JPH04248646A - 不揮発性記憶装置、不揮発性メモリシステムおよびその消去／書込みサイクルの数をカウントする方法 - Google Patents

不揮発性記憶装置、不揮発性メモリシステムおよびその消去／書込みサイクルの数をカウントする方法

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JPH04248646A
JPH04248646A JP3247908A JP24790891A JPH04248646A JP H04248646 A JPH04248646 A JP H04248646A JP 3247908 A JP3247908 A JP 3247908A JP 24790891 A JP24790891 A JP 24790891A JP H04248646 A JPH04248646 A JP H04248646A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、不揮発性ファイルにお
いて生起した消去／書込みサイクルの数をカウントし、
そしてこのカウントしたファイルの消去／書込みサイク
ル数がその耐久限界に近付いたときにそのファイルの再
割当てを行うための装置と方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクなどの磁気メモリについて
、そのビット当たりのコストは、次第に低くなってきて
いる。しかし、ＥＥＰＲＯＭなどのような不揮発性メモ
リのビット当たりのコストは、それより急速に下がりつ
ゝある。今のところ、たいていのシステムでは、不揮発
性素子は、これらの耐久限界（最も優れたＥＥＰＲＯＭ
技術でも、せいぜい、消去／書込みサイクルはほぼ１０
７回である）のために、使っていない。これは、誘電体
をトンネルするという破壊によるものである。このよう
な不揮発性素子を採用するときには、その回路設計に厳
しい制限を課すようになっている。特に、こういうシス
テムは、それら不揮発性素子が受ける消去／書込みサイ
クルの数を制限するように構成しなくてはならない。 以下は、こういったシステムの幾つかの例である。
【０００３】コーダンジュニア（Ｃｏｒｄａｎ　Ｊｒ．
）の米国特許４，８０３，７０７号には、車両の走行マ
イル数を表すパルスをカウントし、そして車両の動力が
切れている期間はその信号カウントを記憶させておくた
めの車両走行距離計システムが開示されている。このシ
ステムでは、最大１０，０００マイルまでの走行距離計
の読みに関する２進値を記憶するために、ある１群の不
揮発性メモリセルを使用している。その１０，０００よ
り大きい走行距離計の読みについては、新たな組のメモ
リセルに対するアクセスを行う。従って、メモリセルの
各群は、最大でもその耐久限界より低い１０，０００回
まで、サイクル動作させる。その各メモリブロックの下
位側のビット程　頻繁にサイクル動作しない上位側のビ
ットは、その新たな組のメモリセルのためのポインタと
して働くようになっている。
【０００４】その記憶したデータの完全性を確保するた
めに、このシステムでは、各群の不揮発性メモリセルの
再割当てを、それらセルの最大の耐久限界値よりも十分
低いところで行うことを必要としている。ところが、こ
のような再割当て法は、多数のメモリブロックを含んだ
システムでは、それらメモリブロックの再割当てがあま
りにも頻繁に行われることになるため、実際的なもので
はない。
【０００５】ヘンリー（Ｈｅｎｒｙ）の米国特許４，５
２８，６８３号に開示された走行距離計システムでは、
高度に特殊化した１０進１桁当たり５ビットワードのカ
ウント法を、マルチレベルのマルチプレクサと一緒に用
いて、１０進の１の桁、１０の桁、１００の桁、および
１０００の桁を不揮発性メモリアレイ中で移動させるよ
うにしている。このシステムは、それらセルの消去／書
込みサイクル“摩耗”効果がそのメモリアレイ全体に広
がるようにしており、これによってどのメモリセル群も
あまり急速に摩耗してしまわないようにしている。
【０００６】マレイ（Ｍｕｒｒａｙ）外の米国特許４，
６６３，７７０号では、不揮発性カウンタ素子を含むシ
ステムが開示されている。その種々のカウンタ素子の間
で消去／書込みサイクル摩耗効果を分散させるために、
カウンタの使用を連続的にシフトさせるようにしている
。このシステムの方式は、システム内の不揮発性素子間
での消去／書込みサイクル摩耗効果の分散を可能にして
いるが、この分散のためのコーディングとデコーディン
グには、複雑なハードウェア構成が必要となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の一つ
の目的は、多数の、大きな一次メモリブロックと、最小
でもある数の同等な“代替”あるいは再割当てのメモリ
ブロックと、を有する不揮発性メモリシステムを提供す
ることである。本発明のもう一つの目的は、不揮発性素
子を利用した、しかも設計が比較的単純なシステムを提
供することである。本発明のさらにもう一つの目的は、
たとえ不揮発性メモリが多数回の消去／書込みサイクル
を受けても、その不揮発性メモリ内に記憶したデータの
完全性を保証するシステムを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的並びにその他
の目的を実現するため、本発明では、不揮発性データブ
ロックがこうむった消去／書込みサイクルの数をカウン
トし、そしてそのカウントした消去／書込みサイクル数
がその不揮発性データブロックの耐久力限界を表す所定
の数に近付いたときにそのデータブロックの再割当てを
行うようにする。
【０００９】
【実施例】図１に示すように、本発明に基づくメモリシ
ステムは、いくつかの一次カウンタ／データレジスタ１
，２，３，４，・・・Ｎと、いくつかの代替カウンタ／
データレジスタ５，６，・・・Ｍと、ディレクトリプロ
セッサ１０とを備えている。
【００１０】これら一次および代替のカウンタ／データ
レジスタの各々は、１つの大きな不揮発性メモリブロッ
ク（例えば、２×１０３バイトを持つ不揮発性メモリブ
ロック）と、この関係したメモリブロックが受ける各消
去／書込みサイクルをカウントするためのカウンタと、
を含んでいる。ある特定のメモリブロックに関する１回
の消去／書込みサイクルの間に、その特定のメモリブロ
ックに連携したそのカウンタを、まず最初に読み取る。 そして、もしこの読み取ったカウントが、１つの不揮発
性メモリブロックに関する消去／書込み耐久限界である
ある所定の数（例えば、１．０×１０７）より小さい場
合には、そのカウンタを１だけインクリメントする。し
かし、もしその読み取ったカウントがその消去／書込み
サイクル耐久限界値より大きければ、このカウンタは、
当該メモリブロックの再割当てを行うべきである、とい
うことを示す再割当て信号を、信号線２０を介してディ
レクトリプロセッサ１０に出力する。このディレクトリ
プロセッサ１０は、あるカウンタからの再割当て信号を
受信すると、消去／書込みサイクル耐久限界に達したそ
のメモリブロック内のデータを、代替カウンタ／データ
レジスタ５，６，・・・Ｍの内の、まだアクセスしたこ
とのないすなわち消去／書込みサイクルを全く受けたこ
とのない一つにダウンロードする。この１つの代替カウ
ンタ／データレジスタは、これまでアクセスを受けたこ
とがないから、その再割当てを行ったデータには、これ
でさらに１．０×１０７回の消去／書込みサイクルを安
全に受けさせることができることになる。
【００１１】ディレクトリプロセッサ１０は、一次およ
び代替のカウンタ／データレジスタのどれがデータを持
っているのかについて追跡記録するよう機能するもので
ある。例えば、もし一次カウンタ／データレジスタ１が
再割当て信号をディレクトリプロセッサ１０に送出した
場合、このディレクトリプロセッサ１０は、代替カウン
タ／データレジスタ５，６，・・・Ｍの中のどれがデー
タを包含していないか、すなわちアクセスを受けたこと
がないかについて判定する。もし、例えば代替カウンタ
／データレジスタ６がアクセスされたことがないとすれ
ば、ディレクトリプロセッサ１０は、そのデータを、一
次カウンタ／データレジスタ１からその代替カウンタ／
データレジスタ６に再割当てする。これにより、カウン
タ／データレジスタ６のアドレスは、一次カウンタ／デ
ータレジスタ１の中に以前に記憶していたデータに関す
るアドレスとして働くことになる。
【００１２】次に、図２には、カウンタ／データレジス
タの内のカウンタをさらに詳細に示してある。この図２
に示したように、このカウンタは、そのカウントするデ
ータの上位ビットを記憶する２８ビットの２進レジスタ
３０と、そのカウントするデータの下位ビットを記憶す
る１対の不揮発性線形レジスタ４０および５０と、これ
ら線形レジスタ４０および５０の中に記憶されたデータ
を互いに比較するための比較器６０と、を備えている。
【００１３】上記の２進レジスタ３０は、データを記憶
するための２２ビット部分と、ＥＣＣ（エラー訂正コー
ド）のための６ビット部分と、を含んでいる。線形レジ
スタの各々は、そのカウントするデータの１２ビットを
記憶するようになっている。以下の表は、図２に示した
カウンタの、消去／書込みサイクルＮと同サイクルＮ＋
４との間のカウントシーケンスを例示したものである。 消去／書込み サイクル　　　　　　　　２進レジスタ　　　　線形レ
ジスタＮ　　　　　　　　　　　　　　１００１０　　
　　　　０００１１１Ｎ＋１　　　　　　　　　　１０
０１０　　　　　　００１１１１Ｎ＋２　　　　　　　
　　　１００１０　　　　　　０１１１１１Ｎ＋３　　
　　　　　　　　１００１０　　　　　　１１１１１１
Ｎ＋４　　　　　　　　　　１００１１　　　　　　０
０００００
【００１４】この例では、不揮発性カウンタ
ビットは、データビットが受ける回数の１／１２の回数
の消去／書込みサイクルを受けるようになっており、従
ってカウンタビットは、これが関係したメモリブロック
のデータビットが劣化するほど急速には劣化せず、これ
によってその関係したデータブロックの消去／書込みサ
イクル数の正確なカウントを確保するようにしている。
【００１５】図２において、比較器６０は、線形レジス
タ４０と５０とに含まれているデータを比較する。それ
ら線形レジスタ４０と５０とは同等のものであって、同
一の消去／書込みサイクルをカウントするのであるから
、それらに含まれているカウントしたデータは、常に同
じとなるはずである。しかし、これら２つの線形レジス
タのどちらかにエラーが発生した場合には、より高い方
のカウントを正しいものと見なす。また、２進レジスタ
３０におけるエラーの場合には、そのエラーはＥＣＣに
よって訂正するようにする。この手法は、もし希望なら
ば、より高い冗長度にまで拡張することができる。
【００１６】図３は、それらの線形レジスタをカウント
する動作を示すものである。上記のデータビットは、ド
ライバ７０に直接接続しており、また線形カウンタビッ
トは、それらデータビットとスイッチ８０とを介してド
ライバ７０に接続している。あらゆるアクセスの間、ま
ず初めにカウンタビットを読み取る。そして、消去／書
込みサイクルの消去部分の間は、もしそれら線形カウン
タがフルでない場合には、線形カウンタビットを、スイ
ッチ８０を図３に示すように“上方”位置に操作するこ
とによって、ドライバ７０から切り離す。このサイクル
の書込み部分の間は、単に次の線形ビットを書き込むよ
うにする。また、もしそれら線形カウンタビットがフル
であれば、スイッチ８０を“下方”位置に操作すること
によって、この消去／書込みサイクルの全期間中、それ
らカウンタビットをドライバ７０に接続したまゝにする
。この消去／書込みサイクルの間に、その線形レジスタ
を全桁ゼロにリセットし、また２進カウンタを１だけカ
ウントアップさせる。
【００１７】図４は、このメモリシステムの動作を示す
ものである。この図４に示すように、ある特定のデータ
ブロックに関して消去／書込み（Ｅ／Ｗ）サイクルが要
求されたかどうかについて、最初にステップＳ１で判定
する。もし消去／書込みサイクルが要求されたのであれ
ば、その特定のメモリブロックと関係したカウンタを、
ステップＳ２で読み取る。そして、ステップＳ３で、線
形レジスタ４０と５０とを比較して、それらが互いに等
しいかどうかを判定する。前に述べたように、線形レジ
スタ４０と５０とは同等のものであり、従って常に同じ
データを持つべきものである。従って、もしステップＳ
３でそれら線形レジスタ４０と５０とが互いに等しいと
判定した場合には、プロセスはステップＳ４に進み、そ
こでそのカウンタがフルであるかどうか、すなわちカウ
ンタがそのメモリブロックの所定の耐久限界値に達して
いるかどうかについて判定する。もしこのステップＳ４
でそのカウンタがフルでないと判定した場合、プロセス
はステップＳ５に進み、そこで２進レジスタのＥＣＣを
調べることにより何等かのエラーが発生しているかどう
かを判定する。もし何もエラーが発生していないと判定
