JPH0423459A - 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造技術、特に、半導体ペレッ
トに作り込まれた電子回路を外部に取り出すリードのア
ウタ部についてのはんだ技術に関し、例えば、樹脂封止
パッケージを備えているバイポーラ形半導体集積回路装
置の製造に利用して有効なものに関する。

〔従来の技術〕

一般に、樹脂封止型パッケージを備えている半導体装置
は、半導体ペレットと、半導体ペレットの周囲に配設さ
れている複数本のリードと、半導体ペレットのポンディ
ングパッドおよび各リードのインナ部に両端部をボンデ
ィングされて橋絡されているワイヤと、半導体ペレット
、リードの一部、およびワイヤを樹脂封止するパッケー
ジとを備えており、半導体ペレットに作り込まれている
電子回路が各リードにより外部へ電気的に取り出される
ようになっている。

一方、樹脂封止型パッケージを備えている半導体装置に
おいては、この半導体装置のプリント配線基板への実装
時における接続性を向上させるために、樹脂封止型パッ
ケージの成形後、はんだ被膜がリード群のアウタ部に、
はんだめっき処理、または、はんだデイツプ処理等のよ
うな適当な手段により被着されている。

しかし、樹脂封止型パッケージの成形後に、はんだめっ
き処理、または、はんだデイツプ処理等のような湿式処
理が実施されると、樹脂封止型パッケージの耐湿性能が
低下され、また、製品完成までの時間が長期化される。

そこで、特開平１−１０６４５４号公報に記載されてい
るように、はんだ被膜をリード群のアウタ部に、予め被
着形成しておくこと（以下、先付けはんだめっき法とい
うことがある。）により、パッケージ成形後におけるは
んだ処理を省略化することが、提案されている。

〔発明が解決しようとする課題］ しかし、先付けはんだめっき法においては、次のような
問題点がある。

（１）先付けはんだめっき処理されるリードフレームが
１枚または数枚宛、スバージ（噴流）方式によりアウタ
部に部分めっき処理されるため、めっき処理速度に寄与
する電流密度を高めることができない。その結果、作業
能率が悪く、はんだめっき処理コストが高くなる。

（２）　　はんだめっき処理においては、鉛（ｐｂ）と
錫（Ｓｎ）との組成比の誤差が大きいため、その組成比
公差を±１０％程度に大きく設定する必要がある。

（３）　　また、はんだめっき処理においては、はんだ
めっき膜厚はリードフレームの形状が複雑になって来る
と、位置依存性が大きくなるため、位置精度がきわめて
厳格化される。

（４）リードフレームのインチ部に銀（Ａｇ）めっき層
が形成される場合、インナ部に形成された銀めっき層の
表面が、後のアウタ部に対するはんだめっき処理によっ
て汚染されることがある。銀めっき層が汚染されると、
ワイヤボンディング工程において、各リードのインナ部
に対するポンダビリティ−が低下する。

本発明の目的は、はんだ被膜を各リードのアウタ部へ予
め被着させることができるとともに、コストの低減化、
はんだ組成比および位置精度の向上、インナ部の汚染防
止を実現することができる半導体装置の製造技術を提供
することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち１代表的なものの概
要を説明すれば、次の通りである。

すなわち、半導体ペレッ１−と、半導体ペレットの周囲
に配設され、半導体ペレッ１〜の各電極パッドに電気的
に接続されている複数本のリードと、半導体ペレットお
よびリードの一部を樹脂封止するパッケージとを備えて
いる半導体装置において、前記各リードには溶融はんだ
材料が固化されて成るはんだ被膜が、前記樹脂封止パッ
ケージの周縁内側近傍を含むアウタ部に被着されている
ことを特徴とする。

〔作用〕

前記した手段によれば、はんだ被膜は溶融はんだ材料が
リードフレームの表面に、電解めっき法ではなく、転写
印刷法または塗布法により機械的ないしは物理的に被着
されるため、電解めっき法に比べて作業速度を大幅に高
めることができるとともに、作業管理等についても大幅
に緩和することができ、その結果、半導体装置全体とし
ての製造原価を低減化することができる。

現在の転写印刷技術または塗布技術によれば、リードフ
レームがたとえ複雑な形状に設定された場合であっても
、はんだ被膜は膜厚および位置のいずれについても高精
度をもって形成することができる。

〔実施例１］ 第１図は本発明の一実施例である樹脂封止パッケージを
備えている半導体装置を示す一部切断正面図、第２図〜
第９図は本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
を示す各説明図である。

本実施例において、本発明に係る半導体装置は、最も一
般的な半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）であ
る樹脂封止形デュアル・インライン・パッケージを備え
ているＩＣ（以下、ＤＴＰ・ＩＣ１または、単に、ＩＣ
ということがある。）として構成されている。

第１図に示されているように、この樹脂封止形ＤＩＰ−
ＩＣｌ３は、シリコン半導体ペレット（以下、ペレット
という。）１２と、ペレットの周囲に配設されている複
数本のり一部９と、ペレットの各ポンディングパッド１
２ａ、および各リード９のインナ部９ａにその両端部を
それぞれボンディングされて橋絡されているワイヤ１３
と、これらを樹脂封止するパッケージ１４とを備えてお
り、ペレット１２に作り込まれた半導体集積回路がポン
ディングパッド１２ａ、各リード９のインナ部９ａおよ
びワイヤ１３を介して各リード９のアウタ部９ｂにおい
て電気的に取り出されるようになっている。

そして、このＤＩＰ−ＩＣｌ３には銀めっき層５が各リ
ード９のインナ部９ａ、および、ペレット１２がボンデ
ィングされているタブの表面に形成されているとともに
、はんだ被膜１０が各り一部９の樹脂封止パッケージ１
４の周縁内側近傍を含むアウタ部９ｂ全面に被着されて
いる。

このＤＩＰ−ＩＣは次のような製造方法により製造され
ている。

以下、本発明の一実施例であるこの樹脂封止型ＤＴＰ−
ＩＣの製造方法を説明する。この説明により、前記ＤＴ
Ｐ−ＩＣについての構成の詳細が共に明らかにされる。

本実施例において、本発明に係る樹脂封止型ＤＩＰ−Ｉ
Ｃの製造方法には、第２図および第３図に示されている
多連リードフレーム１が使用されている。この多連リー
ドフレーム１は銅系（銅またはその合金）材料からなる
薄板を用いられて、打ち抜きプレス加工またはエツチン
グ加工等のような適当な手段により一体成形されている
。この多連リードフレームを形成する銅系材料としては
、析出硬化型銅系材料、例えば、０．０５〜０．１５％
のジルコニウム（Ｚｒ）を含有する（残りは銅）析出硬
化型銅系材料や、０．５０〜０．６０％程度のジルコニ
ウム、および、０．２０〜０゜３０％程度のクロム（Ｃ
ｒ）を含有する析出硬化型銅系材料、が使用されている
。析出硬化型銅系材料は、導電率、および引張強度が高
く、アルミニウム、銅、金等のような金属に対する機械
的接続性が優れており、その結果、これらの金属が使用
されているワイヤがボンディングされる際におけるボン
ダビリティ−がきわめて良好になる。

この多連リードフレーム１には複数の単位リードフレー
ム２が横方向に１列に並設されている。

但し、図面では一単位のみが示されている。単位リード
フレーム２は位置決め孔３ａが開設されている外枠３を
一対備えており、両外枠３は所定の間隔で平行になるよ
うに配されて、多連リードフレーム１が連続する方向へ
一連にそれぞれ延設されている。隣り合う単位リードフ
レーム２．２間には一対のセクション枠４が両外枠３．
３間に互いに平行に配されて一体的に架設されており、
これら外枠、セクション枠により形成される略長方形の
枠体内に単位リードフレーム２が構成されている。

各単位リードフレーム２において、両外枠３および３に
はタブ吊りリード７．７が直角方向にそれぞれ配されて
一体的に突設されており、両タブ吊りリード７．７の先
端間には略正方形の平板形状に形成されたタブ８が、外
枠３．３およびセクション枠４．４の枠形状と略同心的
に配されて−・体的に吊持されている。タブ８は後述す
るはんだ被膜被着工程以前または以後に、リード９群の
面よりも半導体ペレントの厚み分程裏面方向に下げられ
る（所謂タブ下げ）。

