JPH04245131A - チップ型ヒューズ - Google Patents
チップ型ヒューズInfo
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- JPH04245131A JPH04245131A JP1006291A JP1006291A JPH04245131A JP H04245131 A JPH04245131 A JP H04245131A JP 1006291 A JP1006291 A JP 1006291A JP 1006291 A JP1006291 A JP 1006291A JP H04245131 A JPH04245131 A JP H04245131A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子機器等に使用される
チップ型ヒューズに関する。
チップ型ヒューズに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器の誤動作、短絡等の故障
により生じた過電流による電子機器の発熱、火災等の事
故を防止するために、ガラス管の端子間に金属の可溶材
料を接続した管ヒューズがあった。しかし、電子機器が
小型化するにつれ、前記管ヒューズでは寸法が大き過ぎ
る、量産性に劣る、配線板に表面実装しにくい、などの
問題が生じた。これを解決するために小型化が容易で量
産性に優れ、配線板に表面実装しやすいチップ型のヒュ
ーズが提案された。このチップ型ヒューズの基板は、ヒ
ューズが切断されるときに発生する熱を考慮してシリコ
ン基板やセラミック基板上に形成するものであった。例
えば、特開平１−２９３５３５号公報に示されるチップ
型ヒューズは、シリコンチップ表面に可溶体を形成して
いる。また、特開昭６０−２２１９２３号公報に示され
るチップ型ヒューズは可溶体部分をセラミックグリーン
シートのスルーホール内に形成して同時焼成で得る方法
であった。
により生じた過電流による電子機器の発熱、火災等の事
故を防止するために、ガラス管の端子間に金属の可溶材
料を接続した管ヒューズがあった。しかし、電子機器が
小型化するにつれ、前記管ヒューズでは寸法が大き過ぎ
る、量産性に劣る、配線板に表面実装しにくい、などの
問題が生じた。これを解決するために小型化が容易で量
産性に優れ、配線板に表面実装しやすいチップ型のヒュ
ーズが提案された。このチップ型ヒューズの基板は、ヒ
ューズが切断されるときに発生する熱を考慮してシリコ
ン基板やセラミック基板上に形成するものであった。例
えば、特開平１−２９３５３５号公報に示されるチップ
型ヒューズは、シリコンチップ表面に可溶体を形成して
いる。また、特開昭６０−２２１９２３号公報に示され
るチップ型ヒューズは可溶体部分をセラミックグリーン
シートのスルーホール内に形成して同時焼成で得る方法
であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平１−２
９３５３５号公報に示される絶縁基体表面に可溶体を形
成した場合、溶解した可溶体が移動し、配線板内の他の
電子機器に悪影響を与える可能性がある。また、溶解し
た可溶体が他の電子機器に悪影響を与えないように、特
開昭６０−２２１９２３号のようにスルーホール内に可
溶体を形成する場合、ヒューズ体をあとから埋め込んで
形成するため量産性に劣る。これを避けるため、セラミ
ックシートとの一体焼成で作製しようとすると導体はＷ
、Ｍｏ、Ｐｔ等の高融点金属に限られ、また、形成でき
るスルーホールも直径が最小で０．２ｍｍと可溶体とす
るには太過ぎるため、低電流で溶断する可溶体をスルー
ホール内部に形成するのは不可能である。また、焼成し
たセラミック基板のスルーホールにスクリーン印刷等で
導体ペーストを埋め込んでから焼き付ける方法やめっき
法で導体を形成する方法でもやはりスルーホールの直径
を０．２ｍｍ以下にすることは難しく、Ｃｕペーストや
Ａｇペーストを使用しても小電流で溶断する可溶体を形
成するのは難しい。
９３５３５号公報に示される絶縁基体表面に可溶体を形
成した場合、溶解した可溶体が移動し、配線板内の他の
電子機器に悪影響を与える可能性がある。また、溶解し
た可溶体が他の電子機器に悪影響を与えないように、特
開昭６０−２２１９２３号のようにスルーホール内に可
溶体を形成する場合、ヒューズ体をあとから埋め込んで
形成するため量産性に劣る。これを避けるため、セラミ
ックシートとの一体焼成で作製しようとすると導体はＷ
、Ｍｏ、Ｐｔ等の高融点金属に限られ、また、形成でき
るスルーホールも直径が最小で０．２ｍｍと可溶体とす
るには太過ぎるため、低電流で溶断する可溶体をスルー
ホール内部に形成するのは不可能である。また、焼成し
たセラミック基板のスルーホールにスクリーン印刷等で
導体ペーストを埋め込んでから焼き付ける方法やめっき
法で導体を形成する方法でもやはりスルーホールの直径
を０．２ｍｍ以下にすることは難しく、Ｃｕペーストや
Ａｇペーストを使用しても小電流で溶断する可溶体を形
成するのは難しい。
【０００４】本発明はかかるチップ型ヒューズの欠点を
改良し、安全性と量産性に優れ、低電流でも溶断するチ
ップ型ヒューズを提供するものである。
改良し、安全性と量産性に優れ、低電流でも溶断するチ
ップ型ヒューズを提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、化学切削性感
光性ガラス板（以下、感光性ガラスと呼ぶ）に設けたス
ルーホールに導電性可溶体及び板の両側に該導電性可溶
体と接する電極を設けたチップ型ヒューズに関する。
光性ガラス板（以下、感光性ガラスと呼ぶ）に設けたス
ルーホールに導電性可溶体及び板の両側に該導電性可溶
体と接する電極を設けたチップ型ヒューズに関する。
【０００６】本発明で用いる感光性ガラスは光によって
化学切削性を有するようになるガラス板であればよく、
特に制限はないが、一般に紫外線による局部露光の後、
熱処理（一次熱処理）することで、フッ化水素酸に易溶
なメタ珪酸リチウムの結晶を生じ、フッ化水素酸で処理
した後に再度熱処理（二次熱処理）することでジ珪酸リ
チウムを生じるものが好適である。前記メタ珪酸リチウ
ムを生じさせた部分をフッ化水素酸で除いてスルーホー
ルを同時に多数形成する。スルーホールは直径０．１ｍ
ｍ以下であればチップ型ヒューズの導電性可溶体形成部
分として好適である。導電性可溶体の形成は、スルーホ
ールを形成したガラスを二次熱処理してジ珪酸リチウム
を生じた後、フッ化水素酸を含んだ水溶液で表面粗化し
てから、銅、ニッケル等の金属をメッキし、メッキ膜を
パターンエッチングして可溶体と電極を同時に得る。
化学切削性を有するようになるガラス板であればよく、
特に制限はないが、一般に紫外線による局部露光の後、
熱処理（一次熱処理）することで、フッ化水素酸に易溶
なメタ珪酸リチウムの結晶を生じ、フッ化水素酸で処理
した後に再度熱処理（二次熱処理）することでジ珪酸リ
チウムを生じるものが好適である。前記メタ珪酸リチウ
ムを生じさせた部分をフッ化水素酸で除いてスルーホー
ルを同時に多数形成する。スルーホールは直径０．１ｍ
ｍ以下であればチップ型ヒューズの導電性可溶体形成部
分として好適である。導電性可溶体の形成は、スルーホ
ールを形成したガラスを二次熱処理してジ珪酸リチウム
を生じた後、フッ化水素酸を含んだ水溶液で表面粗化し
てから、銅、ニッケル等の金属をメッキし、メッキ膜を
パターンエッチングして可溶体と電極を同時に得る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【０００８】実施例１
０．５ｍｍ厚で６０ｍｍ×６０ｍｍの感光性ガラス（住
田光学ガラス製、ＰＳＧ−１）に、スルーホール及び分
割用スリットの形成部分に対応するところだけＣｒ蒸着
のない石英ガラスマスクを重ねて、オーク製作所製ガラ
ス基板用高精度露光装置ＯＲＣＨＭＷ−６６１Ｂ−１を
用いて紫外線を１０Ｊ／ｃｍ２照射した。次に該紫外線
露光したガラスを電気炉に入れ、一次熱処理として大気
中５４５℃で３時間保持して露光部分だけを結晶化させ
た。結晶化させた感光性ガラスを６重量％のＨＦ水溶液
に９０分間浸漬し、撹拌して結晶部分を溶解した。その
後洗浄、乾燥して再度熱処理用の電気炉に入れ、８１０
℃で２時間二次熱処理して１５μｍ幅のスリット、電極
用の直径０．８ｍｍのスルーホール及び可溶体形成用の
直径０．０５ｍｍのスルーホールを有するチップ型ヒュ
ーズ用基板を得た。次にこれらの基板を３０℃の４Ｎフ
ッ酸及び４Ｎ塩酸の混合水溶液に液を撹拌しながら１０
分間浸漬し、表面を粗化した。次いで流水洗浄後３０重
量％ＨＣｌ溶液に１分間浸漬し、増感剤（日立化成工業
製、ＨＳ−１０１Ｂ）に５分間浸漬後流水洗浄した。次
にこれを密着促進剤（日立化成工業製、ＡＤＰ−２０１
）に５分間浸漬し、浸漬後流水洗浄してから７０℃に加
熱した無電解メッキ浴（日立化成工業製、Ｌ−５９）に
１時間浸漬し、２μｍの銅メッキを施した。この後、感
光性レジスト（日立化成工業製、ＰＨＴ−８６２ＡＦ−
４０）を銅メッキ膜上に密着し、その上に電極及びヒュ
ーズ体のパターンに対応する部分露光用マスクを重ねて
１００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光後、１重量％の炭酸
ナトリウム水溶液でレジストを現像し、さらに塩化銅水
溶液で銅メッキ膜をエッチングし、レジストフィルムを
剥離し、スリット部から手分割して複数の図１（ａ）、
（ｂ）に示すチップ型ヒューズを得た。即ち図１の（ａ
）は斜視図、（ｂ）は側面断面図であり、図において１
は感光性ガラス、２は銅メッキ膜、３は可溶体形成用ス
ルーホール及び４は電極用スルーホールである。
田光学ガラス製、ＰＳＧ−１）に、スルーホール及び分
割用スリットの形成部分に対応するところだけＣｒ蒸着
のない石英ガラスマスクを重ねて、オーク製作所製ガラ
ス基板用高精度露光装置ＯＲＣＨＭＷ−６６１Ｂ−１を
用いて紫外線を１０Ｊ／ｃｍ２照射した。次に該紫外線
露光したガラスを電気炉に入れ、一次熱処理として大気
中５４５℃で３時間保持して露光部分だけを結晶化させ
た。結晶化させた感光性ガラスを６重量％のＨＦ水溶液
に９０分間浸漬し、撹拌して結晶部分を溶解した。その
後洗浄、乾燥して再度熱処理用の電気炉に入れ、８１０
℃で２時間二次熱処理して１５μｍ幅のスリット、電極
用の直径０．８ｍｍのスルーホール及び可溶体形成用の
直径０．０５ｍｍのスルーホールを有するチップ型ヒュ
ーズ用基板を得た。次にこれらの基板を３０℃の４Ｎフ
ッ酸及び４Ｎ塩酸の混合水溶液に液を撹拌しながら１０
分間浸漬し、表面を粗化した。次いで流水洗浄後３０重
量％ＨＣｌ溶液に１分間浸漬し、増感剤（日立化成工業
製、ＨＳ−１０１Ｂ）に５分間浸漬後流水洗浄した。次
にこれを密着促進剤（日立化成工業製、ＡＤＰ−２０１
）に５分間浸漬し、浸漬後流水洗浄してから７０℃に加
熱した無電解メッキ浴（日立化成工業製、Ｌ−５９）に
１時間浸漬し、２μｍの銅メッキを施した。この後、感
光性レジスト（日立化成工業製、ＰＨＴ−８６２ＡＦ−
４０）を銅メッキ膜上に密着し、その上に電極及びヒュ
ーズ体のパターンに対応する部分露光用マスクを重ねて
１００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光後、１重量％の炭酸
ナトリウム水溶液でレジストを現像し、さらに塩化銅水
溶液で銅メッキ膜をエッチングし、レジストフィルムを
剥離し、スリット部から手分割して複数の図１（ａ）、
（ｂ）に示すチップ型ヒューズを得た。即ち図１の（ａ
）は斜視図、（ｂ）は側面断面図であり、図において１
は感光性ガラス、２は銅メッキ膜、３は可溶体形成用ス
ルーホール及び４は電極用スルーホールである。
【０００９】比較例
直径０．２ｍｍのスルーホール及び電極用の直径０．８
ｍｍのスルーホールを開孔した０．６３５ｍｍ厚で６０
ｍｍ×６０ｍｍの９６％アルミナ基板を日立化成工業製
脱脂液ＨＣＲ−２０１で洗浄、水洗、乾燥後３５０℃に
加熱したＮａＯＨ融液中で５分間浸漬して粗化した。こ
の基板を濃度１０重量％のＨ２ＳＯ４溶液中に５分間浸
漬した後水洗してアルミナ表面を中和した。次に実施例
と同様の条件で銅メッキ、フォトマスク形成、エッチン
グを行なった後にダイヤモンドブレーキで切削分割して
図１と同形状のアルミナ基板を用いたチップ型ヒューズ
を得た。
ｍｍのスルーホールを開孔した０．６３５ｍｍ厚で６０
ｍｍ×６０ｍｍの９６％アルミナ基板を日立化成工業製
脱脂液ＨＣＲ−２０１で洗浄、水洗、乾燥後３５０℃に
加熱したＮａＯＨ融液中で５分間浸漬して粗化した。こ
の基板を濃度１０重量％のＨ２ＳＯ４溶液中に５分間浸
漬した後水洗してアルミナ表面を中和した。次に実施例
と同様の条件で銅メッキ、フォトマスク形成、エッチン
グを行なった後にダイヤモンドブレーキで切削分割して
図１と同形状のアルミナ基板を用いたチップ型ヒューズ
を得た。
【００１０】実施例２
実施例１と全く同様にして１５μｍ幅のスリット、電極
用の直径０．８ｍｍのスルーホール及び可溶体形成用の
直径０．１ｍｍのスルーホールを有するチップ型ヒュー
ズ用の基板を得、更に実施例１と同様に銅メッキ、フォ
トリソグラフィ、エッチングをしてチップ型ヒューズを
得た。
用の直径０．８ｍｍのスルーホール及び可溶体形成用の
直径０．１ｍｍのスルーホールを有するチップ型ヒュー
ズ用の基板を得、更に実施例１と同様に銅メッキ、フォ
トリソグラフィ、エッチングをしてチップ型ヒューズを
得た。
【００１１】実施例及び比較例のチップ型ヒューズに２
Ａ、４Ａ、８Ａの電流をそれぞれ流した時の溶断に至る
までの時間を表１に示した。表１から、実施例のものは
試験した電流で短時間に溶断しているが、比較例のもの
は速断性に劣る。
Ａ、４Ａ、８Ａの電流をそれぞれ流した時の溶断に至る
までの時間を表１に示した。表１から、実施例のものは
試験した電流で短時間に溶断しているが、比較例のもの
は速断性に劣る。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【発明の効果】本発明のチップ型ヒューズは、安全性及
び量産性に優れ、低電流でも溶断する長所がある。
び量産性に優れ、低電流でも溶断する長所がある。
【図１】本発明の実施例になるチップ型ヒューズで（ａ
）は斜視図、（ｂ）は側面断面図である。
）は斜視図、（ｂ）は側面断面図である。
１ 感光性ガラス
２ 電極
３ 可溶体形成用スルーホール
４ 電極用スルーホール
Claims (1)
- 【請求項１】 化学切削性感光性ガラス板に設けたス
ルーホールに導電性可溶体及び板の両側に該導電性可溶
体と接する電極を設けたチップ型ヒューズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1006291A JPH04245131A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | チップ型ヒューズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1006291A JPH04245131A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | チップ型ヒューズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04245131A true JPH04245131A (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=11739898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1006291A Pending JPH04245131A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | チップ型ヒューズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04245131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH076684A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-10 | Sony Chem Corp | ヒューズ抵抗組成物及びヒューズ抵抗器 |
-
1991
- 1991-01-30 JP JP1006291A patent/JPH04245131A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH076684A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-10 | Sony Chem Corp | ヒューズ抵抗組成物及びヒューズ抵抗器 |
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