JPH04241335A - メモリ・カード内蔵電池電圧低下警告機能付ディジタル電子スチル・カメラ - Google Patents
メモリ・カード内蔵電池電圧低下警告機能付ディジタル電子スチル・カメラInfo
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- JPH04241335A JPH04241335A JP3016055A JP1605591A JPH04241335A JP H04241335 A JPH04241335 A JP H04241335A JP 3016055 A JP3016055 A JP 3016055A JP 1605591 A JP1605591 A JP 1605591A JP H04241335 A JPH04241335 A JP H04241335A
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- RRLHMJHRFMHVNM-BQVXCWBNSA-N [(2s,3r,6r)-6-[5-[5-hydroxy-3-(4-hydroxyphenyl)-4-oxochromen-7-yl]oxypentoxy]-2-methyl-3,6-dihydro-2h-pyran-3-yl] acetate Chemical compound C1=C[C@@H](OC(C)=O)[C@H](C)O[C@H]1OCCCCCOC1=CC(O)=C2C(=O)C(C=3C=CC(O)=CC=3)=COC2=C1 RRLHMJHRFMHVNM-BQVXCWBNSA-N 0.000 description 1
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/00885—Power supply means, e.g. arrangements for the control of power supply to the apparatus or components thereof
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- H04N5/76—Television signal recording
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- H04N5/92—Transformation of the television signal for recording, e.g. modulation, frequency changing; Inverse transformation for playback
- H04N5/926—Transformation of the television signal for recording, e.g. modulation, frequency changing; Inverse transformation for playback by pulse code modulation
- H04N5/9261—Transformation of the television signal for recording, e.g. modulation, frequency changing; Inverse transformation for playback by pulse code modulation involving data reduction
- H04N5/9264—Transformation of the television signal for recording, e.g. modulation, frequency changing; Inverse transformation for playback by pulse code modulation involving data reduction using transform coding
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N2101/00—Still video cameras
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はデータ・バック・アッ
プのための内蔵電池を有するメモリ・カードに，撮影し
た被写体像を表わす画像データを記録するディジタル電
子スチル・カメラに関する。
プのための内蔵電池を有するメモリ・カードに，撮影し
た被写体像を表わす画像データを記録するディジタル電
子スチル・カメラに関する。
【０００２】
【従来の技術】ディジタル電子スチル・カメラは，被写
体像をＣＣＤなどの固体電子撮像素子で撮像しその映像
信号をディジタル・データに変換してメモリ・カードに
記録するものである。メモリ・カードには画像データを
記憶するメモリが設けられている。このメモリはＲＡＭ
等の揮発性メモリで構成されることが多いので，その動
作電源の供給が常に必要であり，そのためにメモリ・カ
ードにはメモリ・バック・アップ用の電池が内蔵されて
いる。この内蔵電池が消耗すると記憶されている画像デ
ータが消失してしまうので，内蔵電池の電圧チェックは
きわめて重要である。
体像をＣＣＤなどの固体電子撮像素子で撮像しその映像
信号をディジタル・データに変換してメモリ・カードに
記録するものである。メモリ・カードには画像データを
記憶するメモリが設けられている。このメモリはＲＡＭ
等の揮発性メモリで構成されることが多いので，その動
作電源の供給が常に必要であり，そのためにメモリ・カ
ードにはメモリ・バック・アップ用の電池が内蔵されて
いる。この内蔵電池が消耗すると記憶されている画像デ
ータが消失してしまうので，内蔵電池の電圧チェックは
きわめて重要である。
【０００３】一方，ディジタル電子スチル・カメラの普
及に伴ない複数種類のメモリ・カードが市場に出廻りつ
つあり，将来はより多くの種類のメモリ・カードが入手
できるようになると思われる。メモリ・カードの種類が
異なると，主メモリの種類，容量，アクセス・タイム，
製造メーカ，ピン配置，製造年月日，使用可能な電子装
置の機種等も異なる。そこで，これらのメモリ・カード
の互換性に関するデータをメモリ・カードの不揮発性メ
モリにあらかじめ記憶しておくことが提案されている（
たとえば特開昭６４−４４５５６ 号公報）。
及に伴ない複数種類のメモリ・カードが市場に出廻りつ
つあり，将来はより多くの種類のメモリ・カードが入手
できるようになると思われる。メモリ・カードの種類が
異なると，主メモリの種類，容量，アクセス・タイム，
製造メーカ，ピン配置，製造年月日，使用可能な電子装
置の機種等も異なる。そこで，これらのメモリ・カード
の互換性に関するデータをメモリ・カードの不揮発性メ
モリにあらかじめ記憶しておくことが提案されている（
たとえば特開昭６４−４４５５６ 号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】メモリ・カードのメモ
リ・バック・アップ用内蔵電池のチェック（バッテリィ
・チェック）のためには，内蔵電池がまだ使えるか，交
換すべきかどうかの判断の基準となるしきい値電圧をあ
らかじめ定めておく必要がある。このしきい値電圧はメ
モリ・カードの種類によって異なることがあり，一種類
のしきい値電圧では多くの種類のメモリ・カードに対応
できない。そして，多くの種類のメモリ・カードの内蔵
電池電圧低下の検出に適用可能なディジタル電子スチル
・カメラはまだ実現されていない。
リ・バック・アップ用内蔵電池のチェック（バッテリィ
・チェック）のためには，内蔵電池がまだ使えるか，交
換すべきかどうかの判断の基準となるしきい値電圧をあ
らかじめ定めておく必要がある。このしきい値電圧はメ
モリ・カードの種類によって異なることがあり，一種類
のしきい値電圧では多くの種類のメモリ・カードに対応
できない。そして，多くの種類のメモリ・カードの内蔵
電池電圧低下の検出に適用可能なディジタル電子スチル
・カメラはまだ実現されていない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明によるメモリ
・カード内蔵電池電圧低下警告機能付ディジタル電子ス
チル・カメラは，画像データを記憶する揮発性メモリと
，上記画像データのバック・アップのための内蔵電池と
，上記内蔵電池の電圧低下に対する警告に関するデータ
を記憶する不揮発性メモリとを備えたメモリ・カードが
装着されたことを検出するメモリ・カード装着検知手段
，上記メモリ・カード装着検知手段による装着検知に応
答して，装着されたメモリ・カードの内蔵電池の電圧を
検出する電圧検出手段，上記メモリ・カード装着検知手
段による装着検知に応答して，上記メモリ・カードの不
揮発性メモリに記憶されているデータを読取るデータ読
取手段，上記電圧検出手段によって検出された内蔵電池
電圧と上記データ読取手段によって読取られたデータか
ら得られるしきい値電圧とを比較する比較手段，および
上記比較手段の比較結果が内蔵電池電圧が上記しきい値
電圧よりも低いことを表わしているときに内蔵電池の電
圧低下を警告する警告手段を備えていることを特徴とす
る。
・カード内蔵電池電圧低下警告機能付ディジタル電子ス
チル・カメラは，画像データを記憶する揮発性メモリと
，上記画像データのバック・アップのための内蔵電池と
，上記内蔵電池の電圧低下に対する警告に関するデータ
を記憶する不揮発性メモリとを備えたメモリ・カードが
装着されたことを検出するメモリ・カード装着検知手段
，上記メモリ・カード装着検知手段による装着検知に応
答して，装着されたメモリ・カードの内蔵電池の電圧を
検出する電圧検出手段，上記メモリ・カード装着検知手
段による装着検知に応答して，上記メモリ・カードの不
揮発性メモリに記憶されているデータを読取るデータ読
取手段，上記電圧検出手段によって検出された内蔵電池
電圧と上記データ読取手段によって読取られたデータか
ら得られるしきい値電圧とを比較する比較手段，および
上記比較手段の比較結果が内蔵電池電圧が上記しきい値
電圧よりも低いことを表わしているときに内蔵電池の電
圧低下を警告する警告手段を備えていることを特徴とす
る。
【０００６】第２の発明によるメモリ・カード内蔵電池
電圧低下警告機能付ディジタル電子スチル・カメラは，
画像データを記憶する揮発性メモリと，上記画像データ
のバック・アップのための内蔵電池と，メモリ・カード
に関するデータを記憶する不揮発性メモリとを備えたメ
モリ・カードが装着されたことを検出するメモリ・カー
ド装着検知手段，上記メモリ・カード装着検知手段によ
る装着検知に応答して，装着されたメモリ・カードの内
蔵電池の電圧を検出する電圧検出手段，上記メモリ・カ
ード装着検知手段による装着検知に応答して，上記メモ
リ・カードの不揮発性メモリに記憶されているデータを
読取るデータ読取手段，メモリ・カードの内蔵電池電圧
の低下を警告するための予備的しきい値電圧を記憶する
記憶手段，装着されたメモリ・カードの不揮発性メモリ
から上記データ読取手段によって読取られたデータ中に
メモリ・カードの内蔵電池の電圧低下に対する警告のた
めのしきい値データが含まれているかどうかを判定する
手段，上記判定手段によりしきい値データが含まれてい
ると判定されたときにはそのしきい値データから得られ
るしきい値電圧と上記電圧検出手段によって検出された
内蔵電池電圧とを比較し，上記判定手段によりしきい値
データが含まれていないと判定されたときには上記予備
的しきい値電圧と上記電圧検出手段によって検出された
内蔵電池電圧とを比較する比較手段，および上記比較手
段の比較結果が内蔵電池電圧が上記しきい値電圧または
上記予備的しきい値電圧よりも低いことを表わしている
ときに内蔵電池の電圧低下を警告する警告手段を備えて
いることを特徴とする。
電圧低下警告機能付ディジタル電子スチル・カメラは，
画像データを記憶する揮発性メモリと，上記画像データ
のバック・アップのための内蔵電池と，メモリ・カード
に関するデータを記憶する不揮発性メモリとを備えたメ
モリ・カードが装着されたことを検出するメモリ・カー
ド装着検知手段，上記メモリ・カード装着検知手段によ
る装着検知に応答して，装着されたメモリ・カードの内
蔵電池の電圧を検出する電圧検出手段，上記メモリ・カ
ード装着検知手段による装着検知に応答して，上記メモ
リ・カードの不揮発性メモリに記憶されているデータを
読取るデータ読取手段，メモリ・カードの内蔵電池電圧
の低下を警告するための予備的しきい値電圧を記憶する
記憶手段，装着されたメモリ・カードの不揮発性メモリ
から上記データ読取手段によって読取られたデータ中に
メモリ・カードの内蔵電池の電圧低下に対する警告のた
めのしきい値データが含まれているかどうかを判定する
手段，上記判定手段によりしきい値データが含まれてい
ると判定されたときにはそのしきい値データから得られ
るしきい値電圧と上記電圧検出手段によって検出された
内蔵電池電圧とを比較し，上記判定手段によりしきい値
データが含まれていないと判定されたときには上記予備
的しきい値電圧と上記電圧検出手段によって検出された
内蔵電池電圧とを比較する比較手段，および上記比較手
段の比較結果が内蔵電池電圧が上記しきい値電圧または
上記予備的しきい値電圧よりも低いことを表わしている
ときに内蔵電池の電圧低下を警告する警告手段を備えて
いることを特徴とする。
【０００７】第３の発明は，データ・バック・アップの
ための内蔵電池を有するメモリ・カードに被写体像を表
わす画像データを記録するディジタル電子スチル・カメ
ラにおいて，複数種類のメモリ・カードに対応した複数
のしきい値電圧を記憶する記憶手段，ディジタル電子ス
チル・カメラに上記メモリ・カードが装着されたことに
伴ない上記メモリ・カードの内蔵電池電圧を検出する電
圧検出手段，ディジタル電子スチル・カメラに装着され
たメモリ・カードの種類を判定する判定手段，判定され
たメモリ・カードの種類に対応するしきい値電圧を上記
記憶手段から読取るしきい値電圧読取手段，上記しきい
値電圧読取手段によって読取られたしきい値電圧と上記
電圧検出手段によって検出された内蔵電池電圧とを比較
する比較手段，および上記比較手段の比較結果がメモリ
・カードの内蔵電池電圧が上記しきい値電圧よりも低い
ことを表わしているときに内蔵電池の電圧低下を警告す
る警告手段を備えていることを特徴とする。
ための内蔵電池を有するメモリ・カードに被写体像を表
わす画像データを記録するディジタル電子スチル・カメ
ラにおいて，複数種類のメモリ・カードに対応した複数
のしきい値電圧を記憶する記憶手段，ディジタル電子ス
チル・カメラに上記メモリ・カードが装着されたことに
伴ない上記メモリ・カードの内蔵電池電圧を検出する電
圧検出手段，ディジタル電子スチル・カメラに装着され
たメモリ・カードの種類を判定する判定手段，判定され
たメモリ・カードの種類に対応するしきい値電圧を上記
記憶手段から読取るしきい値電圧読取手段，上記しきい
値電圧読取手段によって読取られたしきい値電圧と上記
電圧検出手段によって検出された内蔵電池電圧とを比較
する比較手段，および上記比較手段の比較結果がメモリ
・カードの内蔵電池電圧が上記しきい値電圧よりも低い
ことを表わしているときに内蔵電池の電圧低下を警告す
る警告手段を備えていることを特徴とする。
【０００８】第４の発明は，データ・バック・アップの
ための内蔵電池を有するメモリ・カードに被写体像を表
わす画像データを記録するディジタル電子スチル・カメ
ラにおいて，上記内蔵電池の電圧低下に対する警告のた
めのしきい値電圧を入力する入力手段，ディジタル電子
スチル・カメラに上記メモリ・カードが装着されたこと
に伴ない上記メモリ・カードの内蔵電池電圧を検出する
電圧検出手段，上記入力手段によって入力されたしきい
値電圧と上記電圧検出手段によって読取られた内蔵電池
電圧とを比較する比較手段，および上記比較手段の比較
結果がメモリ・カードの内蔵電池電圧が上記しきい値電
圧よりも低いことを表わしているときに内蔵電池の電圧
低下を警告する警告手段を備えていることを特徴とする
。
ための内蔵電池を有するメモリ・カードに被写体像を表
わす画像データを記録するディジタル電子スチル・カメ
ラにおいて，上記内蔵電池の電圧低下に対する警告のた
めのしきい値電圧を入力する入力手段，ディジタル電子
スチル・カメラに上記メモリ・カードが装着されたこと
に伴ない上記メモリ・カードの内蔵電池電圧を検出する
電圧検出手段，上記入力手段によって入力されたしきい
値電圧と上記電圧検出手段によって読取られた内蔵電池
電圧とを比較する比較手段，および上記比較手段の比較
結果がメモリ・カードの内蔵電池電圧が上記しきい値電
圧よりも低いことを表わしているときに内蔵電池の電圧
低下を警告する警告手段を備えていることを特徴とする
。
【０００９】
【作用】第１の発明によると，メモリ・カードの不揮発
性メモリにメモリ・カードの内蔵電池の電圧低下に対す
る警告に関するデータが記憶されている。メモリ・カー
ドがディジタル電子スチル・カメラに装着されたときに
，装着されたメモリ・カードから内蔵電池の電圧低下に
対する警告に関するデータが読出されるとともに，内蔵
電池の電圧が検出される。メモリ・カードから読出され
た上記データから得られるしきい値電圧よりも検出され
た内蔵電池電圧の方が低ければ警告が行なわれる。
性メモリにメモリ・カードの内蔵電池の電圧低下に対す
る警告に関するデータが記憶されている。メモリ・カー
ドがディジタル電子スチル・カメラに装着されたときに
，装着されたメモリ・カードから内蔵電池の電圧低下に
対する警告に関するデータが読出されるとともに，内蔵
電池の電圧が検出される。メモリ・カードから読出され
た上記データから得られるしきい値電圧よりも検出され
た内蔵電池電圧の方が低ければ警告が行なわれる。
【００１０】第２の発明によると，メモリ・カードの不
揮発性メモリには，上述した互換性に関するデータを含
むメモリ・カードに関するデータがあらかじめ記憶され
ている。メモリ・カードがディジタル電子スチル・カメ
ラに装着されると，不揮発性メモリの上記データが読取
られるとともにメモリ・カードの内蔵電池の電圧が検出
される。メモリ・カードから読取られたデータ中に，メ
モリ・カードの内蔵電池の電圧低下に対する警告のため
のしきい値データが含まれていれば，このしきい値デー
タから得られるしきい値電圧と検出された内蔵電池電圧
とが比較される。メモリ・カードから読取られたデータ
中に内蔵電池の電圧低下に対する警告のためのしきい値
データが無い場合には，ディジタル電子スチル・カメラ
のメモリにあらかじめ設定されている予備的しきい値電
圧と，検出された内蔵電池電圧とが比較される。
揮発性メモリには，上述した互換性に関するデータを含
むメモリ・カードに関するデータがあらかじめ記憶され
ている。メモリ・カードがディジタル電子スチル・カメ
ラに装着されると，不揮発性メモリの上記データが読取
られるとともにメモリ・カードの内蔵電池の電圧が検出
される。メモリ・カードから読取られたデータ中に，メ
モリ・カードの内蔵電池の電圧低下に対する警告のため
のしきい値データが含まれていれば，このしきい値デー
タから得られるしきい値電圧と検出された内蔵電池電圧
とが比較される。メモリ・カードから読取られたデータ
中に内蔵電池の電圧低下に対する警告のためのしきい値
データが無い場合には，ディジタル電子スチル・カメラ
のメモリにあらかじめ設定されている予備的しきい値電
圧と，検出された内蔵電池電圧とが比較される。
【００１１】カメラのメモリには，メモリ・カードの種
類に応じて複数種類のしきい値電圧をあらかじめ設定し
ておき，メモリ・カードから読取ったデータによってメ
モリ・カードの種類を判定し，それに応じたしきい値電
圧を用いるようにすることが好ましい。
類に応じて複数種類のしきい値電圧をあらかじめ設定し
ておき，メモリ・カードから読取ったデータによってメ
モリ・カードの種類を判定し，それに応じたしきい値電
圧を用いるようにすることが好ましい。
【００１２】いずれにしても，検出された内蔵電池電圧
が上記しきい値電圧または予備的しきい値電圧よりも低
ければ警告が行なわれる。
が上記しきい値電圧または予備的しきい値電圧よりも低
ければ警告が行なわれる。
【００１３】第３の発明によると，ディジタル電子スチ
ル・カメラの記憶手段に複数種類のメモリ・カードに対
応した複数のしきい値電圧があらかじめ記憶されている
。メモリ・カードがディジタル電子スチル・カメラに装
着されるとメモリ・カードの種類が検出される。メモリ
・カードの種類の検出は，メモリ・カードの不揮発性メ
モリ領域にメモリ・カードの種類が記憶されているとき
にはそれを読取ることにより行なってもよいし，メモリ
・カードの種類を入力する入力手段を設けて操作者が入
力するようにしてもよい。メモリ・カードの種類が検出
されるとカードの種類に対応したしきい値電圧が記憶手
段から読出される。読出されたしきい値電圧とメモリ・
カードの内蔵電池電圧との比較により内蔵電池の電圧チ
ェックが行なわれる。
ル・カメラの記憶手段に複数種類のメモリ・カードに対
応した複数のしきい値電圧があらかじめ記憶されている
。メモリ・カードがディジタル電子スチル・カメラに装
着されるとメモリ・カードの種類が検出される。メモリ
・カードの種類の検出は，メモリ・カードの不揮発性メ
モリ領域にメモリ・カードの種類が記憶されているとき
にはそれを読取ることにより行なってもよいし，メモリ
・カードの種類を入力する入力手段を設けて操作者が入
力するようにしてもよい。メモリ・カードの種類が検出
されるとカードの種類に対応したしきい値電圧が記憶手
段から読出される。読出されたしきい値電圧とメモリ・
カードの内蔵電池電圧との比較により内蔵電池の電圧チ
ェックが行なわれる。
【００１４】第４の発明によると，メモリ・カードの内
蔵電池の電圧低下に対する警告のためのしきい値電圧を
入力するための入力手段がディジタル電子スチル・カメ
ラに含まれている。入力手段によって設定されるしきい
値電圧とメモリ・カードが装着されたときに検出された
内蔵電池の電圧とが比較され，これにより内蔵電池の電
圧チェックが行なわれる。
蔵電池の電圧低下に対する警告のためのしきい値電圧を
入力するための入力手段がディジタル電子スチル・カメ
ラに含まれている。入力手段によって設定されるしきい
値電圧とメモリ・カードが装着されたときに検出された
内蔵電池の電圧とが比較され，これにより内蔵電池の電
圧チェックが行なわれる。
【００１５】
【実施例】図１はこの発明の実施例を示すもので，撮影
した被写体像を表わす画像データをメモリ・カードに記
録するディジタル電子スチル・カメラの電気的構成を示
すブロック図である。
した被写体像を表わす画像データをメモリ・カードに記
録するディジタル電子スチル・カメラの電気的構成を示
すブロック図である。
【００１６】ディジタル電子スチル・カメラ２０にはコ
ネクタ９を介してメモリ・カード５０が着脱自在に装着
される。
ネクタ９を介してメモリ・カード５０が着脱自在に装着
される。
【００１７】ディジタル電子スチル・カメラ２０の全体
の動作はシステム・コントローラ２１によって統括され
る。
の動作はシステム・コントローラ２１によって統括され
る。
【００１８】このディジタル電子スチル・カメラ２０は
，メモリ・カード５０に内蔵された電池５１のバッテリ
ィ・チェックを行なうことができる。バッテリィ・チェ
ックはこの実施例では表示ＣＰＵ３０によって行なわれ
る。この表示ＣＰＵ３０はシステム・コントローラ２１
とバス接続されている。バッテリィ・チェックは原則的
にはメモリ・カード５０がディジタル電子スチル・カメ
ラ２０に装着されたときに行なわれるが，メモリ・カー
ド５０がカメラ２０に装着された後，所定時間ごとに周
期的に行なうようにしてもよい。
，メモリ・カード５０に内蔵された電池５１のバッテリ
ィ・チェックを行なうことができる。バッテリィ・チェ
ックはこの実施例では表示ＣＰＵ３０によって行なわれ
る。この表示ＣＰＵ３０はシステム・コントローラ２１
とバス接続されている。バッテリィ・チェックは原則的
にはメモリ・カード５０がディジタル電子スチル・カメ
ラ２０に装着されたときに行なわれるが，メモリ・カー
ド５０がカメラ２０に装着された後，所定時間ごとに周
期的に行なうようにしてもよい。
【００１９】メモリ・カード５０がカメラ２０に装着さ
れているとその内蔵電池の電圧がコネクタ９を介して表
示ＣＰＵ３０に与えられる。また，メモリ・カード５０
がカメラ２０に装着されていることを検知するスイッチ
２２が設けられており，この検知スイッチ２２の検知信
号も表示ＣＰＵ３０に与えられる。表示ＣＰＵ３０には
さらに，バッテリィ・チェックの結果，メモリ・カード
５０の内蔵電池５１の電圧が低下し，メモリ・カード５
０のメモリへの画像データの記録およびその保持に支障
が生じるであろうことの警告，その他のカメラの動作，
操作に必要な情報を表示するための液晶表示器４１，な
らびに同じようにバッテリィ・チェックの結果に基づく
警告を発生するためのブザー２７が接続されている。さ
らに電源スイッチ３１，シャッタ・レリーズ・ボタン３
２，再生モード・スイッチ３３等の入力が表示ＣＰＵ３
０に与えられる。さらにしきい値電圧を設定するための
入力スイッチ３４を設けてもよい。このスイッチ３４の
入力も表示ＣＰＵ３０に与えられる。
れているとその内蔵電池の電圧がコネクタ９を介して表
示ＣＰＵ３０に与えられる。また，メモリ・カード５０
がカメラ２０に装着されていることを検知するスイッチ
２２が設けられており，この検知スイッチ２２の検知信
号も表示ＣＰＵ３０に与えられる。表示ＣＰＵ３０には
さらに，バッテリィ・チェックの結果，メモリ・カード
５０の内蔵電池５１の電圧が低下し，メモリ・カード５
０のメモリへの画像データの記録およびその保持に支障
が生じるであろうことの警告，その他のカメラの動作，
操作に必要な情報を表示するための液晶表示器４１，な
らびに同じようにバッテリィ・チェックの結果に基づく
警告を発生するためのブザー２７が接続されている。さ
らに電源スイッチ３１，シャッタ・レリーズ・ボタン３
２，再生モード・スイッチ３３等の入力が表示ＣＰＵ３
０に与えられる。さらにしきい値電圧を設定するための
入力スイッチ３４を設けてもよい。このスイッチ３４の
入力も表示ＣＰＵ３０に与えられる。
【００２０】表示ＣＰＵ３０には，バッテリィ・チェッ
クのためのしきい値電圧（メモリ・カード５０の内蔵電
池５１の電圧と比較されるべき基準電圧値であって，内
蔵電池５１の電圧がこれよりも低くなると画像データが
消失する可能性のある電圧），その他のデータを記憶す
るＥＥ ＰＲＯＭ３５が接続されている。複数種類のメ
モリ・カードのバッテリィ・チェックが行なえるように
，メモリ・カードの種類に対応して複数種類のしきい値
電圧がＥＥ ＰＲＯＭ３５ に記憶されている。またＥ
Ｅ ＰＲＯＭ３５ にはメモリ・カード５０の種類が検
出できないときにバッテリィ・チェックに用いられる所
定のしきい値電圧も記憶されている。
クのためのしきい値電圧（メモリ・カード５０の内蔵電
池５１の電圧と比較されるべき基準電圧値であって，内
蔵電池５１の電圧がこれよりも低くなると画像データが
消失する可能性のある電圧），その他のデータを記憶す
るＥＥ ＰＲＯＭ３５が接続されている。複数種類のメ
モリ・カードのバッテリィ・チェックが行なえるように
，メモリ・カードの種類に対応して複数種類のしきい値
電圧がＥＥ ＰＲＯＭ３５ に記憶されている。またＥ
Ｅ ＰＲＯＭ３５ にはメモリ・カード５０の種類が検
出できないときにバッテリィ・チェックに用いられる所
定のしきい値電圧も記憶されている。
【００２１】表示ＣＰＵ３０のメモリの所定エリアには
メモリ・カード５０が装着されたときに検知スイッチ２
２からの入力に応答してセットおよびクリアされるカー
ド・イン・フラグＦＩおよびメモリ・カード５０のバッ
テリィ・チェックによって内蔵電池５１の電圧がしきい
値電圧よりも低いことが分ったときにセットされるカー
ド・バッテリィ・ダウン・フラグＦＤが含まれている。
メモリ・カード５０が装着されたときに検知スイッチ２
２からの入力に応答してセットおよびクリアされるカー
ド・イン・フラグＦＩおよびメモリ・カード５０のバッ
テリィ・チェックによって内蔵電池５１の電圧がしきい
値電圧よりも低いことが分ったときにセットされるカー
ド・バッテリィ・ダウン・フラグＦＤが含まれている。
【００２２】パワースイッチ３１による電源投入後，シ
ャッタ・レリーズ・ボタン３２が押されると，ＣＣＤを
含む撮像光学系（図示略）により被写体が撮像され，こ
の被写体像を表わすスチル・ビデオ信号はアナログ／デ
ィジタル変換回路１１に入力しディジタル信号（画像デ
ータ）に変換されて出力される。この画像データはメモ
リ・コントローラ１０を介してフレーム・メモリ１２に
入力し一旦記憶される。
ャッタ・レリーズ・ボタン３２が押されると，ＣＣＤを
含む撮像光学系（図示略）により被写体が撮像され，こ
の被写体像を表わすスチル・ビデオ信号はアナログ／デ
ィジタル変換回路１１に入力しディジタル信号（画像デ
ータ）に変換されて出力される。この画像データはメモ
リ・コントローラ１０を介してフレーム・メモリ１２に
入力し一旦記憶される。
【００２３】ディジタル電子スチル・カメラ２０は音声
を記録することもできる。マイクロフォン２３から入力
した音声信号は，アナログ／ディジタル変換回路２４に
入力しディジタル信号（音声データ）に変換される。こ
の音声データはメモリ・コントローラ１０を介してメモ
リ２５に一旦記憶される。
を記録することもできる。マイクロフォン２３から入力
した音声信号は，アナログ／ディジタル変換回路２４に
入力しディジタル信号（音声データ）に変換される。こ
の音声データはメモリ・コントローラ１０を介してメモ
リ２５に一旦記憶される。
【００２４】フレーム・メモリ１２に一旦記憶された画
像データはメモリ・コントローラ１０の制御の下に順次
走査の順序で読出され，必要ならばフィールド／フレー
ム変換されたのち，輝度信号／色信号（Ｙ／Ｃ）処理回
路１６に入力する。輝度信号／色信号処理回路１６は入
力する画像データから輝度（Ｙ）データおよび色（Ｃ）
データを生成する。これらの輝度データおよび色データ
は再びフレーム・メモリ１２に与えられて記憶される。
像データはメモリ・コントローラ１０の制御の下に順次
走査の順序で読出され，必要ならばフィールド／フレー
ム変換されたのち，輝度信号／色信号（Ｙ／Ｃ）処理回
路１６に入力する。輝度信号／色信号処理回路１６は入
力する画像データから輝度（Ｙ）データおよび色（Ｃ）
データを生成する。これらの輝度データおよび色データ
は再びフレーム・メモリ１２に与えられて記憶される。
【００２５】再びフレーム・メモリ１２に記憶された後
，フレーム・メモリ１２から画像データが読出されＤＣ
Ｔ／逆ＤＣＴ変換回路１３に与えられる。ＤＣＴ／逆Ｄ
ＣＴ変換回路１３は画像データをＤＣＴ（Ｄｉｓｃｒｅ
ｔｅ Ｃｏｓｉｎｅ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ）
変換，逆ＤＣＴ変換する回路である。ＤＣＴ変換は，画
像データ信号の周波数を低域側に変換し，データの畳重
度を増すものである。逆ＤＣＴ変換はＤＣＴ変換したも
のを復元するものである。
，フレーム・メモリ１２から画像データが読出されＤＣ
Ｔ／逆ＤＣＴ変換回路１３に与えられる。ＤＣＴ／逆Ｄ
ＣＴ変換回路１３は画像データをＤＣＴ（Ｄｉｓｃｒｅ
ｔｅ Ｃｏｓｉｎｅ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ）
変換，逆ＤＣＴ変換する回路である。ＤＣＴ変換は，画
像データ信号の周波数を低域側に変換し，データの畳重
度を増すものである。逆ＤＣＴ変換はＤＣＴ変換したも
のを復元するものである。
【００２６】ＤＣＴ変換された信号は，符号化／復号化
回路１４に与えられる。符号化によりデータの圧縮が行
なわれ，復号化によりデータの伸長が行なわれる。メモ
リ２５に記憶された音声データもメモリ・コントローラ
１０によって読出される。これらの画像データおよび音
声データはカード・インタフェイス１５を介してメモリ
・カード５０に与えられる。
回路１４に与えられる。符号化によりデータの圧縮が行
なわれ，復号化によりデータの伸長が行なわれる。メモ
リ２５に記憶された音声データもメモリ・コントローラ
１０によって読出される。これらの画像データおよび音
声データはカード・インタフェイス１５を介してメモリ
・カード５０に与えられる。
【００２７】再生モード・スイッチ３３が押されると，
メモリ・カード５０に記録されている画像データが外部
に再生出力される。このときには，再生されるべき画像
データはメモリ・カード５０からカード・インタフェイ
ス１５を介して符号化／復号化回路１４に与えられ，デ
ータ伸長が行なわれた後ＤＣＴ／逆ＤＣＴ変換回路１３
に与えられ，逆ＤＣＴ変換が行なわれる。そしてフレー
ム・メモリ１２に記憶された後，輝度信号／色信号処理
回路１６を介してディジタル／アナログ信号変換回路１
７に与えられる。メモリ・カード５０から読出された音
声データも符号化／復号化回路１４，ＤＣＴ／逆ＤＣＴ
変換回路１３等を介してディジタル／アナログ変換回路
１７に入力する。ディジタル／アナログ変換回路１７に
よって変換されたアナログ信号は信号処理回路１８に与
えられ，所定の処理が加えられたのち出力端子１９Ａお
よび１９Ｂから音声信号および映像信号として出力され
る。
メモリ・カード５０に記録されている画像データが外部
に再生出力される。このときには，再生されるべき画像
データはメモリ・カード５０からカード・インタフェイ
ス１５を介して符号化／復号化回路１４に与えられ，デ
ータ伸長が行なわれた後ＤＣＴ／逆ＤＣＴ変換回路１３
に与えられ，逆ＤＣＴ変換が行なわれる。そしてフレー
ム・メモリ１２に記憶された後，輝度信号／色信号処理
回路１６を介してディジタル／アナログ信号変換回路１
７に与えられる。メモリ・カード５０から読出された音
声データも符号化／復号化回路１４，ＤＣＴ／逆ＤＣＴ
変換回路１３等を介してディジタル／アナログ変換回路
１７に入力する。ディジタル／アナログ変換回路１７に
よって変換されたアナログ信号は信号処理回路１８に与
えられ，所定の処理が加えられたのち出力端子１９Ａお
よび１９Ｂから音声信号および映像信号として出力され
る。
【００２８】メモリ・カード５０にはＲＯＭ（不揮発性
メモリ）５３と，ＲＡＭ（揮発性メモリ）５４と，カメ
ラ２０からの各種データの受入れおよびカメラ２０への
データの送出のためのインタフェイス５２と，ＲＡＭ５
４のバック・アップ用の内蔵電池５１とが含まれている
。ＲＡＭ５４にはカメラ２０から与えられる画像データ
が記憶される。
メモリ）５３と，ＲＡＭ（揮発性メモリ）５４と，カメ
ラ２０からの各種データの受入れおよびカメラ２０への
データの送出のためのインタフェイス５２と，ＲＡＭ５
４のバック・アップ用の内蔵電池５１とが含まれている
。ＲＡＭ５４にはカメラ２０から与えられる画像データ
が記憶される。
【００２９】ＲＯＭ５３にはメモリ・カード５０に関す
るデータがあらかじめ記憶されている。メモリ・カード
５０に関するデータには，上述したように，ＲＡＭ５４
の種類，容量，アクセス・タイム，製造メーカ名，ピン
配置，製造年月日，使用可能な電子装置の機種名等の互
換性に関するデータと，バック・アップ用内蔵電池５１
のバッテリィ・チェックのためのデータとが含まれる。 バッテリィ・チェックのためのデータはしきい値電圧を
直接に表わすデータであってもよいし，しきい値電圧を
何らかの演算またはテーブル・ルックアップ等により導
出できうるキーデータでもよい。電池を交換すべきこと
を警告するためのしきい値電圧に加えて，ＲＡＭ５４が
動作不能となる下限電圧をしきい値データに含ませても
よい。いずれにしても，ＲＯＭ５３には上述したすべて
のデータ，またはいくつかのデータがあらかじめ設定さ
れている。
るデータがあらかじめ記憶されている。メモリ・カード
５０に関するデータには，上述したように，ＲＡＭ５４
の種類，容量，アクセス・タイム，製造メーカ名，ピン
配置，製造年月日，使用可能な電子装置の機種名等の互
換性に関するデータと，バック・アップ用内蔵電池５１
のバッテリィ・チェックのためのデータとが含まれる。 バッテリィ・チェックのためのデータはしきい値電圧を
直接に表わすデータであってもよいし，しきい値電圧を
何らかの演算またはテーブル・ルックアップ等により導
出できうるキーデータでもよい。電池を交換すべきこと
を警告するためのしきい値電圧に加えて，ＲＡＭ５４が
動作不能となる下限電圧をしきい値データに含ませても
よい。いずれにしても，ＲＯＭ５３には上述したすべて
のデータ，またはいくつかのデータがあらかじめ設定さ
れている。
【００３０】 図２は第１の実施例による内蔵電池５
１のバッテリィ・チェックの処理手順を示している。
１のバッテリィ・チェックの処理手順を示している。
【００３１】カメラ２０にメモリ・カード５０が装着さ
れると，装着検知スイッチ２２がオンとなりカード・イ
ン・フラグＦＩがセットされる。これによってバッテリ
ィ・チェック処理が開始される。まず，内蔵電池５１の
電圧が表示ＣＰＵ３０に与えられその電圧値が検知され
る（ステップ６１）。続いて，ＲＯＭ５３にあらかじめ
格納されているメモリ・カードに関するデータがシステ
ム・コントローラ２１によって読出され，インタフェイ
ス５２，コネクタ９，インタフェイス１５を経てコント
ローラ２１に与えられる。このデータはバスを通して表
示ＣＰＵ３０に入力する（ステップ６２）。
れると，装着検知スイッチ２２がオンとなりカード・イ
ン・フラグＦＩがセットされる。これによってバッテリ
ィ・チェック処理が開始される。まず，内蔵電池５１の
電圧が表示ＣＰＵ３０に与えられその電圧値が検知され
る（ステップ６１）。続いて，ＲＯＭ５３にあらかじめ
格納されているメモリ・カードに関するデータがシステ
ム・コントローラ２１によって読出され，インタフェイ
ス５２，コネクタ９，インタフェイス１５を経てコント
ローラ２１に与えられる。このデータはバスを通して表
示ＣＰＵ３０に入力する（ステップ６２）。
【００３２】メモリ・カード５０のＲＯＭ５３から読取
ったデータ中にバッテリィ・チェックのためのしきい値
データがあるかどうかがチェックされ（ステップ６３）
，もしあればそのしきい値データが用いられる。しきい
値データがしきい値電圧を直接に表わしていない場合に
はしきい値データからしきい値電圧が導出される（ステ
ップ６４）。
ったデータ中にバッテリィ・チェックのためのしきい値
データがあるかどうかがチェックされ（ステップ６３）
，もしあればそのしきい値データが用いられる。しきい
値データがしきい値電圧を直接に表わしていない場合に
はしきい値データからしきい値電圧が導出される（ステ
ップ６４）。
【００３３】ＲＯＭ５３から読取ったデータ中にバッテ
リィ・チェックのためのしきい値データが無い場合には
，ＥＥ ＰＲＯＭ３５ からしきい値電圧が読出される
。このとき，ＲＯＭ５３から読取ったデータによってメ
モリ・カードの種類が判明するときにはその種類に応じ
たしきい値電圧がＥＥ ＰＲＯＭ３５ から読出される
のはいうまでもない。
リィ・チェックのためのしきい値データが無い場合には
，ＥＥ ＰＲＯＭ３５ からしきい値電圧が読出される
。このとき，ＲＯＭ５３から読取ったデータによってメ
モリ・カードの種類が判明するときにはその種類に応じ
たしきい値電圧がＥＥ ＰＲＯＭ３５ から読出される
のはいうまでもない。
【００３４】いずれにしてもしきい値電圧が確定すると
，内蔵電池５１の検出電圧とこのしきい値電圧とが比較
される（ステップ６６）。そして，メモリ・カード５０
の内蔵電池５１の電圧がしきい値電圧よりも低ければカ
ード・バッテリィ・ダウン・フラグＦＤがセットされ（
ステップ６７），そうでなければこのフラグＦＤはリセ
ットされた状態に保持される（ステップ６８）。
，内蔵電池５１の検出電圧とこのしきい値電圧とが比較
される（ステップ６６）。そして，メモリ・カード５０
の内蔵電池５１の電圧がしきい値電圧よりも低ければカ
ード・バッテリィ・ダウン・フラグＦＤがセットされ（
ステップ６７），そうでなければこのフラグＦＤはリセ
ットされた状態に保持される（ステップ６８）。
【００３５】カード・バッテリィ・ダウン・フラグＦＤ
がセットされるとブザー２７または液晶表示器４１など
による警告が行なわれる。
がセットされるとブザー２７または液晶表示器４１など
による警告が行なわれる。
【００３６】複数段階のしきい値電圧がある場合には，
これらのしきい値電圧と内蔵電池電圧との比較結果に応
じて，内蔵電池の交換が必要，もはやＲＡＭは使用でき
ない，といったより詳細な警告表示を行なうようにする
こともできる。
これらのしきい値電圧と内蔵電池電圧との比較結果に応
じて，内蔵電池の交換が必要，もはやＲＡＭは使用でき
ない，といったより詳細な警告表示を行なうようにする
こともできる。
【００３７】図３は第２の実施例による内蔵電池５１の
バッテリィ・チェックの処理手順を示している。この実
施例では，メモリ・カード５０のＲＯＭ５３には少なく
ともメモリ・カードの種類を表わすデータをあらかじめ
格納しておくだけでよく，バッテリィ・チェックのため
のしきい値データの記憶は不要である。
バッテリィ・チェックの処理手順を示している。この実
施例では，メモリ・カード５０のＲＯＭ５３には少なく
ともメモリ・カードの種類を表わすデータをあらかじめ
格納しておくだけでよく，バッテリィ・チェックのため
のしきい値データの記憶は不要である。
【００３８】メモリ・カード５０がカメラ２０に装着さ
れ，検知スイッチ２２が装着を検知すると，第１実施例
と同じようにメモリ・カード５０の内蔵電池５１の電圧
が表示ＣＰＵ３０によって検知される（ステップ７１）
。
れ，検知スイッチ２２が装着を検知すると，第１実施例
と同じようにメモリ・カード５０の内蔵電池５１の電圧
が表示ＣＰＵ３０によって検知される（ステップ７１）
。
【００３９】続いてメモリ・カード５０の種類を表わす
データがＲＯＭ５３から読出されインタフェイス５２，
コネクタ９，インタフェイス１５等を介してシステム・
コントローラ２１に与えられ，さらに表示ＣＰＵ３０に
与えられる。
データがＲＯＭ５３から読出されインタフェイス５２，
コネクタ９，インタフェイス１５等を介してシステム・
コントローラ２１に与えられ，さらに表示ＣＰＵ３０に
与えられる。
【００４０】メモリ・カード５０の種類を表わすデータ
はそれを入力するための設定スイッチを設け，設定スイ
ッチから入力するようにしてもよい。この場合には，メ
モリ・カード５０のＲＯＭ５３は不要となる。
はそれを入力するための設定スイッチを設け，設定スイ
ッチから入力するようにしてもよい。この場合には，メ
モリ・カード５０のＲＯＭ５３は不要となる。
【００４１】いずれにしてもカメラ２０に装着されたメ
モリ・カード５０の種類が分ると，メモリ・カード５０
の種類に対応したしきい値電圧がＥＥ ＰＲＯＭ３５
から読出される（ステップ７２）。メモリ・カード５０
の種類を検出できないときには所定のしきい値電圧がＥ
Ｅ ＰＲＯＭ３５ から読出される。
モリ・カード５０の種類が分ると，メモリ・カード５０
の種類に対応したしきい値電圧がＥＥ ＰＲＯＭ３５
から読出される（ステップ７２）。メモリ・カード５０
の種類を検出できないときには所定のしきい値電圧がＥ
Ｅ ＰＲＯＭ３５ から読出される。
【００４２】ＥＥ ＰＲＯＭ３５ から読出されたしき
い値電圧とメモリ・カード５０から与えられる内蔵電池
電圧とが比較される（ステップ７３）。しきい値電圧よ
りも内蔵電池電圧の方が低い場合には（ステップ７３で
Ｎｏ），カード・バッテリィ・ダウン・フラグＦＤがセ
ットされる（ステップ７４）。このフラグＦＤがセット
されるとメモリ・カード５０に記録されている画像デー
タが消失してしまうことを未然に防止するために液晶表
示器４１上への警告表示，ブザー２７の鳴動による警告
などの警告が行なわれる。
い値電圧とメモリ・カード５０から与えられる内蔵電池
電圧とが比較される（ステップ７３）。しきい値電圧よ
りも内蔵電池電圧の方が低い場合には（ステップ７３で
Ｎｏ），カード・バッテリィ・ダウン・フラグＦＤがセ
ットされる（ステップ７４）。このフラグＦＤがセット
されるとメモリ・カード５０に記録されている画像デー
タが消失してしまうことを未然に防止するために液晶表
示器４１上への警告表示，ブザー２７の鳴動による警告
などの警告が行なわれる。
【００４３】ＥＥ ＰＲＯＭ３５ から読出されたしき
い値電圧よりもメモリ・カード５０から与えられる内蔵
電池電圧の方が高い場合には，フラグＦＤはリセットさ
れたままに保持される（ステップ７５）。このときは内
蔵電池５１の電圧が充分にあり，メモリ・カード５０に
記録されている画像データが消失してしまうことがない
ため警告は行なわれない。
い値電圧よりもメモリ・カード５０から与えられる内蔵
電池電圧の方が高い場合には，フラグＦＤはリセットさ
れたままに保持される（ステップ７５）。このときは内
蔵電池５１の電圧が充分にあり，メモリ・カード５０に
記録されている画像データが消失してしまうことがない
ため警告は行なわれない。
【００４４】しきい値電圧を入力するスイッチ３４を用
いてしきい値電圧を入力することにより，内蔵電池５１
のバッテリィ・チェックを行なうようにしてもよい。こ
のときには，カメラ２０に装着されたメモリ・カード５
０の種類に対応したしきい値電圧が操作者により入力ス
イッチ３４を用いて入力される。
いてしきい値電圧を入力することにより，内蔵電池５１
のバッテリィ・チェックを行なうようにしてもよい。こ
のときには，カメラ２０に装着されたメモリ・カード５
０の種類に対応したしきい値電圧が操作者により入力ス
イッチ３４を用いて入力される。
【００４５】入力スイッチ３４から入力されたしきい値
電圧と，メモリ・カード５０から読取った内蔵電池５１
の電圧とが表示ＣＰＵ３０により比較される。この比較
の結果，内蔵電池５１の電圧よりも入力したしきい値電
圧の方が大きければフラグＦＤがセットされ，警告が行
なわれる。 内蔵電池５１の電圧よりも入力したしきい値電圧の方が
小さければフラグＦＤはリセットされ，警告は行なわれ
ない。
電圧と，メモリ・カード５０から読取った内蔵電池５１
の電圧とが表示ＣＰＵ３０により比較される。この比較
の結果，内蔵電池５１の電圧よりも入力したしきい値電
圧の方が大きければフラグＦＤがセットされ，警告が行
なわれる。 内蔵電池５１の電圧よりも入力したしきい値電圧の方が
小さければフラグＦＤはリセットされ，警告は行なわれ
ない。
【００４６】
【発明の効果】第１の発明によると，メモリ・カードの
不揮発性メモリにメモリ・カードの内蔵電池の電圧低下
に対する警告に関するデータが記憶されている。メモリ
・カードがディジタル電子スチル・カメラに装着された
ときに，装着されたメモリ・カードから内蔵電池の電圧
低下に対する警告に関するデータが読出されるとともに
，内蔵電池の電圧が検出される。メモリ・カードから読
出された上記データから得られるしきい値電圧よりも検
出された内蔵電池電圧の方が低ければ警告が行なわれる
。
不揮発性メモリにメモリ・カードの内蔵電池の電圧低下
に対する警告に関するデータが記憶されている。メモリ
・カードがディジタル電子スチル・カメラに装着された
ときに，装着されたメモリ・カードから内蔵電池の電圧
低下に対する警告に関するデータが読出されるとともに
，内蔵電池の電圧が検出される。メモリ・カードから読
出された上記データから得られるしきい値電圧よりも検
出された内蔵電池電圧の方が低ければ警告が行なわれる
。
【００４７】第１の発明によると，メモリ・カードがデ
ィジタル電子スチル・カメラに装着されたときにメモリ
・カードのメモリ・バック・アップ用内蔵電池のバッテ
リィ・チェックが行なわれるから，このカメラによる撮
影の開始前に内蔵電池の状態が分り，撮影した画像デー
タが内蔵電池電圧低下のために消失してしまうような事
故の発生を未然に防止できる。
ィジタル電子スチル・カメラに装着されたときにメモリ
・カードのメモリ・バック・アップ用内蔵電池のバッテ
リィ・チェックが行なわれるから，このカメラによる撮
影の開始前に内蔵電池の状態が分り，撮影した画像デー
タが内蔵電池電圧低下のために消失してしまうような事
故の発生を未然に防止できる。
【００４８】また，メモリ・カードにはバッテリィ・チ
ェックのためのそのメモリ・カードの種類に応じたしき
い値データがあらかじめ格納されているから，メモリ・
カードの種類に応じたしきい値電圧を用いてバッテリィ
・チェックが可能となる。そして，このディジタル電子
スチル・カメラは複数種類のメモリ・カードについてそ
の内蔵電池のバッテリィ・チェックが可能である。
ェックのためのそのメモリ・カードの種類に応じたしき
い値データがあらかじめ格納されているから，メモリ・
カードの種類に応じたしきい値電圧を用いてバッテリィ
・チェックが可能となる。そして，このディジタル電子
スチル・カメラは複数種類のメモリ・カードについてそ
の内蔵電池のバッテリィ・チェックが可能である。
【００４９】第２の発明によると，メモリ・カードの不
揮発性メモリには，上述した互換性に関するデータを含
むメモリ・カードに関するデータがあらかじめ記憶され
ている。メモリ・カードがディジタル電子スチル・カメ
ラに装着されると，不揮発性メモリの上記データが読取
られるとともにメモリ・カードの内蔵電池の電圧が検出
される。メモリ・カードから読取られたデータ中に，メ
モリ・カードの内蔵電池の電圧低下に対する警告のため
のしきい値データが含まれていれば，このしきい値デー
タから得られるしきい値電圧と検出された内蔵電池電圧
とが比較される。メモリ・カードから読取られたデータ
中に内蔵電池の電圧低下に対する警告のためのしきい値
データが無い場合には，ディジタル電子スチル・カメラ
のメモリにあらかじめ設定されている予備的しきい値電
圧と，検出された内蔵電池電圧とが比較される。
揮発性メモリには，上述した互換性に関するデータを含
むメモリ・カードに関するデータがあらかじめ記憶され
ている。メモリ・カードがディジタル電子スチル・カメ
ラに装着されると，不揮発性メモリの上記データが読取
られるとともにメモリ・カードの内蔵電池の電圧が検出
される。メモリ・カードから読取られたデータ中に，メ
モリ・カードの内蔵電池の電圧低下に対する警告のため
のしきい値データが含まれていれば，このしきい値デー
タから得られるしきい値電圧と検出された内蔵電池電圧
とが比較される。メモリ・カードから読取られたデータ
中に内蔵電池の電圧低下に対する警告のためのしきい値
データが無い場合には，ディジタル電子スチル・カメラ
のメモリにあらかじめ設定されている予備的しきい値電
圧と，検出された内蔵電池電圧とが比較される。
【００５０】検出された内蔵電池電圧が上記しきい値電
圧または予備的しきい値電圧よりも低ければ警告が行な
われる。
圧または予備的しきい値電圧よりも低ければ警告が行な
われる。
【００５１】第２の発明においても，ディジタル電子ス
チル・カメラにメモリ・カードが装着されたときにメモ
リ・カードの内蔵電池のバッテリィ・チェックが行なわ
れるので，撮影前におけるメモリ・カードの安全性チェ
ックが可能となる。
チル・カメラにメモリ・カードが装着されたときにメモ
リ・カードの内蔵電池のバッテリィ・チェックが行なわ
れるので，撮影前におけるメモリ・カードの安全性チェ
ックが可能となる。
【００５２】また，メモリ・カードの種類に応じたバッ
テリィ・チェックが可能となる。
テリィ・チェックが可能となる。
【００５３】とくに第２の発明においてはメモリ・カー
ドの不揮発性メモリにはメモリ・カードの少なくとも種
類を表わすデータを格納しておけばしきい値データをあ
らかじめ格納しておかなくても，カメラのメモリにあら
かじめ設定されたしきい値電圧を用いてバッテリィ・チ
ェックが可能となる。
ドの不揮発性メモリにはメモリ・カードの少なくとも種
類を表わすデータを格納しておけばしきい値データをあ
らかじめ格納しておかなくても，カメラのメモリにあら
かじめ設定されたしきい値電圧を用いてバッテリィ・チ
ェックが可能となる。
【００５４】第３の発明によると，ディジタル電子スチ
ル・カメラの記憶手段に複数種類のメモリ・カードに対
応した複数のしきい値電圧があらかじめ記憶されている
。メモリ・カードがディジタル電子スチル・カメラに装
着されるとメモリ・カードの種類が検出される。メモリ
・カードの種類の検出は，メモリ・カードの不揮発性メ
モリ領域にメモリ・カードの種類が記憶されているとき
にはそれを読取ることにより行なってもよいし，メモリ
・カードの種類を入力する入力手段を設けて操作者が入
力するようにしてもよい。メモリ・カードの種類が検出
されるとカードの種類に対応したしきい値電圧が記憶手
段から読出される。読出されたしきい値電圧とメモリ・
カードの内蔵電池電圧との比較により内蔵電池電圧チェ
ックが行なわれる。
ル・カメラの記憶手段に複数種類のメモリ・カードに対
応した複数のしきい値電圧があらかじめ記憶されている
。メモリ・カードがディジタル電子スチル・カメラに装
着されるとメモリ・カードの種類が検出される。メモリ
・カードの種類の検出は，メモリ・カードの不揮発性メ
モリ領域にメモリ・カードの種類が記憶されているとき
にはそれを読取ることにより行なってもよいし，メモリ
・カードの種類を入力する入力手段を設けて操作者が入
力するようにしてもよい。メモリ・カードの種類が検出
されるとカードの種類に対応したしきい値電圧が記憶手
段から読出される。読出されたしきい値電圧とメモリ・
カードの内蔵電池電圧との比較により内蔵電池電圧チェ
ックが行なわれる。
【００５５】第３の発明によると，装着されたメモリ・
カードの種類さえ分れば，その種類に応じたしきい値電
圧を用いて，メモリ・カードの装着時点においてメモリ
・カードの内蔵電池のバッテリィ・チェックが可能とな
る。
カードの種類さえ分れば，その種類に応じたしきい値電
圧を用いて，メモリ・カードの装着時点においてメモリ
・カードの内蔵電池のバッテリィ・チェックが可能とな
る。
【００５６】第４の発明によると，メモリ・カードの内
蔵電池の電圧低下に対する警告のためのしきい値電圧を
入力するための入力手段がディジタル電子スチル・カメ
ラに含まれている。入力手段によって設定されるしきい
値電圧とメモリ・カードが装着されたときに検出された
内蔵電池の電圧とが比較され，これにより内蔵電池の電
圧チェックが行なわれる。
蔵電池の電圧低下に対する警告のためのしきい値電圧を
入力するための入力手段がディジタル電子スチル・カメ
ラに含まれている。入力手段によって設定されるしきい
値電圧とメモリ・カードが装着されたときに検出された
内蔵電池の電圧とが比較され，これにより内蔵電池の電
圧チェックが行なわれる。
【００５７】第４の発明によると，バッテリィ・チェッ
クのためのしきい値電圧を入力することができるので，
操作者がメモリ・カードの種類またはしきい値電圧を分
りさえすれば，使用するメモリ・カードに適したしきい
値電圧でのバッテリィ・チェックが可能となる。
クのためのしきい値電圧を入力することができるので，
操作者がメモリ・カードの種類またはしきい値電圧を分
りさえすれば，使用するメモリ・カードに適したしきい
値電圧でのバッテリィ・チェックが可能となる。
【図１】ディジタル電子スチル・カメラの電気的構成の
一部を示すブロック図である。
一部を示すブロック図である。
【図２】第１の実施例による内蔵電池電圧のチェックの
処理手順を示すフローチャートである。
処理手順を示すフローチャートである。
【図３】第２の実施例による内蔵電池電圧のチェックの
処理手順を示すフローチャートである。
処理手順を示すフローチャートである。
２０ ディジタル電子スチル・カメラ２１ システ
ム・コントローラ ２２ 検知スイッチ ２７ ブザー ３０ 表示ＣＰＵ ３４ しきい値入力スイッチ ４１ 液晶表示器
ム・コントローラ ２２ 検知スイッチ ２７ ブザー ３０ 表示ＣＰＵ ３４ しきい値入力スイッチ ４１ 液晶表示器
Claims (4)
- 【請求項１】 画像データを記憶する揮発性メモリと
，上記画像データのバック・アップのための内蔵電池と
，上記内蔵電池の電圧低下に対する警告に関するデータ
を記憶する不揮発性メモリとを備えたメモリ・カードが
装着されたことを検出するメモリ・カード装着検知手段
，上記メモリ・カード装着検知手段による装着検知に応
答して，装着されたメモリ・カードの内蔵電池の電圧を
検出する電圧検出手段，上記メモリ・カード装着検知手
段による装着検知に応答して，上記メモリ・カードの不
揮発性メモリに記憶されているデータを読取るデータ読
取手段，上記電圧検出手段によって検出された内蔵電池
電圧と上記データ読取手段によって読取られたデータか
ら得られるしきい値電圧とを比較する比較手段，および
上記比較手段の比較結果が内蔵電池電圧が上記しきい値
電圧よりも低いことを表わしているときに内蔵電池の電
圧低下を警告する警告手段，を備えたメモリ・カード内
蔵電池電圧低下警告機能付ディジタル電子スチル・カメ
ラ。 - 【請求項２】 画像データを記憶する揮発性メモリと
，上記画像データのバック・アップのための内蔵電池と
，メモリ・カードに関するデータを記憶する不揮発性メ
モリとを備えたメモリ・カードが装着されたことを検出
するメモリ・カード装着検知手段，上記メモリ・カード
装着検知手段による装着検知に応答して，装着されたメ
モリ・カードの内蔵電池の電圧を検出する電圧検出手段
，上記メモリ・カード装着検知手段による装着検知に応
答して，上記メモリ・カードの不揮発性メモリに記憶さ
れているデータを読取るデータ読取手段，メモリ・カー
ドの内蔵電池電圧の低下を警告するための予備的しきい
値電圧を記憶する記憶手段，装着されたメモリ・カード
の不揮発性メモリから上記データ読取手段によって読取
られたデータ中にメモリ・カードの内蔵電池の電圧低下
に対する警告のためのしきい値データが含まれているか
どうかを判定する手段，上記判定手段によりしきい値デ
ータが含まれていると判定されたときにはそのしきい値
データから得られるしきい値電圧と上記電圧検出手段に
よって検出された内蔵電池電圧とを比較し，上記判定手
段によりしきい値データが含まれていないと判定された
ときには上記予備的しきい値電圧と上記電圧検出手段に
よって検出された内蔵電池電圧とを比較する比較手段，
および上記比較手段の比較結果が内蔵電池電圧が上記し
きい値電圧または上記予備的しきい値電圧よりも低いこ
とを表わしているときに内蔵電池の電圧低下を警告する
警告手段，を備えたメモリ・カード内蔵電池電圧低下警
告機能付ディジタル電子スチル・カメラ。 - 【請求項３】 データ・バック・アップのための内蔵
電池を有するメモリ・カードに被写体像を表わす画像デ
ータを記録するディジタル電子スチル・カメラにおいて
，複数種類のメモリ・カードに対応した複数のしきい値
電圧を記憶する記憶手段，ディジタル電子スチル・カメ
ラに上記メモリ・カードが装着されたことに伴ない上記
メモリ・カードの内蔵電池電圧を検出する電圧検出手段
，ディジタル電子スチル・カメラに装着されたメモリ・
カードの種類を判定する判定手段，判定されたメモリ・
カードの種類に対応するしきい値電圧を上記記憶手段か
ら読取るしきい値電圧読取手段，上記しきい値電圧読取
手段によって読取られたしきい値電圧と上記電圧検出手
段によって検出された内蔵電池電圧とを比較する比較手
段，および上記比較手段の比較結果がメモリ・カードの
内蔵電池電圧が上記しきい値電圧よりも低いことを表わ
しているときに内蔵電池の電圧低下を警告する警告手段
，を備えたメモリ・カード内蔵電池電圧低下警告機能付
ディジタル電子スチル・カメラ。 - 【請求項４】 データ・バック・アップのための内蔵
電池を有するメモリ・カードに被写体像を表わす画像デ
ータを記録するディジタル電子スチル・カメラにおいて
，上記内蔵電池の電圧低下に対する警告のためのしきい
値電圧を入力する入力手段，ディジタル電子スチル・カ
メラに上記メモリ・カードが装着されたことに伴ない上
記メモリ・カードの内蔵電池電圧を検出する電圧検出手
段，上記入力手段によって入力されたしきい値電圧と上
記電圧検出手段によって読取られた内蔵電池電圧とを比
較する比較手段，および上記比較手段の比較結果がメモ
リ・カードの内蔵電池電圧が上記しきい値電圧よりも低
いことを表わしているときに内蔵電池の電圧低下を警告
する警告手段，を備えたメモリ・カード内蔵電池電圧低
下警告機能付ディジタル電子スチル・カメラ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3016055A JPH04241335A (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | メモリ・カード内蔵電池電圧低下警告機能付ディジタル電子スチル・カメラ |
| US07/819,813 US5262868A (en) | 1991-01-14 | 1992-01-13 | Digital electronic still camera with function alarming low voltage of built-in battery of memory card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3016055A JPH04241335A (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | メモリ・カード内蔵電池電圧低下警告機能付ディジタル電子スチル・カメラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04241335A true JPH04241335A (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=11905899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3016055A Pending JPH04241335A (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | メモリ・カード内蔵電池電圧低下警告機能付ディジタル電子スチル・カメラ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5262868A (ja) |
| JP (1) | JPH04241335A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007200301A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ストレージ・デバイスの障害を予測するための装置、システム、および方法 |
| WO2015145709A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 株式会社日立製作所 | 計算機、計算機の制御方法 |
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1991
- 1991-01-14 JP JP3016055A patent/JPH04241335A/ja active Pending
-
1992
- 1992-01-13 US US07/819,813 patent/US5262868A/en not_active Expired - Lifetime
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