JPH04242950A - パターン認識方法 - Google Patents

パターン認識方法

Info

Publication number
JPH04242950A
JPH04242950A JP3000243A JP24391A JPH04242950A JP H04242950 A JPH04242950 A JP H04242950A JP 3000243 A JP3000243 A JP 3000243A JP 24391 A JP24391 A JP 24391A JP H04242950 A JPH04242950 A JP H04242950A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
area
camera
image
inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3000243A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Kobayashi
小　林　弘　明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP3000243A priority Critical patent/JPH04242950A/ja
Priority to KR1019910024097A priority patent/KR960006192B1/ko
Priority to EP19920100141 priority patent/EP0494635A3/en
Publication of JPH04242950A publication Critical patent/JPH04242950A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/10—Image acquisition
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/20—Special algorithmic details
    • G06T2207/20021—Dividing image into blocks, subimages or windows
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパターン認識方法に係わ
り、特にダイボンディング又はワイヤボンディングを行
う際に、半導体チップやリードフレームの位置等を検出
したり、ボンディングの良否やペレットの良否を判定し
たりするのに好適な方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイボンディング又はワイヤボンディン
グを行う前後に、ボンディングの良否判定やペレットの
良否、半導体チップやリードフレームの位置等をパター
ン認識する必要がある。
【０００３】表１に、ダイボンディングを実行してその
良否を判定するために必要な検査項目と、検査の目的、
パターン認識すべき範囲、及び必要な画像の分解能を示
す。
【０００４】
【表１】 この表１に示されたように、ダイボンディングを実行し
てその良否を判定するためには、多くの検査を行う必要
がある。そして、検査項目によって認識領域の大きさや
分解能が異なっている。例えば、検査項目（１）として
ダイペレット位置のずれを検出する場合、あるいは検査
項目（４）としてリードフレームの位置ずれを検出する
場合には２．５×２ｍｍ２　の領域をカバーしなければ
ならず、分解能としては１ビット当り７．５μｍの分解
能が要求される。ところが、検査項目（２）としてダイ
ペレットのかけやわれの有無、あるいはパターンが形成
されておらず表面がミラーのように反射する不良のペレ
ットを検出する場合には、検査項目（１）よりも大きい
５×３〜１０×６ｍｍ２　の領域をカバーする必要があ
る。そしてこの検査では、１５μｍ／ｂｉｔ　の分解能
が要求される。検査項目（３）では、電気的特性が不良
のダイペレットに付けられる不良マークの検出を行う。 この検査では、不良マークの大きさに関連して５×３ｍ
ｍの認識範囲が必要であり、分解能としては３０μｍ／
ｂｉｔで足りる。検査項目（５）では、ダイボンディン
グ位置のずれを検出し、認識範囲は２．５×２ｍｍで分
解能は７．５μｍ／ｂｉｔ　が要求される。また検査項
目（６）ではペースト塗布位置の検出が行われ、５×３
〜１５×９ｍｍの認識範囲を１５μｍ／ｂｉｔ　の分解
能で検出する。検査項目（７）ではペースト塗布面積の
検出を、５×３〜１５×９ｍｍの範囲で３０μｍ／ｂｉ
ｔ　の分解能で行う必要がある。
【０００５】従来は、検査項目により認識すべき対象物
の大きさが異なることに対応できるように、光学倍率の
異なる光学鏡筒を複数用いたり、ズーム機能を備えた光
学鏡筒を用いて必要な分解能と認識範囲を確保していた
。例えば、高倍率のカメラ１台とズーム機能付きのカメ
ラ２台を用いてダイボンディングの検査を行っていた。 しかし、光学系の機構が複雑で重量が大きいため高速に
動作できず、検査時間が長くなるという問題があった。 また、複数のカメラの動作を制御しなければならないた
め、消費電力の増加を招いていた。さらに装置の占有ス
ペースが大きく、高価であるという問題もあった。 インプロセスで検査できるように光学系を制御するとな
ると、さらに複雑で高価なものとなる。
【０００６】またワイヤボンディングの位置認識は、従
来は次のようにして行われていた。図５に、寸法ｘ×ｙ
の認識すべきパターンマッチングエリア１ａを示す。カ
メラ視野領域は、Ｘ１×Ｙ１の大きさでパターンマッチ
ングエリア１ａよりも大きい。従って、パターンマッチ
ングエリア１ａの中心位置がカメラ視野領域の中心位置
ｃ９にあれば、カメラの視野の範囲内に収めることがで
きる。
【０００７】しかし、パターンマッチングエリア１ａの
位置がずれる場合もある。そこで、中心位置ｃ９がｘ方
向にΔｘ、ｙ方向にΔｙだけ大きくずれたパターンマッ
チングエリア１ｂも検出できるように、カメラを搭載し
た図示されていないＸＹテーブルを移動させる検出範囲
拡大機能が設けられている。これにより、カメラ視野領
域１ａの中心位置を、矢印ＡＡの方向に中心位置ｃ１〜
ｃ８をとるように順次移動させて、パターンマッチング
エリア１ａをより広い範囲から見付け出すことができる
。
【０００８】ところが、この機能ではカメラの視野領域
の中心位置ｃ９を移動させて目標物をさがすに過ぎず、
検査項目毎に異なる認識領域の大きさや分解能に対応す
ることはできなかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のパ
ターン認識方法によりダイボンディングの検査を行うと
、検査時間や検査コストの増大を招き、ワイヤボンディ
ングの位置計測では認識領域の大きさや分解能の相違に
対応できないという問題があった。
【００１０】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
、各々の検査や計測を低コストで実施することが可能な
パターン認識方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のパターン認識方
法は、カメラが認識可能な範囲を超えるパターンを認識
する際に、パターンを含む領域を分割する段階と、分割
された領域毎にカメラをパターンに平行に移動させて画
像を取り込む段階と、取り込んだ複数の画像を一つの画
像に合成してパターンの認識を行う段階とを備えたこと
を特徴としている。
【００１２】ここで、分割された領域毎にカメラをパタ
ーンに平行に移動させて画像を取り込む段階では、パタ
ーンの大きさと必要な分解能に応じて、画像の取り込み
密度を設定することを特徴としている。
【００１３】
【作用】カメラが認識可能な範囲を超えるパターンを認
識する際に、このパターンを含む領域を分割し、各領域
毎にカメラを移動させて画像を取り込み、取り込んだ複
数の画像を一つの画像に合成してパターンの認識を行う
ことにより、認識領域の大きさや分解能の異なる検査に
も一つの光学系により対応することができ、検査コスト
が低減される。
【００１４】分割されたパターンの領域毎にカメラを移
動させて画像を取り込む場合、パターンの大きさや必要
な分解能に応じて画像の取り込み密度を設定することで
、例えば認識すべき領域は大きいが分解能は低くてよい
場合には画像の取り込み密度を低下させることで画像処
理時間を短縮することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の一実施例によるパターン認識
方法について、図面を参照して説明する。本実施例では
、従来のパターン認識方法において用いられていたカメ
ラのうち、最も高い分解能を持った高倍率の光学系を移
動可能なＸ−Ｙステージに搭載して用いる。
【００１６】ダイボンディング検査として、例えば位置
ずれ検出（表１、検査項目（１））のように、高い分解
能を要求されるが認識範囲は狭い場合は、従来の場合と
同様にしてカメラの視野の領域内に目標物を取り込んで
検査を行う。目標物がずれた位置に搭載されており、カ
メラの視野の領域内にない場合はＸ−Ｙステージを駆動
させてカメラの視野を移動させて捜し、領域内に収めて
検査を行う。
【００１７】このように、認識範囲が狭い場合には従来
の場合と同様な手順で検査を行うことができる。しかし
、ダイペレットの不良マークの検出（表１、検査項目（
３））のように広い認識範囲を必要とする場合には、高
倍率の光学系を用いているためカメラの視野の範囲内に
収めることができない。このような検査については、次
のようにして行う。
【００１８】図１に、検査対象の例として不良マーク１
１と、寸法Ｘ１１×Ｙ１１のカメラ視野範囲を示す。不
良マーク１１は、カメラにより認識するとマークの箇所
が黒くとらえられ、他の領域が白くとらえられる。ペレ
ットの全面が黒か、又は全面が白かで判別しようとする
と、光量の変化やペレットの表面状態の変化に左右され
、誤って認識する虞れがある。そこで、白い領域内にと
らえられた黒い部分が、一定以上の大きさであった場合
に不良マークが存在すると判断するようにしている。
【００１９】先ず、予め寸法Ｃ×Ｄの不良マークよりも
十分に大きい寸法Ａ×Ｂの視野１２を定める。この視野
１２を例えば４つの視野１２ａ，１２ｂ，１２ｃ及び１
２ｄに分割する。各々の視野１２ａ〜１２ｄの中心ｃ１
１〜ｃ１４にカメラが位置するようにＸ−Ｙステージを
順に駆動し、４つの画像を取り込む。そして、４枚の絵
を張り合わせて１枚の絵とする要領で、寸法Ａ×Ｂの大
きさの画像を合成する。合成する際には、カメラの画素
数より十分に大きい容量の画像メモリを用いることが必
要となる。そして、合成された画像は視野１２の領域を
カバーしており、不良マーク１１の有無の検出が可能と
なる。
【００２０】ここで、合成して得られた画像を用いてパ
ターン認識を行うと、画素数が増加し画像メモリの容量
が増えた分だけ処理時間が長くなる。このことに関して
は、検査内容に応じて画素の密度を変えることで対処が
可能である。図２に、カメラを固定させた状態で、寸法
Ａ１×Ｂ１の画像を取り込んだ場合の画像メモリの構成
を模式的に示す。図中の「１」又は「０」は各セルに格
納された情報の内容を示している。横方法に８ｂｉｔ　
、縦方向に６ｂｉｔ　で全体で４８ｂｉｔ　の情報量で
処理される。
【００２１】図３は、本実施例のパターン認識方法を用
いてカメラを移動させ、複数の画像を合成して得られた
寸法Ａ２×Ｂ２の画像を取り込んだ画像メモリの構成を
模式的に示したものである。図２に示された場合と同様
の画素数で構成しようとすると、横方向に１６ｂｉｔ　
、縦方向に１２ｂｉｔ　で１９２ｂｉｔ　となって情報
量がかなり多くなる。これに対し、この図３のように１
つおきに情報を格納すると、横方向に８ｂｉｔ　、縦方
向に６ｂｉｔ　で全体で４８ｂｉｔ　となり、情報量は
４分の１に減少し、大幅に処理時間が短縮される。分解
能としては、図２に示された場合より２分の１に低下す
る。しかし、大きい領域を認識しなければならない検査
では、通常光学系の分解能を落として行われるのであり
、実用上支障はない。
【００２２】次に、本実施例によるパターン認識方法を
用いてペースト塗布位置の検査（表１，検査項目（６）
）、及び塗布面積の検査（検査項目（７））を行う場合
の手順について述べる。図４に、リードフレーム上に塗
布されたペースト２１を示す。このペースト２１の面積
の検査は全面積を求めるのではなく、周辺の４つの領域
Ｅ１　〜Ｅ４　における塗布の長さから推定して求めて
いる。Ｘ−Ｙステージを駆動して、カメラの視野の中心
が中心位置Ｃ２１からＣ２２，Ｃ２３，Ｃ２４へ順に移
動するようにする。カメラの視野の中心が、中心位置Ｃ
２１にあるときは領域Ｅ１　の画像が画像メモリに取り
込まれる。ペーストが塗布された部分は黒く認識され、
塗布されていない領域は白く認識される。これにより、
中心線ＣＬｙに沿う方向に黒く認識される領域の長さＰ
１２と、白く認識される領域の長さＰ１１とが求まる。 同様に、カメラの視野の中心が中心位置Ｃ２２にあると
きは、領域Ｆ２　の画像が画像メモリに取り込まれる。 そして中心線ＣＬｘに沿う方向に、黒く認識される領域
の長さＰ２２と、白く認識される領域の長さＰ２１とが
求められる。カメラが中心位置Ｃ２３へ移動すると、領
域Ｆ３　においてＣＬｙ方向に沿って黒く認識される領
域の長さＰ３２と、白く認識される領域の長さＰ３１と
が求められる。 カメラが中心位置Ｃ２４へ移動すると、領域Ｆ４　にお
いてＣＬｘ方向に沿って黒く認識される領域の長さＰ４
２と、白く認識される領域の長さＰ４１とが求められる
。
【００２３】このようにして、各領域Ｆ１　〜Ｆ４　毎
に、塗布された領域と塗布されていない領域の比率（Ｐ
１２：Ｐ１１，Ｐ２２：Ｐ２１，Ｐ３２：Ｐ３１，Ｐ４
２：Ｐ４１）がそれぞれ求まる。例えば、５０：５０の
比率が正常であるとすると、４０：６０のときは塗布領
域が１０％ずれていることがわかる。これから、ペース
トの塗布位置と塗布面積を求めて良否の判定を行うこと
ができる。
【００２４】本実施例によれば、各検査項目毎に異なる
認識領域の大きさや分解能に対しても、一つのカメラと
光学系により対応が可能である。このため、簡易で小型
の装置を用いてパターン認識することができ、検査コス
トを低減させることができる。
【００２５】上述した実施例は一例であり、本発明を限
定するものではない。例えば、認識すべきパターンの領
域を分割する数は任意に設定することができる。また、
分割した各領域の周辺部分が相互に重複しても、一つの
画像に合成する上で支障とはならない。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明のパターン認
識方法によれば、カメラが認識可能な範囲を超えるパタ
ーンを認識する際には、パターンの領域を分割し、各領
域毎にカメラを移動させて画像を取り込み、取り込んだ
複数の画像を一つの画像に合成してパターンの認識を行
うため、認識領域の大きさや分解能の異なる検査にも一
つの光学系で対応することができ、検査コストを低減す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によるパターン認識方法を用
いて不良マークを認識する場合の画像領域の分割及び合
成を示した説明図。
【図２】同実施例によるパターン認識方法を用いて認識
された画像情報を取り込む画像メモリの構成を示した模
式図。
【図３】同実施例によるパターン認識方法を用いて認識
された画像情報を取り込む画像メモリの構成を示した模
式図。
【図４】同実施例によるパターン認識方法を用いて塗布
されたペーストの位置及び面積を求める手順を示した説
明図。
【図５】従来のパターン認識方法を用いて検出範囲を拡
大させる場合の動作を示した説明図。
【符号の説明】
１１　　不良マーク １２　　画像領域 Ｃ１１　　カメラの中心位置 Ｃ１２　　カメラの中心位置 Ｃ１３　　カメラの中心位置 Ｃ１４　　カメラの中心位置 Ｅ１　　　画像領域 Ｅ２　　　画像領域 Ｅ３　　　画像領域 Ｅ４　　　画像領域

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】カメラが認識可能な範囲を超えるパターン
    を認識する際に、前記パターンを含む領域を分割する段
    階と、分割された前記領域毎にカメラを前記パターンに
    平行に移動させて画像を取り込む段階と、取り込んだ複
    数の前記画像を一つの画像に合成して前記パターンの認
    識を行う段階とを備えたことを特徴とするパターン認識
    方法。
  2. 【請求項２】分割された前記領域毎にカメラを前記パタ
    ーンに平行に移動させて画像を取り込む段階では、前記
    パターンの大きさと必要な分解能に応じて、画像の取り
    込み密度を設定することを特徴とする請求項１記載のパ
    ターン認識方法。
JP3000243A 1991-01-07 1991-01-07 パターン認識方法 Pending JPH04242950A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3000243A JPH04242950A (ja) 1991-01-07 1991-01-07 パターン認識方法
KR1019910024097A KR960006192B1 (ko) 1991-01-07 1991-12-24 패턴인식방법
EP19920100141 EP0494635A3 (en) 1991-01-07 1992-01-07 Pattern recognition method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3000243A JPH04242950A (ja) 1991-01-07 1991-01-07 パターン認識方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04242950A true JPH04242950A (ja) 1992-08-31

Family

ID=11468517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3000243A Pending JPH04242950A (ja) 1991-01-07 1991-01-07 パターン認識方法

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0494635A3 (ja)
JP (1) JPH04242950A (ja)
KR (1) KR960006192B1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332468A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 電子部品ピックアップ装置及びテーピング装置
JP2011099864A (ja) * 2010-12-03 2011-05-19 Hitachi High-Technologies Corp パターンマッチング装置およびそれを用いた半導体検査システム
JP2012204703A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Shindengen Electric Mfg Co Ltd ウェーハ外観検査装置、ウェーハ外観検査方法、及び半導体装置
CN104487826A (zh) * 2012-05-21 2015-04-01 奎斯质量检验系统和服务公司 用于检测将要应用于具有多个光学图像采集单元的基底的结构的方法及其装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6451761A (en) * 1987-08-24 1989-02-28 Hitachi Ltd Picture reader
JPH02195771A (ja) * 1989-01-24 1990-08-02 Olympus Optical Co Ltd 原稿走査読取り装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332468A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 電子部品ピックアップ装置及びテーピング装置
JP2011099864A (ja) * 2010-12-03 2011-05-19 Hitachi High-Technologies Corp パターンマッチング装置およびそれを用いた半導体検査システム
JP2012204703A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Shindengen Electric Mfg Co Ltd ウェーハ外観検査装置、ウェーハ外観検査方法、及び半導体装置
CN104487826A (zh) * 2012-05-21 2015-04-01 奎斯质量检验系统和服务公司 用于检测将要应用于具有多个光学图像采集单元的基底的结构的方法及其装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0494635A3 (en) 1993-10-13
EP0494635A2 (en) 1992-07-15
KR920015226A (ko) 1992-08-26
KR960006192B1 (ko) 1996-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930008773B1 (ko) 검사대상 패턴용 결함 검출방법 및 그 장치
US6198529B1 (en) Automated inspection system for metallic surfaces
KR900003202B1 (ko) 패턴 검사장치
JP6701118B2 (ja) 画像処理装置および画像処理方法
KR100997415B1 (ko) 화상 이치화 방법, 화상 처리 장치 및 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체
JPH04115144A (ja) 画像処理装置とそれを用いた自動光学検査装置
JP2004012325A (ja) 欠陥検査方法および欠陥検査装置
JP2000172843A (ja) 外観検査装置及び方法
KR960001824B1 (ko) 와이어 본딩 검사 장치
US6456318B1 (en) Defect inspection apparatus and method by comparing two pairs of areas adjacent to one another
JP4105809B2 (ja) 外観検査方法および外観検査装置
JP4649051B2 (ja) 検査画面の表示方法及び基板検査システム
JP4852516B2 (ja) 基板の検査方法及び基板の検査装置
JPH04242950A (ja) パターン認識方法
JP2000283929A (ja) 配線パターン検査方法及びその装置
JPH1031730A (ja) キャリブレーション方法
JPH0357241A (ja) 自動外観検査装置
JP2021117909A (ja) 三次元画像生成装置及び三次元画像生成方法
JPS61273088A (ja) 表面パタ−ン検査方法
JPS6315380A (ja) 繰返しパタ−ンをもつ物品の検査方法及びその装置
JPH08186808A (ja) 画像処理方法及びその装置
JPS6315141A (ja) 繰返しパタ−ンをもつ物品の検査方法及びその装置
WO2018146887A1 (ja) 外観検査装置
JP7377655B2 (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JPH0726915B2 (ja) 画像欠陥検出方法