JP3410742B2 - 不揮発性記憶装置、不揮発性メモリシステムおよびその消去／書込みサイクルの数をカウントする方法 - Google Patents
不揮発性記憶装置、不揮発性メモリシステムおよびその消去／書込みサイクルの数をカウントする方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、不揮発性ファイルにお
いて生起した消去／書込みサイクルの数をカウントし、
そしてこのカウントしたファイルの消去／書込みサイク
ル数がその耐久限界に近付いたときにそのファイルの再
割当てを行うための装置と方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】磁気ディスクなどの磁気メモリについ
て、そのビット当たりのコストは、次第に低くなってき
ている。しかし、ＥＥＰＲＯＭなどのような不揮発性メ
モリのビット当たりのコストは、それより急速に下がり
つゝある。今のところ、たいていのシステムでは、不揮
発性素子は、これらの耐久限界（最も優れたＥＥＰＲＯ
Ｍ技術でも、せいぜい、消去／書込みサイクルはほぼ１
０7回である）のために、使っていない。これは、誘電
体をトンネルするという破壊によるものである。このよ
うな不揮発性素子を採用するときには、その回路設計に
厳しい制限を課すようになっている。特に、こういうシ
ステムは、それら不揮発性素子が受ける消去／書込みサ
イクルの数を制限するように構成しなくてはならない。
以下は、こういったシステムの幾つかの例である。 【０００３】コーダンジュニア（Cordan Jr.）の米国特
許４,８０３,７０７号には、車両の走行マイル数を表す
パルスをカウントし、そして車両の動力が切れている期
間はその信号カウントを記憶させておくための車両走行
距離計システムが開示されている。このシステムでは、
最大１０,０００マイルまでの走行距離計の読みに関す
る２進値を記憶するために、ある１群の不揮発性メモリ
セルを使用している。その１０,０００より大きい走行
距離計の読みについては、新たな組のメモリセルに対す
るアクセスを行う。従って、メモリセルの各群は、最大
でもその耐久限界より低い１０,０００回まで、サイク
ル動作させる。その各メモリブロックの下位側のビット
程 頻繁にサイクル動作しない上位側のビットは、その
新たな組のメモリセルのためのポインタとして働くよう
になっている。 【０００４】その記憶したデータの完全性を確保するた
めに、このシステムでは、各群の不揮発性メモリセルの
再割当てを、それらセルの最大の耐久限界値よりも十分
低いところで行うことを必要としている。ところが、こ
のような再割当て法は、多数のメモリブロックを含んだ
システムでは、それらメモリブロックの再割当てがあま
りにも頻繁に行われることになるため、実際的なもので
はない。 【０００５】ヘンリー（Henry）の米国特許４,５２８,
６８３号に開示された走行距離計システムでは、高度に
特殊化した１０進１桁当たり５ビットワードのカウント
法を、マルチレベルのマルチプレクサと一緒に用いて、
１０進の１の桁、１０の桁、１００の桁、および１００
０の桁を不揮発性メモリアレイ中で移動させるようにし
ている。このシステムは、それらセルの消去／書込みサ
イクル“摩耗”効果がそのメモリアレイ全体に広がるよ
うにしており、これによってどのメモリセル群もあまり
急速に摩耗してしまわないようにしている。 【０００６】マレイ（Murray）外の米国特許４,６６３,
７７０号では、不揮発性カウンタ素子を含むシステムが
開示されている。その種々のカウンタ素子の間で消去／
書込みサイクル摩耗効果を分散させるために、カウンタ
の使用を連続的にシフトさせるようにしている。このシ
ステムの方式は、システム内の不揮発性素子間での消去
／書込みサイクル摩耗効果の分散を可能にしているが、
この分散のためのコーディングとデコーディングには、
複雑なハードウェア構成が必要となっている。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の一つ
の目的は、多数の、大きな一次メモリブロックと、最小
でもある数の同等な“代替”あるいは再割当てのメモリ
ブロックと、を有する不揮発性メモリシステムを提供す
ることである。本発明のもう一つの目的は、不揮発性素
子を利用した、しかも設計が比較的単純なシステムを提
供することである。本発明のさらにもう一つの目的は、
たとえ不揮発性メモリが多数回の消去／書込みサイクル
を受けても、その不揮発性メモリ内に記憶したデータの
完全性を保証するシステムを提供することである。 【０００８】 【課題を解決するための手段】上記の目的並びにその他
の目的を実現するため、本発明では、不揮発性データブ
ロックがこうむった消去／書込みサイクルの数をカウン
トし、そしてそのカウントした消去／書込みサイクル数
がその不揮発性データブロックの耐久力限界を表す所定
の数に近付いたときにそのデータブロックの再割当てを
行うようにする。 【０００９】 【実施例】図１に示すように、本発明に基づくメモリシ
ステムは、いくつかの一次カウンタ／データレジスタ
１，２，３，４，・・・Ｎと、いくつかの代替カウンタ
／データレジスタ５，６，・・・Ｍと、ディレクトリプ
ロセッサ１０とを備えている。 【００１０】これら一次および代替のカウンタ／データ
レジスタの各々は、１つの大きな不揮発性メモリブロッ
ク（例えば、２×１０3バイトを持つ不揮発性メモリブ
ロック）と、この関係したメモリブロックが受ける各消
去／書込みサイクルをカウントするためのカウンタと、
を含んでいる。ある特定のメモリブロックに関する１回
の消去／書込みサイクルの間に、その特定のメモリブロ
ックに連携したそのカウンタを、まず最初に読み取る。
そして、もしこの読み取ったカウントが、１つの不揮発
性メモリブロックに関する消去／書込み耐久限界である
ある所定の数（例えば、１.０×１０7）より小さい場合
には、そのカウンタを１だけインクリメントする。しか
し、もしその読み取ったカウントがその消去／書込みサ
イクル耐久限界値より大きければ、このカウンタは、当
該メモリブロックの再割当てを行うべきである、という
ことを示す再割当て信号を、信号線２０を介してディレ
クトリプロセッサ１０に出力する。このディレクトリプ
ロセッサ１０は、あるカウンタからの再割当て信号を受
信すると、消去／書込みサイクル耐久限界に達したその
メモリブロック内のデータを、代替カウンタ／データレ
ジスタ５，６，・・・Ｍの内の、まだアクセスしたこと
のないすなわち消去／書込みサイクルを全く受けたこと
のない一つにダウンロードする。この１つの代替カウン
タ／データレジスタは、これまでアクセスを受けたこと
がないから、その再割当てを行ったデータには、これで
さらに１.０×１０7回の消去／書込みサイクルを安全に
受けさせることができることになる。 【００１１】ディレクトリプロセッサ１０は、一次およ
び代替のカウンタ／データレジスタのどれがデータを持
っているのかについて追跡記録するよう機能するもので
ある。例えば、もし一次カウンタ／データレジスタ１が
再割当て信号をディレクトリプロセッサ１０に送出した
場合、このディレクトリプロセッサ１０は、代替カウン
タ／データレジスタ５，６，・・・Ｍの中のどれがデー
タを包含していないか、すなわちアクセスを受けたこと
がないかについて判定する。もし、例えば代替カウンタ
／データレジスタ６がアクセスされたことがないとすれ
ば、ディレクトリプロセッサ１０は、そのデータを、一
次カウンタ／データレジスタ１からその代替カウンタ／
データレジスタ６に再割当てする。これにより、カウン
タ／データレジスタ６のアドレスは、一次カウンタ／デ
ータレジスタ１の中に以前に記憶していたデータに関す
るアドレスとして働くことになる。 【００１２】次に、図２には、カウンタ／データレジス
タの内のカウンタをさらに詳細に示してある。この図２
に示したように、このカウンタは、そのカウントするデ
ータの上位ビットを記憶する２８ビットの２進レジスタ
３０と、そのカウントするデータの下位ビットを記憶す
る１対の不揮発性線形レジスタ４０および５０と、これ