また、両外枠３．３間にはダム部材６が一対、タブ吊り
リード７の両脇において直角方向に延在するようにそれ
ぞれ配されて、一体的に架設されており、両ダム部材６
．６には複数本のり−ド９が長平方向に等間隔に配され
て、互いに平行で、ダム部材６と直交するように一体的
に突設されている。各リード９の内側端部は先端がタブ
８に近接されてこれを取り囲むように配されることによ
り、インチ部９ａをそれぞれ構成している。他方、各リ
ード９の外側延長部分は、その先端がセクション枠４に
機械的に接続されており、アウタ部９ｂをそれぞれ構成
している。そして、ダム部材６における隣り合うリード
９．９間の部分は後述するパッケージ成形時にレジンの
流れをせき止めるダム６ａを実質的に構成している。

本実施例において、多連リードフレーム１におけるリー
ド９群のアウタ部９ｂには、はんだ被膜１０が後述する
ような適当な手段により被着されている。このはんだ被
膜１０は、リード９の表面における外側先端からダム部
材６よりも内側寄り位置にかけてを、表裏面および側面
について全体的に被覆するように被着されている。はん
だ被膜１０がリード９の表面におけるダム部材６の内側
寄り位置まで被着されている理由は、後述する樹脂封止
パッケージの成形工程において、リードフレームと成形
型との位置ずれを吸収するための余裕を持たせることに
ある。また、このはんだ被膜１０の被着工程は、多連リ
ードフレーム１の成形工程以後に実施されるように設定
することが望ましい。けだし、成形工程以後にはんだ処
理することにより、アウタ部９ｂに成形によって発生ず
る切り口面にもはんだ被膜１０を被着させることができ
るためである。

そして、このはんだ被膜１０を組成する材料としては、
融点が比較的高い温度、例えば、１８０°Ｃ程度の融点
を有するはんだ材料が使用されている。これは、後述す
るようにワイヤボンディング工程においてリードフレー
ムが加熱される際に、リード群のアウタ部に形成された
はんだ被膜１０が当該加熱によって溶融されてしまう事
態が発生ずるのを防止するためである。このような融点
のはんだ材料としては、例えば、錫（Ｓｎ）７５〜９５
％−鉛（Ｐｂ）２５〜５％、を成分とするはんだ材料、
がある。

また、リード９群のインナ部９ａおよびタブ８には銀（
Ａｇ）めっき層５が、ワイヤおよびペレットボンディン
グされる側の主面（以下、第１主面とする。）に配され
て、後述するような適当な手段により形成されている。

リード９群のインナ部９ａに形成されている銀めっき層
５の外側境界は、はんだ被膜１０の内側境界から肉寄り
に離されている。銀めっき層５がはんだ被膜１０から離
されている理由は、後述するはんだ被膜１０の被着工程
において、銀めっき層５が位置ずれによって汚染される
のを防止するためである。つまり、はんだ被膜１０と銀
めっき層５との間には、位置ずれを吸収するために空白
部分がバンファ領域５Ａとして設定されている。

ちなみに、この銀めっき層５の形成工程は、多連リード
フレーム１の成形工程以前に実施されるように設定して
もよい。なぜならば、銀めっき層５はリードフレーム１
の第１主面側のみに形成すればよく、成形工程によって
発生する切り口面に形成する必要性がないためである。

また、銀めっき層５は、融点が比較的高いため、特に、
融点が高い組成を考慮しなくてもよい。

次に、多連リードフレーム１に銀めっき層５およびはん
だ被膜１０が形成される工程の一実施例を、第４図に示
されている一貫装置が使用される場合について説明する
。

この−貫装置２０は互いに離間されて配されている供給
リール２２と巻き取りリール２３とを備えており、−継
ぎの帯状に形成されている前記多連リードフレーム２１
が供給リール２２に巻装され、この帯状多連リードフレ
ーム２１が処理後、巻き取りリール２３に巻き取られる
ようになっている。そして、供給リール２２と巻き取り
リール２３との間に張設された帯状多連リードフレーム
２１によって、搬送ライン２４が実質的に構成されてい
る。この搬送ライン２４は帯状多連リードフレーム２１
を供給リール２２側から巻き取りリール２３の方向へ歩
進送りするように構成されている。

搬送ライン２４の上流側である供給リール２２側には銀
めっき装置２５が設備されている。この銀めっき装置２
５は前処理装置２６、めっき処理装置２７および後処理
装置２８を備えており、これら装置２５．２６．２７は
次のような作用を実行するように構成されている。

まず、前処理装置２６において、帯状多連リドフレーム
２１は脱脂剤や酸化膜除去剤等により構成されている前
処理液２６ａに浸漬されることにより、その表面に付着
および形成されている油分および酸化膜等のような汚染
物質を除去されて、洗浄される。

続いて、めっき処理装置２７において、帯状多連リード
フレーム２１は銀めっき処理液２７ａに浸漬されるごと
により、銀めっき層５を形成される処ｐｌを施される。

このとき、帯状多連１１−トフレーム２１は各単位リー
ドフレーム毎にマスキング部材２７ｂにより、タブ８お
よびリード９群のインナ部９ａにおける所定領域以外の
領域をマスキングされる。したがって、銀めっき層５は
タブ８およびインナ部９ａの所定領域にのみ形成される
ことになる。

予め設定された銀めっき層５の厚さが形成される時間が
経過すると、帯状の多連リードフレーム２１は歩進送り
される。後処理装置２８において、水から成る洗浄液２
８ａによりめっき処理液２７ａ等を洗い流される。

また、搬送ライン２４の下流側である巻き取りリール２
３側には、はんだ被膜被着工程を実施するはんだ被膜被
着装置３０が設備されている。このはんだ被膜被着装置
３０は前処理装置３１、フラックス塗布装置３２、プリ
ヒータ３３、溶融はんだ印刷装置３４および後処理装置
３５を備えており、これら装置３１．３２．３３．３４
および４０は次のような作用を実行するようにそれぞれ
構成されている。

前述したようにして、銀めっき層５が形成された帯状多
連リードフレーム２１は、搬送ライン２４の送りによっ
てはんだ被膜被着装置３０に搬送される。この装置３０
における前処理装置３１において、帯状多連リードフレ
ーム２１は脱脂剤や酸化膜除去剤により構成されている
前処理液３１ａに浸漬されることにより、その表面に付
着および形成されている油分および酸化膜等のような汚
染物質を除去されて洗浄される。

表面を洗浄された帯状多連リードフレーム２１は、フラ
ックス塗布装置３２においてフラックス３２ａ液中に浸
漬されることにより、その表面にフラックス３２ａを塗
布される。

フラックス３２ａを塗布された帯状多連リードフレーム
２１は、プリヒータ３３を通されることにより、所定温
度に予熱される。

続いて、帯状多連リードフレーム２１は溶融はんだ印刷
装置３４において、各単位リードフレーム毎にリード９
のアウタ部９ｂにおける前記した領域にはんだ被膜１０
を精度よく被着される。この溶融はんだ印刷装置３４ば
、溶融はんだ３５が貯留されている溶融はんだ槽３６と
、原版ローラ３７と、かき落とし部材３Ｂと、転写ロー
ラ３９とを一対宛備えており、これらは帯状多連リード
フレーム２１の上下にそれぞれ１組宛配設されている。

したがって、帯状多連リードフレーム２１には次の作用
により、溶融はんだ３５が第１主面、第２主面の両面、
および、その間の側面に被着されることになる。

原版ローラ３７の周面にはパターン３７ａが刻設されて
おり、このパターン３７ａはリード９のアウタ部９ｂに
おけるはんだ被膜１０の被着領域に対応するように形成
されている。原版ローラ３７が帯状多連リードフレーム
２１の送りに連動されて回転されると、溶融はんだ槽３
６に周面が浸漬されている原版ローラ３７のパターン３
７ａに溶融はんだ３５が保持される。原版ローラ３７の
周面に付着したパターン３７ａ以外における余分の溶融
はんだ３５は、原版ローラ３７の回転に伴ってかき落と
し部材３８によりかき落とされる。

したがって、原版ローラ３７の周面にはパターン３７ａ
によって保持された溶融はんだ３５のみが付着されてい
ることになる。

帯状多連リードフレーム２１の送りに連動されて互いに
外接する原版ローラ３７および転写ローラ３９が回転さ
れると、原版ローラ３７のパターン３７．ｉに保持され
た溶融はんだ３５が転写ローラ３９に転写される。さら
に、回転が進むと、転写ローラ３９に転写された溶融は
んだ３５は帯状多連リードフレーム２１に再転写される
。

