JPH04233740A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04233740A JPH04233740A JP41554390A JP41554390A JPH04233740A JP H04233740 A JPH04233740 A JP H04233740A JP 41554390 A JP41554390 A JP 41554390A JP 41554390 A JP41554390 A JP 41554390A JP H04233740 A JPH04233740 A JP H04233740A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- carrier
- carriers
- speed
- ordered structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001062872 Cleyera japonica Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、キャリアの走行速度が
大きい原子配列に秩序構造をもつ超格子層と、キャリア
の走行速度が小さい原子配列に秩序構造をもたないラン
ダムアロイ層をキャリア走行層として用い、外部信号に
応じてキャリアの走行層を該２層の間で相互に変えるこ
とによって走行速度を変え、速度変調を行うことを特徴
とする動作の高速化を図った半導体装置に関する。
大きい原子配列に秩序構造をもつ超格子層と、キャリア
の走行速度が小さい原子配列に秩序構造をもたないラン
ダムアロイ層をキャリア走行層として用い、外部信号に
応じてキャリアの走行層を該２層の間で相互に変えるこ
とによって走行速度を変え、速度変調を行うことを特徴
とする動作の高速化を図った半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報処理システムや通信システム
の高速化の要求に伴い、その基礎となる半導体装置の一
層の高速化が要求されている。その代表的な装置として
、キャリアの移動度が大きい化合物半導体を用いたＦＥ
ＴあるいはＨＥＭＴがある。しかし、現在開発が進めら
れているそれらの装置においても充分な高速性が得られ
ている訳ではなく、より一層高速化を図る必要がある。 従来のＦＥＴやＨＥＭＴにおいては、その変換コンダク
タンスΔｇｍ は、 Δｇｍ ＝Δｎ・μ で表され、これらの装置では、外部信号によって走行す
るキャリアの数Δｎが変化し、キャリアの移動度μは原
則として変化しないことになっている。
の高速化の要求に伴い、その基礎となる半導体装置の一
層の高速化が要求されている。その代表的な装置として
、キャリアの移動度が大きい化合物半導体を用いたＦＥ
ＴあるいはＨＥＭＴがある。しかし、現在開発が進めら
れているそれらの装置においても充分な高速性が得られ
ている訳ではなく、より一層高速化を図る必要がある。 従来のＦＥＴやＨＥＭＴにおいては、その変換コンダク
タンスΔｇｍ は、 Δｇｍ ＝Δｎ・μ で表され、これらの装置では、外部信号によって走行す
るキャリアの数Δｎが変化し、キャリアの移動度μは原
則として変化しないことになっている。
【０００３】この場合においては、動作速度は、電子等
のキャリアがその走行層を走行するのに要する時間によ
って制限され、原理上その上限が存在する。この動作速
度の制限を取り除くために、先に、キャリア走行層中の
電子密度ｎを変化させることなく、その走行速度あるい
は移動度を外部信号に応じて変える方式のトランジスタ
が提案されている（榊：ＪＪＡＰ ２１，Ｌ３８１（
１９８２）。
のキャリアがその走行層を走行するのに要する時間によ
って制限され、原理上その上限が存在する。この動作速
度の制限を取り除くために、先に、キャリア走行層中の
電子密度ｎを変化させることなく、その走行速度あるい
は移動度を外部信号に応じて変える方式のトランジスタ
が提案されている（榊：ＪＪＡＰ ２１，Ｌ３８１（
１９８２）。
【０００４】この速度変調トランジスタと呼ばれる半導
体装置において、変換コンダクタンスΔｇｍ は、Δｇ
ｍ ＝ｎ・Δμ で表され、変換コンダクタンスΔｇｍ はチャネル中を
流れるキャリアの数ｎが変えることによって得られるの
ではなく、キャリアの走行速度を変えることによる単位
時間当たりの走行電子の数を変化させることによって得
られるから、キャリアの走行時間の制約から逃れること
ができる。しかし、この提案には、不純物濃度の異なる
２つのキャリア走行層からなるダブルヘテロ構造を用い
、外部信号によって、キャリアを移動度が異なる各キャ
リア移動層に振り分ける半導体装置について述べられて
いるが、未だ実現されていない。その理由は、キャリア
