JP4265424B2 - 波長変換方法、波長変換レーザ装置、およびレーザ加工装置 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 624
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 title description 97
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 418
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 159
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 150
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 84
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 15
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 53
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 8
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RIUWBIIVUYSTCN-UHFFFAOYSA-N trilithium borate Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[O-]B([O-])[O-] RIUWBIIVUYSTCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNAZVIPNYDXXPF-UHFFFAOYSA-N [Li+].[Cs+].OB([O-])[O-] Chemical compound [Li+].[Cs+].OB([O-])[O-] NNAZVIPNYDXXPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFZPIXPYAOKMNJ-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Y].[Gd] Chemical compound [Ca].[Y].[Gd] MFZPIXPYAOKMNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- XBJJRSFLZVLCSE-UHFFFAOYSA-N barium(2+);diborate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[Ba+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] XBJJRSFLZVLCSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- WYOHGPUPVHHUGO-UHFFFAOYSA-K potassium;oxygen(2-);titanium(4+);phosphate Chemical compound [O-2].[K+].[Ti+4].[O-]P([O-])([O-])=O WYOHGPUPVHHUGO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- JDLDTRXYGQMDRV-UHFFFAOYSA-N tricesium;borate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[Cs+].[O-]B([O-])[O-] JDLDTRXYGQMDRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
従来の波長変換レーザ装置においては、2つの非線形光学結晶を直列に並べて用いる場合に、非線形光学結晶はレーザビームの通過方向の長さが同じものとされている。また、1つ目の非線形光学結晶は入射レーザビームに対して位相整合の結晶方位軸を一致させている。入射レーザビームが1つ目の非線形光学結晶を通過した後、再び2つ目の非線形光学結晶に入射するが、2つ目の非線形光学結晶は位相整合の結晶方位軸を1つ目の非線形光学結晶に対して、位相整合角度の半値全幅以下の角度だけずらした位置に設置するようにしており、また、非線形光学結晶の結晶軸(結晶方位軸)の角度のずれは数mrad〜数十mradと小さい(例えば、特許文献1参照)。すなわち、レーザビーム通過方向の長さが同じである2つの非線形光学結晶を、レーザビームの光軸方向から見て、各非線形光学結晶の結晶方位軸がほぼ同方向になるように配置している。
また、従来の別の波長変換レーザ装置においては、非線形光学結晶であるKN結晶の厚さは双方とも0.5mmである。また、2つのKN結晶を互いのカット角θを変えて配置する場合において、結晶軸(結晶方位軸)の向きをウォーク角を補正する関係になるように配置するようにしている(例えば、特許文献2参照)。すなわち、レーザビーム通過方向の長さが同じである2つの非線形光学結晶を、レーザビームの光軸方向から見て、各非線形光学結晶の結晶方位軸が光軸を中心にほぼ180°回転するように配置している。
また、従来のさらに別の波長変換レーザ装置は、同一の非線形光学結晶材料の結晶を2つ用いるものであり、それらを互いに長さが等しいものとした上で、それらの相等しい光学軸が互いに90°ずれる向きに配置するようにしているものもある(例えば、特許文献3参照。)。
波長変換レーザビームの一部を透過する反射手段と、当該反射手段を透過した波長変換レーザビームおよび前記反射手段で反射された波長変換レーザビームの一方のビームパラメータをモニタする手段と、前記反射手段の前段に配置され波長変換レーザビームの偏光状態を、各非線形光学結晶から発生したそれぞれの波長変換レーザビームにおける前記反射手段の反射面に対するs偏光成分とp偏光成分との割合がおよそ同じになるように変換する偏光状態変換手段とを備えたものである。
可変透過率ミラーを有する可変アッテネータと、当該可変アッテネータの前段に配置され前記波長変換レーザビームの偏光状態を、各非線形光学結晶から発生したそれぞれの波長変換レーザビームにおける前記可変透過率ミラーのミラー面に対するs偏光成分とp偏光成分との割合がおよそ同じになるように変換する偏光状態変換手段とを備えたものである。
図1〜図3は、本発明の実施の形態1による波長変換方法、波長変換レーザ装置およびレーザ加工装置を説明するための図であり、より具体的には、図1はレーザ加工装置を示す側面図、図2(a)、(b)、および(c)はそれぞれ図1の波長変換用の非線形光学結晶を拡大して示す上面図、側面図、および斜視図である。また、図3は比較実験に用いたレーザ加工装置の要部である波長変換用の非線形光学結晶を示す斜視図である。
レーザ光源2および波長変換装置で波長変換レーザ装置を構成しており、レーザ光源2、温度調節器4A、4B、およびミラーホルダー7は共通の基台5上に配置されている。
照射装置は、反射ミラー12、集光光学系14、および加工台18備えている。ミラー保持具13に保持された反射ミラー12および光学系保持具15に保持された集光光学系14は、固定治具16に保持されており、固定治具16は加工台18に固定されている。加工台18上にはシリコン、金属板、セラミック、プリント基板、グリーンシートなどの被加工物17が保持されている。
波長変換結晶1Aおよび1Bは、例えばリチウム・ボレイト(化学式:LiB3O5、略称:LBO)等の非線形光学結晶からなる。
このように、本実施の形態による波長変換レーザ装置では、基本波レーザビームを一方向に進行させて波長変換用の非線形光学結晶(波長変換結晶1A、1B)によって波長変換する。
この場合、リチウム・ボレイト結晶の結晶方位軸aに垂直で結晶方位軸bと結晶方位軸cからなる面9A、9B内の結晶方位軸cから約20.5°の方向に基本波レーザビーム3を通過させることにより基本波と第2高調波のタイプ2位相整合条件を満たし、ランダム偏光の基本波レーザビーム3の一部が波長変換されて結晶方位軸a方向に沿った直線偏光の第2高調波が発生する。
また、波長変換結晶1Aは結晶方位軸aが水平方向(図1の紙面に対し垂直方向)になるように配置され、波長変換結晶1Bは結晶方位軸aが垂直方向(図1の紙面に対し平行方向)になるように配置されている。このように、2つの波長変換結晶1A、1Bを直列に並べて用いる場合に、一方の波長変換結晶1Aに対し他方の波長変換結晶1Bの結晶方位軸をレーザビーム3の光軸を中心として90°回転させて配置する(すなわち、レーザビームの光軸方向から見て結晶方位軸が互いに90°異なる方向になるように配置する)ことにより、波長変換結晶1Aから発生する第2高調波の偏光方向と波長変換結晶1Bから発生する第2高調波の偏光方向が90°異なることになる。その結果、偏光方向が互いにおよそ90°異なる波長変換レーザビーム3Cを発生する。
実施例1.
レーザ光源2として、Qスイッチパルス発振しランダム偏光で波長1064nmの基本波レーザビーム3を発生するNd:YAG(ネオジウム・ヤグ)レーザを用いた。レーザビーム3の条件は、平均パワー529W、パルス繰り返し周波数4kHz、パルス幅40.4ns、ビーム品質M2≒10であった。
波長変換結晶1Aおよび1Bとして、タイプ2位相整合により第2高調波を発生する、レーザビーム通過方向の長さが15mmおよび18mmであるリチウム・ボレイト(化学式:LiB3O5)を用い、それぞれ基本波レーザビーム3の1/e2半径0.54mmおよび0.52mmの位置に配置した。