このとき、パターン３７ａがリード９群のアウタ部９ｂ
における所定の領域に対応するように形成されているた
め、溶融はんだ３５は帯状多連リードフレーム２１にお
ける所定の領域に転写されることになる。つまり、溶融
はんだ３５は前記したリード９群のアウタ部９ａに位置
精度よく被着される。したがって、はんだ被膜１０と銀
めっき層５との間にバンファ領域５Ａが設定されている
こととあいまって、溶融はんだ３５が銀めっき層５を汚
染することはない。

また、被着された溶融はんだ３５の膜厚も転写印刷法に
よるため、高い精度を備えている。しかも、当該溶融は
んだ３５の膜厚はパターン３７ａの深さ等の選定により
、比較的容易に厚く設定することができる。

このようにして溶融はんだ３５が被着された帯状多連リ
ードフレーム２１は、後処理装置４０において、冷却お
よび洗浄等のような所定の後処理を施される。この後処
理により、帯状多連リードフレーム２１の各単位リード
フレーム毎に被着された溶融はんだ３５は固化され、は
んだ被膜１０を形成することになる。

最後に、帯状多連リードフレーム２１は巻き取りリール
２３に巻き取られる。このようにしてリール２３に巻き
取られた帯状多連リードフレーム２１は適当な長さの多
連リードフレーム１に切断され、または、切断されずに
後工程であるペレット・ワイヤボンディング工程に送給
される。

前記のように構成され、かつ、銀めっき層５およびはん
だ被膜１０が形成された多連リードフレ−ム１には、各
単位リードフレーム２毎にペレット・ボンディング作業
、続いて、ワイヤ・ボンディング作業が実施され、これ
ら作業により、第５図および第６図に示されているよう
な組立体が製造されることになる。これらのボンディン
グ作業は多連リードフレームが横方向にピッチ送りされ
ることにより、各単位リードフに一ム２毎に順次実施さ
れる。

まず、ペレットボンディング作業により、半導体装置の
製造工程における所謂前工程において、バイポーラ形の
集積回路素子（図示せず）を作り込まれた半導体集積回
路構造体としてのペレット１２が、各単位リードフレー
ム２におけるタブ８上の略中央部に配されて、銀ペース
ト等のような適当な材料を用いられて形成されるボンデ
ィング層１１を介して固着される。銀ペーストは、エポ
キシ系樹脂接着剤、硬化促進剤、および溶剤に銀粉が混
入されて構成されているものであり、リードフレーム上
に塗布された銀ペーストにペレットが押接された後、適
当な温度により硬化（キュア）されることにより、ボン
ディング層１１を形成するようになっている。このとき
、タブ８の第１主面には銀めっき層５が予め形成されて
いるため、銀ペーストによるボンディング層１１の形成
はきわめて効果的に実行されることになる。

そして、タブ８に固定的にボンディングされたペレット
１２のポンディングパッド１２ａと、単位リードフレー
ム２における各リード９のインナ部９ａとの間に、銅系
、金糸またはアルミニウム系材料を使用されて形成され
ているワイヤ１３力（超音波圧着式等のようなワイヤボ
ンディング装置（図示せず）が使用されることにより、
その両端部をそれぞれボンディングされて橋絡される。

このとき、リード９群のインナ部９ａに銀めっき層５が
予め形成されているため、しかも、銀めっき層５は先付
けはんだ被膜１０の存在にもかかわらず、汚染されてい
ないため、ワイヤ１３のインナ部９ａに対する所謂セカ
ンドボンディングはきわめてボンダビリティ−よく実行
されることになる。

ちなみに、このワイヤボンディング工程においては、前
述したように、リード９のアウタ部９ｂに被着されたは
んだ被膜１０が溶融しないように温度管理する必要があ
る。

これにより、ペレットＩ２に作り込まれている集積回路
は、ポンディングパッド１２ａ、ワイヤ１３、リード９
のインナ部９ａ、およびアウタ部９ｂを介して電気的に
外部に引き出されることになる。

このようにしてペレットおよびワイヤ・ボンディングさ
れた多連リードフレームには、各単位リードフレーム毎
に樹脂封止するパッケージ群が、第７図に示されている
ようなトランスファ成形装置を使用されて単位リードフ
レーム群について同時成形される。

第７図に示されているトランスファ成形装置５０はシリ
ンダ装置等（図示せず）によって互いに型締めされる一
対の上型５１と下型５２とを備えており、上型５１と下
型５２との合わせ面には上型キャビティー凹部５３ａと
下型キャビティー凹部５３ｂとが互いに協働してキャビ
ティー５３を形成するようにそれぞれ複数組没設されて
いる。

上型５１の合わせ面にはボット５４が開設されており、
ボット５４にはシリンダ装置（図示せず）により進退さ
れるプランジャ５５が成形材料としての樹脂から成るタ
ブレットが投入され、このタブレットが溶融されて成る
樹脂（以下、レジンという。）を送給し得るようになっ
ている。下型５２の合わせ面にはカル５６がボット５４
との対向位道に配されて没設されているとともに、複数
条のランナ５７がボット５４にそれぞれ接続するように
放射状に配されて没設されている。各ランナ５７の他端
部は下側キャビティー四部５３ｂにそれぞれ接続されて
おり、その接続部にはゲート５８がレジンをキャビティ
ー５３内に注入し得るように形成されている。また、下
型５２の合わせ面には逃げ凹所５９がリードフレームの
厚みを逃げ得るように、多連リードフレームｌの外形よ
りも若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい寸法の
一部深さに没設されている。

前記構成にかかる多連リードフレーム１を用いて樹脂封
止型パッケージをトランスファ成形する場合、上型５１
および下型５２における各キャビティー５３は各単位リ
ードフレーム２における一対のダム６ａ、６ａ間の空間
にそれぞれ対応される。これにより、各キャビティー５
３の周縁はリード９群のアウタ部９ｂに被着されたはん
だ被膜１０に接するようになっている。

トランスファ成形時において、前記構成にかかる多連リ
ードフレーム１は下型５２に没設されている逃げ凹所５
９内に、各単位リードフレーム２におけるペレット１２
が各キャビティー５３内にそれぞれ収容されるように配
されてセットされる。

続いて、上型５１と下型５２とが型締めされ、ボット５
４からプランジャ５５により成形材料としてのレジン６
０がランナ５７およびゲート５８を通じて各キャビティ
ー５３に送給されて圧入される。

注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止型パッケージ１
０が成形されると、上型５１および下型５２は型開きさ
れるとともに、エジェクタ・ビン（図示せず）によりパ
ッケージ１０群が離型される。このようにして、第８図
に示されているように、パッケージ１４群を成形された
多連リードフレーム１はトランスファ成形装置５０から
脱装される。

そして、このように樹脂成形されたパッケージ■４の内
部には、ペレット１２、リード９のインナ部９ａおよび
ワイヤ１３が樹脂封止されることになる。この状態にお
いて、リード９群のアウタ部９ｂに形成されているはん
だ被膜１０の一部は、樹脂封止パッケージ１４における
周縁よりも内側近傍に位置して封止された状態になって
いる。このようにして、はんだ被膜１０が樹脂封止パッ
ケージ１４の内部へ取り入れられることにより、前述し
た樹脂封止パッケージ１４の成形時において発生する多
連リードフレーム１と成形型におりる上下型のキャビテ
ィー５３との位置ずれが吸収されることになる。

また、後述するように、めっきレスの銅系り一ドフレー
ムはパッケージのレジンに対してきわめて良好な接着性
を示すため、各リード９のインナ部９ａにおける銀めっ
き層５とはんだ被膜１０との間のバッファ領域５Ａは、
パッケージ１４ときわめて効果的に一体化される。

多連リードフレーム１は、リード切断成形工程において
各単位リードフレーム毎に順次、リード切断装置（図示
せず）により、外枠３、セクション枠４およびダム６ａ
を切り落された後、リード成形装置（図示せず）により
、リード９のアウタ部９ｂを下向きに屈曲成形される。

