JPH03141657A - 検査装置 - Google Patents

検査装置

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JPH03141657A
JPH03141657A JP28086289A JP28086289A JPH03141657A JP H03141657 A JPH03141657 A JP H03141657A JP 28086289 A JP28086289 A JP 28086289A JP 28086289 A JP28086289 A JP 28086289A JP H03141657 A JPH03141657 A JP H03141657A
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JP
Japan
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tray
semiconductor chip
electrode
mounting stage
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP28086289A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidenori Yoshida
吉田 英則
Hiromi Hirayama
平山 広美
Kiyohisa Tateyama
清久 立山
Tomoaki Kubota
久保田 智明
Kenichi Furusho
古荘 健一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Publication date
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Priority to JP28086289A priority Critical patent/JPH03141657A/ja
Publication of JPH03141657A publication Critical patent/JPH03141657A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、検査装置に関する。
(従来の技術) 一般に、半導体デバイスの製造工程では、精密写真転写
技術等を用いて半導体ウェハ上に多数の半導体チップを
形成し、この後、ダイシング後程により各半導体チップ
に切断する。そして、これらの半導体チップを所定形状
にモールド(パッケージング)して個々の半導体デバイ
スを形成する。
このような半導体製造工程において、従来は、プローブ
装置を用いた半導体ウェハの状態での電気的特性の検査
、およびハンドラを用いたモールド済みの半導体デバイ
ス(完成品)の電気的特性の検査が行われている。
ところで、このような半導体製造工程において、近年は
ダイシング後のモールドされていない状態の半導体チッ
プの電気的特性の検査を実施することが考えられている
。これは、例えば近年半導体チップを直接プリント配線
基板等の上に搭載し、工程の簡略化および装置の小型化
等を図る技術が開発されているが、このような場合等に
対応するためである。
(発明が解決しようとする課題) 上述したように、近年ダイシング後のモールドされてい
ない半導体チップの電気的特性の検査を実施することが
考えられている。しかしながら、従来このようなモール
ドされていない半導体チップの電気的特性の検査を実施
するシステムがなく、このため、モールドされていない
半導体チップの電気的特性の検査は、マニュアル操作に
よって行われていた。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、モールドされていない半導体チップの電気的特性の検
査を自動的に実施することができ、従来に較べて生産性
の大幅な向上を図ることのできる検査装置をlff1M
しようとするものである。
(発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち、本発明は、モールドされていない半導体チッ
プが複数マトリクス状に設けられたトレーを搬送して/
fiIIノ定部位にロード・アンロードする手段と、予
め前記トレー上の前記半導体チップの電極を複数撮像し
、これらの電極の位置から該半導体チップの所定位置か
らのずれを検出し、このずれを補正する手段と、前記測
定部位にロードされた前記トレー上の前記半導体チップ
の電極に順次検査端子を接触させて電気的な導通を得る
手段と、この手段の結果から上記半導体チップを検査す
る手段とを備えたことを特徴とする。
(作 用) 上記構成の本発明の検査装置では、モールドされていな
い半導体チップの電気的特性の検査を自動的に実施する
ことができ、従来に較べて生産性の大幅な向上を図るこ
とができる。
(実施例) 以下、本発明の検査装置の一実施例を、図面を参照して
説明する。
第1図に示すように、この実施例の検査装置は、トレー
収容部1および搬送機構2からなるローダ部3と、iP
J定部4とからその主要部を構成されている。
上記トレー収容部1は、第2図に示すように、その上面
の所定位置に、複数例えば数個ないし数十個のモールド
されていない半導体チップ20を保持可能に構成された
トレー21を、例えば棚状に?j2数収容する如く構成
されている。なお、半導体チップ20には、例えば第3
図に示すように例えば数十ないし数百側の電極22a、
22b・・・・・・が例えばマトリクス状に設けられて
いる。
そして、上3c!搬送機構2は、例えば搬送用アーム等
でこのトレー収容部1内のトレー21を保持して順次’
ll1lJ定部4ヘロードし、測定が終了したトレー2
]をΔIll定部4からアンロードしてトレー収容部1
内に収容する如く構成されている。
また、上記測定部4には、その上面にトレー21を保持
してx−y−z方向に移動可能に構成された載置台5が
設けられており、この載置台5は、駆動制御部6によっ
て制御される。
さらに、測定部4には、半導体チップ20の電極22に
対応する多数の探針7を備えたプローブカード8が、探
針7が下向きに配列されるよう前説自在に設けられてい
る。また、これらの探針7は、図示しないケーブル等を
介して図示しないテスタ(検査測定装置)に接続されて
いる。そして、載置台5をx−y−z方向に移動させる
ことにより、下側から半導体チップ20の電極22と探
針7とを接触させ、テスタにより各半導体チップ20の
検査測定を行う如く構成されている。
また、例えばプローブカード8の側方には、例えば容量
センサ9等の高さ検出手段と、例えばCCDカメラ10
等の撮像手段が設けられており、これらの出力信号は位
置認識部11に入力されるよう構成されている。そして
、位置認識部11は、容量センサ9の測定結果から半導
体チップ20の有無およびそのZ方向位置(高さ)の所
定位置からのずれを検出し、CCDカメラ10の測定結
果から半導体チップ20のX−Y方向位置の予め記憶さ
れた基準の所定位置からのずれ量をパターン認識技術に
より検出して駆動制御部6に送出するよう構成されてい
る。
駆動制御部6は、このずれ量を相殺する方向に載置台5
をX、Y、θ方向移動させて位置合せし、トレー21上
に所定位置からずれて載置された半導体チップ20に対
しても、電極22に正確に探針7を接触させることがで
きるよう構成されている。この位置合せは測定するデバ
イス毎に一個ずつ実施した後プロービングする。
上記構成のこの実施例の検査装置では、例えば第2図に
示したように、被検査体である半導体チップ20を複数
a置されたトレー21を、予めローダ部3のトレー収容
部1内の所定部位に例えば棚積みする如く配置しておく
。すると、搬送機構2は、例えば搬送アームにより、こ
れらのトレー21のうち所定位置のトレー21、例えば
最上段のトレー21を保持する。そして、このトレー2
1を、予め受は渡し位置で待機する載置台5上の所定位
置に載置する。
この後、駆動制御部6は、載置台5を容量センサ9の下
方に移動する。そして、容量センサ9がトレー21上に
載置された各半導体チップ20の上方に位置するようス
テップ状に載置台5を移動させ、順次半導体チップ20
の有無およびその高さを容量センサ9によって測定する
。なお、この測定は例えば第2図に矢印で示す如く、図
中最上段左端から右側に、II定した後、2段目を右端
から左側にΔPI定し、次に3段目を左端から右側に測
定する等−段ずつ順次反対側から行う如く構成されてい
るが、複数の容量センサ9によって一度に複数の半導体
チップ20を測定するようにしても、どのようにしても
よい。この測定結果は、位置認識部11内に記憶される
とともに駆動制御部6に送出される。
しかる後、駆動制御部6は、載置台5をCCDカメラ1
0の下方に移動する。そして、CCDカメラ10により
半導体チップ20の電極22を撮像し、例えば次のよう
にして半導体チップ200所定位置からの位置ずれを検
出する。
すなわち、まず、第3図に示す半導体チップ20におい
て、例えば最下段左端の電極22aを撮像し、その重心
位置を求め、次に最下段右端の電極22bを撮像し、そ
の重心位置を求めて、これらの重心位置から半導体チッ
プ20の傾きθを求める。
次に、最上段右端の電極22cを撮像し、その有無を確
認する。すなわち、この半導体チップ20の場合、最上
段左端には、図中点線で示す如く電極の形成されていな
い部位があり、これが半導体チップ20の方向性の基準
となっている。そこで残りの3隅の電極22a、22b
、22cを撮像し、その存在を確認することによって、
半導体チップ20が所定の向きに配置されているか否か
を確認する。
そして、最後に、中心の電極22dを撮像し、その重心
位置を求め、半導体チップ20の中心位置のずれを求め
る。
上記一連の工程を、トレー21上の各半導体チップ20
について行い、各半導体チップ20の位置ずれを求める
。この情報は、位置認識部11から駆動制御部6に送出
され、駆動制御部6内に記憶される。なお、この際、8
二センサ9による測定結果を参照し、ρjえば半導体チ
ップ20が無しと判定された部位、すなわち、例えば搬
送中等に半導体チップ20が飛び出したりして半導体チ
ップ20が存在しない部位のCCDカメラ10による測
定は行わない。
このような容量センサ9と、CCDカメラ10によるト
レー21上の各半導体チップ20の位置認識が終了する
と、駆動制御部6は、載置台5をプローブカード8の下
方に移動させる。そして、上述した位置認識情報に基い
て、載置台5のX−Y−Z方向の移動量を補正し、例え
ば第2図に示した矢印の如く端部の半導体チップ20か
ら順に、プローブカード8の探針7と電極22とを接触
させ、電気的な導通を得、テスタによって所定の検査測
定を行う。
この時、半導体チップ20の下面側に電極が存在する場
合は、°トレー21に導電性部材例えば導電性ゴムから
なる板材等を、半導体チップ20下部からその周囲に延
在する如く設けておき、この導電性ゴム上に半導体チッ
プ20を載置して、この導電性ゴムに探針7を接触させ
るようにすれば、下向きの電極に対して上側から電気的
導通を得ることができる。
なおこの際、CCDカメラ10による測定と同様に、容
量センサ9による半導体チップ20の有無に関する測定
結果を参照し、半導体チップ20が無しと判定された部
位については、探針7を接触させるための動作および測
定に関連する動作は行わなず、この部位を飛ばして次の
半導体チップ20の測定を行う。また、プローブカード
8の探針7は、予め所定の基準位置に位置合せしておく
必要があるが、このような位置合せは、例えば銀紙、ア
ルミホイル等針跡の付き易いものをトレー21上に載置
して探針7に押圧し、これらの針跡を例えばCCDカメ
ラ10等により撮像することにより、ウエハブローバ等
の場合と同様にして行うことができる。
トレー21上の全ての半導体チップ20の検査測定が終
了すると、駆動制御部6は、載置台5を所定の受は渡し
位置へ移動させる。そして、搬送機構2により載置台5
上のトレー21をアンロードしてトレー収容部1内の所
定の部位に収容し、次のトレー21を載置台5上にロー
ドする。このような手順を繰り返して、トレー収容部1
内に収容された全てのトレー21上に載置された半導体
チップ20の検査測定を自動的に実施する。
すなわち、この実施例の検査装置によれば、例えば微小
ピッチで形成された多数の微小な電極22を形成された
モールドされていない半導体チップ20に対しても、探
針7を電極22に接触させて、その電気的特性の検査を
自動的に実施することができる。
また、予めCCDカメラ10により各半導体チップ20
の所定位置からの位置ずれを検出し、この位置ずれを補
正する如く電極22に探針7を接触させるので、例えば
ダイシング工程における切断状態が悪く、斜めに切断さ
れてしまい、その結果トレー21上に斜めに配置された
半導体チップ20等があっても、このような半導体チッ
プ20の電極22に対しても正確に探針7を接触させる
ことができる。
さらに、CCDカメラ10による各半導体チップ20の
位置ずれ検出の前に、容量センサ9により半導体チップ
20の有無およびその高さを測定するので、例えばトレ
ー21の搬送中等に半導体チップ20が飛び出して、な
くなってしまったような場合には、この部位を飛ばして
以後の測定動作を実施することができ、検査の効率化を
図ることができる。
また、高さ位置のずれた半導体チップ20に対しても、
容量センサ9によって1lllJ定された高さ情報に基
いて載置台5の2方向の駆動量を補正することにより、
最適な押圧力で電極22に正確に探針7を接触させるこ
とができ、正確かつ確実に半導体チップ20の検査を行
うことができる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の検査装置によれば、モー
ルドされていない半導体チップの電気的特性の検査を自
動的に実施することができ、従来に較べて生産性の大幅
な向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の検査装置の構成を示す図、
第2図は第1図のトレーの構成を示す図、第3図は第2
図の半導体チップの構成を示す図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)モールドされていない半導体チップが複数マトリ
    クス状に設けられたトレーを搬送して測定部位にロード
    ・アンロードする手段と、 予め前記トレー上の前記半導体チップの電極を複数撮像
    し、これらの電極の位置から該半導体チップの所定位置
    からのずれを検出し、このずれを補正する手段と、 前記測定部位にロードされた前記トレー上の前記半導体
    チップの電極に順次検査端子を接触させて電気的な導通
    を得る手段と、 この手段の結果から上記半導体チップを検査する手段と
    を備えたことを特徴とする検査装置。
JP28086289A 1989-10-26 1989-10-26 検査装置 Pending JPH03141657A (ja)