ら線形レジスタ４０および５０の中に記憶されたデータ
を互いに比較するための比較器６０と、を備えている。 【００１３】上記の２進レジスタ３０は、データを記憶
するための２２ビット部分と、ＥＣＣ（エラー訂正コー
ド）のための６ビット部分と、を含んでいる。線形レジ
スタの各々は、そのカウントするデータの１２ビットを
記憶するようになっている。以下の表は、図２に示した
カウンタの、消去／書込みサイクルＮと同サイクルＮ＋
４との間のカウントシーケンスを例示したものである。 消去／書込み サイクル ２進レジスタ 線形レジスタ Ｎ １００１０ ０００１１１ Ｎ＋１ １００１０ ００１１１１ Ｎ＋２ １００１０ ０１１１１１ Ｎ＋３ １００１０ １１１１１１ Ｎ＋４ １００１１ ００００００ 【００１４】この例では、不揮発性カウンタビットは、
データビットが受ける回数の１／１２の回数の消去／書
込みサイクルを受けるようになっており、従ってカウン
タビットは、これが関係したメモリブロックのデータビ
ットが劣化するほど急速には劣化せず、これによってそ
の関係したデータブロックの消去／書込みサイクル数の
正確なカウントを確保するようにしている。 【００１５】図２において、比較器６０は、線形レジス
タ４０と５０とに含まれているデータを比較する。それ
ら線形レジスタ４０と５０とは同等のものであって、同
一の消去／書込みサイクルをカウントするのであるか
ら、それらに含まれているカウントしたデータは、常に
同じとなるはずである。しかし、これら２つの線形レジ
スタのどちらかにエラーが発生した場合には、より高い
方のカウントを正しいものと見なす。また、２進レジス
タ３０におけるエラーの場合には、そのエラーはＥＣＣ
によって訂正するようにする。この手法は、もし希望な
らば、より高い冗長度にまで拡張することができる。 【００１６】図３は、それらの線形レジスタをカウント
する動作を示すものである。上記のデータビットは、ド
ライバ７０に直接接続しており、また線形カウンタビッ
トは、それらデータビットとスイッチ８０とを介してド
ライバ７０に接続している。あらゆるアクセスの間、ま
ず初めにカウンタビットを読み取る。そして、消去／書
込みサイクルの消去部分の間は、もしそれら線形カウン
タがフルでない場合には、線形カウンタビットを、スイ
ッチ８０を図３に示すように“上方”位置に操作するこ
とによって、ドライバ７０から切り離す。このサイクル
の書込み部分の間は、単に次の線形ビットを書き込むよ
うにする。また、もしそれら線形カウンタビットがフル
であれば、スイッチ８０を“下方”位置に操作すること
によって、この消去／書込みサイクルの全期間中、それ
らカウンタビットをドライバ７０に接続したまゝにす
る。この消去／書込みサイクルの間に、その線形レジス
タを全桁ゼロにリセットし、また２進カウンタを１だけ
カウントアップさせる。 【００１７】図４は、このメモリシステムの動作を示す
ものである。この図４に示すように、ある特定のデータ
ブロックに関して消去／書込み（Ｅ／Ｗ）サイクルが要
求されたかどうかについて、最初にステップＳ１で判定
する。もし消去／書込みサイクルが要求されたのであれ
ば、その特定のメモリブロックと関係したカウンタを、
ステップＳ２で読み取る。そして、ステップＳ３で、線
形レジスタ４０と５０とを比較して、それらが互いに等
しいかどうかを判定する。前に述べたように、線形レジ
スタ４０と５０とは同等のものであり、従って常に同じ
データを持つべきものである。従って、もしステップＳ
３でそれら線形レジスタ４０と５０とが互いに等しいと
判定した場合には、プロセスはステップＳ４に進み、そ
こでそのカウンタがフルであるかどうか、すなわちカウ
ンタがそのメモリブロックの所定の耐久限界値に達して
いるかどうかについて判定する。もしこのステップＳ４
でそのカウンタがフルでないと判定した場合、プロセス
はステップＳ５に進み、そこで２進レジスタのＥＣＣを
調べることにより何等かのエラーが発生しているかどう
かを判定する。もし何もエラーが発生していないと判定
した場合には、そのカウンタを１だけインクリメント
し、そして本プロセスはステップＳ１に戻る。 【００１８】また、もしステップＳ３で線形レジスタ４
０と５０とが互いに等しくないと判定した場合には、エ
ラーが発生したと見なし、従って本プロセスはステップ
Ｓ７に進み、そしてここで、それら２つのレジスタの内
の高い方のデータカウントを、正しいカウントとして採
る。次に、本プロセスはステップＳ８に進み、そしてこ
こで、そのカウンタがフルであるかどうかを判定する。
もしこのカウンタがフルでない場合には、本プロセスは
ステップＳ９に進み、そしてこのステップで、そのカウ
ンタを、当該カウンタの全容量の、あるかなりの割合部
分をなす値Ｘだけインクリメントする。その理由は、ス
テップＳ３で、エラーが発生したということ、すなわち
ステップＳ３でこれらの線形レジスタが互いに等しくな
い、という判定をしたからである。こういうエラーは、
その不揮発性メモリセルが摩耗し始めている、というこ
とを意味している可能性がある。そのカウンタを値Ｘだ
けインクリメントすることによって、そのカウントはか
なり増すことになる。この結果として、そのカウンタが
関係しているメモリブロックについて、再割当てをより
早く行うことになる。 【００１９】もしステップＳ４またはＳ８でカウンタが
フルであると判定した場合、そのメモリブロック内に含
まれているデータは、前述のように、空のすなわち予備
の代替データ／カウンタ・メモリブロックに再割当てす
るようにする。また、もしステップＳ５で、エラーが発
生したとＥＣＣから判定した場合、そのカウンタを値Ｘ
だけインクリメントする。繰り返し述べるが、エラーが
起こったからには、これは、不揮発性メモリセルが摩耗
し始めているということを意味している可能性がある。
値Ｘ（これは、合計カウントのあるかなりの割合部分を
なす）だけそのカウンタをインクリメントすることによ
って、その関係したデータブロック内に含まれているデ
ータの再割当てを、より早くするようにする。 【００２０】本発明の別の実施例では、上記の線形レジ
スタは、乱数発生器と置き換えてあり、この乱数発生器
は、いかなる消去／書込みサイクルにおいても、“１”
あるいはハイという出力になるチャンスが１／１２であ
るような出力を発生するようにプログラムしてある。こ
の“１”出力が発生すると、上記の２進レジスタをカウ
ントアップさせることになる。本実施例では、消去／書
込みサイクルのそのカウントそのものは、もはや絶対的
な意味では正しくないが、統計的には十分に正確なもの
となっている。また、これの代わりとして、その乱数発
生器は、適当に重み付けした、長い素数長の線形フィー
ドバック・シフトレジスタというような疑似乱数発生器
であってもよい。 【００２１】本発明のもう一つの実施例では、不揮発性
メモリブロックについての試験を、それらメモリブロッ
クに比較的短い消去／書込みサイクルを受けさせること
によって行い、これによって、どのメモリブロックが最
初に故障しそうであるか、またどのメモリブロックが消
去／書込みサイクルに対して平均よりも耐久力を持って
いるか、について判定をするようにする。その最初に故
障しそうなメモリブロックには、あるプレカウントをロ
ードし、これによって、もしそれらのブロックが平均使
用量より実質上多い使用を受けた場合に、これらのブロ
ックを、早く、すなわちカウンタにプレカウントをロー
ドしなかった場合よりも早く、再割当てするようにする
ことができる。一方、消去／書込みサイクルに対して平
均よりもよい耐久性を持っていると判定したメモリブロ
ックは、代替ブロックとして使用することができる。こ
れらの高耐久力メモリブロックは、後で、高頻度使用の
アドレスに対し代わりとして使うことになる。そしてそ
の後、その最も強力な記憶セルは、最も高頻度使用のア
ドレスのために使うことになる。さらに、本システムの
カウンタは、冗長性不良ブロック方式と組み合せること
ができ、この方式では、消去／書込みサイクルに対して
極端に弱い耐久力しか持っていない判定したメモリブロ
ックには、フルカウントをプレロードする。これは、そ