以上のようにして製造された樹脂封止形ＤＩＰ・ＩＣｌ
３は第１０図および第１１図に示されているようにプリ
ント配線基板に実装される。

第１Ｏ図および第１１図において、プリント配線基板６
Ｉにはスルーホール６２が複数個、実装対象物となる樹
脂封止型ＤＩＰ・ＩＣｌ３における各リード９に対応す
るように配されて、略長方形の長孔形状に形成されてい
る。そして、このスルーポール６２に前記構成に係るＤ
　Ｉ　Ｐ　−’　Ｉ　Ｃ１５のリード９のアウク部９ｂ
群がそこに整合されて挿入されているとともに、各リー
ド９のアウタ部９ｂとランド６２とがフローはんだ処理
等により形成されたはんだフィレット６３によって電気
的かつ機械的に接続されている。

このとき、リード９のアウタ部９ｂにははんだ被膜１０
が全体にわたって予め被着されているため、スルーホー
ル６２の隙間にフローはんだ処理のはんだ材料が効果的
に吸い上がり、はんだフィレット６３はきわめて適正に
形成されることになる。

ところで、一般に、ＤＩＰ−ＩＣは出荷前に環境試験検
査を実施される。環境試験検査としては、バーンイン試
験、高温高温バイアス試験、プレッシャクッ力試験、お
よび温度サイクル・熱衝撃試験等が実施される。特に、
高温高温バイアス試験、およびプレッシャクツ力試験は
耐湿性（アルミニウム配線の腐食）を検査するため、温
度、湿度、バイアスが加速されて実行される。

また、前述したように、ＤＴＰ−ＩＣがプリント配線法
板等に実装される際、はんだディンプやリフローはんだ
処理によっても、高温高温状況が現出されることがある
。

ところが、インナ部に銀めっき被膜が被着された釦Ｉ系
リードフレームが使用されているＩＣにおいては、前述
したような熱ストレスが加えられた場合、パッケージと
リードフレーム七の熱膨張係数差によりパッケージとリ
ードのインナ部との境界面に剥がれが発生し、耐湿性が
低下するという問題点があることが、本発明者によって
明らかにされた。これは次のような理由によると考えら
れる。銀めっき被膜は微粒子の集合から形成されている
ため、この微粒子とパッケージのレジンとの間で熱スト
レスの作用により相対的な移動が発生し易くなり、この
移動し易さにより、リードのインナ部とパッケージとの
境界面において剥がれが発生ずる。

しかし、本実施例においては、多連リードフレム１とし
て銅系リードフレームが使用されているが、そのインナ
部９ａ表面におけるバッファ領域５Ａに銀めっき処理が
施されていないため、前述したような熱ストレスが加わ
った場合でも、各リード９のインナ部９ａにおけるバッ
ファ領域５Ａとパッケージ１４との境界面間に剥がれが
発生しないことが実験により確認された。

これは次のような理由によると考えられる。すなわち、
インチ部が銀めっきレスのリードフレームにおいては、
リードフレームの材料表面自体とパッケージのレジン自
体とが直接的に結合するため、熱ス１〜レスが作用した
場合でも、両者の境界面である結合箇所では相対的な移
動が発生しにくくなり、リードフレーム内部およびパッ
ケージ内部でそれぞれ発生する歪により熱ストレスが吸
収されてしまうためである。

前記実施例によれば次の効果が得られる。

（１）　　リードフレームにおける樹脂封止パッケージ
の周縁内側近傍に対応する領域を含むアウタ部にはんだ
被膜を、溶融はんだ材料を表面に付着させて固化させる
ことにより予め被着させておくことにより、はんだめっ
き層を形成する場合に比べて作業能率および作業速度を
高めることができるため、半導体装置全体としての製造
原価を大幅に低減させることができる。

（２）　　溶融はんだ材料をリードフレームの表面に付
着させて固化させ、もって、はんだ被膜をリードフレー
ムのアウタ部に被着させることにより、溶融はんだ材料
の組成比率ははんだめっき法による組成比率に比べて、
簡単かつ正確に調整することができるため、はんだ被膜
の組成比率の公差を、例えば、±１０％程度から±５％
以下に低減することができる。

（３）　　溶融はんだ材料を転写印刷法によってリード
フレームのアウタ部に印刷して固化させることにより、
印刷される溶融はんだ材料の膜厚を精度よく、しかも、
めっき法に比べて厚く被着させることができるため、膜
厚にばらつきがなく、しかも、厚いはんだ被膜をきわめ
て能率的に得ることができる。

（４）溶融はんだ材料を転写印刷法によってリードフレ
ームのアウタ部に印刷して固化させることにより、転写
印刷法の精度によってはんだ被膜のアウタ部に対する位
置精度を高めることができるため、複雑な形状のリード
フレームであっても、アウタ部にはんだ被膜を正確に被
着させることができる。

（５）前記（４）により、はんだ被膜被着処理にょろり
ドフレームのインナ部における汚染を防止することがで
きるため、先付けはんだ被膜の存在がかかわらず、リー
ドフレームのインチ部に対するワイヤボンディングのボ
ンダビリティ−の低下を回避することができる。

（６）　　リード群のアウタ部にはんだ被膜を予め被着
しておくことにより、パッケージ成形後におりるはんだ
被膜形成処理を省略することができるため、パッケージ
の耐湿性能の低下を防止することができるとともに、製
品完成までの時間を短縮化することができる。

（７）　　リードフレームとして、各リードにおけるイ
ンナ部の少なくとも一部がめつきレスの銅系リードフレ
ームを使用することにより、各リートのインナ部におけ
る母材露出面とパッケージとの境界面における剥がれの
発生を防止することができるため、その剥がれによる耐
湿性の低下を防止することができる。

〔実施例２〕 第１２図および第１３図は本発明の実施例２である樹脂
封止パッケージを備えているトランジスタを示す一部切
断正面図および側面断面図、第１４図〜第２２図は本発
明の実施例２であるそのトランジスタの製造方法を示す
各説明図である。

本実施例において、本発明に係る半導体装置は、３木の
アウタリードが突設された樹脂封止パッケージを備えて
いるトランジスタの一例であるＴ０９２形トランジスタ
（以下、単に、トランジスタということがある。）とし
て構成されている。

第１２図および第１３図に示されているように、この樹
脂封止形トランジスタ８８は、シリコン半導体ペレット
（以下、ペレットという。）８５と、ペレット８５がボ
ンディングされているタブ７９と、タブ、７９が吊持さ
れているリード７８と、タブ吊りリード７８の両脇に配
設されている２本のリード７６．７７と、ペレットの各
ポンディングパッド１２ａ、および両リード７６．７７
のインナ部７６ａ、７７ａにその両端部をそれぞれボン
ディングされて橋絡されているワイヤ８６と、これらを
樹脂封止するパッケージ８７とを備えており、ペレット
８５に作り込まれたトランジスタ回路がポンディングパ
ッド８５ａおよびワイヤ８６を介して各リード７６．７
７．７８において電気的に取り出されるようになってい
る。

そして、このトランジスタ８８にはｉ長めつき層８２が
両リード７６．７７のインナ部７６ａ、７７ａ、および
、ペレット８５がボンディングされているタブ７９の表
面に形成されているとともに、はんだ被膜８１が各リー
ド７６．７７．７８の樹脂封止パッケージ８７の周縁内
側近傍を含むアウタ部７６ｂ、７７ｂ、７８ｂ全面に被
着されている。

このトランジスタ８８は次のような製造方法により製造
されている。

以下、本発明の実施例２であるこの樹脂封止形トランジ
スタの製造方法を説明する。この説明により、前記トラ
ンジスタについての構成の詳細が共に明らかにされる。

本実施例において、本発明に係る樹脂封止形トランジス
タの製造方法には、第１４図および第１５図に示されて
いる多連リードフレーム７１が使用されている。この多
連リードフレーム７１は銅系（銅またはその合金）材料
からなる薄板を用いられて、打ち抜きプレス加工または
エツチング加工等のような適当な手段により一体成形さ
れている。この多連リードフレームを形成する銅系材料
としては、析出硬化型銅系材料、例えば、０．０５〜０
．１５％のジルコニウム（Ｚｒ）を含有する（残りは銅
）析出硬化型銅系材料や、０．５０〜０．６０％程度の
ジルコニウム、および、０゜２０〜０，３０％程度のク
ロム（Ｃｒ）を含有する析出硬化型銅系材料、が使用さ
れている。析出硬化型銅系材料は、導電率、および引張
強度が高く、アルミニウム、銅、金等のような金属に対
する機械的接続性が優れており、その結果、これらの金
属が使用されているワイヤがボンディングされる際にお
けるボンダビリティ−がきわめて良好になる。