一方、比較例として、波長変換結晶1A、1Bの方向のみが実施例1と異なり、図3に示すように、いずれの波長変換結晶1A、1Bにおいても結晶方位軸aが水平方向になるように配置した場合は、第2高調波波長変換レーザビーム3Cの平均出力は138Wであり、本実施例と比較して約23%低かった。また、第2高調波波長変換レーザビーム3Cの平均出力の変動は約±10%と非常に不安定であった。また、2つの波長変換結晶1A、1Bの結晶方位軸方向をそろえたため、波長変換レーザビーム3Cは直線偏光であった。この波長変換レーザビーム3Cをアモルファスシリコンに照射してポリシリコン化を行ったところ、スキャン方向と偏光方向の関係に依存してデバイスの特性に差があった。
図4および図5は、本発明の実施の形態2による波長変換方法、波長変換レーザ装置およびレーザ加工装置を説明するための図であり、より具体的には、図4はレーザ加工装置の側面図、図5は図4の波長変換結晶および波長板を拡大して示す斜視図である。
本実施の形態では、2つの波長変換結晶1A、1Bは、レーザビームの光軸方向から見て結晶方位軸aが互いに同方向になるように直列に配置されており、2つの非線形光学結晶1Aと1Bの間に波長変換されたレーザビームの偏光方向を90°回転させる偏光方向回転手段として波長板10が配置されている。他の構成は実施の形態1と同様であるので、以下では主に、実施の形態1との相違点について説明する。
したがって、本実施の形態2においても実施の形態1の場合と同様の効果が得られる。
なお、本実施の形態による波長変換レーザ装置でも、実施の形態1と同様に、基本波レーザビームを一方向に進行させて波長変換用の非線形光学結晶(波長変換結晶1A、1B)によって波長変換している。
また、波長変換結晶1Aと1Bの結晶方位軸の角度は、前段の波長変換結晶1Aで発生する波長変換レーザビームと後段の波長変換結晶1Bで発生する波長変換レーザビームの干渉の影響が小さくなる程度であればよいので、正確に同方向あるいは正確に180°異なる方向にならなくてもよく、およそ同方向あるいはおよそ180°異なる方向であればよく、例えば同方向あるいは180°異なる方向から5°以内、望ましくは2°以内の範囲でずれていてもよい。
また、偏光方向回転手段についても同様であり、正確に90°回転させなくてもよく、45°ないし90°の範囲であればよい。望ましくはおよそ90°(例えば85°ないし90°の範囲、より好ましくは88°ないし90°の範囲)であればよい。
要は、実施の形態1の場合と同様に、波長変換結晶1Aで発生して波長変換結晶1Bに入射する波長変換レーザビームの偏光方向と、波長変換結晶1Bで発生する波長変換レーザビームの偏光方向が互いに45°ないし90°の範囲で異なればよい。望ましくはおよそ90°(例えば85°ないし90°の範囲、より好ましくは88°ないし90°の範囲)異なっていればよい。
図6は、本発明の実施の形態3による波長変換方法、波長変換レーザ装置およびレーザ加工装置を説明するための図であり、より具体的には、レーザ加工装置の側面図である。
本実施の形態では、波長変換レーザビーム3Cを円偏光に変換する円偏光化手段として1/4波長板19を備えている。他の構成は実施の形態1と同様であるので、以下では主に、実施の形態1との相違点について説明する。
図7は、本発明の実施の形態4による波長変換方法、波長変換レーザ装置およびレーザ加工装置を説明するための図であり、より具体的には、レーザ加工装置の上面図である。
本実施の形態では、実施の形態1で示した波長変換レーザ装置(レーザ加工装置)に加えて、主に、以下のものを備えている。
まず、波長変換レーザビーム3Dの一部を透過する反射手段として、反射ミラー21、21Aを備えている。
さらに、反射ミラー21,21Aを透過した波長変換レーザビーム3E,3Fのビームパラメータ(パワー、ビームプロファイル(ビーム径)、ビーム品質、発散角)をモニタする手段であるビームモニタとして、パワーをモニタする手段であるパワーモニタ22、およびビームプロファイルをモニタする手段であるビームプロファイラ23を備えている。
またさらに、反射手段(反射ミラー21、21A)の前段に配置され、波長変換レーザビーム3Cの偏光状態を、各非線形光学結晶1A,1Bから発生したそれぞれの波長変換レーザビームにおける反射手段の反射面に対するs偏光成分とp偏光成分との割合がおよそ同じになるように変換する偏光状態変換手段、すなわち、基本波レーザビームが先に通過する非線形光学結晶1Aから発生した波長変換レーザビームにおける反射手段の反射面に対するs偏光成分とp偏光成分との割合と、基本波レーザビームが後で通過する非線形光学結晶1Bから発生した波長変換レーザビームにおける反射手段の反射面に対するs偏光成分とp偏光成分との割合とがおよそ同じになるように変換する偏光状態変換手段として、1/4波長板19を備えている。なお、1/4波長板19は実施の形態3で説明した波長変換レーザビーム3Cを円偏光に変換する円偏光化手段を兼ねている。
他の構成は実施の形態1と同様であるので、以下では主に、実施の形態1との相違点について説明する。
また、円偏光化された波長変換レーザビーム3Dの一部は、反射ミラー21を透過する。反射ミラー21を透過した波長変換レーザビーム3Eはパワーモニタ22に入射し、そのパワーを測定される。さらに、円偏光化された波長変換レーザビーム3Dの一部は、反射ミラー21Aを透過する。反射ミラー21Aを透過した波長変換レーザビーム3Fはビームプロファイラ23に入射し、そのビームプロファイルを測定される。
したがって、例えば、波長変換レーザビーム3Cのうち波長変換結晶1Aから発生した成分のみのパワーやビームプロファイルが変化しても、パワーモニタ22やビームプロファイラ23のモニタ値の変化は小さく、被加工物17に照射される波長変換レーザビームのパワーやビームプロファイルの変化を正確にモニタできないという問題が生じる。
さらに、例えば、波長変換レーザビーム3Cのうち波長変換結晶1Aから発生した成分のみのパワーやビームプロファイルが変化しても、被加工物17に照射される波長変換レーザビーム3Dのパワーやビームプロファイルの変化をほぼ正確にモニタでき、波長変換レーザビーム3Dのうち波長変換結晶1Aから発生した成分のみのパワーやビームプロファイルの変化による加工の変化を把握することができるという効果を奏する。
また、一般的なランダム偏光レーザ装置においては、反射ミラー21、21Aに入射するレーザビームの偏光方向はs偏光とp偏光とが同割合であることから、反射ミラー21、21Aに入射させる前に円偏光化させるか否かにかかわらず透過率は一定である。したがって、円偏光化された波長変換レーザビームのパワーやビームプロファイルをモニタすることによる新たな効果は生じない。
さらに、ビームプロファイラ23で測定したビーム径に応じてビーム径調整機構を制御する手段を設けてフィードバック制御することにより、波長変換レーザビーム3Dのビーム径を長期間安定に一定に保つことができるという効果を奏する。
図8は、本発明の実施の形態5による波長変換方法、波長変換レーザ装置およびレーザ加工装置を説明するための図であり、より具体的には、レーザ加工装置の上面図である。
本実施の形態では、実施の形態1で示した波長変換レーザ装置(レーザ加工装置)に加えて、主に、以下のものを備えている。
まず、波長変換レーザビーム3Dのパワーを調整する手段として可変透過率ミラー25A、25Bを有する透過率が可変の可変アッテネータ24を備えている。
さらに、可変アッテネータ24の前段に配置され、波長変換レーザビーム3Cの偏光状態を、各非線形光学結晶1A,1Bから発生したそれぞれの波長変換レーザビームにおける反射手段の反射面に対するs偏光成分とp偏光成分との割合がおよそ同じになるように変換する偏光状態変換手段として、1/4波長板19を備えている。なお、1/4波長板19は実施の形態3で説明した波長変換レーザビーム3Cを円偏光に変換する円偏光化手段を兼ねている。
他の構成は実施の形態1と同様であるので、以下では主に、実施の形態1との相違点について説明する。
照射装置の構成は、実施の形態4と同様である。
円偏光化された波長変換レーザビーム3Dは、可変アッテネータ24によりパワーを調整された波長変換レーザビーム3Gとなり、反射ミラー12により反射され、集光光学系14により被加工物17に集光照射され、被加工物に対しアニール、表面改質、穴あけ、切断、溶接、トリミング等の加工を行う。
また、可変アッテネータ24の透過率を変化させても、波長変換結晶1Aから発生した成分と波長変換結晶1Bから発生した成分はおよそ同じ割合ずつ含まれるため、可変アッテネータ24によりビームプロファイルを変化させずにパワーのみを調整することができる。したがって、例えば、可変アッテネータ24の透過率を下げて加工点にビームプロファイラを配置して、加工点のビームプロファイルを測定することにより加工時とおよそ同じビームプロファイルを測定することができる。
また、一般的なランダム偏光レーザ装置においては、可変透過率ミラー25A、25Bに入射するレーザビームの偏光方向はs偏光とp偏光とが同割合であることから、可変透過率ミラー25A、25Bに入射させる前に円偏光化させるか否かにかかわらず透過率は一定である。したがって、円偏光化された波長変換レーザビームを可変透過率ミラー25A、25Bに入射させることによる新たな効果は生じない。
また、波長変換用の非線形光学結晶(波長変換結晶)1A、1Bもリチウム・ボレイト(化学式:LiB3O5)結晶に限るものではなく、例えば、セシウム・リチウム・ボレート(化学式:CsLiB6O10、略称:CLBO)結晶、セシウム・ボレート(化学式:CsB3O5、略称:CBO)結晶、ベータ・バリウム・ボレート(化学式:β−BaB2O4、略称:BBO)、ガドリニウム・イットリウム・カルシウム・オキシボレート(化学式:GdxY1-xCa4(BO3)3、略称:GdYCOB)結晶、ポタシウム・チタニル・フォスフェイト(化学式:KTiOPO4、略称:KTP)結晶等であってもよく、上記各実施の形態と同様の効果が得られる。