のメモリの最初の製造時に、またその後では、使用中周
期的に行うことができる。 【００２２】本発明のもう一つの実施例では、カウンタ
には、消去／書込みサイクルの数以外の耐久力制限現象
に対応したカウント値を記憶させるようにする。例え
ば、センサを使うことによって、メモリに対し、これへ
の高い電力サージや高い電圧の印加によって、あるいは
高温というような他の一時的な耐久力を損なう環境条件
によってストレスがかかっていることを示すことができ
る。ストレス状態を受けた時間の長さと、そのようなス
トレス状態の絶対値と、そして既にカウンタ内に記憶さ
れているカウントと、の関数として変化するカウントを
生成することもできる（すなわち、カウンタ値が増すに
したがって、上記のストレス状態は耐久力に対してさら
に大きな影響を与えることになる）。また、これの代替
手段は、高湿度、低圧、高微粒子カウントの環境などと
いった、その他のより恒久的な環境的耐久力減損因子を
反映するカウントを生成することである。もう一つの代
替手段は、ソフトエラーを経験しているメモリブロック
に関したカウンタをインクリメントするために、エラー
訂正コード（ＥＣＣ）を用いて、メモリからのデータの
妥当性を監視することである。さらに、そのカウントに
対し重み付けを行い、これにより、ソフトエラーの数が
増えるにつれて、あるいはソフトエラーがその後起こる
につれて、そのカウントがより高くなるようにすること
ができる。また、別のもう一つの代替手段は、最も頻繁
に使われしかも（または）決定的な情報を記憶する“鍵
となる”メモリブロックを識別することである。そし
て、これらのブロックに関連付けたカウンタは、耐久力
制限現象が発生せずとも、メモリの使用に先立って、あ
るいはそのメモリの使用中に、インクリメントするよう
にすることができる。このようにすれば、そういうブロ
ックに対するアクセスを残りのブロックに対するよりも
早期にそらし、これによりさらに記憶データの完全性を
保証することができる。 【００２３】本発明のもう一つの実施例では、ディレク
トリプロセッサ１０の機能を、上記のカウンタ内に組み
込むようにする。気付くように、そのカウンタ内に記憶
させた数は、一旦フルカウントになると無用となるもの
である。従って、例えば各カウンタに３個の追加ビット
を含ませることによって、ディレクトリプロセッサ１０
の機能をそれらカウンタ内に組み込むことができる。そ
れらの追加ビットにより、いつカウントがフルになった
か、そして暗にいつその他のカウンタビットを他のの目
的に使えるか、を示すことができるであろう。そのカウ
ンタがフルになった時（それら３ビットで記憶したコー
ドが示す）には、そのカウンタ内のその他のビットは、
どの代替ブロックをアドレス指定すべきかを示すための
ポインタとして作用させることができる。
いて生起した消去／書込みサイクルの数をカウントし、
そしてこのカウントしたファイルの消去／書込みサイク
ル数がその耐久限界に近付いたときにそのファイルの再
割当てを行うための装置と方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】磁気ディスクなどの磁気メモリについ
て、そのビット当たりのコストは、次第に低くなってき
ている。しかし、ＥＥＰＲＯＭなどのような不揮発性メ
モリのビット当たりのコストは、それより急速に下がり
つゝある。今のところ、たいていのシステムでは、不揮
発性素子は、これらの耐久限界（最も優れたＥＥＰＲＯ
Ｍ技術でも、せいぜい、消去／書込みサイクルはほぼ１
０7回である）のために、使っていない。これは、誘電
体をトンネルするという破壊によるものである。このよ
うな不揮発性素子を採用するときには、その回路設計に
厳しい制限を課すようになっている。特に、こういうシ
ステムは、それら不揮発性素子が受ける消去／書込みサ
イクルの数を制限するように構成しなくてはならない。
以下は、こういったシステムの幾つかの例である。 【０００３】コーダンジュニア（Cordan Jr.）の米国特
許４,８０３,７０７号には、車両の走行マイル数を表す
パルスをカウントし、そして車両の動力が切れている期
間はその信号カウントを記憶させておくための車両走行
距離計システムが開示されている。このシステムでは、
最大１０,０００マイルまでの走行距離計の読みに関す
る２進値を記憶するために、ある１群の不揮発性メモリ
セルを使用している。その１０,０００より大きい走行
距離計の読みについては、新たな組のメモリセルに対す
るアクセスを行う。従って、メモリセルの各群は、最大
でもその耐久限界より低い１０,０００回まで、サイク
ル動作させる。その各メモリブロックの下位側のビット
程 頻繁にサイクル動作しない上位側のビットは、その
新たな組のメモリセルのためのポインタとして働くよう
になっている。 【０００４】その記憶したデータの完全性を確保するた
めに、このシステムでは、各群の不揮発性メモリセルの
再割当てを、それらセルの最大の耐久限界値よりも十分
低いところで行うことを必要としている。ところが、こ
のような再割当て法は、多数のメモリブロックを含んだ
システムでは、それらメモリブロックの再割当てがあま
りにも頻繁に行われることになるため、実際的なもので
はない。 【０００５】ヘンリー（Henry）の米国特許４,５２８,
６８３号に開示された走行距離計システムでは、高度に
特殊化した１０進１桁当たり５ビットワードのカウント
法を、マルチレベルのマルチプレクサと一緒に用いて、
１０進の１の桁、１０の桁、１００の桁、および１００
０の桁を不揮発性メモリアレイ中で移動させるようにし
ている。このシステムは、それらセルの消去／書込みサ
イクル“摩耗”効果がそのメモリアレイ全体に広がるよ
うにしており、これによってどのメモリセル群もあまり
急速に摩耗してしまわないようにしている。 【０００６】マレイ（Murray）外の米国特許４,６６３,
７７０号では、不揮発性カウンタ素子を含むシステムが
開示されている。その種々のカウンタ素子の間で消去／
書込みサイクル摩耗効果を分散させるために、カウンタ
の使用を連続的にシフトさせるようにしている。このシ
ステムの方式は、システム内の不揮発性素子間での消去
／書込みサイクル摩耗効果の分散を可能にしているが、
この分散のためのコーディングとデコーディングには、
複雑なハードウェア構成が必要となっている。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の一つ
の目的は、多数の、大きな一次メモリブロックと、最小
でもある数の同等な“代替”あるいは再割当てのメモリ
ブロックと、を有する不揮発性メモリシステムを提供す
ることである。本発明のもう一つの目的は、不揮発性素
子を利用した、しかも設計が比較的単純なシステムを提
供することである。本発明のさらにもう一つの目的は、
たとえ不揮発性メモリが多数回の消去／書込みサイクル
を受けても、その不揮発性メモリ内に記憶したデータの
完全性を保証するシステムを提供することである。 【０００８】 【課題を解決するための手段】上記の目的並びにその他
の目的を実現するため、本発明では、不揮発性データブ
ロックがこうむった消去／書込みサイクルの数をカウン
トし、そしてそのカウントした消去／書込みサイクル数
がその不揮発性データブロックの耐久力限界を表す所定
の数に近付いたときにそのデータブロックの再割当てを
行うようにする。 【０００９】 【実施例】図１に示すように、本発明に基づくメモリシ
ステムは、いくつかの一次カウンタ／データレジスタ
１，２，３，４，・・・Ｎと、いくつかの代替カウンタ
／データレジスタ５，６，・・・Ｍと、ディレクトリプ
ロセッサ１０とを備えている。 【００１０】これら一次および代替のカウンタ／データ
レジスタの各々は、１つの大きな不揮発性メモリブロッ
ク（例えば、２×１０3バイトを持つ不揮発性メモリブ
ロック）と、この関係したメモリブロックが受ける各消
去／書込みサイクルをカウントするためのカウンタと、
を含んでいる。ある特定のメモリブロックに関する１回
の消去／書込みサイクルの間に、その特定のメモリブロ
ックに連携したそのカウンタを、まず最初に読み取る。
そして、もしこの読み取ったカウントが、１つの不揮発
性メモリブロックに関する消去／書込み耐久限界である
ある所定の数（例えば、１.０×１０7）より小さい場合
には、そのカウンタを１だけインクリメントする。しか
し、もしその読み取ったカウントがその消去／書込みサ
イクル耐久限界値より大きければ、このカウンタは、当
該メモリブロックの再割当てを行うべきである、という
ことを示す再割当て信号を、信号線２０を介してディレ
クトリプロセッサ１０に出力する。このディレクトリプ
ロセッサ１０は、あるカウンタからの再割当て信号を受
信すると、消去／書込みサイクル耐久限界に達したその
メモリブロック内のデータを、代替カウンタ／データレ
ジスタ５，６，・・・Ｍの内の、まだアクセスしたこと
のないすなわち消去／書込みサイクルを全く受けたこと
のない一つにダウンロードする。この１つの代替カウン
タ／データレジスタは、これまでアクセスを受けたこと
がないから、その再割当てを行ったデータには、これで
さらに１.０×１０7回の消去／書込みサイクルを安全に
受けさせることができることになる。 【００１１】ディレクトリプロセッサ１０は、一次およ
び代替のカウンタ／データレジスタのどれがデータを持
っているのかについて追跡記録するよう機能するもので
ある。例えば、もし一次カウンタ／データレジスタ１が
再割当て信号をディレクトリプロセッサ１０に送出した
場合、このディレクトリプロセッサ１０は、代替カウン
タ／データレジスタ５，６，・・・Ｍの中のどれがデー
タを包含していないか、すなわちアクセスを受けたこと
がないかについて判定する。もし、例えば代替カウンタ
／データレジスタ６がアクセスされたことがないとすれ
ば、ディレクトリプロセッサ１０は、そのデータを、一
次カウンタ／データレジスタ１からその代替カウンタ／
データレジスタ６に再割当てする。これにより、カウン
タ／データレジスタ６のアドレスは、一次カウンタ／デ
ータレジスタ１の中に以前に記憶していたデータに関す
るアドレスとして働くことになる。 【００１２】次に、図２には、カウンタ／データレジス
タの内のカウンタをさらに詳細に示してある。この図２
に示したように、このカウンタは、そのカウントするデ
ータの上位ビットを記憶する２８ビットの２進レジスタ
３０と、そのカウントするデータの下位ビットを記憶す
る１対の不揮発性線形レジスタ４０および５０と、これ
ら線形レジスタ４０および５０の中に記憶されたデータ
を互いに比較するための比較器６０と、を備えている。 【００１３】上記の２進レジスタ３０は、データを記憶
するための２２ビット部分と、ＥＣＣ（エラー訂正コー
ド）のための６ビット部分と、を含んでいる。線形レジ
スタの各々は、そのカウントするデータの１２ビットを
記憶するようになっている。以下の表は、図２に示した
カウンタの、消去／書込みサイクルＮと同サイクルＮ＋
４との間のカウントシーケンスを例示したものである。 消去／書込み サイクル ２進レジスタ 線形レジスタ Ｎ １００１０ ０００１１１ Ｎ＋１ １００１０ ００１１１１ Ｎ＋２ １００１０ ０１１１１１ Ｎ＋３ １００１０ １１１１１１ Ｎ＋４ １００１１ ００００００ 【００１４】この例では、不揮発性カウンタビットは、
データビットが受ける回数の１／１２の回数の消去／書
込みサイクルを受けるようになっており、従ってカウン
タビットは、これが関係したメモリブロックのデータビ
ットが劣化するほど急速には劣化せず、これによってそ
の関係したデータブロックの消去／書込みサイクル数の
正確なカウントを確保するようにしている。 【００１５】図２において、比較器６０は、線形レジス
タ４０と５０とに含まれているデータを比較する。それ
ら線形レジスタ４０と５０とは同等のものであって、同
一の消去／書込みサイクルをカウントするのであるか
ら、それらに含まれているカウントしたデータは、常に
同じとなるはずである。しかし、これら２つの線形レジ
スタのどちらかにエラーが発生した場合には、より高い
方のカウントを正しいものと見なす。また、２進レジス
タ３０におけるエラーの場合には、そのエラーはＥＣＣ
によって訂正するようにする。この手法は、もし希望な
らば、より高い冗長度にまで拡張することができる。 【００１６】図３は、それらの線形レジスタをカウント
する動作を示すものである。上記のデータビットは、ド
ライバ７０に直接接続しており、また線形カウンタビッ
トは、それらデータビットとスイッチ８０とを介してド
ライバ７０に接続している。あらゆるアクセスの間、ま
ず初めにカウンタビットを読み取る。そして、消去／書
込みサイクルの消去部分の間は、もしそれら線形カウン
タがフルでない場合には、線形カウンタビットを、スイ
ッチ８０を図３に示すように“上方”位置に操作するこ
とによって、ドライバ７０から切り離す。このサイクル
の書込み部分の間は、単に次の線形ビットを書き込むよ
うにする。また、もしそれら線形カウンタビットがフル
であれば、スイッチ８０を“下方”位置に操作すること
によって、この消去／書込みサイクルの全期間中、それ
らカウンタビットをドライバ７０に接続したまゝにす
る。この消去／書込みサイクルの間に、その線形レジス
タを全桁ゼロにリセットし、また２進カウンタを１だけ
カウントアップさせる。 【００１７】図４は、このメモリシステムの動作を示す
ものである。この図４に示すように、ある特定のデータ
ブロックに関して消去／書込み（Ｅ／Ｗ）サイクルが要
求されたかどうかについて、最初にステップＳ１で判定
する。もし消去／書込みサイクルが要求されたのであれ
ば、その特定のメモリブロックと関係したカウンタを、
ステップＳ２で読み取る。そして、ステップＳ３で、線
形レジスタ４０と５０とを比較して、それらが互いに等
しいかどうかを判定する。前に述べたように、線形レジ
スタ４０と５０とは同等のものであり、従って常に同じ
データを持つべきものである。従って、もしステップＳ
３でそれら線形レジスタ４０と５０とが互いに等しいと
判定した場合には、プロセスはステップＳ４に進み、そ
こでそのカウンタがフルであるかどうか、すなわちカウ
ンタがそのメモリブロックの所定の耐久限界値に達して
いるかどうかについて判定する。もしこのステップＳ４
でそのカウンタがフルでないと判定した場合、プロセス
はステップＳ５に進み、そこで２進レジスタのＥＣＣを
調べることにより何等かのエラーが発生しているかどう
かを判定する。もし何もエラーが発生していないと判定
した場合には、そのカウンタを１だけインクリメント
し、そして本プロセスはステップＳ１に戻る。 【００１８】また、もしステップＳ３で線形レジスタ４
０と５０とが互いに等しくないと判定した場合には、エ
ラーが発生したと見なし、従って本プロセスはステップ
Ｓ７に進み、そしてここで、それら２つのレジスタの内
の高い方のデータカウントを、正しいカウントとして採
る。次に、本プロセスはステップＳ８に進み、そしてこ
こで、そのカウンタがフルであるかどうかを判定する。
もしこのカウンタがフルでない場合には、本プロセスは
ステップＳ９に進み、そしてこのステップで、そのカウ
ンタを、当該カウンタの全容量の、あるかなりの割合部
分をなす値Ｘだけインクリメントする。その理由は、ス
テップＳ３で、エラーが発生したということ、すなわち
ステップＳ３でこれらの線形レジスタが互いに等しくな
い、という判定をしたからである。こういうエラーは、
その不揮発性メモリセルが摩耗し始めている、というこ
とを意味している可能性がある。そのカウンタを値Ｘだ
けインクリメントすることによって、そのカウントはか
なり増すことになる。この結果として、そのカウンタが
関係しているメモリブロックについて、再割当てをより
早く行うことになる。 【００１９】もしステップＳ４またはＳ８でカウンタが
フルであると判定した場合、そのメモリブロック内に含
まれているデータは、前述のように、空のすなわち予備
の代替データ／カウンタ・メモリブロックに再割当てす
るようにする。また、もしステップＳ５で、エラーが発
生したとＥＣＣから判定した場合、そのカウンタを値Ｘ
だけインクリメントする。繰り返し述べるが、エラーが
起こったからには、これは、不揮発性メモリセルが摩耗