この多連リードフレーム７１には複数の単位リードフレ
ーム７２が横方向に１列に並設されている。但し、図面
では一単位または少数単位のみが示されている。単位リ
ードフレーム７２は位置決め孔７３ａが開設されている
外枠７３を一対備えており、両外枠７３は所定の間隔で
平行になるように配されて、多連リードフレーム７１が
連続する方向へ一連にそれぞれ延設されている。双方の
外枠７３．７３により形成される長方形の枠体内におい
て、単位リードフレーム７２は複数個が、等間隔に配さ
れて一列に連設されている。そして、各単位リードフレ
ーム７２は次のように構成されている。

各単位リードフレーム７２において、一方の外枠７３に
は矩形のセクションパー７４が両端にそれぞれ配されて
、直角方向に一体的に突設されている。両セクションパ
ー７４．７４の内側先端間にはダム部材７５がセクショ
ンパー７４と直角に配されて一体的に架設されており、
このダム部材７５は隣合う単位リードフレーム７２．７
２同士において一直線状に連設された状態になっている
。

ダム部材７５には３木のリード７６．７７．７８が互い
に平行に、かつ、ダム部材７５と直交するように配され
て一体的にそれぞれ吊持されており、ダム部材７５にお
ける隣合うリード７６．７７．７８およびセクションパ
ー７４の間の部分は後述するパッケージ成形時にレジン
の流れをせき止めるダム７５ａを実質的に構成している
。そして、リード７６と７８との間、および、リード７
７と７８との間におけるダム７５ａ、７５ａにはデイス
タンスプレート部８０．８０がそれぞれ一体的に連設さ
れている。

また、中央に位置されているリード７８の外枠７３側端
部には、大略矩形形状のタブ７９が一体的に形成されて
いる。また、両脇のリード７６．７７の外枠７３側端部
はタブ７９の両脇にそれぞれ配設されることにより、イ
ンナ部７６ａ、７７ａをそれぞれ構成しており、このイ
ンナ部７６ａ１７７ａは樹脂封止パッケージ８７からの
抜は止めのために、幅が途中から広くなるように形成さ
れている。

本実施例において、多連リードフレーム７１における各
リード７６．７７．７８のアウタ部７６ｂ、７７ｂ、７
８ｂには、はんだ被膜８１が後述するような適当な手段
により被着されている。このはんだ被膜８１は、各リー
ドの表面における外側先端からダム部材７５よりも内側
寄り位置にがけてを、表裏面および側面について全体的
に被覆するように被着されている。はんだ被膜８Ｉがリ
ードの表面におけるダム部材７５の内側寄り位置まで被
着されている理由は、前記実施例１と同様、後述する樹
脂封止パッケージの成形工程において、リードフレーム
と成形型との位置ずれを吸収するための余裕を持たせる
ことにある。また、前記実施例１と同様の理由で、この
はんだ被膜８１の被着工程は、多連リードフレーム１の
成形工程以後に実施されるように設定することが望まし
い。

そして、このはんだ被膜８１を組成する材料としては、
前記実施例１と同様、融点が比較的高い温度、例えば、
１８０°Ｃ程度の融点を有するはんだ材料が使用されて
いる。これは、前記実施例１と同様、ワイヤボンディン
グ工程においてリードフレームが加熱される際に、リー
ド群のアウタ部に形成されたはんだ被膜８１が当該加熱
によって溶融されてしまう事態が発生するのを防止する
ためである。

また、両脇のリード７６．７７のインナ部７６ａ、７７
ａ、および、中央のリード７８のタブ７９には銀（Ａｇ
）めっき層８２が、ワイヤおよびペレットボンディング
される側の主面（以下、第１主面とする。）に配されて
、後述するような適当な手段により形成されている。こ
のインナ部およびタブに形成されている銀めっき層８２
の外側境界は、はんだ被膜８１の内側境界から肉寄りに
離されている。銀めっき層８２がはんだ被膜８１から離
されている理由は、前記実施例１と同様、後述するはん
だ被膜８１の被着工程において、銀めっき層８２が位置
ずれによって汚染されるのを防止するためである。つま
り、はんだ被膜８１と銀めっき層８２との間には、位置
ずれを吸収するために空白部分がバッファ領域８３とし
て設定されている。ちなみに、この銀めっき層８３の形
成工程は、前記実施例１と同様の理由で、多連り−ドフ
レーム１の成形工程以前に実施されるように設定しても
よい。また、銀めっき層８２は、融点が比較的高いため
、特に、融点が高い組成を考慮しなくてもよい。

次に、多連リードフレーム７１に銀めっき層８２および
はんだ被膜８１が形成される工程の一実施例を、第１６
図に示されている一貫装置が使用される場合について説
明する。

この−貫装置９０は互いに離間されて配されている供給
リール９２と巻き取りリール９３とを備えており、−継
ぎの帯状に形成されている前記多連リードフレーム９１
が供給リール９２に巻装され、この帯状多連リードフレ
ーム９１が処理後、巻き取りリール９３に巻き取られる
ようになっている。そして、供給リール９２と巻き取り
リール９３との間に張設された帯状多連リードフレーム
９１によって、搬送ライン９４が実質的に構成されてい
る。この搬送ライン９４は帯状多連リードフレーム９１
を供給リール９２側から巻き取りリール９３の方向へ歩
進送りするように構成されている。

搬送ライン９４の上流である供給リール９２側には銀め
っき装置９５が設備されている。この銀めっき装置９５
は前処理装置９６、めっき処理装置９７および後処理装
置９８を備えており、これら装置９５．９６．９７は次
のような作用を実行するように構成されている。

まず、前処理装置９６において、帯状多連り−ドフレー
ム９１は脱脂剤や酸化膜除去剤等により構成されている
前処理液９６ａに浸漬されることにより、その表面に付
着および形成されている油分および酸化膜等のような汚
染物質を除去されて、洗浄される。

続いて、めっき処、理装置９７において、帯状多連リー
ドフレーム９１は銀めっき処理液９７ａに浸漬されるこ
とにより、銀めっき層８２を形成される処理を施される
。このとき、帯状多連リードフレーム９１は各単位リー
ドフレーム毎にマスキング部材９７ｂにより、タブ７９
およびリード７６．７７のインナ部７６ａ、７７ａにお
ける所定領域以外の領域をマスキングされる。したがっ
て、銀めっき層８２はタブ７９およびインナ部７６ａ、
７７ａの所定領域にのめ形成されることになる。

予め設定された銀めっき層８２の厚さが形成される時間
が経過すると、帯状の多連リードフレーム９１は歩進送
りされる。後処理装置９８において、水から成る洗浄液
９８ａによりめっき処理液９７ａ等を洗い流される。

また、搬送ライン９４の下流側である巻き取りリール９
３側にゆ、はんだ被膜被着工程を実施するはんだ被膜被
着装置１００が設備されている。

このはんだ被膜被着装置１００は前処理装置１゜１、フ
ラックス塗布装置１０２、プリヒータ１゜３、溶融はん
だ浸漬塗布装置１０４および後処理装置１０７を備えて
おり、これら装置は次のような作用を実行するようにそ
れぞれ構成されている。

前述したようにして、銀めっき層８２が形成された帯状
多連リードフレーム９１は、ｔｉ　送ライン９４の送り
によってはんだ被膜被着装置１００に搬送される。この
とき、帯状多連リードフレーム９１は約４５度捩しられ
る。この装置１００における前処理装置１０１において
、帯状多連リードフレーム９１は脱脂剤や酸化膜除去剤
により構成されている前処理液１０１ａに浸漬されるこ
とにより、その表面に付着および形成されている油分お
よび酸化膜等のような汚染物質を除去されて洗浄される
。

表面を洗浄された帯状多連リードフレーム９１は、フラ
ックス塗布装置１０２においてフラックス１０２ａ液中
に浸漬されることにより、その所定領域における表面に
フラックス１０２ａを塗布される。

フラックス１０２ａを塗布された帯状多連リードフレー
ム９１は、ブリヒータ１０３を通されることにより、所
定温度に予熱される。

続いて、帯状多連リードフレーム２１は溶融はんだ浸漬
塗布装置１０４において、各単位リードフレーム毎に３
木のリード７６．７７．７８のアウタ部における前記し
た領域にはんだ被膜８１が精度よく被着される。この溶
融はんだ浸漬塗布装置１０４は、溶融はんだ１０５が貯
留されている溶融はんだ槽１０６を備えており、この溶
融はんだ槽１０６の溶融はんだ１０５中に帯状多連り−
ドフレーム９１のアウタ部側が部分的浸漬されることに
より、溶融はんだ１０５が第１主面、第２主面の両面、
および、その間の側面に被着されることになる。

