JP2008004111A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不揮発性半導体メモリに格納されるデータの誤り検出・訂正を行う誤り訂正回路と、複数のバッファを備え、誤り訂正回路による誤り検出・訂正後のデータの複数のバッファのうちの1つからホストへのインターフェイス制御回路を通じた転送と、誤り訂正回路による誤り検出・訂正のための他のデータの前記不揮発性半導体メモリから前記複数のバッファのうちの他の1つへの転送とを平行に行うことを特徴とする。
【選択図】図6
Description
Claims (6)
- バスを通じてホストとのデータ及びコマンドの授受を行うインターフェイス制御回路と、
前記インターフェイス制御回路によって前記ホストから受信されたコマンドを解析するコントローラと、
前記コントローラに接続され、電気的に書き換え可能な不揮発性半導体メモリと、
前記不揮発性半導体メモリに格納されるデータの誤り検出・訂正を行う誤り訂正回路と、
複数のバッファを備えた半導体記憶装置であって、
前記不揮発性半導体メモリは前記インターフェイス制御回路が前記ホストから受信したデータを格納可能であり、
前記インターフェイス制御回路が前記ホストから受信した読み出しコマンドに応答して前記コントローラは、前記誤り訂正回路による誤り検出・訂正後のデータの前記複数のバッファのうちの1つから前記ホストへの前記インターフェイス制御回路を通じた転送と、前記誤り訂正回路による誤り検出・訂正のための他のデータの前記不揮発性半導体メモリから前記複数のバッファのうちの他の1つへの転送とを平行に行うことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記不揮発性半導体メモリは、あらかじめ決められた容量のブロックを複数含み、
各ブロックは、前記ホストから受信されたデータを格納するためのデータ領域と、前記データ領域を管理するのに利用可能な管理情報を格納するための管理情報領域を含み、
各管理情報は、前記データ領域用の誤り訂正コードと前記管理情報領域用の誤り訂正コードとを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記バッファは、前記不揮発性半導体メモリから読み出されたデータを一時的に格納することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体記憶装置。
- 各ブロックの容量は、512バイト以上であることを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記コントローラは、前記複数のバッファを交互に使用して、前記誤り訂正回路による誤り検出・訂正後のデータの前記ホストへの転送と前記誤り訂正回路による誤り検出・訂正のための他のデータの前記不揮発性半導体メモリからの転送とを交互に行うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一に記載の半導体記憶装置。
- 前記誤りが検出されたときには前記誤り訂正回路が前記誤りを訂正し、前記コントローラが前記誤り検出・訂正後のデータを前記インターフェイス制御回路を通じて前記ホストへ転送すると共に誤りが検出されたデータのブロックに対して代替処理を行うことを特徴とする請求項2、4及び5のいずれか一に記載の半導体記憶装置。
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JP2013527544A (ja) * | 2010-06-01 | 2013-06-27 | グリーンライアント リミテッド ライアビリティ カンパニー | エラー補正に起因する経年関連性能劣化を最小限に抑えるためのnandメモリコントローラでの動的バッファ管理 |
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