した場合には、そのカウンタを１だけインクリメントし
、そして本プロセスはステップＳ１に戻る。
【００１８】また、もしステップＳ３で線形レジスタ４
０と５０とが互いに等しくないと判定した場合には、エ
ラーが発生したと見なし、従って本プロセスはステップ
Ｓ７に進み、そしてここで、それら２つのレジスタの内
の高い方のデータカウントを、正しいカウントとして採
る。次に、本プロセスはステップＳ８に進み、そしてこ
こで、そのカウンタがフルであるかどうかを判定する。 もしこのカウンタがフルでない場合には、本プロセスは
ステップＳ９に進み、そしてこのステップで、そのカウ
ンタを、当該カウンタの全容量の、あるかなりの割合部
分をなす値Ｘだけインクリメントする。その理由は、ス
テップＳ３で、エラーが発生したということ、すなわち
ステップＳ３でこれらの線形レジスタが互いに等しくな
い、という判定をしたからである。こういうエラーは、
その不揮発性メモリセルが摩耗し始めている、というこ
とを意味している可能性がある。そのカウンタを値Ｘだ
けインクリメントすることによって、そのカウントはか
なり増すことになる。この結果として、そのカウンタが
関係しているメモリブロックについて、再割当てをより
早く行うことになる。
【００１９】もしステップＳ４またはＳ８でカウンタが
フルであると判定した場合、そのメモリブロック内に含
まれているデータは、前述のように、空のすなわち予備
の代替データ／カウンタ・メモリブロックに再割当てす
るようにする。また、もしステップＳ５で、エラーが発
生したとＥＣＣから判定した場合、そのカウンタを値Ｘ
だけインクリメントする。繰り返し述べるが、エラーが
起こったからには、これは、不揮発性メモリセルが摩耗
し始めているということを意味している可能性がある。 値Ｘ（これは、合計カウントのあるかなりの割合部分を
なす）だけそのカウンタをインクリメントすることによ
って、その関係したデータブロック内に含まれているデ
ータの再割当てを、より早くするようにする。
【００２０】本発明の別の実施例では、上記の線形レジ
スタは、乱数発生器と置き換えてあり、この乱数発生器
は、いかなる消去／書込みサイクルにおいても、“１”
あるいはハイという出力になるチャンスが１／１２であ
るような出力を発生するようにプログラムしてある。こ
の“１”出力が発生すると、上記の２進レジスタをカウ
ントアップさせることになる。本実施例では、消去／書
込みサイクルのそのカウントそのものは、もはや絶対的
な意味では正しくないが、統計的には十分に正確なもの
となっている。また、これの代わりとして、その乱数発
生器は、適当に重み付けした、長い素数長の線形フィー
ドバック・シフトレジスタというような疑似乱数発生器
であってもよい。
【００２１】本発明のもう一つの実施例では、不揮発性
メモリブロックについての試験を、それらメモリブロッ
クに比較的短い消去／書込みサイクルを受けさせること
によって行い、これによって、どのメモリブロックが最
初に故障しそうであるか、またどのメモリブロックが消
去／書込みサイクルに対して平均よりも耐久力を持って
いるか、について判定をするようにする。その最初に故
障しそうなメモリブロックには、あるプレカウントをロ
ードし、これによって、もしそれらのブロックが平均使
用量より実質上多い使用を受けた場合に、これらのブロ
ックを、早く、すなわちカウンタにプレカウントをロー
ドしなかった場合よりも早く、再割当てするようにする
ことができる。一方、消去／書込みサイクルに対して平
均よりもよい耐久性を持っていると判定したメモリブロ
ックは、代替ブロックとして使用することができる。こ
れらの高耐久力メモリブロックは、後で、高頻度使用の
アドレスに対し代わりとして使うことになる。そしてそ
の後、その最も強力な記憶セルは、最も高頻度使用のア
ドレスのために使うことになる。さらに、本システムの
カウンタは、冗長性不良ブロック方式と組み合せること
ができ、この方式では、消去／書込みサイクルに対して
極端に弱い耐久力しか持っていない判定したメモリブロ
ックには、フルカウントをプレロードする。これは、そ
のメモリの最初の製造時に、またその後では、使用中周
期的に行うことができる。
【００２２】本発明のもう一つの実施例では、カウンタ
には、消去／書込みサイクルの数以外の耐久力制限現象
に対応したカウント値を記憶させるようにする。例えば