このとき、帯状多連リードフレーム９１はリード７６．
７７．７８群のアウタ部における所定の領域に対応する
ように、溶融はんだ１０５の液中に浸漬されるたや、溶
融はんだ１０５は帯状多連リードフレーム９１における
所定の領域に塗布されることになる。つまり、溶融はん
だ１０５は前記した各リード７６．７７．７日のアウタ
部７６ｂ、７７ｂ、７８ｂに位置精度よく被着される。

したがって、はんだ被膜８１と銀めっき層８２との間に
バッファ領域８３が設定されていることとあいまって、
溶融はんだ１０５が銀めっき層８２を汚染することはな
い。

また、被着された溶融はんだ１０５の膜厚も浸漬塗布法
によるため、高い精度を備えている。しかも、当該溶融
はんだ１０５の膜厚は溶融はんだ１０５の粘度や帯状多
連リードフレーム９１の送り速度等の選定により、比較
的容易に厚く設定することができる。

このようにして溶融はんだ１０５が被着された帯状多連
リードフレーム９１は、後処理装置１０７において、冷
却および洗浄等のような所定の後処理を施される。この
後処理により、帯状多連リードフレーム９１の各単位リ
ードフレーム毎に被着された溶融はんだ１０５は固化さ
れ、はんだ被膜８１を形成することになる。

最後に、帯状多連リードフレーム９１は巻き取りリール
９３に巻き取られる。このようにしてす９１は適当な長
さの多連リードフレーム７１に切断され、または、切断
されずに後工程であるペレット・ワイヤボンディング工
程に送給される。

前記のように構成され、かつ、銀めっき層８２およびは
んだ被膜８１が形成された多連リードフレーム７１には
、各単位リードフレーム７２毎にペレット・ボンディン
グ作業、続いて、ワイヤ・ボンディング作業が実施され
、これら作業により、第１７図および第１８図に示され
ているような組立体が製造されることになる。これらの
ボンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッ
チ送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順
次実施される。

まず、ペレットボンディング作業により、半導体装質の
製造工程における所謂前工程において、トランジスタ回
路（図示せず）を作り込まれた］−ランジスタ素子とし
てのペレット８５が、各単位リードフレーム７２におけ
るタブ７９上の略中央部に配されて、銀ペースト等のよ
うな適当な材料を用いられて形成されるボンディング層
８４を介して固着される。銀ペーストは、エポキシ系樹
脂接着剤、硬化促進剤、および溶剤に銀粉が混入されて
構成されているものであり、リードフレーム上に塗布さ
れた銀ペーストにペレットが押接された後、適当な温度
により硬化（キュア）されることにより、ポンディング
層８４を形成するようになっている。このとき、タブ７
９の第１主面には銀めっき層８２が予め形成されている
ため、銀ペーストによるポンディング層８４の形成はき
わめて効果的に実行されることになる。

そして、タブ７９に固定的にボンディングされたペレッ
ト８５のポンディングパッド８５ａと、単位リードフレ
ーム７２における左右のリード７６．７７のインナ部７
６ａ、７７ａとの間に、銅系、金糸またはアルミニウム
系材料を使用されて形成されているワイヤ８６が、超音
波圧着式等のようなワイヤボンディング装置（図示せず
）が使用されることにより、その両端部をそれぞれボン
ディングされて橋絡される。このとき、リート７６．７
７群のインナ部７６ａ、７７ａに銀めっき層８２が予め
形成されているため、しかも、銀めっき層８２は先付け
はんだ被膜８１の存在にもかかわらず、汚染されていな
いため、ワイヤ８６のインナ部に対する所謂セカンドボ
ンディングはきわめてポンダビリティ−よく実行される
ことになる。ちなみに、このワイヤボンディング工程に
おいては、前述したように、各リードのアウタ部に被着
されたはんだ被膜８１が溶融しないように温度管理する
必要がある。

これにより、ペレット８５に作り込まれているトランジ
スタ回路は、ポンディングパッド８５ａ、ワイヤ８６、
リード７６．７７．７８を介して電気的に外部に引き出
されることになる。

このようにしてペレットおよびワイヤ・ボンディングさ
れた多連リードフレームには、各単位リドフレーム毎に
樹脂封止するパッケージ群が、第１９図に示されている
ような１〜ランスフア成形装置が使用されることにより
、第２０図、第２１図、第２２図および第２３図に示さ
れているように、単位リードフレーム群について同時に
成形される。

第１９図に示されているトランスファ成形装置１３０は
一対の上型１３１と下型１３２とを備えており、上型１
３１および下型１３２はシリンダ装置等（図示せず）に
よって互いに型締めされる」二取付ユニッ１−および下
取付ユニットにそれぞれ取り付けられている。第１９図
に示されているように、上型１３１と下型１３２との合
わせ面には上型キャビティー凹部１３３ａと下型キャビ
ティー凹部１３３ｂとが、互いに協働してキャビティー
１３３を形成するようにそれぞれ複数組没設されている
。前記構成に係る多連リードフレーム７１を用いられて
樹脂封止パッケージがトランスファ成形される場合、上
型１３１および下型１３２における各キャビティー１３
３は各単位リードフレーム７２にそれぞれ対応するよう
に１列横隊に整列されて配設されている。

下型１３２の合わせ面にはボット１３４が、列の先頭に
配置されているキャビティー１３３（以下、１段目とす
る。）の手前に配されて開設されており、ボット１３４
にはシリンダ装置（図示せず）により進退されるプラン
ジャ１３５が、成形材料としての樹脂（以下、レジンと
いう。）を送給し得るように挿入されている。上型１３
２の合わせ面にはカル１３６がボット１３４との対向位
置に配されて没設されている。下型１３２の合わせ面に
は逃げ凹所１３７が多連リードフレーム７１の厚みを逃
げ得るように、多連リードフレーム７１の外形よりも若
干大きめで、その厚さと略等しい寸法の一部深さに没設
されている。

上型１３１の合わせ面にはランナ１３８が１条、一端を
カル１３６に接続されて開設されており、ランナ１３Ｂ
の他端は列の１段目に配設されている両キャビティー四
部１３３ａに接続されている。

１段目のキャビティー凹部１３３ａにおけるランナ１３
８の接続部にはゲート１３９がキャビティーにレジンを
効果的に注入し得るように形成されている。この１段目
のキャビティー凹部１３３ａにおけるゲート１３９との
対辺には連絡路１４０が、キャビティーからレジンを効
果的に導出し得るように開設されており、この連絡路１
４０は２段目のキャビティー凹部１３３ａにおける対向
位置に接続されている。

２段目のキャビティー凹部１３３ａに接続された連絡路
１４０における凹部１３３ａとの接続部には、スルーゲ
ート１４１が連絡路１４０を送られて来たレジンをキャ
ビティーに効果的に注入し得るように形成されている。

この２段目のキャビティー凹部１３３ａにおけるスルー
ゲート１４１との対辺には、連絡路１４０がキャビティ
ーからレジンを効果的に導出し得るように開設されてお
り、連絡路１４０は３段目の各キャビティー凹部１３３
ａにおける対向位置に接続されている。この連絡路１４
０における３段目の凹部１３３ａとの接続部にもスルー
ゲート１４１が同様に形成されている。

３段目以降も同様に、上流側のキャビティー四部１３３
ａと下流側のキャビティー凹部１３３ａとが連絡路１４
０により連通されており、下流側キャビティー凹部１３
３ａの連絡路１４０との接続部にはスルーゲート１４１
がそれぞれ形成されている。

そして、各連絡路１４０のレジン流れ方向に沿う断面形
状は、チョコレートブレーキングし易いように略台形形
状になるように形成されている。

すなわち、第１９図および第２０図に示されているよう
に、各連絡路１４０はその両端部が狭くなり、この連絡
路１４０により形成された残痕部材１４０Ａがその両端
辺において、簡単に折れ欠かれるようになっている。

