５
に照射される。使用される非線形光学結晶１３として
は、例えばＬＢＯ，ＣＬＢＯ等がある。上記した非線形
光学結晶１３は温度と位相整合角（レーザ光が結晶に入
射する角度) が変化すると、出力するレーザパワーが変
化することが知られている。したがって、非線形光学結
晶１３はその温度一定になるように制御されている。非
線形光学結晶１３の温度制御は、非線形光学結晶１３の
表面に熱電対１６のような温度測定素子を接触させ、非
線形光学結晶全体をヒータ１８等の加熱手段、もしくは
ペルチェ素子等の冷却手段で覆う。そして、熱電対１６
の出力を温度調節器１７（以下温調器１７という）に入
力する。温調器１７は、あらかじめ設定された温度にな
るように、測定された非線形光学結晶１３の温度をフィ
ードバックし、加熱手段もしくは冷却手段の入力を制御
し、非線形光学結晶１３の温度を調節する。 【０００４】図９ではヒータ１８を用いて非線形光学結
晶１３を加熱する場合が図示されており、以下では非線
形光学結晶１３を加熱する場合を例にして説明する。加
工用レーザ装置１０からの出力は、次のようにして調整
する。 非線形光学結晶１３を設定された所定の温度に加熱
し、一定温度になるように制御する。その状態で、レー
ザ光源１１からのレーザ光を、非線形光学結晶１３に入
射し、波長変換されて出力されるレーザ光を図示しない
パワーモニタによって受光する。 パワーモニタの表示を見ながら、その値が最大にな
るように、非線形光学結晶１３の位相整合角を調整し、
非線形光学結晶１３を配置する角度を決定する。 【０００５】上記した加工用レーザ装置１０により、多
層プリント板のビアホール加工等を行う場合には、レー
ザ光をシャッタあるいはＱ−ＳＷによりオン／オフし
て、パルス状のレーザ光を間欠的に被加工物１５に照射
する。図１０にレーザ光によるビアホール加工の様子を
示す。同図（ａ）に示すように、通常、一枚の基板上に
は、複数の照射領域Ａ１，Ａ２，…が形成されており、
各照射領域Ａ１，Ａ２，…には複数の孔あけ箇所が設け
られている。そして、加工用レーザ装置から放出される
レーザ光を、ガルバノメータ等の制御手段により走査し
て、多層プリント板の各孔あけ位置に位置決めし、各孔
あけ位置にパルス状のレーザ光を複数回照射してビアホ
ール加工を行う。 【０００６】すなわち、同図（ｄ）に示すように半値全
幅（ピーク値の１／２のときのパルス幅）が数１０ｎｓ
〜数１００ｎｓで、繰り返し周波数が数ｋＨｚ〜数１０
ｋＨｚのレーザパルスを、領域Ａ１の各孔あけ箇所で同
図（ｃ）に示すように複数回照射して孔あけ加工を行
い、一つの孔あけが終わると同じ領域の次の孔あけ位置
にレーザ光を移動させ、同様にして孔あけを行う操作を
繰り返す。そして、領域Ａ１の全ての孔あけが終了する
と、同図（ｂ）示すように、レーザ光をオフにして、レ
ーザ光を次の領域Ａ２に移動させ、同様な孔あけ加工を
行う。以下同様にして多層プリント板の各領域Ａ１，Ａ
２，…の孔あけ加工を順次行い、一枚の多層プリント基
板の孔あけが終わると、レーザ光をオフとして多層プリ
ント板を交換して、次のプリント板の加工を行う。ここ
で、レーザのショット回数は、例えば一つの孔あけに１
〜３０ショット必要となる。なお、図１０（ｃ）ではレ
ーザ光の出射開始直後、レーザ光の大きさが次第に大き
くなっているが、これは後述するように非線形光学結晶
の内部温度の上昇による出力変動である。 【０００７】上記したように、加工用レーザ装置を多層
プリント板のビアホール等の加工に用いる場合、加工処
理済のワーク（多層プリント板）を未処理のワークに取
り換えたり、１つの多層プリント板内で、レーザ光を照
射する領域を移動させるなどの操作が必要である（この
操作を「段取り換え」という）。この段取り換えの時間
は、通常、数秒から数十秒（場合によっては数分間) か
かる。段取り換えを行なっている時は、図１０で説明し
たようにレーザ光源からのレーザ光の出射を行なわず、
加工用レーザ装置はレーザを出力しない。そして、段取
り換え終了後、レーザ光源からレーザ光を出射し、ワー
クに波長変換されたレーザ光を照射する。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した加
工用レーザ装置において、段取り換え終了後（レーザ光
の出射停止期間の終了後) に加工用レーザ装置から出力
される波長変換されたレーザ光の出力が、非線形光学結
晶の温度を設定された温度に一定制御しているにもかか
わらず、数秒から十数秒の間大きく変化する( 徐々にパ
ワーが大きくなる) 現象が生じた。図１１は、図９のレ
ーザ装置において、出力されるレーザパワーの変化を示
したものである。同図は非線形光学結晶としてＬＢＯを
用い、ＬＢＯを５５．１°Ｃで一定に制御した場合を示
している。同図に示すように、レーザ出射開始直後のレ
ーザパワーは４．２Ｗであるが、それが徐々に上昇し、
約１５秒後に５．５Ｗに達し、その後出力はほぼ一定に
なった。すなわち、出力が１５秒間に約２４％変化した
ことになる。 【０００９】レーザ光出力が図１１のように変化する
と、例えばビアホール加工の場合、ビアホールの孔の深
さが変化したり、切断加工の場合切断面の形状が乱れる
等、実用上問題が生ずる。実用上、レーザ光出力の変動
は１０％以内に抑えることが要望されている。本発明は
上記した事情に鑑みなされたものであって、本発明の目
的は、非線形光学結晶を用いて波長変換したレーザ光を
被加工物に照射して加工を行う加工用のレーザ装置にお
いて、段取り換え等によりレーザ光の出射を停止した後
のレーザ光の出力パワーが大きく変動することを極力小
