JP4171518B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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- コントローラと不揮発性メモリとを有し、
前記不揮発性メモリは、複数のブロックを有し、夫々のブロックには所定のデータ格納容量を持ち、
前記コントローラは、前記不揮発性メモリの第1領域にあるブロックは外部のホストから供給されるデータ及び当該データに関する管理情報の格納に用い、第2領域にあるブロックは不良登録テーブルの格納に用い、外部からシリンダ番号/ヘッド番号/セクタ番号の夫々を示すアドレス情報を受け取り、当該アドレス情報から第2アドレス情報を生成し、
前記管理情報には、当該管理情報が格納されているブロックの有効性に関する情報が格納されており、
前記不良登録テーブルは、前記第1領域のブロック数の部分的な所定の比率に相当する数のブロックを登録可能な容量を有し、
前記コントローラは、生成した第2アドレス情報に基づき前記第1領域にあるブロックの管理情報に含まれる前記当該ブロックの有効性に関する情報を確認し、当該ブロックが有効であることを示す情報が格納されていた場合は当該ブロックのデータを格納する領域へアクセスを行い、当該ブロックが有効ではないことを示す情報が格納されていた場合は前記不良登録テーブルを検索し、当該ブロックに替えてアクセスすべき前記第1領域にあるブロックを示す第2アドレス情報を取得することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記管理情報には当該ブロックに格納されているデータのエラー検出・訂正情報格納領域を含み、
前記コントローラは、前記外部のホストから供給されたデータの書込みに際して当該データのエラー検出・訂正情報を生成し前記エラー検出・訂正情報格納領域に格納し、当該ブロックに格納されたデータの読出しに際して前記エラー検出・訂正情報を読出し当該ブロックから読み出したデータのエラー検出・訂正を行うことを特徴とする請求項1の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記コントローラは、当該ブロックに格納されたデータの読出しにおいて読み出したデータにエラーを検出した場合は、当該エラーを訂正して前記外部のホストへ転送すると共に、当該ブロックが有効ではないことを示す情報を当該ブロックの管理情報に格納することを特徴とする請求項2の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記コントローラは、当該ブロックに格納されたデータの読出しにおいてエラーを検出した場合、前記不良登録テーブルに当該ブロックに替えてアクセスすべき前記第1領域にあるブロックを示す前記第2アドレス情報を登録することを特徴とする請求項3の不揮発性半導体記憶装置。
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