が高速で移動する層と低速で移動する層を形成する適当
な具体的技術が無かったためである。
体装置において、変換コンダクタンスΔｇｍ は、Δｇ
ｍ ＝ｎ・Δμ で表され、変換コンダクタンスΔｇｍ はチャネル中を
流れるキャリアの数ｎが変えることによって得られるの
ではなく、キャリアの走行速度を変えることによる単位
時間当たりの走行電子の数を変化させることによって得
られるから、キャリアの走行時間の制約から逃れること
ができる。しかし、この提案には、不純物濃度の異なる
２つのキャリア走行層からなるダブルヘテロ構造を用い
、外部信号によって、キャリアを移動度が異なる各キャ
リア移動層に振り分ける半導体装置について述べられて
いるが、未だ実現されていない。その理由は、キャリア
が高速で移動する層と低速で移動する層を形成する適当
な具体的技術が無かったためである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、キャリアが
高速で移動する層と低速で移動する層を形成する具体的
技術を確立し、高速のキャリア速度変調半導体装置の実
現を図ることを目的とする。
高速で移動する層と低速で移動する層を形成する具体的
技術を確立し、高速のキャリア速度変調半導体装置の実
現を図ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる半導体装
置においては、原子配列に関して秩序構造をもたないラ
ンダムアロイ層からなる第１のキャリア走行層と、３種
以上の母体結晶構成元素からなり、原子配列に関して２
元素半導体の繰り返しによる秩序構造をもつ超格子層か
らなる第２のキャリア走行層とを有し、外部信号によっ
てキャリアを該２つのキャリア走行層に振り分けること
によってキャリアを速度変調する構成を採用した。
置においては、原子配列に関して秩序構造をもたないラ
ンダムアロイ層からなる第１のキャリア走行層と、３種
以上の母体結晶構成元素からなり、原子配列に関して２
元素半導体の繰り返しによる秩序構造をもつ超格子層か
らなる第２のキャリア走行層とを有し、外部信号によっ
てキャリアを該２つのキャリア走行層に振り分けること
によってキャリアを速度変調する構成を採用した。
【０００７】
【作用】本発明においては、キャリアが高速で走行する
キャリア走行層としてアロイ散乱のない２元化合物半導
体の繰り返しで構成される超格子層を用い、キャリアが
低速で走行するキャリア走行層としてアロイ散乱が大き
い原子配列に関して秩序構造をもたないランダムアロイ
層を用いるため、キャリアの走行速度差を大きくするこ
とができ、その結果として大きなｇｍ を有し、より高
速の速度変調半導体装置が得られる。
キャリア走行層としてアロイ散乱のない２元化合物半導
体の繰り返しで構成される超格子層を用い、キャリアが
低速で走行するキャリア走行層としてアロイ散乱が大き
い原子配列に関して秩序構造をもたないランダムアロイ
層を用いるため、キャリアの走行速度差を大きくするこ
とができ、その結果として大きなｇｍ を有し、より高
速の速度変調半導体装置が得られる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。本発明に
おいては、第１のキャリア走行層および第２のキャリア
走行層におけるキャリアの走行速度に大きな差をつける
ために、キャリアの走行速度が大きい第１のキャリア走
行層として、２元化合物半導体の繰り返しで構成される
いわゆる秩序構造をもつ超格子層を採用し、キャリアの
走行速度が小さい第２のキャリア走行層として、原子配
列に関して秩序構造をもたないランダムアロイ層を採用
した。
おいては、第１のキャリア走行層および第２のキャリア
走行層におけるキャリアの走行速度に大きな差をつける
ために、キャリアの走行速度が大きい第１のキャリア走
行層として、２元化合物半導体の繰り返しで構成される
いわゆる秩序構造をもつ超格子層を採用し、キャリアの
走行速度が小さい第２のキャリア走行層として、原子配
列に関して秩序構造をもたないランダムアロイ層を採用
した。
【０００９】現在、半導体装置を形成する薄膜結晶成長
用に使用できる高抵抗基板が制限され、実際には、Ｇａ
ＡｓとＩｎＰであるため、この上に成長する半導体層の
材料として、これらの基板と格子整合するＩｎＧａＡｓ
、ＩｎＡｓ、ＧａＡｓ等を用いざるを得ない。この場合
、これらの半導体材料の、原子配置に関して秩序構造を
もたないランダムアロイ層（混晶層）は、母体結晶をい
くら高純度化しても、構成元素の不規則な配列に起因す
るポテンシャルの歪みによるキャリアの走行の妨害、す
なわち、アロイ散乱のため電子（キャリア）の移動度す
なわち走行速度は比較的低い値に制限される。
用に使用できる高抵抗基板が制限され、実際には、Ｇａ
ＡｓとＩｎＰであるため、この上に成長する半導体層の