さらに、波長変換結晶1Bとして波長変換結晶1Aよりも波長変換効率の良い結晶を用いることにより、各非線形光学結晶1Aと1Bにおけるレーザビーム通過方向の長さが同じであっても、前段の波長変換結晶1Aから発生する波長変換レーザビームのパワーと後段の波長変換結晶1Bから発生する波長変換レーザビームのパワーを近い値にすることができ、波長変換レーザビーム3Cを等方に近い偏光状態にすることができるという効果が得られる。
Claims (8)
- 基本波レーザビームを一方向に進行させて波長変換用の非線形光学結晶によって波長変換する方法であって、ランダム偏光の基本波レーザビームを、直列に配置された2つの波長変換用の非線形光学結晶に順に通して、偏光方向が互いに45°ないし90°の範囲で異なる波長変換レーザビームを発生させつつ、当該各非線形光学結晶から発生したそれぞれの波長変換レーザビームにおける入射対象面に対するs偏光成分とp偏光成分との割合がおよそ同じになるように偏光状態を変換して、前記偏光状態を変換された波長変換レーザビームを、その一部を透過する反射手段に入射させ、当該反射手段を透過した波長変換レーザビームおよび前記反射手段で反射された波長変換レーザビームの一方のビームパラメータをモニタすることを特徴とする波長変換方法。
- モニタするビームパラメータは、パワーまたはビームプロファイルであることを特徴とする請求項1記載の波長変換方法。
- ランダム偏光の基本波レーザビームを発生させる基本波レーザ光源と、レーザビームの光軸方向から見て結晶方位軸が互いに45°ないし90°の範囲で異なる方向になるように直列に配置され、前記基本波レーザビームを一方向に進行させて波長変換する2つの波長変換用の非線形光学結晶とを備え、前記ランダム偏光の基本波レーザビームを前記2つの非線形光学結晶に順に通し、偏光方向が互いに45°ないし90°の範囲で異なる波長変換レーザビームを発生する波長変換レーザ装置であって、
波長変換レーザビームの一部を透過する反射手段と、当該反射手段を透過した波長変換レーザビームおよび前記反射手段で反射された波長変換レーザビームの一方のビームパラメータをモニタする手段と、前記反射手段の前段に配置され波長変換レーザビームの偏光状態を、各非線形光学結晶から発生したそれぞれの波長変換レーザビームにおける前記反射手段の反射面に対するs偏光成分とp偏光成分との割合がおよそ同じになるように変換する偏光状態変換手段とを備えたことを特徴とする波長変換レーザ装置。 - ランダム偏光の基本波レーザビームを発生させる基本波レーザ光源と、レーザビームの光軸方向から見て結晶方位軸が互いにおよそ同方向もしくはおよそ180°異なる方向になるように直列に配置され、前記基本波レーザビームを一方向に進行させて波長変換する2つの波長変換用の非線形光学結晶と、当該2つの非線形光学結晶の間に配置され波長変換されたレーザビームの偏光方向を45°ないし90°の範囲で回転させる偏光方向回転手段とを備え、前記ランダム偏光の基本波レーザビームを前記2つの非線形光学結晶に順に通し、偏光方向が互いに45°ないし90°の範囲で異なる波長変換レーザビームを発生する波長変換レーザ装置であって、
波長変換レーザビームの一部を透過する反射手段と、当該反射手段を透過した波長変換レーザビームおよび前記反射手段で反射された波長変換レーザビームの一方のビームパラメータをモニタする手段と、前記反射手段の前段に配置され、波長変換レーザビームの偏光状態を、各非線形光学結晶から発生したそれぞれの波長変換レーザビームにおける前記反射手段の反射面に対するs偏光成分とp偏光成分との割合がおよそ同じになるように変換する偏光状態変換手段とを備えたことを特徴とする波長変換レーザ装置。 - モニタするビームパラメータは、パワーまたはビームプロファイルであることを特徴とする請求項3あるいは請求項4に記載の波長変換レーザ装置。
- ランダム偏光の基本波レーザビームを発生させる基本波レーザ光源と、レーザビームの光軸方向から見て結晶方位軸が互いに45°ないし90°の範囲で異なる方向になるように直列に配置され、前記基本波レーザビームを一方向に進行させて波長変換する2つの波長変換用の非線形光学結晶とを備え、前記ランダム偏光の基本波レーザビームを前記2つの非線形光学結晶に順に通し、偏光方向が互いに45°ないし90°の範囲で異なる波長変換レーザビームを発生する波長変換レーザ装置であって、
可変透過率ミラーを有する可変アッテネータと、当該可変アッテネータの前段に配置され前記波長変換レーザビームの偏光状態を、各非線形光学結晶から発生したそれぞれの波長変換レーザビームにおける前記可変透過率ミラーのミラー面に対するs偏光成分とp偏光成分との割合がおよそ同じになるように変換する偏光状態変換手段とを備えたことを特徴とする波長変換レーザ装置。 - ランダム偏光の基本波レーザビームを発生させる基本波レーザ光源と、レーザビームの光軸方向から見て結晶方位軸が互いにおよそ同方向もしくはおよそ180°異なる方向になるように直列に配置され、前記基本波レーザビームを一方向に進行させて波長変換する2つの波長変換用の非線形光学結晶と、当該2つの非線形光学結晶の間に配置され波長変換されたレーザビームの偏光方向を45°ないし90°の範囲で回転させる偏光方向回転手段とを備え、前記ランダム偏光の基本波レーザビームを前記2つの非線形光学結晶に順に通し、偏光方向が互いに45°ないし90°の範囲で異なる波長変換レーザビームを発生する波長変換レーザ装置であって、
可変透過率ミラーを有する可変アッテネータと、当該可変アッテネータの前段に配置され前記波長変換レーザビームの偏光状態を、各非線形光学結晶から発生したそれぞれの波長変換レーザビームにおける前記可変透過率ミラーのミラー面に対するs偏光成分とp偏光成分との割合がおよそ同じになるように変換する偏光状態変換手段とを備えたことを特徴とする波長変換レーザ装置。 - 前記請求項3ないし7の何れかの請求項に記載された波長変換レーザ装置により波長変換された波長変換レーザビームを、被加工物に照射するようにしたことを特徴とするレーザ加工装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004025741A JP4265424B2 (ja) | 2003-05-26 | 2004-02-02 | 波長変換方法、波長変換レーザ装置、およびレーザ加工装置 |
KR1020040037580A KR100633626B1 (ko) | 2003-05-26 | 2004-05-25 | 파장 변환 방법 및 파장 변환 레이저와 레이저빔 가공 방법 |
TW093114733A TWI255961B (en) | 2003-05-26 | 2004-05-25 | Wavelength conversion method, wavelength conversion laser, and laser processing apparatus |
CNB2004100476048A CN1332262C (zh) | 2003-05-26 | 2004-05-26 | 波长转换方法、波长转换激光器以及激光束机械加工设备 |
US10/853,223 US7286282B2 (en) | 2003-05-26 | 2004-05-26 | Wavelength conversion method, wavelength conversion laser, and laser beam machining apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003147403 | 2003-05-26 | ||
JP2004025741A JP4265424B2 (ja) | 2003-05-26 | 2004-02-02 | 波長変換方法、波長変換レーザ装置、およびレーザ加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005010739A JP2005010739A (ja) | 2005-01-13 |
JP4265424B2 true JP4265424B2 (ja) | 2009-05-20 |
Family
ID=34106625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004025741A Expired - Lifetime JP4265424B2 (ja) | 2003-05-26 | 2004-02-02 | 波長変換方法、波長変換レーザ装置、およびレーザ加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4265424B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007096965A1 (ja) * | 2006-02-23 | 2007-08-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 波長変換レーザ装置 |
KR100809272B1 (ko) | 2006-08-09 | 2008-02-29 | 삼성전기주식회사 | 파장변환 레이저 장치 |
CA2961416C (en) * | 2014-09-16 | 2021-07-20 | Ipg Photonics Corporation | Rgb laser source for luminaire projector system |
-
2004
- 2004-02-02 JP JP2004025741A patent/JP4265424B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005010739A (ja) | 2005-01-13 |
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A977 | Report on retrieval |
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