JPH04245127A - チップ型ヒューズ用基板の製造法 - Google Patents
チップ型ヒューズ用基板の製造法Info
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- JPH04245127A JPH04245127A JP1006091A JP1006091A JPH04245127A JP H04245127 A JPH04245127 A JP H04245127A JP 1006091 A JP1006091 A JP 1006091A JP 1006091 A JP1006091 A JP 1006091A JP H04245127 A JPH04245127 A JP H04245127A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子機器等に使用される
チップ型ヒューズ用基板の製造法に関する。
チップ型ヒューズ用基板の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器の誤動作、短絡等の故障
により生じた過電流による電子機器の発熱、火災等の事
故を防止するために、ガラス管の端子間に金属の可溶材
料を接続した管ヒューズがあった。しかし電子機器が小
型化するにつれ、前記管ヒューズでは大き過ぎる、量産
性に劣る、配線板に表面実装しにくいなどの問題が生じ
た。これを解決するために小型化が容易で量産性に優れ
、配線板に表面実装しやすいチップ型のヒューズが提案
された。これらのチップ型ヒューズの基板は、ヒューズ
が切断されるときに発生する熱を考慮してセラミックが
用いられる。通常はセラミック基板として使用されるア
ルミナを基板にして量産性に優れたメッキ法で電極や可
溶体を形成する方法がコスト面と性能の点で比較的有利
である。また、多数のスルーホールを同時に形成してお
き、めっきによってスルーホール内に電極を形成して、
このスルーホールの中央部分を通る分割用溝で分割して
多数個取りにすれば、表面実装し易いチップ型ヒューズ
が同時に多量に製造できる。
により生じた過電流による電子機器の発熱、火災等の事
故を防止するために、ガラス管の端子間に金属の可溶材
料を接続した管ヒューズがあった。しかし電子機器が小
型化するにつれ、前記管ヒューズでは大き過ぎる、量産
性に劣る、配線板に表面実装しにくいなどの問題が生じ
た。これを解決するために小型化が容易で量産性に優れ
、配線板に表面実装しやすいチップ型のヒューズが提案
された。これらのチップ型ヒューズの基板は、ヒューズ
が切断されるときに発生する熱を考慮してセラミックが
用いられる。通常はセラミック基板として使用されるア
ルミナを基板にして量産性に優れたメッキ法で電極や可
溶体を形成する方法がコスト面と性能の点で比較的有利
である。また、多数のスルーホールを同時に形成してお
き、めっきによってスルーホール内に電極を形成して、
このスルーホールの中央部分を通る分割用溝で分割して
多数個取りにすれば、表面実装し易いチップ型ヒューズ
が同時に多量に製造できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、アルミナ基板
を用いて多数個取りしようとするとメッキ膜を形成後、
ダイシング等の手法で分割用の溝を後から形成しなけれ
ばならず、この工程が量産性を低下させ、安価なチップ
型ヒューズを得る妨げになっていた。これに対し、光の
当たった部分だけが結晶化して酸に対する溶解速度が増
加する感光性ガラスを基板に用いてスルーホールと分割
用溝を同時形成して生産性を向上する方法が考えられる
が、光のあたった部分と当たらない部分の酸に対する溶
解速度の差が十分でないと、スルーホール形成時に基板
の板厚が減少したり、スルーホールと分割用溝を同時形
成しようとしてもスルーホールが貫通しなかったりする
欠点が生じる。
を用いて多数個取りしようとするとメッキ膜を形成後、
ダイシング等の手法で分割用の溝を後から形成しなけれ
ばならず、この工程が量産性を低下させ、安価なチップ
型ヒューズを得る妨げになっていた。これに対し、光の
当たった部分だけが結晶化して酸に対する溶解速度が増
加する感光性ガラスを基板に用いてスルーホールと分割
用溝を同時形成して生産性を向上する方法が考えられる
が、光のあたった部分と当たらない部分の酸に対する溶
解速度の差が十分でないと、スルーホール形成時に基板
の板厚が減少したり、スルーホールと分割用溝を同時形
成しようとしてもスルーホールが貫通しなかったりする
欠点が生じる。
【０００４】本発明はメッキ法を用いて作製するチップ
型ヒューズの上記した欠点を改良し、量産性に優れたチ
ップ型ヒューズ用基板の製造法を提供するものである。
型ヒューズの上記した欠点を改良し、量産性に優れたチ
ップ型ヒューズ用基板の製造法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、化学切削性感
光性ガラス板に部分的に光を照射後一次熱処理し、露光
部分に析出した結晶を酸で溶解除去し、次いで二次熱処
理して全体を結晶化するチップ型ヒューズ用基板の製造
法において、前記露光部分に析出する結晶の酸に対する
溶解速度を、前記化学切削性感光性ガラス板の露光しな
い部分の一次熱処理後における酸に対する溶解速度の１
０倍以上になるようにしたチップ型ヒューズ用基板の製
造法に関する。
光性ガラス板に部分的に光を照射後一次熱処理し、露光
部分に析出した結晶を酸で溶解除去し、次いで二次熱処
理して全体を結晶化するチップ型ヒューズ用基板の製造
法において、前記露光部分に析出する結晶の酸に対する
溶解速度を、前記化学切削性感光性ガラス板の露光しな
い部分の一次熱処理後における酸に対する溶解速度の１
０倍以上になるようにしたチップ型ヒューズ用基板の製
造法に関する。
【０００６】本発明において、化学切削性感光性ガラス
板（以下、感光性ガラスと呼ぶ）は、露光によって化学
切削性を有するようになるものであればよく特に制限は
ないが、一般に紫外線露光後の熱処理によって露光部分
に弗化水素酸（ＨＦ酸）に易溶なメタ珪酸リチウムの結
晶を析出し、この結晶をＨＦ酸で溶解除去後再度熱処理
することによりジ珪酸リチウム結晶を生じるものが好ま
しい。この感光性ガラスは、再熱処理によって強度が大
幅に上昇するほか、約１％しか寸法変化しないためＨＦ
酸処理後のスルーホールの位置が高精度で実現でき、ま
た分割用のスリット加工もメタ珪酸リチウム結晶の溶解
除去によって形成されるため亀裂や基材表面の異物付着
が発生しない利点がある。
板（以下、感光性ガラスと呼ぶ）は、露光によって化学
切削性を有するようになるものであればよく特に制限は
ないが、一般に紫外線露光後の熱処理によって露光部分
に弗化水素酸（ＨＦ酸）に易溶なメタ珪酸リチウムの結
晶を析出し、この結晶をＨＦ酸で溶解除去後再度熱処理
することによりジ珪酸リチウム結晶を生じるものが好ま
しい。この感光性ガラスは、再熱処理によって強度が大
幅に上昇するほか、約１％しか寸法変化しないためＨＦ
酸処理後のスルーホールの位置が高精度で実現でき、ま
た分割用のスリット加工もメタ珪酸リチウム結晶の溶解
除去によって形成されるため亀裂や基材表面の異物付着
が発生しない利点がある。
【０００７】光を照射する部分は、一般に多数のチップ
型ヒューズに分割するスリット及び電極端子部のスルー
ホールである。露光後の熱処理によってメタ珪酸リチウ
ムの結晶を生じた部分の酸に対する溶解速度を、露光し
ない部分の一次熱処理後における酸に対する溶解速度の
１０倍以上になるようにすると、スルーホールと分割用
スリットとを同時に形成できる。２０倍以上にすれば酸
で処理する際の板厚の減少が少なく好ましい。また、露
光部分に含まれるＳｉＯ２の１５重量％以上をメタ珪酸
リチウムの形で結晶として析出させ、かつ感光性ガラス
の露光しない部分に一次熱処理後に含まれるＳｉＯ２の
うち、結晶として析出する量を１０重量％以下になるよ
うにすれば溶解速度が１０倍以上になり、露光部分に含
まれるＳｉＯ２の１５重量％以上を結晶として析出させ
、露光しない部分に含まれるＳｉＯ２を全く結晶として
析出させないようにすれば、結晶析出部分の酸に対する
溶解速度が露光しない部分の２０倍以上となる。
型ヒューズに分割するスリット及び電極端子部のスルー
ホールである。露光後の熱処理によってメタ珪酸リチウ
ムの結晶を生じた部分の酸に対する溶解速度を、露光し
ない部分の一次熱処理後における酸に対する溶解速度の
１０倍以上になるようにすると、スルーホールと分割用
スリットとを同時に形成できる。２０倍以上にすれば酸
で処理する際の板厚の減少が少なく好ましい。また、露