、センサを使うことによって、メモリに対し、これへの
高い電力サージや高い電圧の印加によって、あるいは高
温というような他の一時的な耐久力を損なう環境条件に
よってストレスがかかっていることを示すことができる
。ストレス状態を受けた時間の長さと、そのようなスト
レス状態の絶対値と、そして既にカウンタ内に記憶され
ているカウントと、の関数として変化するカウントを生
成することもできる（すなわち、カウンタ値が増すにし
たがって、上記のストレス状態は耐久力に対してさらに
大きな影響を与えることになる）。また、これの代替手
段は、高湿度、低圧、高微粒子カウントの環境などとい
った、その他のより恒久的な環境的耐久力減損因子を反
映するカウントを生成することである。もう一つの代替
手段は、ソフトエラーを経験しているメモリブロックに
関したカウンタをインクリメントするために、エラー訂
正コード（ＥＣＣ）を用いて、メモリからのデータの妥
当性を監視することである。さらに、そのカウントに対
し重み付けを行い、これにより、ソフトエラーの数が増
えるにつれて、あるいはソフトエラーがその後起こるに
つれて、そのカウントがより高くなるようにすることが
できる。また、別のもう一つの代替手段は、最も頻繁に
使われしかも（または）決定的な情報を記憶する“鍵と
なる”メモリブロックを識別することである。そして、
これらのブロックに関連付けたカウンタは、耐久力制限
現象が発生せずとも、メモリの使用に先立って、あるい
はそのメモリの使用中に、インクリメントするようにす
ることができる。このようにすれば、そういうブロック
に対するアクセスを残りのブロックに対するよりも早期
にそらし、これによりさらに記憶データの完全性を保証
することができる。
【００２３】本発明のもう一つの実施例では、ディレク
トリプロセッサ１０の機能を、上記のカウンタ内に組み
込むようにする。気付くように、そのカウンタ内に記憶
させた数は、一旦フルカウントになると無用となるもの
である。従って、例えば各カウンタに３個の追加ビット
を含ませることによって、ディレクトリプロセッサ１０
の機能をそれらカウンタ内に組み込むことができる。そ
れらの追加ビットにより、いつカウントがフルになった
か、そして暗にいつその他のカウンタビットを他のの目
的に使えるか、を示すことができるであろう。そのカウ
ンタがフルになった時（それら３ビットで記憶したコー
ドが示す）には、そのカウンタ内のその他のビットは、
どの代替ブロックをアドレス指定すべきかを示すための
ポインタとして作用させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明に基づくメモリシステムを示す
ブロック図である。
【図２】図２は、図１に示したシステム内で使用するカ
ウンタのブロック図である。
【図３】図３は、本発明に基づくカウント動作を例示す
るための回路ブロック図である。
【図４】図４は、本発明に基づく動作を示すフローチャ
ートである。
【符号の説明】
１，２，３，４・・・Ｎ：一次カウンタ／データレジス
タ ５，６・・・Ｍ：代替カウンタ／データレジスタ１０：
ディレクトリプロセッサ ２０：信号線 ７０：ドライバ ８０：スイッチ

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　不揮発性記憶装置であって、イ）　　
    複数のデータ記憶アレイと、 ロ）　　該複数のデータ記憶アレイの各々の残りの有効
    寿命を示す値を記憶するための少くとも１つのカウンタ
    記憶アレイと、および ハ）　　前記複数のデータ記憶アレイのどれよりも長い
    有効寿命を持った前記カウンタ記憶アレイ内に記憶した
    値の関数として、前記複数のデータ記憶アレイの各々へ
    のアクセスを制御するための制御手段と、から成る不揮
    発性記憶装置。
  2. 【請求項２】　　不揮発性メモリシステムであって、イ
    ）　　複数のメモリセルを各々有した複数の不揮発性メ
    モリブロックであって、該複数の不揮発性メモリブロッ
    クの少くとも１つがデータを含まずまた以前にアクセス
    を受けたことがない、前記の複数の不揮発性メモリブロ
    ックと、 ロ）　　該複数の不揮発性メモリブロックがそれぞれ受
    ける消去／書込みサイクルの数をカウントするための複
    数のカウンタと、および ハ）　　該カウンタに結合しており、第１のデータブロ
    ックのための前記カウンタがある所定値にまでカウント
    したときに、前記第１のメモリブロック内に含まれてい
    るデータを少くとも１つの前記メモリブロックに再割当
    てするための再割当て手段と、から成る不揮発性メモリ
    システム。
  3. 【請求項３】　　前記所定値は、不揮発性メモリセルブ
    ロックの耐久限界を表すものである、請求項２に記載の
    システム。
  4. 【請求項４】　　前記複数のカウンタの各々は、不揮発
    性の２進カウンタと少くとも１つの不揮発性の線形カウ
    ンタとから成る、請求項２に記載のシステム。
  5. 【請求項５】　　前記複数のカウンタの各々は、２つ不
    揮発性線形カウンタを含む、請求項４に記載のシステム
    。
  6. 【請求項６】　　前記複数のカウンタの各々は、前記２
    つの不揮発性線形カウンタに含まれるデータを互いに比
    較するための関連の比較器手段をさらに含む、請求項５
    に記載のシステム。
  7. 【請求項７】　　前記２つの不揮発性線形カウンタが互
    いに等しいと関連の比較器手段が判定したときに前記複
    数のカウンタの中の１つのカウンタを１だけインクリメ
    ントし、そして前記２つの不揮発性線形カウンタが互い
    に等しくないと該関連の比較器手段が判定したときに１
    より実質的に大きいある所定値だけ前記１つのカウンタ
    をインクリメントするための手段、をさらに含む、請求
    項６に記載のシステム。
  8. 【請求項８】　　前記複数のカウンタの各々は、２進カ
    ウンタと乱数発生器とを含む、請求項２に記載のシステ
    ム。
  9. 【請求項９】　　複数の不揮発性メモリブロックを含む
    不揮発性メモリシステムの消去／書込みサイクルの数を
    カウントする方法であって、該複数の不揮発性メモリブ
    ロックの少くとも１つがデータを含まずまた以前にアク
    セスを受けたことがないものであり、 イ）　　前記複数の不揮発性メモリブロックがそれぞれ
    受けた消去／書込みサイクルの回数をカウントするステ
    ップと、 ロ）　　第１のメモリブロックのカウントした消去／書
    込みサイクルの数がある所定値と等しくなったときに前
    記第１メモリブロック内に含まれたデータを少くとも１
    つの前記メモリブロックに再割当てするステップと、か
    ら成る方法。
  10. 【請求項１０】　　前記所定値は、前記メモリブロック
    の不揮発性メモリセルの耐久限界を表すものである、請
    求項９に記載の方法。
  11. 【請求項１１】　　前記不揮発性メモリシステム内のエ
    ラーを判定するステップと、もしエラーがないと判定し
    た場合には前記のカウントした消去／書込みサイクル数
    を１だけインクリメントするステップと、をさらに含む
    請求項９に記載の方法。
  12. 【請求項１２】　　前記不揮発性メモリシステム内のエ
    ラーを判定するステップと、もし何等かのエラーがある
    と判定した場合に前記のカウントした消去／書込みサイ
    クル数を１より実質的に大きいある数だけインクリメン
    トするステップと、をさらに含む請求項１１に記載の方
    法。
  13. 【請求項１３】　　どの不揮発性メモリブロックが消去
    ／書込みサイクルに対して高い耐久力を持っているか、
    またどの不揮発性メモリブロックが消去／書込みサイク
    ルに対して低い耐久力を持っているかを判定するステッ
    プを含む、請求項９に記載の方法。
  14. 【請求項１４】　　低い耐久力のメモリブロックに関連
    したカウンタに１より実質的に大きいあるカウントをプ
    レロードするステップ、をさらに含む、請求項１３に記
    載の方法。
  15. 【請求項１５】　　データを含まない前記の少くとも１
    つのメモリブロックとして、高い耐久力のメモリブロッ
    クの少くとも１つを指示するステップ、をさらに含む、
    請求項１３に記載の方法。
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