次に、前記構成にかかるトランスファ成形装置を使用し
た場合における本発明の一実施例であるトランジスタの
樹脂封止パッケージについての成形方法を説明する。

トランスファ成形時において、第１９図に示されている
ように、前記構成にかかる多連リードフレーム７１が、
各単位リードフレーム７２上のペレットおよびボンディ
ングワイヤが各キャビティー凹所１３３ｂ内にそれぞれ
収容されるように位置火めされると、型開閉シリンダ装
置により上型１３１と下型１３２とが合わせられて型締
めさ籾各キャビティー１３３がそれぞれ形成される。こ
れにより、各キャビティー１３３におけるダム部材７５
側端辺はリード７６．７８．７９群のアウタ部に被着さ
れたはんだ被膜８１に接するようになっている。

このとき、多連リードフレーム７１における各キャビテ
ィー１３３の周囲の隙間は、ダム７５ａ、セクション枠
７４．７４および外枠７３に目張りされた状態になる。

続いて、成形材料としてのレジンを予備形成されてボッ
ト１３４内に投入されたタブレットが、移送シリンダ装
置（図示せず）により前進されるプランジャ１３５によ
ってランナ１３８に押し出される。投入されたタブレッ
トはヒータ（図示せず）によって加熱溶融されるため、
レジンは溶融した状態でランナ１３８を移送され、最前
列の各キャビティー１３３にゲート１３９からそれぞれ
注入される。

１段目のキャビティー１３３に注入されたレジンは、キ
ャビティー１３３の内部を中心線に沿って充填されて行
き、ゲー１−１３９の対向位置に開設された連絡路１４
０から導出されて行く。連絡路１４０に至ったレジンは
２段目のキャビティー１３３に、そのスルーゲート１４
１から注入されることになる。

２段目のキャビティー１３３に注入されたレジンは、キ
ャビティー１３３の内部を中心線に沿って充填されて行
き、スルーゲート１４１の対向位置に開設された連絡路
１４０から導出されて行く。

連絡路１４０に至ったレジンは３段目のキャビティー１
３３にそのスルーゲート１４１から注入され、同様に、
中心線に沿って充填されて行く。そして、レジンが各キ
ャビティー１３３に注入充填されて行くとき、キャビテ
ィー１３３および連絡路１４０内のエアは、エアベント
および連通路（図示せず）により効果的に排気される。

このようにして、レジンは各キャビティー１３３に中心
線に沿って一直線状に順次充填されて行くため、レジン
注入圧力の伝播効率がきわめて良好になる。また、内部
のエアがエアベントおよび連通路により効果的に排気さ
れるため、レジン充填過程におけるエアの巻込みが抑制
されることにより、パッケージの内部におけるボイドの
発生が防止される。また、各リード７６〜７８間の隙間
はダム７５ａにより目張りされているため、レジンは各
キャビティー１３３に効果的に封じ込められる。注入後
、、レジンが熱硬化されて、樹脂封止パッケージ８７が
成形される。

パッケージ８７が硬化されると、上型１３１および下型
１３２は型開きされるとともに、エジェクタピンにより
パッケージ８７群が離型される。

このようにして、第２０図に示されているように、パッ
ケージ８７群を成形された多連リードフレーム７１はト
ランスファ成形装置から脱装される。

そして、このように樹脂成形されたパッケージ８７の内
部には、タブ７９、ペレット８５、各り−ド７６．７７
．７８のインナ部およびワイヤ８６が樹脂封止されるこ
とになる。

この状態において、リード７６．７７．７８のアウタ部
に形成されているはんだ被膜８１の一部は、第２１図に
示されているように、樹脂封止パッケージ８７における
端辺よりも内側近傍に位置して封止された状態になって
いる。このようにして、はんだ被膜８１が樹脂封止パッ
ケージ８７の内部へ取り入れられることにより、前述し
た樹脂封止パッケージ８７の成形時において発生する多
連リードフレーム７１と成形型における上下型のキャビ
ティー１３３との位置ずれが吸収されることになる。ま
た、前述したように、めっきレスの銅系リードフレーム
はパッケージのレジンに対してきわめて良好な接着性を
示すため、各リード７６．７７．７８のインナ部におけ
る銀めっき層８２とはんだ被膜８１との間に介設されて
いるバッファ領域８３は、パッケージ８７ときわめて効
果的に一体化される。

その後、多連リードフレーム７１は第２０図に示されて
いるランナ残痕部材１３８Ａおよび連絡路残痕部材１４
０Ａを適宜除去される。また、多連リードフレーム７１
は、リード切断成形工程において各単位リードフレーム
毎に順次、リード切断装置（図示せず）により、外枠７
３、セクション枠７４、ダム７５ａおよびデイスタンス
プレート８０を切り落される。

以上のようにして製造された樹脂封止形トランジスタ８
８は第１２図および第１３図に示されているようにプリ
ント配線基板に実装される。

第１２図および第１３図において、プリント配線基板１
１１にはスルーホール１１２が複数個、実装対象物とな
る樹脂封止形トランジスタ８８における各リード７６．
７７．７８に対応するように配されて、略長方形の長孔
形状に形成されている。そして、このスルーホール１１
２に前記構成に係るトランジスタ８８のリード７６．７
７．７８のアウタ部がそこに整合されて挿入されるとと
もに、各リード７６．７７．７８のアウタ部とスルーホ
ール１１２とがフローはんだ処理等により形成されたは
んだフィレント１１３によって電気的かつ機械的に接続
されている。

このとき、リード７６．７７．７８のアウタ部にははん
だ被膜８１が全体にわたって予め被着されているため、
スルーホール１１２の隙間にフローはんだ処理のはんだ
材料が効果的に吸い上がり、はんだフィレント１１３は
きわめて適正に形成されることになる。

前記実施例２によれば前記実施例１に加えて次の効果が
得られる。

（１）溶融はんだ材料を浸漬塗布法によってリードフレ
ームのアウタ部に塗布して固化させることにより、塗布
される溶融はんだ材料の膜厚を精度よく、しかも、めっ
き法に比べて厚く被着させることができるため、膜厚に
ばらつきがなく、しかも、厚いはんだ被膜をきわめて能
率的に得ることができる。

（２）　　溶融はんだ材料を浸漬塗布法によってリード
フレームのアウタ部に塗布して固化させることにより、
浸漬塗布法の精度によってはんだ被膜のアウタ部に対す
る位置精度を高めることができるため、複雑な形状のリ
ードフレームであっても、アウタ部にはんだ被膜を正確
に被着させることができる。

（３）前記（２）により、はんだ被膜被着処理によるリ
ードフレームのインナ部における汚染を防止することが
できるため、先付けはんだ被膜の存在がかかわらず、リ
ードフレームのインナ部に対するワイヤボンディングの
ボンダビリティ−の低下を回避することができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、リードフレームのタブおよびインナ部には恨め
つき層を形成するに限らず、銅めっき層等を形成しても
よい。さらには、銀めっき層または銅めっき層を形成せ
ず、リードフレームの母材または下地めっき層を露出さ
せたままの状態に形成してもよ１い。

はんだ被膜をリードのアウタ部に印刷する方法としでは
、転写印刷法を使用するに限らず、スクリーン印刷法等
を使用してもよい。

また、はんだ被膜をリードのアウタ部に塗布する方法と
しては、浸漬塗布法を使用するに限らず、噴流式塗布法
、刷毛やスプレーによる塗布法等を使用してもよい。

はんだ材料の組成や、リードフレームの材料およびワイ
ヤの材料は前記したものに限定されるのではなく、他の
様々な材料および組成のものを用いることができる。

また、ワイヤボンディング装置およびトランスファ成形
装置等の具体的構成としては、前記実施例の構成を使用
するに限られない。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である樹脂封止形ＤＩＰ・
ＩＣ１および、樹脂封止形トランジスタに適用した場合
について説明したが、それに限定されるものではなく、
樹脂封止パッ／、−ジを備えているＩＣ等のような半導
体装置全般に適用することができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