光部分に含まれるＳｉＯ２の１５重量％以上をメタ珪酸
リチウムの形で結晶として析出させ、かつ感光性ガラス
の露光しない部分に一次熱処理後に含まれるＳｉＯ２の
うち、結晶として析出する量を１０重量％以下になるよ
うにすれば溶解速度が１０倍以上になり、露光部分に含
まれるＳｉＯ２の１５重量％以上を結晶として析出させ
、露光しない部分に含まれるＳｉＯ２を全く結晶として
析出させないようにすれば、結晶析出部分の酸に対する
溶解速度が露光しない部分の２０倍以上となる。
【０００８】上記の比率を達成するためには次のように
する。■感光性ガラスに照射する紫外線の照射量を０．
５Ｊ／ｃｍ２以上にすれば、メタ珪酸リチウムを生じた
部分の酸に対する溶解速度を照射しない部分の１０倍以
上に、また紫外線の照射量を１０Ｊ／ｃｍ２以上にすれ
ば２０倍以上にすることができる。■メタ珪酸リチウム
を析出するために行う一次熱処理の温度を５３５〜５７
０℃にすれば１０倍以上にできる。温度が５３５〜５５
０℃であれば２０倍以上にすることができる。■一次熱
処理の保持時間が１．５時間以上であれば、結晶析出部
分の酸に対する溶解速度を露光しない部分の１０倍以上
にすることができる。また、■前記部分的にメタ珪酸リ
チウムを析出した感光性ガラスをＨＦ酸に浸漬して、メ
タ珪酸リチウム析出部分を優先的に溶出して、スルーホ
ールと分割用スリットとを同時に形成させる際のＨＦ酸
の濃度を２重量％以上２０重量％以下にすれば、メタ珪
酸リチウムを生じた部分の酸に対する溶解速度を露光し
ない部分の１０倍以上にすることができる。
する。■感光性ガラスに照射する紫外線の照射量を０．
５Ｊ／ｃｍ２以上にすれば、メタ珪酸リチウムを生じた
部分の酸に対する溶解速度を照射しない部分の１０倍以
上に、また紫外線の照射量を１０Ｊ／ｃｍ２以上にすれ
ば２０倍以上にすることができる。■メタ珪酸リチウム
を析出するために行う一次熱処理の温度を５３５〜５７
０℃にすれば１０倍以上にできる。温度が５３５〜５５
０℃であれば２０倍以上にすることができる。■一次熱
処理の保持時間が１．５時間以上であれば、結晶析出部
分の酸に対する溶解速度を露光しない部分の１０倍以上
にすることができる。また、■前記部分的にメタ珪酸リ
チウムを析出した感光性ガラスをＨＦ酸に浸漬して、メ
タ珪酸リチウム析出部分を優先的に溶出して、スルーホ
ールと分割用スリットとを同時に形成させる際のＨＦ酸
の濃度を２重量％以上２０重量％以下にすれば、メタ珪
酸リチウムを生じた部分の酸に対する溶解速度を露光し
ない部分の１０倍以上にすることができる。
【０００９】次に、メタ珪酸リチウム析出部分だけを溶
出して、スルーホールと分割用スリットとが同時に形成
された感光性ガラスを、８００〜９５０℃で二次熱処理
するとジ珪酸リチウムの結晶が析出して、チップ型ヒュ
ーズ用基板として充分な強度が得られる。
出して、スルーホールと分割用スリットとが同時に形成
された感光性ガラスを、８００〜９５０℃で二次熱処理
するとジ珪酸リチウムの結晶が析出して、チップ型ヒュ
ーズ用基板として充分な強度が得られる。
【００１０】該チップ型ヒューズ用基板に電極及び可溶
体の膜を形成するには、ＨＦ酸、ＨＦ酸と他の強酸との
混酸、ノングレア液等で粗化を行い、公知の方法により
銅メッキ、ニッケルメッキ等の無電解メッキを行って金
属の膜を形成し、この金属膜をパターンエッチングする
方法による。この後、前記分割用スリット部分から分割
してチップ型ヒューズを得る。
体の膜を形成するには、ＨＦ酸、ＨＦ酸と他の強酸との
混酸、ノングレア液等で粗化を行い、公知の方法により
銅メッキ、ニッケルメッキ等の無電解メッキを行って金
属の膜を形成し、この金属膜をパターンエッチングする
方法による。この後、前記分割用スリット部分から分割
してチップ型ヒューズを得る。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。０．７５ｍ
ｍ厚で６０ｍｍ×６０ｍｍの感光性ガラス（住田光学ガ
ラス製、ＰＳＧ−１）に、スルーホールに対応する直径
０．８ｍｍ部分及び分割用スリット形成部分に対応する
幅１０μｍ部分だけＣｒ蒸着のない石英ガラスマスクを
重ねて、オーク製作所製ガラス基板用高精度露光装置Ｏ
ＲＣＨＭＷ−６６１Ｂ−１を用いて紫外線を表１に示す
組合せで０．２Ｊ／ｃｍ２、２Ｊ／ｃｍ２及び１２Ｊ／