し始めているということを意味している可能性がある。
値Ｘ（これは、合計カウントのあるかなりの割合部分を
なす）だけそのカウンタをインクリメントすることによ
って、その関係したデータブロック内に含まれているデ
ータの再割当てを、より早くするようにする。 【００２０】本発明の別の実施例では、上記の線形レジ
スタは、乱数発生器と置き換えてあり、この乱数発生器
は、いかなる消去／書込みサイクルにおいても、“１”
あるいはハイという出力になるチャンスが１／１２であ
るような出力を発生するようにプログラムしてある。こ
の“１”出力が発生すると、上記の２進レジスタをカウ
ントアップさせることになる。本実施例では、消去／書
込みサイクルのそのカウントそのものは、もはや絶対的
な意味では正しくないが、統計的には十分に正確なもの
となっている。また、これの代わりとして、その乱数発
生器は、適当に重み付けした、長い素数長の線形フィー
ドバック・シフトレジスタというような疑似乱数発生器
であってもよい。 【００２１】本発明のもう一つの実施例では、不揮発性
メモリブロックについての試験を、それらメモリブロッ
クに比較的短い消去／書込みサイクルを受けさせること
によって行い、これによって、どのメモリブロックが最
初に故障しそうであるか、またどのメモリブロックが消
去／書込みサイクルに対して平均よりも耐久力を持って
いるか、について判定をするようにする。その最初に故
障しそうなメモリブロックには、あるプレカウントをロ
ードし、これによって、もしそれらのブロックが平均使
用量より実質上多い使用を受けた場合に、これらのブロ
ックを、早く、すなわちカウンタにプレカウントをロー
ドしなかった場合よりも早く、再割当てするようにする
ことができる。一方、消去／書込みサイクルに対して平
均よりもよい耐久性を持っていると判定したメモリブロ
ックは、代替ブロックとして使用することができる。こ
れらの高耐久力メモリブロックは、後で、高頻度使用の
アドレスに対し代わりとして使うことになる。そしてそ
の後、その最も強力な記憶セルは、最も高頻度使用のア
ドレスのために使うことになる。さらに、本システムの
カウンタは、冗長性不良ブロック方式と組み合せること
ができ、この方式では、消去／書込みサイクルに対して
極端に弱い耐久力しか持っていない判定したメモリブロ
ックには、フルカウントをプレロードする。これは、そ
のメモリの最初の製造時に、またその後では、使用中周
期的に行うことができる。 【００２２】本発明のもう一つの実施例では、カウンタ
には、消去／書込みサイクルの数以外の耐久力制限現象
に対応したカウント値を記憶させるようにする。例え
ば、センサを使うことによって、メモリに対し、これへ
の高い電力サージや高い電圧の印加によって、あるいは
高温というような他の一時的な耐久力を損なう環境条件
によってストレスがかかっていることを示すことができ
る。ストレス状態を受けた時間の長さと、そのようなス
トレス状態の絶対値と、そして既にカウンタ内に記憶さ
れているカウントと、の関数として変化するカウントを
生成することもできる（すなわち、カウンタ値が増すに
したがって、上記のストレス状態は耐久力に対してさら
に大きな影響を与えることになる）。また、これの代替
手段は、高湿度、低圧、高微粒子カウントの環境などと
いった、その他のより恒久的な環境的耐久力減損因子を
反映するカウントを生成することである。もう一つの代
替手段は、ソフトエラーを経験しているメモリブロック
に関したカウンタをインクリメントするために、エラー
訂正コード（ＥＣＣ）を用いて、メモリからのデータの
妥当性を監視することである。さらに、そのカウントに
対し重み付けを行い、これにより、ソフトエラーの数が
増えるにつれて、あるいはソフトエラーがその後起こる
につれて、そのカウントがより高くなるようにすること
ができる。また、別のもう一つの代替手段は、最も頻繁
に使われしかも（または）決定的な情報を記憶する“鍵
となる”メモリブロックを識別することである。そし
て、これらのブロックに関連付けたカウンタは、耐久力
制限現象が発生せずとも、メモリの使用に先立って、あ
るいはそのメモリの使用中に、インクリメントするよう
にすることができる。このようにすれば、そういうブロ
ックに対するアクセスを残りのブロックに対するよりも
早期にそらし、これによりさらに記憶データの完全性を
保証することができる。 【００２３】本発明のもう一つの実施例では、ディレク
トリプロセッサ１０の機能を、上記のカウンタ内に組み
込むようにする。気付くように、そのカウンタ内に記憶
させた数は、一旦フルカウントになると無用となるもの
である。従って、例えば各カウンタに３個の追加ビット
を含ませることによって、ディレクトリプロセッサ１０
の機能をそれらカウンタ内に組み込むことができる。そ
れらの追加ビットにより、いつカウントがフルになった
か、そして暗にいつその他のカウンタビットを他のの目
的に使えるか、を示すことができるであろう。そのカウ
ンタがフルになった時（それら３ビットで記憶したコー
ドが示す）には、そのカウンタ内のその他のビットは、
どの代替ブロックをアドレス指定すべきかを示すための
ポインタとして作用させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明に基づくメモリシステムを示す
ブロック図である。 【図２】図２は、図１に示したシステム内で使用するカ
ウンタのブロック図である。 【図３】図３は、本発明に基づくカウント動作を例示す
るための回路ブロック図である。 【図４】図４は、本発明に基づく動作を示すフローチャ
ートである。 【符号の説明】 １，２，３，４・・・Ｎ：一次カウンタ／データレジス
タ ５，６・・・Ｍ：代替カウンタ／データレジスタ １０：ディレクトリプロセッサ ２０：信号線 ７０：ドライバ ８０：スイッチ
ブロック図である。 【図２】図２は、図１に示したシステム内で使用するカ
ウンタのブロック図である。 【図３】図３は、本発明に基づくカウント動作を例示す
るための回路ブロック図である。 【図４】図４は、本発明に基づく動作を示すフローチャ
ートである。 【符号の説明】 １，２，３，４・・・Ｎ：一次カウンタ／データレジス
タ ５，６・・・Ｍ：代替カウンタ／データレジスタ １０：ディレクトリプロセッサ ２０：信号線 ７０：ドライバ ８０：スイッチ
フロントページの続き
(72)発明者 ウィルバー・デイビス・プライサー
アメリカ合衆国05452、バーモント州
バーリントン、ヴァン・パテン・パーク
ウェイ 58
(56)参考文献 特開 昭62−283496（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−286199（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−305444（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−6596（ＪＰ，Ａ)
実開 昭63−6600（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G06F 12/16
G11C 17/00
G11C 29/00
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 不揮発性記憶装置であって、 イ） 複数のデータ記憶レジスタと、 ロ） 前記複数のデータ記憶レジスタの各々が受ける各
消去／書込みサイクルをカウントした値を記憶するため
の複数のカウンタ手段と、 ハ） 前記複数のカウンタ手段内に記憶した値が、その
消去／書込みサイクル耐久限界値より大きければ、別の
データ記憶レジスタへ再割当てを行う制御手段とを有
し、 試験によって耐久力が平均より小さいと判定された前記
データ記憶レジスタに対応する前記複数のカウンタ手段
の何れかが、１より実質的に大きいある値をプレロード
されている不揮発性記憶装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US635910 | 1990-12-28 | ||
