JPH04239148A - 半導体ウェハーハンドリング装置 - Google Patents
半導体ウェハーハンドリング装置Info
- Publication number
- JPH04239148A JPH04239148A JP182191A JP182191A JPH04239148A JP H04239148 A JPH04239148 A JP H04239148A JP 182191 A JP182191 A JP 182191A JP 182191 A JP182191 A JP 182191A JP H04239148 A JPH04239148 A JP H04239148A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- measurement
- measured
- semiconductor wafer
- probe card
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 61
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハー検査工程
で使用する半導体ウェハーハンドリング装置に関する。
で使用する半導体ウェハーハンドリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウェハーハンドリング装置
は、半導体ウェハーの厚さの検出機能をもっている。そ
して、各半導体ウェハー毎に、プローブカードによる測
定前に厚さ測定を行なっている。その結果、半導体ウェ
ハーに反りがあったとき、厚さ測定の結果がある設定さ
れた基準以上の厚さであれば測定不可能と判断し、警報
を発し測定が開始されない。又、厚さ、測定の結果があ
る設定された基準以下の厚さであれば測定が開始される
つまり、従来の半導体ウェハーハンドリング装置は、反
りのない半導体ウェハーを測定することを条件としてい
る。その為、測定前の半導体ウェハーの厚さ検出により
、反り半導体ウェハーを排除する機能は持っているが、
反り半導体ウェハーを測定する機能は持っていない。
は、半導体ウェハーの厚さの検出機能をもっている。そ
して、各半導体ウェハー毎に、プローブカードによる測
定前に厚さ測定を行なっている。その結果、半導体ウェ
ハーに反りがあったとき、厚さ測定の結果がある設定さ
れた基準以上の厚さであれば測定不可能と判断し、警報
を発し測定が開始されない。又、厚さ、測定の結果があ
る設定された基準以下の厚さであれば測定が開始される
つまり、従来の半導体ウェハーハンドリング装置は、反
りのない半導体ウェハーを測定することを条件としてい
る。その為、測定前の半導体ウェハーの厚さ検出により
、反り半導体ウェハーを排除する機能は持っているが、
反り半導体ウェハーを測定する機能は持っていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体ウェ
ハーハンドリング装置では、反り半導体ウェハーは測定
はできない為、以下の問題点がある。１）半導体ウェハ
ーの反りを無視する操作により半導体ウェハーを測定し
た場合、被測定ペレットとプローブカード探針群との接
触抵抗が不安定又は接触が取れない事態が発生し、測定
歩留りの低下となる。２）多品種少量生産では反りウェ
ハーが排除されるため小ロット化となり、１ロット当り
１枚というロットもある。このような生産ラインでは、
半導体ウェハーの反りによる測定歩留り低下は納期や予
算に影響し、製造歩留りの低下は避けられない。上記の
ような問題点がある為、反り半導体ウェハーの測定は、
被測定ペレットとプローブカード探針群との接触が最適
接触抵抗となるように、１ペレットずつマニュアル操作
で測定しなければならず多くの工数を要している。
ハーハンドリング装置では、反り半導体ウェハーは測定
はできない為、以下の問題点がある。１）半導体ウェハ
ーの反りを無視する操作により半導体ウェハーを測定し
た場合、被測定ペレットとプローブカード探針群との接
触抵抗が不安定又は接触が取れない事態が発生し、測定
歩留りの低下となる。２）多品種少量生産では反りウェ
ハーが排除されるため小ロット化となり、１ロット当り
１枚というロットもある。このような生産ラインでは、
半導体ウェハーの反りによる測定歩留り低下は納期や予
算に影響し、製造歩留りの低下は避けられない。上記の
ような問題点がある為、反り半導体ウェハーの測定は、
被測定ペレットとプローブカード探針群との接触が最適
接触抵抗となるように、１ペレットずつマニュアル操作
で測定しなければならず多くの工数を要している。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェハー
ハンドリング装置は、プローブカードによる測定開始前
にウェハーの反り分布を検出する高さ検出部と、この反
り分布を記憶する記憶部と、この記憶部からの信号に基
づき測定部へ送られたウェハーを上下させ、プローブカ
ード探針群とウェハー測定面との間隔を制御する制御部
とを有し、半導体ウェハーの反りの有無にかかわらず半
導体ウェハー上の被測定ペレットとプローブカード探針
群との接触が最適接触抵抗を維持できる機能を備えてい
る。
ハンドリング装置は、プローブカードによる測定開始前
にウェハーの反り分布を検出する高さ検出部と、この反
り分布を記憶する記憶部と、この記憶部からの信号に基
づき測定部へ送られたウェハーを上下させ、プローブカ
ード探針群とウェハー測定面との間隔を制御する制御部
とを有し、半導体ウェハーの反りの有無にかかわらず半
導体ウェハー上の被測定ペレットとプローブカード探針
群との接触が最適接触抵抗を維持できる機能を備えてい
る。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１（Ａ）は本発明の一実施例である半導体ウェハー
ハンドリング装置を示す構成図、また図２は図１（Ａ）
の各部分図である。図１（Ａ）のように、ウェハーキャ
リア１に収納された半導体ウェハー２が高さ検出部４へ
ロードされる。この高さ検出部４により、図２（ａ）の
斜視図に示すように半導体ウェハー２を矢印方向に移動
させ、同図（ｂ）の平面図に示す５個所のウェハー厚さ
ポイント６を測定する。この測定の結果、半導体ウェハ
ー２に反りがないとき、半導体ウェハー２は測定部へロ
ードされ、プローブカード３による測定が開始される。 この半導体ウェハー２に反りがない場合は、被測定ペレ
ットとプローブカード探針群９との接触は、ウェハー全
体にわたって最適接触抵抗となる。よって同図（ｄ）の
断面図のように、ウェハーステージ８を上下させるウェ
ハーステージアップストローク７の被測定ペレット毎の
コントロールは不要となる。
。図１（Ａ）は本発明の一実施例である半導体ウェハー
ハンドリング装置を示す構成図、また図２は図１（Ａ）
の各部分図である。図１（Ａ）のように、ウェハーキャ
リア１に収納された半導体ウェハー２が高さ検出部４へ
ロードされる。この高さ検出部４により、図２（ａ）の
斜視図に示すように半導体ウェハー２を矢印方向に移動
させ、同図（ｂ）の平面図に示す５個所のウェハー厚さ
ポイント６を測定する。この測定の結果、半導体ウェハ
ー２に反りがないとき、半導体ウェハー２は測定部へロ
ードされ、プローブカード３による測定が開始される。 この半導体ウェハー２に反りがない場合は、被測定ペレ
ットとプローブカード探針群９との接触は、ウェハー全
体にわたって最適接触抵抗となる。よって同図（ｄ）の
断面図のように、ウェハーステージ８を上下させるウェ
ハーステージアップストローク７の被測定ペレット毎の
コントロールは不要となる。
【０００６】次に半導体ウェハー２に反りがあるときは
、同図（ｃ）の説明図に示す矢印（ウェハー厚さサーチ
方向５）方向に半導体ウェハー厚さを測定し、反り分布
を検出し、図示していない記憶部に記憶する。その後、
半導体ウェハー２は測定部へロードされ測定が開始され
る。測定時には、測定開始前に検出した反り分布に基づ
き、同図（ｄ）に示すウェハーステージアップストロー
ク７が図示していない制御部により上下機構を介してコ
ントロールされる。このコントロールにより、被測定ペ
レットとプローブカード探針群９との接触が最適接触抵
抗となる。
、同図（ｃ）の説明図に示す矢印（ウェハー厚さサーチ
方向５）方向に半導体ウェハー厚さを測定し、反り分布
を検出し、図示していない記憶部に記憶する。その後、
半導体ウェハー２は測定部へロードされ測定が開始され
る。測定時には、測定開始前に検出した反り分布に基づ
き、同図（ｄ）に示すウェハーステージアップストロー
ク７が図示していない制御部により上下機構を介してコ
ントロールされる。このコントロールにより、被測定ペ
レットとプローブカード探針群９との接触が最適接触抵
抗となる。
【０００７】図１（Ｂ）に他の実施例を示す。ウェハー
キャリア１に収納された半導体ウェハー２が高さ検出部
４へロードされる。この高さ検出部によりウェハー厚を
測定し、半導体ウェハーに反りがないときは、前実施例
と同様に測定されるが、反りがあるときは、次の動作に
て測定される。まず、高さ検出部４において測定開始ペ
レットの高さを検出し、半導体ウェハー２を測定部へロ
ードする。測定部では高さ検出をしたペレットを測定す
る。このとき、ペレット高さの検出結果に基づき、図２
（ｄ）に示すウェハーステージアップストローク７をコ
ントロールする。これにより、被測定ペレットとプロー
ブカード探針群９との接触が最適接触抵抗となる。そし
て、次のペレットを測定する前に半導体ウェハー２は高
さ検出部４へ再ロードされ、次の測定しようとするペレ
ットの高さを測定する。その後、再び測定部へロードさ
れ、このペレットが測定される。前述と同様ペレット高
さ検出結果に基づき、ウェハーステージアップストロー
ク７がコントロールされる。この動作が繰り返えされ、
測定が行なわれる。
キャリア１に収納された半導体ウェハー２が高さ検出部
４へロードされる。この高さ検出部によりウェハー厚を
測定し、半導体ウェハーに反りがないときは、前実施例
と同様に測定されるが、反りがあるときは、次の動作に
て測定される。まず、高さ検出部４において測定開始ペ
レットの高さを検出し、半導体ウェハー２を測定部へロ
ードする。測定部では高さ検出をしたペレットを測定す
る。このとき、ペレット高さの検出結果に基づき、図２
（ｄ）に示すウェハーステージアップストローク７をコ
ントロールする。これにより、被測定ペレットとプロー
ブカード探針群９との接触が最適接触抵抗となる。そし
て、次のペレットを測定する前に半導体ウェハー２は高
さ検出部４へ再ロードされ、次の測定しようとするペレ
ットの高さを測定する。その後、再び測定部へロードさ
れ、このペレットが測定される。前述と同様ペレット高
さ検出結果に基づき、ウェハーステージアップストロー
ク７がコントロールされる。この動作が繰り返えされ、
測定が行なわれる。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、反りのあ
る半導体ウェハーに対し、反りがない半導体ウェハーと
同様の測定条件で測定できる機能を半導体ウェハーハン
ドリング装置に持たせたことにより、半導体ウェハーの
反りによる測定歩留りの低下を防ぎ、半導体ウェハーハ
ンドリング装置のマニュアル操作による多大な工数を削
減できるという効果を有する。
る半導体ウェハーに対し、反りがない半導体ウェハーと
同様の測定条件で測定できる機能を半導体ウェハーハン
ドリング装置に持たせたことにより、半導体ウェハーの
反りによる測定歩留りの低下を防ぎ、半導体ウェハーハ
ンドリング装置のマニュアル操作による多大な工数を削
減できるという効果を有する。
【図１】本発明の実施例の構成図で、同図（Ａ）は一実
施例を示し、同図（Ｂ）は他の実施例を示す。
施例を示し、同図（Ｂ）は他の実施例を示す。
【図２】本発明の実施例の各部分図を示し、同図（ａ）
は高さ検出部の斜視図、同図（ｂ）は測定ポイントを示
すウェハーの平面図、同図（ｃ）はウェハー厚さサーチ
方向の説明図、同図（ｄ）はウェハーステージアップス
トロークを説明する断面図である。
は高さ検出部の斜視図、同図（ｂ）は測定ポイントを示
すウェハーの平面図、同図（ｃ）はウェハー厚さサーチ
方向の説明図、同図（ｄ）はウェハーステージアップス
トロークを説明する断面図である。
１ ウェハーキャリアー
２ 半導体ウェハー
３ プローブカード
４ 高さ検出部
５ ウェハー厚さサーチ方向
６ ウェハー厚さポイント
７ ウェハーステージアップストローク８
ウェハーステージ ９ プローブカード探針群
ウェハーステージ ９ プローブカード探針群
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェハーに形成されたペレット
をプローブカードにより測定する半導体ウェハーハンド
リング装置において、プローブカードによる測定開始前
にウェハーの反り分布を検出する高さ検出部と、この反
り分布を記憶する記憶部と、この記憶部からの信号に基
づき測定部へ送られたウェハーを上下させ、プローブカ
ード探針群とウェハー測定面との間隔を制御する制御部
とを有することを特徴とする半導体ウェハーハンドリン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP182191A JPH04239148A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 半導体ウェハーハンドリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP182191A JPH04239148A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 半導体ウェハーハンドリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239148A true JPH04239148A (ja) | 1992-08-27 |
Family
ID=11512227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP182191A Pending JPH04239148A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 半導体ウェハーハンドリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04239148A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111929566A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-11-13 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 晶圆测试方法、装置及其控制设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03141657A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 検査装置 |
-
1991
- 1991-01-11 JP JP182191A patent/JPH04239148A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03141657A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 検査装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111929566A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-11-13 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 晶圆测试方法、装置及其控制设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971028 |