材料として、これらの基板と格子整合するＩｎＧａＡｓ
、ＩｎＡｓ、ＧａＡｓ等を用いざるを得ない。この場合
、これらの半導体材料の、原子配置に関して秩序構造を
もたないランダムアロイ層（混晶層）は、母体結晶をい
くら高純度化しても、構成元素の不規則な配列に起因す
るポテンシャルの歪みによるキャリアの走行の妨害、す
なわち、アロイ散乱のため電子（キャリア）の移動度す
なわち走行速度は比較的低い値に制限される。
【００１０】しかし、２元化合物半導体の繰り返しで構
成されるいわゆる秩序構造をもつ超格子層を用いると、
超格子中でのキャリアのアロイ散乱を無くすることがで
きるため、この層内での移動度は飛躍的に向上する。す
なわち、この平均的に同一組成の上記２種類の層を用い
ることにより、大きな移動度差を生じさせることができ
るから、これをキャリアの走行層として用いることによ
り、高速化された速度変調半導体装置を実現することが
できる。
成されるいわゆる秩序構造をもつ超格子層を用いると、
超格子中でのキャリアのアロイ散乱を無くすることがで
きるため、この層内での移動度は飛躍的に向上する。す
なわち、この平均的に同一組成の上記２種類の層を用い
ることにより、大きな移動度差を生じさせることができ
るから、これをキャリアの走行層として用いることによ
り、高速化された速度変調半導体装置を実現することが
できる。
【００１１】図１は本発明の実施例の構成説明図である
。この図において、１は基板、２はバッファ層、３は第
２のチャネル層、４は第１のチャネル層、５はスペーサ
層、６は電子供給層、７はコンタクト層、８はソース電
極、９はドレイン電極、１０はゲート電極、１１は２Ｄ
ＥＧ（２次元電子ガス）である。
。この図において、１は基板、２はバッファ層、３は第
２のチャネル層、４は第１のチャネル層、５はスペーサ
層、６は電子供給層、７はコンタクト層、８はソース電
極、９はドレイン電極、１０はゲート電極、１１は２Ｄ
ＥＧ（２次元電子ガス）である。
【００１２】その構成を製造方法から説明すると、（１
１０）面を＜００−１＞方向に５°傾けたＩｎＰ基板１
の上に、バッファ層として厚さ５０００ÅのＩｎＡｌＡ
ｓ層２を、４４０℃の成長温度でＭＢＥ法によって成長
し、その上に、第２のチャネル層である、厚さ３００Å
のＩｎＧａＡｓランダムアロイ層３を成長し、その上に
、第１のチャネル層である、ＩｎＡｓの単原子層とＧａ
Ａｓの単原子層７０層程度積層した厚さ２００Åの超格
子層４を成長し、その上に、ノンドープのスペーサ層で
ある厚さ１００ÅのＩｎＡｌＡｓ層５を成長し、その上
に、電子供給層として厚さ９００Åのｎ−ＩｎＡｌＡｓ
層６を成長し、その上に、コンタクト層として厚さ１０
０Åのｎ−ＩｎＧａＡｓ層７を成長する。
１０）面を＜００−１＞方向に５°傾けたＩｎＰ基板１
の上に、バッファ層として厚さ５０００ÅのＩｎＡｌＡ
ｓ層２を、４４０℃の成長温度でＭＢＥ法によって成長
し、その上に、第２のチャネル層である、厚さ３００Å
のＩｎＧａＡｓランダムアロイ層３を成長し、その上に
、第１のチャネル層である、ＩｎＡｓの単原子層とＧａ
Ａｓの単原子層７０層程度積層した厚さ２００Åの超格
子層４を成長し、その上に、ノンドープのスペーサ層で
ある厚さ１００ÅのＩｎＡｌＡｓ層５を成長し、その上
に、電子供給層として厚さ９００Åのｎ−ＩｎＡｌＡｓ
層６を成長し、その上に、コンタクト層として厚さ１０
０Åのｎ−ＩｎＧａＡｓ層７を成長する。
【００１３】そして、コンタクト層７の上に、これとオ
ーミック接触するソース電極８と、ドレイン電極９を形
成し、ソース電極８と、ドレイン電極９の間に、コンタ
クト層７とショットキ接触するゲート電極１０を形成す
る。上記の第１のチャネル層と第２のチャネル層を形成
する材料として、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓの３種類の元素を採
用し、ＩｎＡｓとＧａＡｓの２元半導体の繰り返し構造
からなる超格子を形成した。
ーミック接触するソース電極８と、ドレイン電極９を形
成し、ソース電極８と、ドレイン電極９の間に、コンタ
クト層７とショットキ接触するゲート電極１０を形成す
る。上記の第１のチャネル層と第２のチャネル層を形成
する材料として、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓの３種類の元素を採
用し、ＩｎＡｓとＧａＡｓの２元半導体の繰り返し構造
からなる超格子を形成した。
【００１４】３元半導体を用いると、超格子を構成する
各半導体層内でアロイ散乱を生じることになるから、２
元半導体に限られる。４種類以上の元素を採用して、そ
の元素のうちの２元半導体を用いて繰り返し構造を形成
することもできる。４種類の場合の例を挙げると、三族
元素として、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａを、また、五族元素とし
てＡｓを用い、そのうちの２種類の元素を用いて、Ｉｎ
Ａｓ、ＡｌＡｓ、ＧａＡｓの２元半導体による繰り返し
構造を形成することができる。それより多い元素を用い
た場合も同様に２元半導体によって繰り返し構造を形成
することができる。
各半導体層内でアロイ散乱を生じることになるから、２
元半導体に限られる。４種類以上の元素を採用して、そ
の元素のうちの２元半導体を用いて繰り返し構造を形成
することもできる。４種類の場合の例を挙げると、三族
元素として、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａを、また、五族元素とし
てＡｓを用い、そのうちの２種類の元素を用いて、Ｉｎ
Ａｓ、ＡｌＡｓ、ＧａＡｓの２元半導体による繰り返し
構造を形成することができる。それより多い元素を用い
た場合も同様に２元半導体によって繰り返し構造を形成
することができる。
【００１５】ついで、この半導体装置の動作について説
明する。 １．ゲート電極に電圧が印加されていないとき２ＤＥＧ
１１は、超格子層である第１のチャネル層中を走行する
ため、著しく高速で走行する。 ２．ゲート電極に負電圧が印加されているときゲート電
極の負電位により空乏層が拡がって、この領域の電子が
排除され、２次元電子ガス（２ＤＥＧ）１１は第２のチ
ャネル層を走行する。前記のように、この層ではアロイ
散乱を受けるためキャリアの走行速度は小さくなる。
明する。 １．ゲート電極に電圧が印加されていないとき２ＤＥＧ
１１は、超格子層である第１のチャネル層中を走行する
ため、著しく高速で走行する。 ２．ゲート電極に負電圧が印加されているときゲート電
極の負電位により空乏層が拡がって、この領域の電子が
排除され、２次元電子ガス（２ＤＥＧ）１１は第２のチ
ャネル層を走行する。前記のように、この層ではアロイ
散乱を受けるためキャリアの走行速度は小さくなる。
【００１６】したがって、ゲート電極１０に変化する外
部電圧を印加してキャリアの走行層を、前記の２層間で
変化させることによってキャリアの移動度に変調をかけ
ることができ、大きなｇｍ を有し、キャリアの走行速
度によって制約を受けないより高速の速度変調半導体装
置を得ることができる。なお、ゲート電極の電圧によっ
て、通常のＦＥＴと同様に、ソース電極からドレイン電
極に通過するキャリアの数も変化するが、この変化は、
本発明の速度変調の効果を助ける方向であるから、ｇｍ
の向上に役立てることができる。
部電圧を印加してキャリアの走行層を、前記の２層間で
変化させることによってキャリアの移動度に変調をかけ
ることができ、大きなｇｍ を有し、キャリアの走行速
度によって制約を受けないより高速の速度変調半導体装
置を得ることができる。なお、ゲート電極の電圧によっ
て、通常のＦＥＴと同様に、ソース電極からドレイン電
極に通過するキャリアの数も変化するが、この変化は、
本発明の速度変調の効果を助ける方向であるから、ｇｍ
の向上に役立てることができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
キャリアの走行速度の差を著しく大きくすることができ
、その結果大きなｇｍ を有し、より高速の速度変調半
導体装置が容易に得られることになり、高速半導体装置
の性能向上に寄与するところが大きい。
キャリアの走行速度の差を著しく大きくすることができ
、その結果大きなｇｍ を有し、より高速の速度変調半
導体装置が容易に得られることになり、高速半導体装置
の性能向上に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の実施例の構成説明図である。
１ 基板
２ バッファ層
３ 第２のチャネル層
４ 第１のチャネル層
５ スペーサ層
６ 電子供給層
７ コンタクト層
８ ソース電極
９ ドレイン電極
１０ ゲート電極
１１ ２ＤＥＧ
Claims (2)
- 【請求項１】 原子配列に関して秩序構造をもたない
ランダムアロイ層からなる第１のキャリア走行層と、３
種以上の母体結晶構成元素からなり、原子配列に関して
２元素半導体の繰り返しによる秩序構造をもつ超格子層
からなる第２のキャリア走行層とを有し、外部信号によ
ってキャリアを該２つのキャリア走行層に振り分けるこ
とによってキャリアを速度変調することを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】 基板上に形成された、原子配列に関し
て秩序構造をもたないランダムアロイ層からなる第１の
キャリア走行層と、該第１のキャリア走行層上に形成さ
れた、３種以上の母体結晶構成元素からなり、且つ原子
配列に関して２元素半導体の繰り返しによる秩序構造を
もつ超格子層からなる第２のキャリア走行層と、該第２
のキャリア走行層上に形成された、キャリア供給層と、
該キャリア供給層上に形成された、ソース、ゲートおよ
びドレイン電極とを有し、該ゲート電極に与えられた外
部信号により、該ソース、ドレイン間を走行するキャリ
アを該２つのキャリア走行層に振り分けて、該キャリア
を速度変調することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41554390A JPH04233740A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41554390A JPH04233740A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04233740A true JPH04233740A (ja) | 1992-08-21 |
Family
ID=18523887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41554390A Withdrawn JPH04233740A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04233740A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04241426A (ja) * | 1991-01-16 | 1992-08-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP41554390A patent/JPH04233740A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04241426A (ja) * | 1991-01-16 | 1992-08-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0258773B2 (ja) | ||
| JPH07120790B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH024140B2 (ja) | ||
| JPS62256478A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPH0312769B2 (ja) | ||
| JPH04233740A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61156773A (ja) | ヘテロ接合半導体デバイス | |
| JPS61159769A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPS61268069A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61152081A (ja) | 変調ド−ピングトランジスタ | |
| JPH0337737B2 (ja) | ||
| JPH0354465B2 (ja) | ||
| JP2675362B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6352484A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH028450B2 (ja) | ||
| JP2616634B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH0468775B2 (ja) | ||
| JPH02246342A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0194676A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH07118540B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01120871A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH035059B2 (ja) | ||
| JPH10107274A (ja) | トンネルトランジスタ及びその製造方法 | |
| JP2917530B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0239542A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |