JPH04243169A - ＣｕＩｎＳｅ２ 薄膜の形成方法 - Google Patents
ＣｕＩｎＳｅ２ 薄膜の形成方法Info
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- JPH04243169A JPH04243169A JP3004076A JP407691A JPH04243169A JP H04243169 A JPH04243169 A JP H04243169A JP 3004076 A JP3004076 A JP 3004076A JP 407691 A JP407691 A JP 407691A JP H04243169 A JPH04243169 A JP H04243169A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光エネルギーを半導体
接合により電気エネルギーに変換する太陽電池の光電変
換層の形成に用いられるＣｕＩｎＳｅ２薄膜の形成方法
に関する。
接合により電気エネルギーに変換する太陽電池の光電変
換層の形成に用いられるＣｕＩｎＳｅ２薄膜の形成方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣｕＩｎＳｅ２ （ 以下ＣＩＳと略す
） は直接遷移型のバンド構造を持ち、そのバンドギャ
ップが約１ｅＶであってシリコンのバンドギャップ１．
７ｅＶより小さいことから、太陽光スペクトルを長波長
側まで有効に活用できるため、高効率の太陽電池として
期待されている。またＣｕ／Ｉｎの組成比 （＝Ｘ，
以下Ｘと略す）で伝導型が制御できるため、ＰＮ接合形
成が容易である。 このような利点により、現在活発な研究開発が行われて
いる。
） は直接遷移型のバンド構造を持ち、そのバンドギャ
ップが約１ｅＶであってシリコンのバンドギャップ１．
７ｅＶより小さいことから、太陽光スペクトルを長波長
側まで有効に活用できるため、高効率の太陽電池として
期待されている。またＣｕ／Ｉｎの組成比 （＝Ｘ，
以下Ｘと略す）で伝導型が制御できるため、ＰＮ接合形
成が容易である。 このような利点により、現在活発な研究開発が行われて
いる。
【０００３】ＣＩＳを用いた太陽電池でよく知られてい
るのは、光入射側の窓層にバンドギャップ２．４ｅＶの
ＣｄＳを用いてヘテロ接合を形成したものである。
るのは、光入射側の窓層にバンドギャップ２．４ｅＶの
ＣｄＳを用いてヘテロ接合を形成したものである。
【０００４】従来のこの種の太陽電池ではＣＩＳ薄膜を
形成するために、銅， インジウム，セレンをガラス基
板の一面上のＭｏ層等の上に各々層状に形成し、その後
に加熱して形成する二段階固相セレン化法や、セレン源
としてセレン化水素 （ＳｅＨ２ ） などを用い、Ｓ
ｅ含有その雰囲気中で銅・インジウム積層膜を加熱する
ことにより作製する二段階気相セレン化法、あるいはこ
れらとは異なり、各々の元素を含むソースより蒸着、ス
パッタリングで同時に基板上に膜形成を行う三源同時蒸
着法が知られている。
形成するために、銅， インジウム，セレンをガラス基
板の一面上のＭｏ層等の上に各々層状に形成し、その後
に加熱して形成する二段階固相セレン化法や、セレン源
としてセレン化水素 （ＳｅＨ２ ） などを用い、Ｓ
ｅ含有その雰囲気中で銅・インジウム積層膜を加熱する
ことにより作製する二段階気相セレン化法、あるいはこ
れらとは異なり、各々の元素を含むソースより蒸着、ス
パッタリングで同時に基板上に膜形成を行う三源同時蒸
着法が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】太陽電池に適用するＣ
ＩＳ薄膜を形成しようとする場合、組成制御性と薄膜の
結晶性の２点が非常に重要なポイントとなる。１点目の
組成制御性については、ＣＩＳが三元化合物であり、膜
の電気的あるいは光学的特性が組成により大きく変化す
ることが広く知られていることから当然厳密に制御する
必要がある。但し三成分のうちＳｅについては、比較的
低温でも高い蒸気圧を持ち、したがって膜形成時に化学
量論的組成から求められる量よりも過剰に供給しておく
とＣＩＳ膜の中に取り込まれなかった余分のＳｅは再蒸
発により除去されるため、Ｓｅ量が不足にならないよう
に注意すれば厳密に量のコントロールをする必要はない
。これに対してＣｕとＩｎの原子数の比 （以下Ｃｕ／
Ｉｎと略す） は厳密に制御する必要がある。一般に、
太陽電池に適用する場合Ｃｕ／Ｉｎ≒１が良いが、Ｃｕ
／Ｉｎ＞１即ちＣｕ過剰となるとＣＩＳカルコパイライ
ト相の他に異相としてＣｕのＳｅ化物の相があらわれ、
接合特性が損なわれ良好な太陽電池が得られなくなるこ
とはよく知られている。したがって一般に接合を形成す
るＣＩＳ膜はＣｕ／Ｉｎ＜１となるように形成されるの
が一般的である。
ＩＳ薄膜を形成しようとする場合、組成制御性と薄膜の
結晶性の２点が非常に重要なポイントとなる。１点目の
組成制御性については、ＣＩＳが三元化合物であり、膜
の電気的あるいは光学的特性が組成により大きく変化す
ることが広く知られていることから当然厳密に制御する
必要がある。但し三成分のうちＳｅについては、比較的
低温でも高い蒸気圧を持ち、したがって膜形成時に化学
量論的組成から求められる量よりも過剰に供給しておく
とＣＩＳ膜の中に取り込まれなかった余分のＳｅは再蒸
発により除去されるため、Ｓｅ量が不足にならないよう
に注意すれば厳密に量のコントロールをする必要はない
。これに対してＣｕとＩｎの原子数の比 （以下Ｃｕ／
Ｉｎと略す） は厳密に制御する必要がある。一般に、
太陽電池に適用する場合Ｃｕ／Ｉｎ≒１が良いが、Ｃｕ
／Ｉｎ＞１即ちＣｕ過剰となるとＣＩＳカルコパイライ
ト相の他に異相としてＣｕのＳｅ化物の相があらわれ、
接合特性が損なわれ良好な太陽電池が得られなくなるこ
とはよく知られている。したがって一般に接合を形成す
るＣＩＳ膜はＣｕ／Ｉｎ＜１となるように形成されるの
が一般的である。
【０００６】２点目の結晶性については、結晶粒界にお
けるキャリアの再結合の影響を少なくするために大きな
結晶粒を成長させることが望ましいことはＣＩＳに限ら
ず多結晶体の場合には当然であるが、ＣＩＳの場合Ｃｕ
／Ｉｎ＞１とするとＣｕ／Ｉｎ＜１に比べて大きな結晶
となることがいくつかの研究機関から報告されて公知と
なっており、また発明者らの実験結果でも同様の結果が
得られている。しかしながら前述したように、Ｃｕ／Ｉ
ｎ＞１となるとＣｕのＳｅ化物からなる異相があらわれ
接合特性が損なわれるためにＣｕ／Ｉｎ＞１とすること
はできず、またいずれにせよＣｕ／Ｉｎ比を厳密に制御
する必要があるために各種蒸着速度モニタなどの制御系
が複雑になり、かつ得られるＣＩＳ膜の再現性が悪いな
どの問題点があった。
けるキャリアの再結合の影響を少なくするために大きな
結晶粒を成長させることが望ましいことはＣＩＳに限ら
ず多結晶体の場合には当然であるが、ＣＩＳの場合Ｃｕ
／Ｉｎ＞１とするとＣｕ／Ｉｎ＜１に比べて大きな結晶
となることがいくつかの研究機関から報告されて公知と
なっており、また発明者らの実験結果でも同様の結果が
得られている。しかしながら前述したように、Ｃｕ／Ｉ
ｎ＞１となるとＣｕのＳｅ化物からなる異相があらわれ
接合特性が損なわれるためにＣｕ／Ｉｎ＞１とすること
はできず、またいずれにせよＣｕ／Ｉｎ比を厳密に制御
する必要があるために各種蒸着速度モニタなどの制御系
が複雑になり、かつ得られるＣＩＳ膜の再現性が悪いな
どの問題点があった。
【０００７】本発明の目的は、上述の問題を解決し、大
きな結晶粒に成長させて結晶性をよくすると共に、Ｃｕ
のＳｅ化物からなる異相の発生を無くして接合特性を良
好にするＣＩＳ薄膜の形成方法を提供することにある。
きな結晶粒に成長させて結晶性をよくすると共に、Ｃｕ
のＳｅ化物からなる異相の発生を無くして接合特性を良
好にするＣＩＳ薄膜の形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のＣＩＳ薄膜の形成方法は、ＣＩＳ多結晶
薄膜を膜中のＣｕの原子数がＩｎの原子数を上回る条件
で基板上に形成し、次いでその多結晶薄膜面に対してス
パッタエッチングするものとする。そして多結晶薄膜の
形成は、三源同時蒸着法によっても、二段階固相セレン
化法あるいは二段階気相セレン化法によってもよい。
めに、本発明のＣＩＳ薄膜の形成方法は、ＣＩＳ多結晶
薄膜を膜中のＣｕの原子数がＩｎの原子数を上回る条件
で基板上に形成し、次いでその多結晶薄膜面に対してス
パッタエッチングするものとする。そして多結晶薄膜の
形成は、三源同時蒸着法によっても、二段階固相セレン
化法あるいは二段階気相セレン化法によってもよい。
【０００９】
【作用】Ｃｕ／Ｉｎ＞１となるように基板上にＣＩＳ多
結晶薄膜を形成すれば粒径の大きな結晶を成長させるこ
とができ、この時に余剰のＣｕによって生ずるＣｕのＳ
ｅ化物は、そのあと多結晶薄膜面をスパッタエッチング
することによって取除かれるため、良好な膜質のＣＩＳ
薄膜を形成できる。
結晶薄膜を形成すれば粒径の大きな結晶を成長させるこ
とができ、この時に余剰のＣｕによって生ずるＣｕのＳ
ｅ化物は、そのあと多結晶薄膜面をスパッタエッチング
することによって取除かれるため、良好な膜質のＣＩＳ
薄膜を形成できる。
【００１０】
【実施例】次に本発明を実施例に基づいて説明する。図
１（ａ）， （ｂ）に本発明の一実施例のＣＩＳ薄膜形
成過程を概念的に示す。まず充分洗浄したガラス基板１
上に１〜２μｍの厚さのＭｏ層２をスパッタ法により形
成する。 次に４００ ℃の温度に保持したこの基板１の上にＣｕ
， Ｉｎ， Ｓｅを蒸着法により同時蒸着 （あるいは
スパッタ） するとＣＩＳ結晶粒３からなる多結晶膜が
形成される。 この時、Ｃｕ， Ｉｎ， Ｓｅの蒸着速度、すなわち基
板に到達する分子の数の比がＣｕ／Ｉｎ＞１，Ｓｅ／
（Ｉｎ＋Ｃｕ） ＞１となるようにする。この時点で得
られた膜の組成を分析するとＣｕ／Ｉｎ＞１， Ｓｅ／
（Ｉｎ＋Ｃｕ）≒１であり余分のＳｅ原子は再蒸発に
より膜から除去されていることがわかる。Ｃｕ原子のう
ち、ＣＩＳ結晶３の中に取り込まれなかった余分の原子
は、ＣｕのＳｅ化物４として膜中に残り、このままでは
ＣｄＳ膜と良好な接合を形成することができない。そこ
で、図（ａ） に示すこの状態で基板を一対の電極の陰
極側に置き、アルゴンガスを用いてプラズマを発生させ
、アルゴンイオンのスパッタ効果を利用して表面のエッ
チングを行うと、主として低密度のＣｕのＳｅ化物４が
選択的にエッチングされて図（ｂ） に示すような膜が
得られる。この膜を組成分析するとＣｕ／Ｉｎ≒１とい
う結果が得られた。そして導電型はｐ型であった。
１（ａ）， （ｂ）に本発明の一実施例のＣＩＳ薄膜形
成過程を概念的に示す。まず充分洗浄したガラス基板１
上に１〜２μｍの厚さのＭｏ層２をスパッタ法により形
成する。 次に４００ ℃の温度に保持したこの基板１の上にＣｕ
， Ｉｎ， Ｓｅを蒸着法により同時蒸着 （あるいは
スパッタ） するとＣＩＳ結晶粒３からなる多結晶膜が
形成される。 この時、Ｃｕ， Ｉｎ， Ｓｅの蒸着速度、すなわち基
板に到達する分子の数の比がＣｕ／Ｉｎ＞１，Ｓｅ／
（Ｉｎ＋Ｃｕ） ＞１となるようにする。この時点で得
られた膜の組成を分析するとＣｕ／Ｉｎ＞１， Ｓｅ／
（Ｉｎ＋Ｃｕ）≒１であり余分のＳｅ原子は再蒸発に
より膜から除去されていることがわかる。Ｃｕ原子のう
ち、ＣＩＳ結晶３の中に取り込まれなかった余分の原子
は、ＣｕのＳｅ化物４として膜中に残り、このままでは
ＣｄＳ膜と良好な接合を形成することができない。そこ
で、図（ａ） に示すこの状態で基板を一対の電極の陰
極側に置き、アルゴンガスを用いてプラズマを発生させ
、アルゴンイオンのスパッタ効果を利用して表面のエッ
チングを行うと、主として低密度のＣｕのＳｅ化物４が
選択的にエッチングされて図（ｂ） に示すような膜が
得られる。この膜を組成分析するとＣｕ／Ｉｎ≒１とい
う結果が得られた。そして導電型はｐ型であった。
【００１１】本実施例ではＣＩＳ膜の膜厚を光を吸収す
るに十分な１．５〜２μｍとし、結晶粒の大きさも膜厚
と同程度となっているが、何らかの理由によりさらに膜
厚を厚くする場合は結晶粒が膜厚方向に多段に重なり、
ＣｕのＳｅ化物の一部がこの間に入って表面に現れない
ことが起こり得る。この場合には一部のＣｕのＳｅ化物
はスパッタエッチングにより除去されずに膜中に残るこ
とになる。しかしながらＣｄＳとの接合に関与するのは
主として表面の結晶であり接合特性上ほとんど影響はな
い。またどうしても完全に除去する必要がある場合には
結晶成長とスパッタエッチングを交互に複数回繰り返す
ことも可能である。
るに十分な１．５〜２μｍとし、結晶粒の大きさも膜厚
と同程度となっているが、何らかの理由によりさらに膜
厚を厚くする場合は結晶粒が膜厚方向に多段に重なり、
ＣｕのＳｅ化物の一部がこの間に入って表面に現れない
ことが起こり得る。この場合には一部のＣｕのＳｅ化物
はスパッタエッチングにより除去されずに膜中に残るこ
とになる。しかしながらＣｄＳとの接合に関与するのは
主として表面の結晶であり接合特性上ほとんど影響はな
い。またどうしても完全に除去する必要がある場合には
結晶成長とスパッタエッチングを交互に複数回繰り返す
ことも可能である。
【００１２】図２に図１について述べた方法で形成した
ＣＩＳ薄膜を用いての太陽電池製作プロセスを示し、図
３に最終的に得られる太陽電池の断面構造を模式的に示
す。ｎ型ＣｄＳ膜５をスパッタエッチングを行ったあと
のｐ型ＣＩＳ膜３０の上に蒸着法により約０．３μｍの
厚さで形成し、さらにその上に透明電極としてＺｎＯ膜
６をスパッタ法により１μｍの厚さで形成した。表１に
得られた実施例のＣＩＳ薄膜を用いた太陽電池の特性を
従来例の太陽電池の特性と比較して示す。
ＣＩＳ薄膜を用いての太陽電池製作プロセスを示し、図
３に最終的に得られる太陽電池の断面構造を模式的に示
す。ｎ型ＣｄＳ膜５をスパッタエッチングを行ったあと
のｐ型ＣＩＳ膜３０の上に蒸着法により約０．３μｍの
厚さで形成し、さらにその上に透明電極としてＺｎＯ膜
６をスパッタ法により１μｍの厚さで形成した。表１に
得られた実施例のＣＩＳ薄膜を用いた太陽電池の特性を
従来例の太陽電池の特性と比較して示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】ここで従来例の太陽電池は図３におけるＣ
ＩＳ膜３０を次のように形成し、その他の部分は実施例
の太陽電池と同様に形成したものである。すなわち、Ｃ
ＩＳ膜３０の形成時において、Ｃｕ， Ｉｎ， Ｓｅの
蒸着速度 （基板に到達する分子の数）をＣｕ／Ｉｎ≦
１，Ｓｅ／ （Ｃｕ＋Ｉｎ） ＞１となるようにした。 この場合結晶粒の大きさはＣｕ／Ｉｎが小さくなるほど
小さく０．１〜１μｍ程度であり、ＣＩＳ膜３０は断面
方向に複数の結晶粒が積層した構造となる。なお表１に
は、比較のためにスパッタエッチングを行わないＣｕ／
Ｉｎ＞１のＣＩＳ膜を用いた太陽電池の特性も示した。
ＩＳ膜３０を次のように形成し、その他の部分は実施例
の太陽電池と同様に形成したものである。すなわち、Ｃ
ＩＳ膜３０の形成時において、Ｃｕ， Ｉｎ， Ｓｅの
蒸着速度 （基板に到達する分子の数）をＣｕ／Ｉｎ≦
１，Ｓｅ／ （Ｃｕ＋Ｉｎ） ＞１となるようにした。 この場合結晶粒の大きさはＣｕ／Ｉｎが小さくなるほど
小さく０．１〜１μｍ程度であり、ＣＩＳ膜３０は断面
方向に複数の結晶粒が積層した構造となる。なお表１に
は、比較のためにスパッタエッチングを行わないＣｕ／
Ｉｎ＞１のＣＩＳ膜を用いた太陽電池の特性も示した。
【００１５】実施例の太陽電池は、従来例の太陽電池に
比べて変換効率が向上しているが、これは主として曲線
因子の向上によるもので、結晶粒の成長により粒界の効
果が減少し、太陽電池の内部抵抗が減少する効果による
ものである。またＣｕ／Ｉｎ＞１でスパッタエッチング
を行わないものは極めて変換効率が低い。これは異相で
あるＣｕのＳｅ化物から生ずる多数のキャリアにより接
合界面に空乏層が広がらず良好なＰＮ接合が形成されな
いためと考えられる。
比べて変換効率が向上しているが、これは主として曲線
因子の向上によるもので、結晶粒の成長により粒界の効
果が減少し、太陽電池の内部抵抗が減少する効果による
ものである。またＣｕ／Ｉｎ＞１でスパッタエッチング
を行わないものは極めて変換効率が低い。これは異相で
あるＣｕのＳｅ化物から生ずる多数のキャリアにより接
合界面に空乏層が広がらず良好なＰＮ接合が形成されな
いためと考えられる。
【００１６】以上、ＣＩＳ多結晶薄膜を真空蒸着による
同時蒸着法で形成した実施例について述べたが、Ｃｕ，
Ｉｎ， Ｓｅの同時スパッタによる三源同時蒸着法、
あるいはＣｕ， Ｉｎ， Ｓｅ薄膜を蒸着あるいはスパ
ッタにより積層したのち加熱する二段階固相セレン化法
、もしくはＣｕ，Ｉｎ薄膜を積層したのちＳｅＨ２ 含
有雰囲気中で加熱する二段階気相セレン化法によって形
成してもよい。
同時蒸着法で形成した実施例について述べたが、Ｃｕ，
Ｉｎ， Ｓｅの同時スパッタによる三源同時蒸着法、
あるいはＣｕ， Ｉｎ， Ｓｅ薄膜を蒸着あるいはスパ
ッタにより積層したのち加熱する二段階固相セレン化法
、もしくはＣｕ，Ｉｎ薄膜を積層したのちＳｅＨ２ 含
有雰囲気中で加熱する二段階気相セレン化法によって形
成してもよい。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、Ｃｕ／Ｉｎ＞１の組成
を持つ結晶粒径の大きなＣＩＳの多結晶薄膜を形成する
工程とスパッタエッチングによりＣＩＳ多結晶のＣｕの
Ｓｅ化物からなる異相を除去する工程を組み合わせるこ
とにより、結晶粒径が大きくて接合特性を損なう異相の
ないＣＩＳ薄膜を得ることができ太陽電池特性が向上す
る。また同時に、この方法はＣＩＳの多結晶膜を三源同
時蒸着法， 二段階セレン化法のいずれによってもよく
、多結晶膜の形成時にＣｕとＩｎの比率を厳密に制御す
る必要がなくなるため製造が非常に簡単になり、製造時
の再現性が大幅に良くなって製造歩留まりが向上する。
を持つ結晶粒径の大きなＣＩＳの多結晶薄膜を形成する
工程とスパッタエッチングによりＣＩＳ多結晶のＣｕの
Ｓｅ化物からなる異相を除去する工程を組み合わせるこ
とにより、結晶粒径が大きくて接合特性を損なう異相の
ないＣＩＳ薄膜を得ることができ太陽電池特性が向上す
る。また同時に、この方法はＣＩＳの多結晶膜を三源同
時蒸着法， 二段階セレン化法のいずれによってもよく
、多結晶膜の形成時にＣｕとＩｎの比率を厳密に制御す
る必要がなくなるため製造が非常に簡単になり、製造時
の再現性が大幅に良くなって製造歩留まりが向上する。
【図１】本発明の一実施例の過程を（ａ）， （ｂ）の
順に概念的に示す断面図
順に概念的に示す断面図
【図２】本発明の一実施例のＣＩＳ膜を用いる太陽電池
製造の工程図
製造の工程図
【図３】図２の工程で製造される太陽電池の断面図
１ ガラス基板
２ Ｍｏ層
３ ＣＩＳ結晶粒
４ ＣｕのＳｅ化物
Claims (4)
- 【請求項１】ＣｕＩｎＳｅ２ 多結晶薄膜を、膜中のＣ
ｕの原子数がＩｎの原子数を上回る条件で基板上に形成
し、次いでその多結晶薄膜面に対してスパッタエッチン
グすることを特徴とするＣｕＩｎＳｅ２ 薄膜の形成方
法。 - 【請求項２】請求項１記載の方法において、加熱した基
板上にＣｕ， ＩｎおよびＳｅを同時に蒸着してＣｕＩ
ｎＳｅ２ 多結晶薄膜を形成するＣｕＩｎＳｅ２薄膜の
形成方法。 - 【請求項３】請求項１記載の方法において、基板上にＣ
ｕ， ＩｎおよびＳｅの各層を蒸着して積層したのち加
熱してＣｕＩｎＳｅ２ 多結晶薄膜を形成するＣｕＩｎ
Ｓｅ２ 薄膜の形成方法。 - 【請求項４】請求項１記載の方法において、基板上にＣ
ｕおよびＳｅの蒸着して積層したのち、Ｓｅ含有雰囲気
中で加熱してＣｕＩｎＳｅ２ 多結晶薄膜を形成するＣ
ｕＩｎＳｅ２ 薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3004076A JPH04243169A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | ＣｕＩｎＳｅ２ 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3004076A JPH04243169A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | ＣｕＩｎＳｅ２ 薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04243169A true JPH04243169A (ja) | 1992-08-31 |
Family
ID=11574714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3004076A Pending JPH04243169A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | ＣｕＩｎＳｅ２ 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04243169A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012222006A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Tdk Corp | 太陽電池、及び太陽電池の製造方法 |
-
1991
- 1991-01-18 JP JP3004076A patent/JPH04243169A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012222006A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Tdk Corp | 太陽電池、及び太陽電池の製造方法 |
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