さくし、良好な加工を可能とすることである。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明者らが種々検討し
た結果、加工用レーザ装置におけるレーザ光の出力の変
動は、非線形光学結晶のレーザ光が通過する部分の温度
の変化が関係していることがわかった。一般に、ＬＢＯ
結晶やＣＬＢＯ結晶等の非線形光学結晶は、その温度が
変化すると波長変換効率が変化する。非線形光学結晶
は、前記図９で説明したように温調器により一定温度に
なるように制御されているが、これは非線形光学結晶の
表面温度を一定に制御しているにすぎず、非線形光学結
晶のレーザ光が通過する部分の温度（これを以下内部温
度という）を直接制御しているわけではない。前記した
加工用レーザ装置においてはレーザ光を間欠的に照射し
ているため、レーザ光出射開始直後、非線形光学結晶は
波長変換された光を吸収し、レーザ光が通過する結晶の
内部温度が上昇していく。また、レーザ光の出射が停止
し所定時間経過すると結晶内部の温度は低下する。この
内部温度の変化はレーザ光がオン／オフする毎に繰り返
される。このため、非線形光学結晶の表面温度を一定に
なるように制御しても、レーザ光のオン／オフにより結
晶の内部温度が変化し、それに応じて、結晶の位相整合
角が変動し、レーザ光の出力パワーが変動するもの考え
られる。特に、前記図１０で説明したような多層プリン
ト板の加工においては、段取り換えの間に非線形光学結
晶の内部温度が低下するため、段取り換え後レーザ光を
出射したとき非線形光学結晶の内部温度が上昇し、図１
０（ｃ）に示したように出力パワーが大きく変動する。 【００１１】上記に基づき本発明者らがさらに検討した
ところ、後述するように、非線形光学素子を用いた波長
変換素子の表面温度を、レーザ光照射開始時の上記波長
変換素子の内部温度が出力パワーが最大になる内部温度
より低く、かつ、照射終了時の上記波長変換素子の内部
温度が出力パワーが最大となる内部温度より高くなるよ
うに保持すれば、出力パワーの変動を小さくすることが
できることがわかった。 【００１２】 【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例の加
工用レーザ装置の構成を示す図である。同図において、
１ａはＮｄ：ＹＡＧ，Ｎｄ：ＹＬＦ等のレーザ媒質、１
ｂは全反射鏡、１ｃは透過鏡、１ｄはＱ−ＳＷ、１ｅは
励起光源であり、１ａ〜１ｅでレーザ光源１を構成して
おり、励起光源１ｅにより励起することにより、透過鏡
１ｃを介してレーザ光源１から基本波レーザ光（レーザ
媒質がＮｄ：ＹＬＦの場合には、１０４７ｎｍ）が放出
される。また、Ｑ−ＳＷドライバ２により上記Ｑ−ＳＷ
を制御することにより、レーザ光の放出／停止を制御す
ることができる。３は例えば、ＬＢＯ結晶、ＢＢＯ結晶
等の非線形光学結晶を用いた第１の波長変換素子であ
り、上記基本波レーザ光が入射し、基本レーザ光とその
２倍波とを出射する。 【００１３】４は、上記第１の波長変換素子３を加熱す
る温度調節ヒータ（温調ヒータという）、５は温調制御
器であり、温調制御器５には第１の波長変換素子３の表
面に取り付けた熱電対等の温度測定器の出力が入力さ
れ、前記図９で説明したように、温調ヒータ４を制御し
てあらかじめ設定された温度になるように第１の波長変
換素子３の温度を調節する。６はＬＢＯ結晶、ＣＬＢＯ
結晶等の非線形光学結晶を用いた第２の波長変換素子で
あり、第１の波長変換素子３が出射する基本レーザ光と
その２倍波が入射し、基本波レーザ光と、基本波レーザ
光の２倍波と３倍波を出射する。７は、上記第２の波長
変換素子６を加熱する温調ヒータ、８は温調制御器であ
り、温調制御器８は、上記のように温度調節ヒータ７を
制御して、あらかじめ設定された温度になるように第２
の波長変換素子６の温度を調節する。９はレーザ制御装
置であり、上記励起光源１ｅ，Ｑ−ＳＷドライバ２を制
御して、レーザ光源１からのレーザ光の放出を制御す
る。 【００１４】上記構成の加工用レーザ装置において、上
記温調制御器５，８は、前記したように、第１、第２の
波長変換素子３，６の表面温度を、レーザ光照射開始時
の上記波長変換素子の内部温度が出力パワーが最大にな
る内部温度より低く、かつ、照射終了時の上記波長変換
素子の内部温度が出力パワーが最大となる内部温度より
高くなるような温度に保持する。これによりレーザ出射
直後の出力パワー変動を小さくすることができ、出力パ
ワー変動を１０％以下とすることができた。 【００１５】以下、波長変換素子３，６の表面温度を上
記のような温度に保持することにより、レーザ光の出力
変動を小さくできる理由を説明する。まず、結晶温度と
波長変換効率との関係について説明する。一般に、非線
形結晶の波長変換効率η（イータ) は、次のような(1)
式で表すことができる。 η∝｛sin2( ΔｋＬ／２）｝／（ΔｋＬ／２）2 …(1) ここで、Ｌは非線形結晶の光学的距離、Δｋは非線形結
晶に入射するレーザと出射するレーザとの波数の差であ
り、次のような(2) 式で表される。 【００１６】また、λ１，λ２は非線形結晶に入射する
レーザの波長、λ３は非線形結晶から出射する波長変換
されたレーザの波長、ｎi は波長λｉに対する屈折率
で、非線形結晶の物理光学座標に対する入射光の入射角
（θ）とその偏光方位（φ) 、及び非線形結晶の温度
（Ｔ) によって決まる。即ち、屈折率ｎは次の(3) 式に
示すようにθ，φ，Ｔの関数として表すことができる。 ｎ＝ｆ（θ，φ，Ｔ）…(3) 【００１７】したがって、(1)(2)(3) 式より、波長変換
効率ηは、非線形結晶の温度Ｔの関数として表すことが
できる。上記(1)(2)(3) 式により、結晶温度に対する波