| US07/635,910 US5222109A (en) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | Endurance management for solid state files |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04248646A JPH04248646A (ja) | 1992-09-04 |
| JP3410742B2 true JP3410742B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=24549621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24790891A Expired - Fee Related JP3410742B2 (ja) | 1990-12-28 | 1991-09-26 | 不揮発性記憶装置、不揮発性メモリシステムおよびその消去／書込みサイクルの数をカウントする方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5222109A (ja) |
| EP (1) | EP0492106B2 (ja) |
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| DE (1) | DE69107594T3 (ja) |
Families Citing this family (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5268319A (en) * | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Highly compact EPROM and flash EEPROM devices |
| US7190617B1 (en) | 1989-04-13 | 2007-03-13 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system |
| DE69033438T2 (de) | 1989-04-13 | 2000-07-06 | Sandisk Corp | Austausch von fehlerhaften Speicherzellen einer EEprommatritze |
| US6230233B1 (en) * | 1991-09-13 | 2001-05-08 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
| TW261687B (ja) | 1991-11-26 | 1995-11-01 | Hitachi Seisakusyo Kk | |
| US6347051B2 (en) | 1991-11-26 | 2002-02-12 | Hitachi, Ltd. | Storage device employing a flash memory |
| US5388083A (en) * | 1993-03-26 | 1995-02-07 | Cirrus Logic, Inc. | Flash memory mass storage architecture |
| US6078520A (en) * | 1993-04-08 | 2000-06-20 | Hitachi, Ltd. | Flash memory control method and information processing system therewith |
| KR970008188B1 (ko) * | 1993-04-08 | 1997-05-21 | 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 플래시메모리의 제어방법 및 그것을 사용한 정보처리장치 |
| US5956473A (en) * | 1996-11-25 | 1999-09-21 | Macronix International Co., Ltd. | Method and system for managing a flash memory mass storage system |
| JP3242890B2 (ja) * | 1998-12-16 | 2001-12-25 | 株式会社ハギワラシスコム | 記憶装置 |
| US20030058681A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-03-27 | Intel Corporation | Mechanism for efficient wearout counters in destructive readout memory |
| US7246268B2 (en) * | 2002-01-16 | 2007-07-17 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for dynamic degradation detection |
| US7035967B2 (en) * | 2002-10-28 | 2006-04-25 | Sandisk Corporation | Maintaining an average erase count in a non-volatile storage system |
| US8412879B2 (en) * | 2002-10-28 | 2013-04-02 | Sandisk Technologies Inc. | Hybrid implementation for error correction codes within a non-volatile memory system |
| US7526599B2 (en) * | 2002-10-28 | 2009-04-28 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for effectively enabling an out of sequence write process within a non-volatile memory system |
| US7254668B1 (en) | 2002-10-28 | 2007-08-07 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for grouping pages within a block |
| US6985992B1 (en) | 2002-10-28 | 2006-01-10 | Sandisk Corporation | Wear-leveling in non-volatile storage systems |
| US7171536B2 (en) * | 2002-10-28 | 2007-01-30 | Sandisk Corporation | Unusable block management within a non-volatile memory system |
| US7039788B1 (en) | 2002-10-28 | 2006-05-02 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for splitting a logical block |
| US7096313B1 (en) | 2002-10-28 | 2006-08-22 | Sandisk Corporation | Tracking the least frequently erased blocks in non-volatile memory systems |
| US7103732B1 (en) | 2002-10-28 | 2006-09-05 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for managing an erase count block |