ｃｍ２照射した。次に、該紫外線露光した感光性ガラス
を電気炉に入れ、一次熱処理として大気中表１に示す組
合せで５３０℃、５４０℃、５７０℃及び５８０℃で１
時間から３時間保持して露光部分だけを結晶化させてメ
タ珪酸リチウムを析出させた。該部分的に結晶化させて
メタ珪酸リチウムを析出させた感光性ガラスを６重量％
のＨＦ酸に浸漬してスリットの深さが０．１５ｍｍにな
るようにした。その時のメタ珪酸リチウムを生じた部分
の酸に対する溶解速度と紫外線を照射せずに結晶化しな
かった部分の溶解速度の比、スルーホールの状態、基板
の厚さ、メタ珪酸リチウムを生じた部分に含まれるＳｉ
Ｏ２の何％が結晶として析出したか等を測定して実施例
、比較例ともに表１に示した。その後、これらの基板の
うちスルーホールが貫通したものだけを洗浄、乾燥して
再度熱処理用の電気炉に入れ、８１０℃で２時間二次熱
処理してスルーホール及び分割用スリットを有するチッ
プ型ヒューズ用基板を得た。
ｍ厚で６０ｍｍ×６０ｍｍの感光性ガラス（住田光学ガ
ラス製、ＰＳＧ−１）に、スルーホールに対応する直径
０．８ｍｍ部分及び分割用スリット形成部分に対応する
幅１０μｍ部分だけＣｒ蒸着のない石英ガラスマスクを
重ねて、オーク製作所製ガラス基板用高精度露光装置Ｏ
ＲＣＨＭＷ−６６１Ｂ−１を用いて紫外線を表１に示す
組合せで０．２Ｊ／ｃｍ２、２Ｊ／ｃｍ２及び１２Ｊ／
ｃｍ２照射した。次に、該紫外線露光した感光性ガラス
を電気炉に入れ、一次熱処理として大気中表１に示す組
合せで５３０℃、５４０℃、５７０℃及び５８０℃で１
時間から３時間保持して露光部分だけを結晶化させてメ
タ珪酸リチウムを析出させた。該部分的に結晶化させて
メタ珪酸リチウムを析出させた感光性ガラスを６重量％
のＨＦ酸に浸漬してスリットの深さが０．１５ｍｍにな
るようにした。その時のメタ珪酸リチウムを生じた部分
の酸に対する溶解速度と紫外線を照射せずに結晶化しな
かった部分の溶解速度の比、スルーホールの状態、基板
の厚さ、メタ珪酸リチウムを生じた部分に含まれるＳｉ
Ｏ２の何％が結晶として析出したか等を測定して実施例
、比較例ともに表１に示した。その後、これらの基板の
うちスルーホールが貫通したものだけを洗浄、乾燥して
再度熱処理用の電気炉に入れ、８１０℃で２時間二次熱
処理してスルーホール及び分割用スリットを有するチッ
プ型ヒューズ用基板を得た。
【００１２】次に熱処理の済んだ基板を、３０℃の４Ｎ
のＨＦ酸及び４Ｎの塩酸の混酸に液を撹拌しながら１０
分間浸漬し、表面を粗化した。これらを流水洗浄後３０
重量％のＨＣｌ溶液に一分間浸漬し、増感剤（日立化成
工業製、ＨＳ−１０１Ｂ）に５分間浸漬後流水洗浄した
。次にこれらを密着促進剤（日立化成工業製、ＡＤＰ−
２０１）に５分間浸漬後流水洗浄してから７０℃に加熱
した無電解メッキ浴（日立化成工業製、Ｌ−５９）に２
時間浸漬し、４μｍの銅メッキを施した。この後、感光
性レジスト（日立化成工業製、ＰＨＴ−８６２ＡＦ−４
０）を銅メッキ膜上に密着し、可溶体パターン及び電極
パターンに対応する部分露光用マスクを該銅メッキ膜を
形成した感光性ガラスに重ね、１００ｍＪ／ｃｍ２の紫
外線で露光後、１重量％の炭酸ナトリウム水溶液でレジ
ストを現像してから塩化銅水溶液で銅メッキ膜をエッチ
ングしてレジストフィルムを剥離してから分割して図１
に示すチップ型ヒューズを得た。図において１は感光性
ガラス、２は銅メッキ膜で２ａは可溶体部、２ｂは電極
部及び３は電極用スルーホールである。得られたチップ
型ヒューズの可溶体部分の幅は６０μｍ、高さは４μｍ
及び長さは１．８ｍｍである。このときの分割性を表１
に示した。
のＨＦ酸及び４Ｎの塩酸の混酸に液を撹拌しながら１０
分間浸漬し、表面を粗化した。これらを流水洗浄後３０
重量％のＨＣｌ溶液に一分間浸漬し、増感剤（日立化成
工業製、ＨＳ−１０１Ｂ）に５分間浸漬後流水洗浄した
。次にこれらを密着促進剤（日立化成工業製、ＡＤＰ−
２０１）に５分間浸漬後流水洗浄してから７０℃に加熱
した無電解メッキ浴（日立化成工業製、Ｌ−５９）に２
時間浸漬し、４μｍの銅メッキを施した。この後、感光
性レジスト（日立化成工業製、ＰＨＴ−８６２ＡＦ−４
０）を銅メッキ膜上に密着し、可溶体パターン及び電極
パターンに対応する部分露光用マスクを該銅メッキ膜を
形成した感光性ガラスに重ね、１００ｍＪ／ｃｍ２の紫
外線で露光後、１重量％の炭酸ナトリウム水溶液でレジ
ストを現像してから塩化銅水溶液で銅メッキ膜をエッチ
ングしてレジストフィルムを剥離してから分割して図１
に示すチップ型ヒューズを得た。図において１は感光性
ガラス、２は銅メッキ膜で２ａは可溶体部、２ｂは電極
部及び３は電極用スルーホールである。得られたチップ
型ヒューズの可溶体部分の幅は６０μｍ、高さは４μｍ
及び長さは１．８ｍｍである。このときの分割性を表１
に示した。
【００１３】表１から明らかなように実施例のチップ型
ヒューズは比較例に比べ、スルーホールを形成したとき
の板厚減少量が少なく、スルーホールとスリットの同時
形成性にも優れており、スリットの分割性も優れていた
。
ヒューズは比較例に比べ、スルーホールを形成したとき
の板厚減少量が少なく、スルーホールとスリットの同時
形成性にも優れており、スリットの分割性も優れていた
。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、量産性に優れたチップ
型ヒューズに用いる基板が得られる。
型ヒューズに用いる基板が得られる。
【図１】本発明の実施例で得られるチップ型ヒューズの
斜視図。
斜視図。
１ 感光性ガラス
２ａ 可溶体部
２ｂ 電極部
３ スルーホール
Claims (2)
- 【請求項１】 化学切削性感光性ガラス板に部分的に
光を照射後一次熱処理し、露光部分に析出した結晶を酸
で溶解除去し、次いで二次熱処理して全体を結晶化する
チップ型ヒューズ用基板の製造法において、前記露光部
分に析出する結晶の酸に対する溶解速度を、前記化学切
削性感光性ガラス板の露光しない部分の一次熱処理後に
おける酸に対する溶解速度の１０倍以上になるようにし
たチップ型ヒューズ用基板の製造法。 - 【請求項２】 露光部分に含まれるＳｉＯ２の１５重
量％以上を結晶として析出させ、かつ感光性ガラスの露
光しない部分に一次熱処理後に含まれるＳｉＯ２のうち
、結晶として析出する量を１０重量％以下になるように
した請求項１記載のチップ型ヒューズ用基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1006091A JPH04245127A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | チップ型ヒューズ用基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1006091A JPH04245127A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | チップ型ヒューズ用基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04245127A true JPH04245127A (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=11739844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1006091A Pending JPH04245127A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | チップ型ヒューズ用基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04245127A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104616940A (zh) * | 2015-02-14 | 2015-05-13 | 南京萨特科技发展有限公司 | 一种片式保护元件及其制造方法 |
-
1991
- 1991-01-30 JP JP1006091A patent/JPH04245127A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104616940A (zh) * | 2015-02-14 | 2015-05-13 | 南京萨特科技发展有限公司 | 一种片式保护元件及其制造方法 |
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