長変換効率ηを求めると図２のようになる。以上のこと
を検証するため、ＬＢＯ結晶の表面温度を変化させ、安
定時の出力パワーを実測した。測定に使用したレーザ装
置は以下の通りである。非線形光学結晶としては、光学
距離Ｌ＝１５ｍｍのＬＢＯ結晶を用いた。該ＬＢＯ結晶
に波長λ１＝１０４７ｍｍのレーザ光および波長λ２＝
５２３．５ｎｍのレーザ光を入射させ、ＬＢＯ結晶から
波長変換により波長λ３＝３４９ｎｍの光を出射させ
た。ここで、ＬＢＯ結晶の入射光の入射角θ＝４８°±
１°、偏光方位φ＝９０°である。 【００１８】図３は、上記実測結果をプロットした図で
ある。図３から明らかなように、非線形光学結晶の温度
が５５°Ｃの時、出力パワーが最大の５．５Ｗになり、
温度が高くなっても、低くなっても、出力パワーは低下
している。この結果は、前記(1)(2)(3) 式で求めた結果
と良く一致した。図２、図３に従えば、結晶の温度が一
定に制御されていれば、レーザ光の出力パワーは変動し
ないはずである。ところが、実際は、レーザ光の出射開
始後の数秒〜十数秒間に出力が上昇する。その原因を種
々検討したところ、これは、非線形光学結晶のレーザ光
が通過する部分の局部的な温度（内部温度）が変化（上
昇) するためであることがわかった。前記したように、
非線形光学結晶の温度は結晶の表面での温度を測定し、
その温度が設定された温度になるように制御されてい
る。例えば、結晶の（表面) 温度を５５°Ｃに制御して
いる場合を考える。非線形光学結晶にレーザ光が入射し
ていない時、非線形光学結晶の温度は全体としてほぼ均
一な状態で、５５°Ｃに制御されている。 【００１９】ここで、非線形光学結晶にレーザ光が入射
すると、波長変換されたレーザ光が出射される。結晶は
波長変換されたレーザ光を吸収し、その部分の温度が上
昇する（この温度上昇は、波長変換されて出力されるレ
ーザ光のパワーに主に依存する。短波長の光のほうが結
晶に吸収されやすいためである) 。したがって、熱伝導
によって結晶の表面温度も上昇するが、熱電対が結晶表
面の温度上昇を検出し、温調器により表面温度が５５°
Ｃになるように温度制御がなされる。 【００２０】レーザ光が通過する部分の加熱は、内部か
ら表面に伝わり、表面温度が５５°Ｃに制御されること
により放熱される。そして、非線形光学結晶内部のレー
ザ光が通過している部分の温度が、表面温度に対してや
や高い状態で熱平衡状態になる（結晶内部で温度勾配が
生じている) 。したがって、レーザ光の出力が安定した
時の非線形光学結晶の内部温度は、実際はその表面温度
である５５°Ｃよりもやや高い温度であるはずである。
即ち、非線形光学結晶の（表面) 温度を５５°Ｃに制御
し、レーザ光の安定時の出力パワーが最大になるよう
に、位相整合角を調整すると、非線形光学結晶の内部温
度が５５°Ｃよりもやや高い温度（例えば５５．７°
Ｃ）の時に、出力パワーが最大になるように位相整合角
を調整することになる。 【００２１】以上のことから、次のような結論が導かれ
る。非線形光学結晶にレーザ光が入射していない時、非
線形光学結晶全体の温度は５５°Ｃである。この温度で
レーザ光が入射するが、非線形光学結晶の位相整合角
は、例えば５５．７°Ｃの時に出力パワーが最大になる
ように調整されているのであるから、非線形光学結晶の
内部温度が５５°Ｃであれば、当然、最大効率のときよ
り変換効率は小さく、したがって、出力パワーも小さい
こととなる。レーザ光の非線形光学結晶からの出力が続
くにしたがって、結晶の内部温度が上昇し、それに伴い
出力パワーも上昇する。結晶の内部温度が５５．７°Ｃ
に達すると、位相整合角との関係が最適となり出力パワ
ーが最大となり安定する。非線形光学結晶へのレーザ光
の入力を停止する（非線形光学結晶からのレーザ出力を
停止する) と、内部温度が低下し、再び結晶全体の温度
が５５°Ｃになる。 【００２２】このことからレーザ出射開始後の出力パワ
ー変動は、非線形光学結晶の温度を表面温度によって制
御しているために生じる問題であるということがわか
る。したがって、非線形光学結晶のレーザ光が通過する
部分、即ち結晶内部の温度を測定し、その部分の温度が
一定になるように制御することができれば、このような
問題は生じない。しかし、結晶の内部に熱電対等の測定
素子を埋め込むことは困難であり、たとえそれができた
としても、レーザ光の光路にそのような測定素子が存在
すると、出力されるレーザ光に影が生じることになるの
で、実用上用いることができない。 【００２３】そこで、非線形光学結晶のレーザ出力時の
レーザ光が通過する部分の温度（内部温度) を推定し、
該内部温度が変動してもレーザ光の出力パワーの変動が
少ない結晶の温度範囲を求めることとした。以下、前記
したＬＢＯ結晶に波長λ１＝１０４７ｍｍのレーザ光お
よび波長λ２＝５２３．５ｎｍのレーザ光を入射させ、
波長λ３＝３４９ｎｍの光を出射するレーザ装置を例に
して説明する。まず、レーザ光源からのレーザ光入射角
（位相整合角) が設定されている非線形光学結晶を、あ
る表面温度、例えば５５°Ｃ設定する。その条件でレー
ザ光源よりレーザ光を入射し、レーザ出射開始直後の出
力パワーを測定する。この出力パワーが得られる時の結
晶の内部温度は、表面温度と等しいと考える。即ち、内
部温度が５５°Ｃの時の出力パワーは、例えば、前記図
１１の場合は、４．２Ｗである。 【００２４】次に、非線形光学結晶の表面温度を変化さ
せて、上記と同様に、レーザ出射開始直後の出力パワー
を測定する。このような測定を繰り返し、結晶の内部温
度が表面温度と等しいと考えられるときの出力パワーを
求める。このようにして求めた結晶温度に対する出力パ