| KR101174308B1 (ko) * | 2002-10-28 | 2012-08-16 | 쌘디스크 코포레이션 | 비휘발성 저장 시스템들에서 자동 웨어 레벨링 |
| US6831865B2 (en) * | 2002-10-28 | 2004-12-14 | Sandisk Corporation | Maintaining erase counts in non-volatile storage systems |
| US7234036B1 (en) | 2002-10-28 | 2007-06-19 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for resolving physical blocks associated with a common logical block |
| US7174440B2 (en) * | 2002-10-28 | 2007-02-06 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for performing block caching in a non-volatile memory system |
| US6973531B1 (en) | 2002-10-28 | 2005-12-06 | Sandisk Corporation | Tracking the most frequently erased blocks in non-volatile memory systems |
| US20040083334A1 (en) * | 2002-10-28 | 2004-04-29 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for managing the integrity of data in non-volatile memory system |
| US7181611B2 (en) * | 2002-10-28 | 2007-02-20 | Sandisk Corporation | Power management block for use in a non-volatile memory system |
| US7076710B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-07-11 | International Business Machines Corporation | Non-binary address generation for ABIST |
| US7188228B1 (en) * | 2003-10-01 | 2007-03-06 | Sandisk Corporation | Hybrid mapping implementation within a non-volatile memory system |
| US7559004B1 (en) | 2003-10-01 | 2009-07-07 | Sandisk Corporation | Dynamic redundant area configuration in a non-volatile memory system |
| US7089349B2 (en) * | 2003-10-28 | 2006-08-08 | Sandisk Corporation | Internal maintenance schedule request for non-volatile memory system |
| US8706990B2 (en) | 2003-10-28 | 2014-04-22 | Sandisk Technologies Inc. | Adaptive internal table backup for non-volatile memory system |
| US7032087B1 (en) | 2003-10-28 | 2006-04-18 | Sandisk Corporation | Erase count differential table within a non-volatile memory system |
| DE102004001285B4 (de) * | 2004-01-07 | 2018-01-25 | Infineon Technologies Ag | Umprogrammierbare nichtflüchtige Halbleiter-Speichereinrichtung |
| DE102004034042A1 (de) * | 2004-07-13 | 2006-02-09 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Elektronisches Gerät mit einem nicht flüchtigen beschreibbaren Datenspeicher |
| DE102004037785A1 (de) * | 2004-08-03 | 2006-03-16 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Feldgerät für die Automatisierungstechnik |
| US7120220B2 (en) * | 2004-12-23 | 2006-10-10 | Ramtron International Corporation | Non-volatile counter |
| US7142627B2 (en) * | 2004-12-23 | 2006-11-28 | Ramtron International Corporation | Counting scheme with automatic point-of-reference generation |
| US7447944B2 (en) * | 2005-04-29 | 2008-11-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Predictive methods and apparatus for non-volatile memory |
| TWI372397B (en) * | 2007-08-06 | 2012-09-11 | Ind Tech Res Inst | Method and system of defect management for storage medium |
| TWI368225B (en) * | 2007-11-29 | 2012-07-11 | Ind Tech Res Inst | Recoding medium structure capable of displaying defect rate |
| US7971023B2 (en) * | 2008-04-30 | 2011-06-28 | Sandisk Corporation | Guaranteed memory card performance to end-of-life |
| US9104686B2 (en) | 2008-12-16 | 2015-08-11 | Sandisk Technologies Inc. | System and method for host management of discardable objects |
| US9015209B2 (en) | 2008-12-16 | 2015-04-21 | Sandisk Il Ltd. | Download management of discardable files |
| US8375192B2 (en) | 2008-12-16 | 2013-02-12 | Sandisk Il Ltd. | Discardable files |
| US8849856B2 (en) | 2008-12-16 | 2014-09-30 | Sandisk Il Ltd. | Discardable files |
| US8205060B2 (en) | 2008-12-16 | 2012-06-19 | Sandisk Il Ltd. | Discardable files |
| US9020993B2 (en) | 2008-12-16 | 2015-04-28 | Sandisk Il Ltd. | Download management of discardable files |
| US8549229B2 (en) | 2010-08-19 | 2013-10-01 | Sandisk Il Ltd. | Systems and methods for managing an upload of files in a shared cache storage system |
| US8463802B2 (en) | 2010-08-19 | 2013-06-11 | Sandisk Il Ltd. | Card-based management of discardable files |
| US8788849B2 (en) | 2011-02-28 | 2014-07-22 | Sandisk Technologies Inc. | Method and apparatus for protecting cached streams |
| US8910017B2 (en) | 2012-07-02 | 2014-12-09 | Sandisk Technologies Inc. | Flash memory with random partition |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5658608A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-21 | Nippon Denso Co Ltd | Electronic odometer |
| DE3200871C2 (de) * | 1980-09-06 | 1986-11-06 | Günter Dipl.-Ing. 4000 Düsseldorf Krenz | Einrichtung zum Betreiben eines öl- oder gasbeheizten Zweistoffbrenners |
| DE3123444A1 (de) * | 1981-06-12 | 1983-01-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und anordnung zum nichtfluechtigen speichern des zaehlerstandes einer elektronischen zaehlschaltung |
| DE3123654A1 (de) * | 1981-06-15 | 1983-01-20 | Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt | Schaltungsanordnung zur speicherung eines mehrstelligen dekadischen zaehlwerts einer von einem fahrzeug zurueckgelegten wegstrecke |
| DE3200872A1 (de) * | 1982-01-14 | 1983-07-21 | Sartorius GmbH, 3400 Göttingen | Elektronische waage |
| JPS58215795A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-15 | Toshiba Corp | 不揮発性メモリ装置 |
| JPS6049218A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-18 | Nippon Denso Co Ltd | 車両用走行距離計 |
| JPS6059454A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-05 | Koito Mfg Co Ltd | Ｅｅｐｒｏｍへの計数デ−タ収納方法 |
| NZ209664A (en) * | 1983-09-29 | 1987-05-29 | Tandem Computers Inc | Memory board address assignments: automatic reconfiguration |
| US4612640A (en) * | 1984-02-21 | 1986-09-16 | Seeq Technology, Inc. | Error checking and correction circuitry for use with an electrically-programmable and electrically-erasable memory array |
| JPS61100565A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-19 | Green Cross Corp:The | インド−ル酢酸誘導体 |
| GB2171543B (en) * | 1985-02-27 | 1988-04-20 | Hughes Microelectronics Ltd | Counting circuit which provides for extended counter life |
| DE3602112A1 (de) * | 1986-01-24 | 1987-07-30 | Vdo Schindling | System zur speicherung von informationen |
| JPS62200600A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 記憶素子の寿命判定装置 |
| JP2685173B2 (ja) * | 1986-05-31 | 1997-12-03 | キヤノン株式会社 | メモリ書き込み制御方法 |
| JPS636600U (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | ||
| US4860228A (en) * | 1987-02-24 | 1989-08-22 | Motorola, Inc. | Non-volatile memory incremental counting system |
| US4803707A (en) * | 1987-12-21 | 1989-02-07 | Ncr Corporation | Nonvolatile electronic odometer with excess write cycle protection |
| JPH0259946A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | メモリ装置 |
| US4947410A (en) * | 1989-02-23 | 1990-08-07 | General Motors Corporation | Method and apparatus for counting with a nonvolatile memory |
| DE69033438T2 (de) * | 1989-04-13 | 2000-07-06 | Sandisk Corp | Austausch von fehlerhaften Speicherzellen einer EEprommatritze |
| JPH0373496A (ja) * | 1989-05-16 | 1991-03-28 | Seiko Epson Corp | Ｅｅｐｒｏｍ書込装置 |
| JPH0692898B2 (ja) * | 1989-05-31 | 1994-11-16 | 日本精機株式会社 | 電子式オドメータ |
-
1990
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