リードフレームにおける樹脂封止パッケージの周縁内側
近傍に対応する領域を含むアウタ部にはんだ被膜を、溶
融はんだ材料を表面に４１着させて固化させることによ
り予め被着させておくことにより、はんだめっき層を形
成する場合に比べて作業能率および作業速度を高めるこ
とができるため、半導体装置全体としての製造原価を大
幅に低減させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である樹脂封止形ＤＩＰ−１
ｃを示ず一部切断正面図、 第２図〜第９図は本発明の一実施例である樹脂封止形Ｄ
ＩＰ−ＩＣの製造方法を示すものであり、第２図はそれ
に使用される多連リードフレームを示す一部省略平面図
、 第３図は第２ＶのＩｎ−１線に沿う断面図、第４図は銀
めっき層形成工程およびはんだ被膜被着工程を示す模式
的正面断面図、 第５図はペレッ１−およびワイヤボンディング後を示す
一部省略平面図、 第６図は第５図のＶ−Ｖ線に沿う正面断面図、第７図は
樹脂封止パッケージの成形工程を示す一部省略縦断面図
、 第８図は樹脂封止パッケージ成形後の多連り−ドフレー
ムを示す一部省略拡大部分断面図、第９図は同じく一部
省略一部切断平面図、第１０図はこの樹脂封止形ＤＴＰ
・ＩＣの実装状態を示す一部切断斜視図、 第１１図はその一部切断正面図である。 第１２図および第１３図は本発明の他の実施例である樹
脂封止形ｌ・ランジスタを実装状態で示す一部切断正面
図および側面断面図、 第１４図〜第２２図は本発明の他の実施例である樹脂封
止パッケージを備えているトランジスタの製造方法を示
すものであり、第１４図はそれに使用される多連リード
フレームを示す一部省略平面図、 第１５図は第１４図のｘｖ−ｘｖ線に沿う側面断面図、 第１６図は銀めっき層形成工程およびはんだ被膜被着工
程を示す模式的正面断面図、 第１７図はペレットおよびワイヤボンディング後を示す
−・部省略平面図、 第１８図は第１７図のＸ■−Ｘ■線に沿う正面断面図、 第１９図は樹脂封止パッケージの成形工程を示す一部省
略縦断面図、 第２０図は樹脂封止パッケージ成形後の多連リドフレー
ムを示す一部省略拡大部分断面図、第２１図は同じく一
部省略拡大部分平面断面図、第２２図ば同しく一部省略
拡大部分正面断面図、である。 １・・・多連リードフレーム、２・・・単位リードフレ
ーム、３・・・外枠、４・・・セクション枠、５・・・
銀めっき層、６・・・ダム部材、６ａ・・・ダム、７・
・タブ吊りリード、８・・・タブ、９・・リード、９ａ
・・・インナ部、９ｂ・・・アウタ部、１０・・・はん
だ被膜、ＩＩ・・・ボンディング層、１２・・・ベレッ
ｌ−１１３・・・ボンディングワイヤ、１４・・・樹脂
封止パッケージ、１５・・・ＤＩＰ・ＩＣ（半導体装置
）、２０・・・銀めっき形成・はんだ被膜被着−貫装置
、２１・・・帯状多連り−Ｉ′フレーム、２２・・・供
給リール、２３・・・巻き取りリール、２４・・・搬送
ライン、２５・・・銀めっき装置、２６・・・前処理装
置、２７・・・めっき処理装置、２８・・・後処理装置
、３０・・・はんだ被膜被着装置、３１・・・前処理装
置、３２・・・フラックス塗布装置、３３・・・ブリヒ
ータ、３４・・・溶融はんだ印刷装置、３５・・・溶融
はんだ、３６・・・溶融はんだ槽、３７・・・原版ロー
ラ、３８・・・かき落とし部材、３９・・・転写ローラ
、４０・・・後処理装置、５０・・・トランスファ成形
装置、５１・・・上型、５２・・・下型、５３・・・キ
ャビティー、５４・・・ボッ１−１５５・・・フ”ラン
ジ＋、５６・・・カル、５７・・・ランチ、５Ｂ・・・
ゲー１−１５９・・・リードフレーム逃げ凹所、６０・
・・樹脂（レジン、成形材料）、６１・・・プリント配
線基板、６２・・・ランド、６３・・・はんだフイシン
１−１７１・・・多連リードフレ−ム、７２・・・単位
リードフレーム、７３・・・外枠、７４・・・セクショ
ンバー、７５・・・ダム部材、７５　ａ・・・ダム、７
６．７７．７８・・・リード、７６ａ、７７ａ・・・イ
ンナ部、７６ｂ、７７ｂ、７８ｂ・・・アウタ部、７９
・・・タブ、８０・・・デイスタンスプレート、８１・
・・はんだ被膜、８２・・・銀めっき層、８３・・・バ
ッファ領域、８４・・・ボンディング層、８５・・・ペ
レット、８６・・・ボンディングワイヤ、８７・・・樹
脂封止パッケージ、８８・・・トランジスタ（半導体装
置）、９０・・・銀めっき形成・はんだ被膜被着−貫装
置、９１・・・帯状多連リードフレーム、９２・・・供
給リール、９３・・・巻き取りリール、９４・・・搬送
ライン、９５・・・銀めっき装置、９６・・・前処理装
置、９７・・・めっき処理装置、９日・・・後処理装置
、１００・・・はんだ被膜被着装置、１０１・・・前処
理装置、１０２・・・フラックス塗布装置、１０３・・
・プリヒータ、１０４・・・溶融はんだ浸漬塗布装置、
１０５・・・溶融はんだ、１０６・・・溶融はんだ槽、
１０７・・・後処理装置、１１１・・・プリント配線基
板、１１２・・・スルーホール、１１３・・・はんだフ
ィレット、１３０・・・トランスファ成形装置、１３１
・・・上型、１３２・・・下型、１３３・・・キャビテ
ィー　１３４・・・ポット、１３５・・・プランジャ、
１３６・・・カル、１３７・・・ランナ、１３８・・・
ゲート、１３９・・・リードフレーム逃げ凹所、１４０
・・・連絡路、１４１・・・スルーゲート。 代理人　弁理士　梶　　原　　辰　　也○ 符開平

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ペレットと、半導体ペレットの周囲に配設さ
   れ、半導体ペレットの各電極パッドに電気的に接続され
   ている複数本のリードと、半導体ペレットおよびリード
   の一部を樹脂封止するパツケージとを備えている半導体
   装置であって、前記各リードには溶融はんだ材料が固化
   されて成るはんだ被膜が、前記樹脂封止パッケージの周
   縁内側近傍を含むアウタ部に被着されていることを特徴
   とする半導体装置。 ２、前記リード群のタブ部およびインナ部に、銀めっき
   層または銅めっき層がそれぞれ形成されていることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、前記リード群のタブ部およびインナ部が、これらの
   リードの母材表面を露出されていることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ４、半導体ペレットと、半導体ペレットの周囲に配設さ
   れ、半導体ペレットの各電極パッドに電気的に接続され
   ている複数本のリードと、半導体ペレットおよびリード
   の一部を樹脂封止するパッケージとを備えている半導体
   装置の製造方法であって、 前記各リードにおける前記樹脂封止パッケージの周縁内
   側近傍に対応する領域を含むアウタ部にはんだ被膜が、
   溶融はんだ材料が付着されて固化されることにより被着
   されているリードフレームを準備する工程と、 このリードフレームにおけるタブに前記半導体ペレット
   がボンディングされる工程と、 この半導体ペレットの各電極パッドと、前記リードフレ
   ームの各リードのインナ部とがそれぞれ電気的に接続さ
   れる工程と、 前記半導体ペレットおよびリードの一部を樹脂封止する
   パッケージを成形する工程と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 ５、前記リードフレーム準備工程においてはんだ被膜が
   、溶融はんだ材料がリードフレームに転写印刷されるこ
   とにより、被着されることを特徴とする特許請求の範囲
   第４項記載の半導体装置の製造方法。 ６、前記リードフレーム準備工程においてはんだ被膜が
   、溶融はんだ材料にリードフレームが塗布されることに
   より、被着されることを特徴とする特許請求の範囲第４
   項記載の半導体装置の製造方法。 ７、リードフレーム準備工程においてはんだ被膜が、リ
   ード群のタブおよびインナ部に銀めっき層または銅めっ
   き層が形成された後に、被着されることを特徴とする特
   許請求の範囲第４項記載の半導体装置の製造方法。 ８、リードフレーム準備工程において、銀めっき層また
   は銅めっき層とはんだ被膜とがめっき形成・はんだ被着
   一貫装置を使用されて順次形成および被着されることを
   特徴とする特許請求の範囲第７項記載の半導体装置の製
   造方法。 ９、半導体ペレットの電極パッドに電気的に接続される
   複数本のリードを備えているリードフレームであって、
   前記各リードにおける樹脂封止パッケージの周縁内側近
   傍に対応する領域を含むアウタ部にはんだ被膜が被着さ
   れていることを特徴とするリードフレーム。