ワーを図４に示す。上記説明から明らかなように、図４
はある位相整合角における内部温度に対する出力パワー
である。同図より、結晶の内部温度が５５．７°Ｃの時
に最大の出力パワー（図４では５．５Ｗ）になると考え
られる。 【００２５】すなわち、レーザ出射開始直後の結晶の内
部温度は結晶の表面温度に一致すると考えれば、レーザ
光が通過する非線形光学結晶の内部の温度に対するレー
ザ光の出力パワーの変化は次のようにして求めることが
できる。 非線形光学結晶にレーザ光源からのレーザ光を入射
していない状態で、該結晶の表面温度を一定温度に制御
しておく。 非線形光学結晶のレーザ光を入射し、レーザ光を入
射した直後の出射される波長変換されたレーザ光の出力
パワーを求める。 レーザ光源からのレーザ光を入射していない状態で
の結晶の表面温度変えて上記，の測定を繰り返し、
各表面温度における出力パワーの変化を求める。ここ
で、前記図３に示した、非線形結晶の表面温度に対する
レーザの出力パワーの変化を示す図において、ある位相
整合角における最大の出力パワーが得られるときの表面
温度（図３においては、５５．０°Ｃ）を「最大の出力
パワーが得られる表面温度」と定義し、また、上記のよ
うにして求めた非線形光学結晶の内部温度とレーザの出
力パワーの関係において、上記位相整合角における最大
の出力パワーが得られるときの内部温度（図４の場合は
５５．７°Ｃ）を「最大の出力パワーが得られる内部温
度」と定義する。 【００２６】ところで、上述したように、表面温度を５
５°Ｃに制御している場合は、出力が例えば４．２Ｗか
ら５．５Ｗに上昇して安定するのであるから、結晶の内
部温度はレーザ光の出力によって０．７°Ｃ上昇すると
考えられる。そこで、図４において、非線形光学結晶の
温度が０．７°Ｃ変化しても、レーザ光の出力パワーの
変動が１０％以下（およそ出力パワーの変動幅が５〜
５．５Ｗ）になるような、非線形光学結晶の内部温度の
範囲を求めると、この場合、約５５．４°Ｃ〜５６．１
°Ｃとなる。したがって、非線形光学結晶にレーザ光を
入射していない時の結晶の温度を５５．４°Ｃに設定し
ておけば、結晶の内部温度も５５．４°Ｃになっている
ので、レーザ光出射開始時、約５Ｗのレーザ光が出力さ
れることになる。また、非線形光学結晶へのレーザ光の
入射が続くと、結晶の内部温度は上昇し、５５．７°Ｃ
に達した時、レーザ光の出力パワーが最大の５．５Ｗに
なる。 【００２７】非線形光学結晶へのレーザ光の入射がさら
に続くと、結晶の内部温度はさらに上昇し、例えば、約
５６．１°Ｃになって安定する。この時の出力パワーは
約５Ｗになる。すなわち、図５（ａ）に示すように、レ
ーザ光を出射していないときの結晶の表面温度を５５．
４°Ｃに設定しておくと、レーザ光出射開始後、結晶の
内部温度は同図の矢印に示すように上昇していき、これ
に伴い、レーザ光の出力パワーが増大していく。そし
て、結晶の内部温度が５５．７°Ｃになると出力パワー
は最大となり、さらに結晶に内部温度が上昇すると出力
パワーは減少する。 【００２８】したがって、結晶の内部温度の範囲が５
５．４°Ｃ〜５６．１°Ｃの場合には、出力パワーは同
図に示すＡの範囲で変化することになる。これに対し、
レーザ光を出射していないときの結晶の表面温度を５５
°Ｃに設定しておくと、結晶の内部温度変化が０．７°
Ｃの場合、結晶の内部温度は図５（ｂ）のように変化す
る。すなわち、同図に示すように、レーザ光出射開始
後、結晶の内部温度は同図の矢印に示すように上昇して
いき、これに伴い、レーザ光の出力パワーが増大してい
く。結晶の内部温度が５５．７°Ｃになったとき出力パ
ワーは最大となる。この場合には、出力パワーは同図に
示すＢの範囲で変化することとなる。 【００２９】図５（ａ）、（ｂ）から明らかなように、
波長変換素子の表面温度を、照射開始時の上記波長変換
素子の内部温度が出力パワーが最大になる内部温度〔図
５（ａ）のＱ点〕より低く、かつ、照射終了時の上記波
長変換素子の内部温度が出力パワーが最大となる内部温
度〔上記Ｑ点〕より高くなるような温度に保持すれば、
図５（ｂ）の場合に比べ出力パワーの変動を小さくする
ことができる。すなわち、前記したように、図３におけ
る最大の出力パワーが得られる時の表面温度を「最大の
出力パワーが得られる表面温度」と定義し、また、図４
における最大の出力パワーが得られる時の内部の温度を
「最大の出力パワーが得られる内部温度」と定義する
と、非線形光学結晶の表面温度を、上記「最大の出力パ
ワーが得られる表面温度」（図５（ａ）のＰ点）と「最
大の出力パワーが得られる内部温度」（図５（ａ）のＱ
点）との間に設定することにより、従来例に比べ、出力
パワーの変動を小さくすることができる。 【００３０】実用的には、出力パワーの変動は１０％以
内、最大でも１５％以内であればよいから、上記非線形
光学結晶の表面温度を、照射開始時の上記波長変換素子
の内部温度が出力パワーが最大になる内部温度〔図５
（ａ）のＱ点〕より低く、かつ、照射終了時の上記波長
変換素子の内部温度が出力パワーが最大となる内部温度
〔上記Ｑ点〕より高くなるような温度であって、出力変
動が１５％以内になるような値に設定すればよい。特
に、図５（ａ）に示すように、結晶の内部温度変化に対
する変換効率曲線の最大値Ｑ点が、結晶の内部温度の変
化範囲の中点になるように、上記「最大の出力パワーが
得られる表面温度」を設定すれば、出力パワーの変動を
最も小さくすることができる。 【００３１】図６はＬＢＯ結晶の表面温度を５５．４°
Ｃに設定したときのレーザ光の出力パワーの変動を示す
図である。同図は、前記した図１１において使用したレ
ーザ装置と同じレーザ装置を用いた場合を示している。