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JP28086289A JPH03141657A (ja) 1989-10-26 1989-10-26 検査装置

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JP28086289A JPH03141657A (ja) 1989-10-26 1989-10-26 検査装置

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JP28086289A Pending JPH03141657A (ja) 1989-10-26 1989-10-26 検査装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04239148A (ja) * 1991-01-11 1992-08-27 Nec Corp 半導体ウェハーハンドリング装置
JPH0567655A (ja) * 1991-09-05 1993-03-19 Mitsubishi Denki Eng Kk 半導体素子用特性検査装置
JPH05166903A (ja) * 1991-12-12 1993-07-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体検査装置
US6111246A (en) * 1996-04-05 2000-08-29 Advantest Corporation Semiconductor device testing apparatus having presence or absence detectors issuing an alarm when an error occurs

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57147247A (en) * 1981-03-06 1982-09-11 Hitachi Ltd Automatic inspecting device for semiconductor chip

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57147247A (en) * 1981-03-06 1982-09-11 Hitachi Ltd Automatic inspecting device for semiconductor chip

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04239148A (ja) * 1991-01-11 1992-08-27 Nec Corp 半導体ウェハーハンドリング装置
JPH0567655A (ja) * 1991-09-05 1993-03-19 Mitsubishi Denki Eng Kk 半導体素子用特性検査装置
JPH05166903A (ja) * 1991-12-12 1993-07-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体検査装置
US6111246A (en) * 1996-04-05 2000-08-29 Advantest Corporation Semiconductor device testing apparatus having presence or absence detectors issuing an alarm when an error occurs

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