同図から明らかなように、レーザ出射開始照射直後の出
力パワーの変動が、前記図１１に比べて小さく、変動の
幅は１０％以下となっている。なお、図６では、レーザ
光出力を続けるにつれて、前記したように結晶の内部温
度が最適値よりもやや高くなるため、出力パワーがやや
減少している。しかし、その変動は１０％以下である。
以上のように本実施例においては、非線形光学結晶の表
面温度を、該結晶の内部温度の変化に対して波長変換効
率の変動が少なくなる温度領域に保持するようにしたの
で、出力パワーの変動を従来例に比べて小さくすること
ができ、良好な加工を行うことが可能となる。なお、上
記では、非線形光学結晶としてＬＢＯ結晶を用いて３倍
波を発生する場合について説明したが、ＢＢＯ結晶、Ｃ
ＬＢＯ結晶等のその他の非線形光学結晶において２倍
波、４倍波、その他の和周波を発生させる場合にも本発
明を適用することが可能である。 【００３２】図７は、レーザ光の出力パワーの変動をさ
らに小さくするため、波長変換素子の表面温度を、出力
パワーが最大になる内部温度を保つように制御した場合
の構成を示す図である。図７において、前記図１に示し
たものと同様の構成を有しており、１ａはＮｄ：ＹＡ
Ｇ，Ｎｄ：ＹＬＦ等のレーザ媒質、１ｂは全反射鏡、１
ｃは透過鏡、１ｄはＱ−ＳＷ、１ｅは励起光源であり、
１ａ〜１ｅでレーザ光源１を構成しており、励起光源１
ｅにより励起することにより、透過鏡１ｃを介してレー
ザ光源１から基本波レーザ光（レーザ媒質がＮｄ：ＹＬ
Ｆの場合には、１０４７ｎｍ）が放出される。また、Ｑ
−ＳＷドライバ２により上記Ｑ−ＳＷを制御することに
より、レーザ光の放出／停止を制御することができる。
３は非線形光学結晶を用いた第１の波長変換素子であ
り、上記基本波レーザ光が入射し、基本レーザ光とその
２倍波とを出射する。 【００３３】４は、上記第１の波長変換素子３を加熱す
る温度調節ヒータ（温調ヒータという）、５は温調制御
器であり、温調制御器５には第１の波長変換素子３の表
面に取り付けた熱電対等の温度測定器の出力が入力さ
れ、前記図９で説明したように、温度調節ヒータ４を制
御して、設定された温度になるように第１の波長変換素
子３の温度を調節する。６は非線形光学結晶を用いた第
２の波長変換素子であり、第１の波長変換素子３が出射
する基本レーザ光とその２倍波が入射し、基本波レーザ
光と、基本波レーザ光の２倍波と３倍波を出射する。７
は、上記第２の波長変換素子６を加熱する温調ヒータ、
８は温調制御器であり、温調制御器７は、上記のように
温調ヒータ７を制御して、設定された温度になるように
第２の波長変換素子６の温度を調節する。９はレーザ制
御装置であり、上記励起光源１ｅ，Ｑ−ＳＷドライバ２
を制御して、レーザ光源１からのレーザ光の放出を制御
するとともに、上記温調制御器５，６に温度指示信号を
出力する。 【００３４】図８は図７に示した装置の動作を示す図で
あり、同図を参照しながら図７に示した装置の動作を前
記ＬＢＯ結晶の例により説明する。なお、図８に付した
(1)〜(3) は以下の括弧付き数字に対応している。 (1) 非線形光学結晶を用いた波長変換素子３，６にレー
ザ光が入射していないときは、非線形光学結晶の表面温
度を、その位相整合角の時、レーザ光の安定時の出力パ
ワーが最大になる結晶の内部温度（前記ＬＢＯ結晶の場
合は、５５．７°Ｃ）に向かって下降させる。具体的に
は、レーザ制御装置９から温調制御器５，８へ上昇を指
示する制御信号（図８においてで示す）を発振する。
これにより結晶の表面温度（図８においてで示す）が
上昇してさらに結晶の内部温度（図８においてで示
す）も上昇する。 (2) 波長変換素子３，６にレーザ光が入射されると、レ
ーザ制御装置９は温調制御器５，８に対して温度下降信
号を出力し、内部温度の上昇に合わせて結晶（表面) の
温度を、レーザ光出力が最大になって安定する表面温度
に下降させる（前記ＬＢＯ結晶の場合は、５５°Ｃに向
かって下降させる）。ここで、レーザ光照射中の結晶表
面温度を下げる割合は、入力されるレーザ光のパワー
や、レーザ光が結晶に入射している時間等で決める。レ
ーザ光のパワーや、レーザ光が結晶に入射している時間
は、被加工物であるワークの種類や、加工の条件によっ
て、あらかじめ求めることができる。したがって、それ
ら値をレーザ制御装置９に設定し、演算によって結晶表
面温度を下げる割合を求めるようにしておけばよい。レ
ーザ制御装置９は、それに応じた時間幅の下降信号を出
力する。 【００３５】(3) 次いで、波長変換素子３，６へのレー
ザ光が入射が停止すると、レーザ制御装置９は温調制御
器５，８に対して温度上昇信号を出力し、内部温度の下
降に合わせて結晶（表面) 温度を、レーザ光出力が最大
になって安定する表面温度にまで上昇させる（前記ＬＢ
Ｏ結晶の場合は、５５．７°Ｃに向かって上昇させ
る）。すなわち、レーザ制御装置９は、上記したように
求めた結晶表面温度を上げる割合に応じた時間幅の上昇
信号を出力する。以下、上記(2)(3)制御をレーザ光の出
射／出射停止に応じて繰り返し、結晶の温度を制御す
る。上記のように制御することにより、波長変換素子の
の内部温度を、常にレーザ光の安定時の出力パワーが最
大になる結晶の内部温度（前記ＬＢＯ結晶の場合は、５
５．７°Ｃ）とすることができ、レーザ光の出力パワー
を最大で、安定した状態で保つことができる。以上のよ
うに本実施例においては、非線形光学結晶の表面温度を
制御し、該結晶の内部温度が波長変換効率が最大となる
温度を保持するようにしたので、出力パワーの変動を従
来例に比べて小さくすることができ、良好な加工を行う
ことが可能となる。 【００３６】 【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
以下の効果を得ることができる。非線形光学結晶を用い
た波長変換素子により、波長変換を行なったレーザ光
を、被加工物に照射して加工を行なう加工用レーザ装置
において、波長変換素子の表面温度を、照射開始時の上
記波長変換素子の内部温度が出力パワーが最大になる内
部温度より低く、かつ、照射終了時の上記波長変換素子
の内部温度が出力パワーが最大となる内部温度より高く
なるような温度に保持するようにしたので、加工用レー
ザ装置から出力されるレーザパワーの変動を小さくする
ことができる。このため、例えば多層プリント板のビア
ホール加工において、段取り換え等でレーザ光の出力を
停止したあと、レーザ光の出力を再開する時、レーザ光
出力開始後の出力パワーの変動を小さくすることがで
き、加工不良等が発生するのを回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図２】結晶温度に対する波長変換効率ηを示す図であ
る。 【図３】ＬＢＯ結晶の結晶温度（表面温度）に対する出
力パワーを示す図である。 【図４】ＬＢＯ結晶の結晶温度（内部温度）に対する出
力パワーを示す図である。 【図５】結晶温度と出力パワーの変動の関係を説明する
図である。 【図６】ＬＢＯ結晶の表面温度を５５．４°Ｃに設定し
たときのレーザ光の出力パワーの変動を示す図である。 【図７】波長変換素子の表面温度を出力パワーが最大に
なる内部温度を保つように制御する場合の構成を示す図
である。 【図８】図７の動作を示す図である。 【図９】加工用レーザ装置１０の概略構成を示す図であ
る。 【図１０】レーザ光によるビアホール加工の様子を示す
図である。 【図１１】ＬＢＯ結晶から出力されるレーザパワーの変
化を示す図である。 【符号の説明】 １ 加工用レーザ装置 １ａ レーザ媒質 １ｂ 全反射鏡 １ｃ 透過鏡 １ｄ Ｑ−ＳＷ １ｅ 励起光源 ２ Ｑ−ＳＷドライバ ３ 波長変換素子 ４ 温度調節ヒータ ５ 温調制御器 ６ 波長変換素子 ７ 温度調節ヒータ ８ 温調制御器 ９ レーザ制御装置
る。 【図３】ＬＢＯ結晶の結晶温度（表面温度）に対する出
力パワーを示す図である。 【図４】ＬＢＯ結晶の結晶温度（内部温度）に対する出
力パワーを示す図である。 【図５】結晶温度と出力パワーの変動の関係を説明する
図である。 【図６】ＬＢＯ結晶の表面温度を５５．４°Ｃに設定し
たときのレーザ光の出力パワーの変動を示す図である。 【図７】波長変換素子の表面温度を出力パワーが最大に
なる内部温度を保つように制御する場合の構成を示す図
である。 【図８】図７の動作を示す図である。 【図９】加工用レーザ装置１０の概略構成を示す図であ
る。 【図１０】レーザ光によるビアホール加工の様子を示す
図である。 【図１１】ＬＢＯ結晶から出力されるレーザパワーの変
化を示す図である。 【符号の説明】 １ 加工用レーザ装置 １ａ レーザ媒質 １ｂ 全反射鏡 １ｃ 透過鏡 １ｄ Ｑ−ＳＷ １ｅ 励起光源 ２ Ｑ−ＳＷドライバ ３ 波長変換素子 ４ 温度調節ヒータ ５ 温調制御器 ６ 波長変換素子 ７ 温度調節ヒータ ８ 温調制御器 ９ レーザ制御装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B23K 26/00 - 26/06
G02F 1/35 - 1/39
ＩＮＳＰＥＣ（ＤＩＡＬＯＧ)
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
ＷＰＩ（ＤＩＡＬＯＧ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 非線形光学結晶を用いた波長変換素子に
よりレーザ光の波長変換を行なって、波長変換光を被照
射物に間欠的に照射して、被照射物の孔あけ、マーキン
グ等の除去作業を行う加工用レーザ装置であって、 上記加工用レーザ装置は、上記波長変換素子の温度を制
御する制御手段を備え、 上記制御手段により上記波長変換素子の表面温度を、照
射開始時の上記波長変換素子の内部温度が出力パワーが
最大になる内部温度より低く、かつ、照射終了時の上記
波長変換素子の内部温度が出力パワーが最大となる内部
温度より高くなるような温度に保持することを特徴とす
る加工用レーザ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19593399A JP3391301B2 (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | 加工用レーザ装置 |
| TW089110993A TW492229B (en) | 1999-07-09 | 2000-06-05 | Laser equipment for manufacturing purpose |
| PCT/JP2000/003987 WO2001004698A1 (fr) | 1999-07-09 | 2000-06-19 | Laser destine a l'usinage laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19593399A JP3391301B2 (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | 加工用レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001025888A JP2001025888A (ja) | 2001-01-30 |
| JP3391301B2 true JP3391301B2 (ja) | 2003-03-31 |
Family
ID=16349397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19593399A Expired - Lifetime JP3391301B2 (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | 加工用レーザ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3391301B2 (ja) |
| TW (1) | TW492229B (ja) |
| WO (1) | WO2001004698A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3939205B2 (ja) | 2002-06-18 | 2007-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工温度測定装置、レーザ加工方法及びレーザ加工温度測定方法 |
| DE10333770A1 (de) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Carl Zeiss Meditec Ag | Verfahren zur Materialbearbeitung mit Laserimpulsen grosser spektraler Bandbreite und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| US7955264B2 (en) | 2004-07-07 | 2011-06-07 | General Electric Company | System and method for providing communication between ultrasound scanners |
| JP4353242B2 (ja) | 2006-11-30 | 2009-10-28 | セイコーエプソン株式会社 | レーザ光源装置の駆動方法 |
| JP4894675B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2012-03-14 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置、照明装置、モニタ装置、画像表示装置、及び光源装置の制御方法 |
| JP2009194371A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-08-27 | Panasonic Corp | 波長変換レーザ光源、これを備えた２次元画像表示装置およびレーザ光源装置 |
| CN107317217B (zh) * | 2016-04-26 | 2019-12-17 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种基于ⅱ类非临界相位匹配的共振增强腔倍频装置 |
| WO2022230045A1 (ja) * | 2021-04-27 | 2022-11-03 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置およびレーザ加工装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5644422A (en) | 1996-01-16 | 1997-07-01 | New Focus, Inc. | Techniques of radiation phase matching within optical crystals |
| US5671232A (en) | 1995-05-07 | 1997-09-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Second harmonic generation method and apparatus |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04318528A (ja) * | 1991-04-17 | 1992-11-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換装置 |
| JPH1020351A (ja) * | 1996-07-01 | 1998-01-23 | Sony Corp | レーザ光源装置および当該装置の制御方法 |
| JP3968868B2 (ja) * | 1998-04-27 | 2007-08-29 | 株式会社島津製作所 | 固体レーザ装置 |
-
1999
- 1999-07-09 JP JP19593399A patent/JP3391301B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-05 TW TW089110993A patent/TW492229B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-06-19 WO PCT/JP2000/003987 patent/WO2001004698A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5671232A (en) | 1995-05-07 | 1997-09-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Second harmonic generation method and apparatus |
| US5644422A (en) | 1996-01-16 | 1997-07-01 | New Focus, Inc. | Techniques of radiation phase matching within optical crystals |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2001004698A1 (fr) | 2001-01-18 |
| JP2001025888A (ja) | 2001-01-30 |
| TW492229B (en) | 2002-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4677392B2 (ja) | パルスレーザ熱処理装置とその制御方法 | |
| US9147989B2 (en) | Femtosecond laser processing system with process parameters controls and feedback | |
| US5734470A (en) | Device and method for time-resolved optical measurements | |
| JP5659103B2 (ja) | 広スペクトル帯域幅を有するレーザ・パルスを用いた材料の加工方法、および該方法を実行するための装置 | |
| JP5240526B2 (ja) | レーザ加工装置、レーザ光源装置、および、レーザ光源装置の制御方法 | |
| JP2002210730A (ja) | レーザ支援加工方法 | |
| JP3391301B2 (ja) | 加工用レーザ装置 | |
| JP2003046173A (ja) | レーザ装置、波長変換素子、レーザ発振器、波長変換装置およびレーザ加工方法 | |
| TWI379297B (en) | Optical recording method and optical recording apparatus | |
| JP2008055456A (ja) | 半田付け方法および半田付け用レーザ装置 | |
| JP2001021931A (ja) | Ｔｙｐｅ１の非線形結晶を用いた加工用レーザ装置 | |
| JP2006330518A (ja) | 高調波発生装置 | |
| JP6808114B1 (ja) | 波長変換レーザ装置および波長変換レーザ加工機 | |
| WO2018134868A1 (ja) | レーザ加工システム及びレーザ加工方法 | |
| JP2011014685A (ja) | レーザ照射装置、及びレーザ照射方法 | |
| JP2001042372A (ja) | 加工用レーザ装置 | |
| JP3506038B2 (ja) | 波長変換方法 | |
| JP7079953B2 (ja) | 波長変換方法、波長変換装置及びレーザ光源装置 | |
| TW480789B (en) | Processing laser device | |
| JP4225121B2 (ja) | レーザアニーリング方法および装置 | |
| JP4265424B2 (ja) | 波長変換方法、波長変換レーザ装置、およびレーザ加工装置 | |
| KR100633626B1 (ko) | 파장 변환 방법 및 파장 변환 레이저와 레이저빔 가공 방법 | |
| JPH04249388A (ja) | レーザ配線形成装置 | |
| RU174220U1 (ru) | Устройство для отжига сегнетоэлектрика лазерным излучением с пространственным разрешением, превышающим дифракционный предел | |
| JP2005007476A (ja) | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3391301 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080124 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090124 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090124 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100124 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100124 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110124 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120124 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130124 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130124 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140124 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |