JPH04230025A - デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、集積回路の製造法に関
し、特に、浅接合を有する集積回路の製造法に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路の製造において、電界効果トラ
ンジスタのソースおよびドレインのような接合への電気
接点が要求される。これらのデバイスにとって所望され
る電気的性質には、１０オームよりも小さい接合接触抵
抗および１０−７アンペア／ｃｍ２より小さい接合漏洩
電流が含まれる。厳しい設計規則に固有の複雑さによっ
て、これらの要求を満たすことは難しくなっている。 （デバイス設計規則は、デバイス回路内のすべての部分
に対する最小の横方向寸法である。）

【０００３】例えば、ソースおよびドレイン接合は一般
的にサブミクロン設計規則において０．２５μｍより深
くないため、製造工程によって誘発される接合との望ま
しくない化学反応は急速にその接合を破壊する。さらに
、電気接点は、誘電体としても知られた上部の電気的絶
縁物質の開口部を通して、ドレインまたはソース接合領
域のような下部の接合領域に形成される（電気的絶縁物
質は、Ｃ．キッテル（Ｃ．　Ｋｉｔｔｅｌ）「固体物理
学入門（Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｔｏ　Ｓｏｌｉｄ
　Ｓｔａｔｅ　Ｐｈｙｓｉｃｓ）、第３版」の２５２ペ
ージおよび２６６ページ（１９６７年）に定義されてい
る）。

【０００４】一般的に、厳しい設計規則の結果、この開
口部（ウィンドウ）は高いアスペクト比、すなわち、１
．１よりも大きいアスペクト比を有する。（アスペクト
比は、接合における誘電体の厚さを、接合における有効
直径、すなわち、接合におけるウィンドウと同一の面積
を有する円の半径で割った値として定義される。）高ア
スペクト比ウィンドウを通して接合に接点を形成するに
は、ウィンドウの伝導断面積が受容可能な低い流量密度
を保持するのに適するように、開口部に適合する、すな
わち開口部を満たすような伝導性物質の蒸着が必要とな
る。

【０００５】さらに、ウィンドウを通して接点を形成す
るのと同一の蒸着が、誘電体上の表面金属層を形成する
ために使用され、この表面層は最終的には接点間の電気
的相互接続を形成するようにパターン形成される。その
結果、表面層は、相互接続の電気的特性を受容できない
ほど劣化させるような欠陥を有してはならない。従って
、要約すると、適切な接点および付随する相互接続を保
証するためには、接合との望ましくない化学反応は回避
されるべきである一方、ウィンドウに適合する、すなわ
ちウィンドウを満たすような被覆が形成され、適切な表
面蒸着が得られるべきである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】一般に、電気伝導性接
点および相互接続物質としては、高い伝導性、エッチン
グ可能性、シリコン酸化物への優れた接着、および名目
費用のため、アルミニウムを利用することが望ましい。 しかし、１．１よりも大きいアスペクト比を有するウィ
ンドウ内で適切な被覆を形成するためにアルミニウムを
直接蒸着することは困難な目標である。これらの要求の
厳しい応用におけるアルミニウム接点の蒸着に、トリイ
ソブチル・アルミニウム前駆体を使用した化学蒸着に関
する１つの比較的最近の手続き（Ｈ．Ｗ．ピーカール（
Ｈ．　Ｗ．　Ｐｉｅｋａａｒ）他、第６回国際ＩＥＥＥ
・ＶＬＳＩマルチレベル相互接続会議１２２ページ（１
９８９年）、Ｌ．Ｆ．クワクマン（Ｌ．　Ｆ．Ｋｗａｋ
ｍａｎ）他「ＶＬＳＩへの応用のためのタングステンお
よびその他の反射金属ＩＶ」３１５ページ、ＭＲＳ（１
９８９年）参照）は見込みがあり、さらに検討中である
。

【０００７】しかし、トリイソブチル・アルミニウムは
誘電体物質上で自発的に解離しないため、塩素化合物四
塩化チタンがアルミニウム膜の形成の開始に使用される
。この手続きは、アルミニウム−誘電体界面に残留塩素
を残し、これはアルミニウム相互接続導体中に拡散しや
すく、導線の腐食を引き起こし、電子回路の欠陥を生じ
る。従って、アルミニウム接点に対するアプローチは、
完全に受容できないか、または、何らかの信頼性の考察
を有する。

【０００８】他の接点材料も検討されている。例えば、
低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）技術によるタングステンの
蒸着が報告されている。（例えば、Ｎ．Ｅ．ミラー（Ｎ
．　Ｅ．　Ｍｉｌｌｅｒ）とＩ．ベイングラス（Ｉ．　
Ｂｅｉｎｇｌａｓｓ）「Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｔｅ
ｃｈｎｏｌ．」第２５巻（第１２号）８５ページ、Ｅ．
Ｋ．ブロードベント（Ｅ．　Ｋ．　Ｂｒｏａｄｂｅｎｔ
）とＣ．Ｌ．ラミラー（Ｃ．　Ｌ．　Ｒａｍｉｌｌｅｒ
）「Ｊ．　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．」第１
３１巻、１４２７ページ（１９８４年）、およびＥ．Ｋ
．ブロードベントとＷ．Ｔ．ステイシー（Ｗ．　Ｔ．Ｓ
ｔａｃｙ）「Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌ
．」第４９巻（第１２号）５１ページ（１９８５年）参
照。）

【０００９】この技術は、１．１よりも大きいアスペク
ト比を有するウィンドウ内への蒸着が可能であるという
利点を有する。しかし、接合（シリコン上のケイ化物を
含む）と、タングステンの蒸着中に導入された化学種の
間の望ましくない重大な相互作用が存在する。（例えば
、Ｍ．Ｌ．グリーン（Ｍ．　Ｌ．　Ｇｒｅｅｎ）とＲ．
Ａ．レヴィ（Ｒ．　Ａ．　Ｌｅｖｙ）「Ｓｅｍｉｃｏｎ
　Ｅａｓｔ　１９８５　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐｒｏｃ
ｅｅｄｉｎｇｓ」５７ページ（１９８５年）、Ｍ．Ｌ．
グリーンとＲ．Ａ．レヴィ「Ｊ．　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈ
ｅｍ．　Ｓｏｃ．」第１３２巻、１２４３ページ（１９
８５年）、Ｇ．Ｅ．ジョージウ（Ｇ．　Ｅ．　Ｇｅｏｒ
ｇｉｏｕ）他「ＶＬＳＩへの応用のためのタングステン
およびその他の反射金属ＩＩ」Ｅ．Ｋ．ブロードベント
編、２２５ページ、ＭＲＳ、ピッツバーグ、ＰＡ（１９
８７年）、およびＮ．リフシッツ（Ｎ．　Ｌｉｆｓｈｉ
ｔｚ）他「ＶＬＳＩへの応用のためのタングステンおよ
びその他の反射金属ＩＩＩ」Ｖ．Ａ．ウェルズ（Ｖ．　
Ａ．　Ｗｅｌｌｓ）編、２２５ページ、ＭＲＳ、ピッツ
バーグ、ＰＡ（１９８８年）参照。）

【００１０】ある条件下ではこの相互作用は自己制限的
である。すなわち、蒸着中に消費される接合シリコンの
量は、反応条件に依存するある最大値に達する。この自
己制限効果にもかかわらず、形成される損害は、０．２
５μｍよりも浅い、ソースおよびドレイン接合のような
接合に対してはまだあまりにも高価である。さらに、蒸
着されたタングステン物質と誘電体物質、例えば二酸化
ケイ素との接着は、完全に望ましいものではない。

【００１１】タングステン蒸着に関する１つの提案（Ｎ
．リフシッツとＲ．シュッツ、米国第０７／２２６，９
１７号、１９８８年８月１日提出）では、適切な接点お
よび相互接続蒸着が形成されている。この手続きは、要
求の厳しい応用に対して非常に適切であるが、やや複雑
な工程を含む。従って、直接の、受容可能なアルミニウ
ムの蒸着は、未だに強く望まれる可能性である。

【００１２】

【課題を解決するための手段】トリイソブチル・アルミ
ニウム前駆体を使用した化学蒸着によるアルミニウムの
蒸着は、残念ながら、ピン・ホールだけでなく、受容で
きない界面空孔、すなわち、アルミニウム相互接続層の
厚さ全部を貫通してはいないが、基板と蒸着アルミニウ
ムの間の界面に存在する空間を生じることがわかってい
る。これらの空孔、および適切な条件下ではピン・ホー
ルもまた、蒸着基板と、ウィンドウが形成される誘電体
物質の表面上の蒸着アルミニウムの間の、適当な特性の
核形成層を利用することによって除去される。

【００１３】特に、利用される核形成物質は、アルミニ
ウム蒸着が１２０オングストローム以下の平均厚さに達
する前に、生じるアルミニウム粒子が基板表面積の少な
くとも９７．５％を占めるように選択されなければなら
ない。（最大寸法における０．１５ミクロンよりも小さ
い粒子は、この面積決定に対しては考慮されない。平均
厚さとは、測定された層と同モル数の一様な厚さの層に
対応する厚さである。さらに、粒界は、非占有面積とは
みなさない。）

【００１４】窒化チタンのような物質、例えば、化学量
論的な窒化チタン、および、４５〜５５原子パーセント
の窒素と残りはチタンを含む窒化チタンは、高真空環境
で蒸着された金属とともに、所望される結果を生じる。 特に、塩素を含まない核形成層の使用によって、塩素に
誘発されたアルミニウム相互接続の腐食が回避される。

【００１５】

【実施例】１．１より大きいアスペクト比のウィンドウ
孔を適合的に満たすようなアルミニウムの蒸着は、Ｈ．
Ｗ．ピーカール他、第６回国際ＩＥＥＥ・ＶＬＳＩマル
チレベル相互接続会議（Ｖ−ＭＩＣ）１２２ページ（１
９８９年）に説明されている（これは参考文献である）
。基本的には、この手続きは、精製トリイソブチル・ア
ルミニウム前駆体を利用することおよびこの前駆体を２
００℃から４００℃の範囲の温度に加熱された蒸着基板
に導入することを含む。

【００１６】トリイソブチル・アルミニウム（ＴＩＢＡ
）は、有機不純物をできるだけ減らすように、注意深く
取り扱われる。３５〜７０℃の範囲の温度で２０〜８０
ｍｌ／分の範囲のＴＩＢＡ液体の流量速度、および、２
０〜７０Ｐａの範囲のＴＩＢＡ分圧が一般的に使用され
る。この手続きを通して前に説明されたように、適合さ
れたウィンドウ接点が形成されるが、多くの界面空孔欠
陥も得られる。

【００１７】界面空孔欠陥を避けるため、アルミニウム
の蒸着の前に基板上にまず核形成層が形成される。しか
し、核形成層は、アルミニウム蒸着が、核形成物質上に
１２０オングストロームより小さい平均厚さに達する前
に生じたアルミニウム粒子が基板面積の少なくとも９７
．５％を占めるように、注意深く選択されなければなら
ない。（最大寸法における０．１５ミクロンよりも小さ
い粒子は、ウィスカーのような人工物とともに、この面
積決定に対しては考慮されない。）

【００１８】予め高真空に排気された容器内で蒸着され
た、化学量論的組成を有する窒化チタン、または、４５
〜５５原子パーセントの窒素と残りはチタンを含む窒化
チタンの核形成層に対しては、この基準は満たされてい
るが、予め２×１０−４Ｐａの圧力に排気された容器内
に導入された四塩化チタンにウェハーを暴露することに
よって形成された層組成に対しては、この基準は満たさ
れない。

【００１９】空孔は前者の方法で回避されるが、高レベ
ルの空孔、例えば、１ｃｍ２当たり約１０６個が、後者
の方法で得られる。（核形成粒子被覆は、コントロール
・サンプル上で適切な間隔で行われた走査電子顕微鏡に
よる観察で容易に識別され、平均厚さは、この間隔の前
後で蒸着基板の重量を測定することによって決定される
。）

【００２０】多くの自然酸化物の形成を回避する条件下
で形成されるさまざまな物質は、適切なアルミニウム核
形成基準に従う。適当な核形成物質の例は、窒化チタン
であり、望ましくは、４５〜５５原子パーセントの範囲
の窒素成分と、チタンのような金属からなるものである
。一般に、窒化チタンに対しては０．１トル秒より大き
く、チタンのような金属に対しては１０−４トル秒より
大きい酸化試薬の量は、過剰な酸化を生じる。

【００２１】例えば、２×１０−４Ｐａ以上の圧力の真
空で約２時間暴露されたチタンは一般にウィスカー成長
を有する不良な核形成を生じるが、２×１０−５Ｐａの
真空で１分より短い時間で蒸着されたチタンは、上記の
基準を満たす膜を生じる。従って、一般的に窒化チタン
と金属のような核形成層は、比較的高真空環境で形成さ
れるべきであり、続いてアルミニウムの蒸着前に酸化媒
体に暴露されるべきではない。

【００２２】核形成層を蒸着するには、従来の蒸着技術
が使用可能である。例えば、窒化チタンは、Ｄ．Ｓ．ウ
ィリアムズ（Ｄ．　Ｓ．　Ｗｉｌｌｉａｍｓ）他「ジャ
ーナル・オヴ・ヴァキューム・サイエンス・アンド・テ
クノロジー・Ｂ（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｖａｃｕｕｍ
　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｂ
）」第５巻１７２３〜１７２９ページ（１９８７年）に
説明されているような反応性スパッタリングによって蒸
着され、チタンまたはその他の金属は、Ｌ．Ｉ．マイセ
ル（Ｌ．　Ｉ．　Ｍａｉｓｓｅｌ）とＲ．グラング（Ｒ
．　Ｇｌａｎｇ）編「薄膜技術ハンドブック（Ｈａｎｄ
ｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ）」マグロウヒル（１９７０年）第４章「膜の蒸
着へのスパッタリングの応用」に説明されているような
スパッタリングによって蒸着される。

【００２３】一般的に、０．００５μｍ〜０．１５μｍ
の範囲の厚さを有する核形成層が使用される。０．００
５μｍよりも薄い層は一般に過剰な不連続性を有し、一
方０．１５μｍよりも厚い層は、一般に高い電気抵抗を
有し、相互接続線の全電気抵抗を増大させるため、望ま
しくない。

【００２４】結果として空孔がなくなる正確なメカニズ
ムは知られていないが、考えられる説明は、核形成表面
上の酸化物が、アルミニウムの蒸着に必要なβ−ヒドリ
ド除去をトリイソブチル・アルミニウム前駆体からほと
んど妨げる、ということである。酸化物の存在によって
誘発された散在的な核形成は、粒子が合体した場合に、
空間によって分離された比較的大きな粒子を生じる。従
って、受容できない核形成によって顕著な空孔の形成が
起き、上記の核形成条件を満たす核形成層の使用によっ
てこれが改善されると考えられている。

【００２５】核形成層蒸着条件の特に正しい選択によっ
て、空孔が本質的に除去されるだけでなく、ピン・ホー
ルもまた非常に減少する。例えば、適切な環境中で蒸着
されたＴｉｘＮｙ（ただし、ｘおよびｙはそれぞれ１．
０、１．０±０．０５）の使用により、３×１０３ｃｍ
−２（数百サンプル領域の検査後の、走査電子顕微鏡の
ような一般的な機器の検出限界）より小さいピン・ホー
ル密度を有する無空孔層が形成される。

【００２６】同様に、高真空条件下で蒸着され保持され
、続いて２３０℃および２７０℃でアルミニウムを蒸着
されたチタン層もまた、無空孔表面を形成し、ピン・ホ
ール・レベルは３×１０４ｃｍ−２（２０サンプル領域
の検査後の、走査電子顕微鏡の検出限界）より小さい値
に減少する。所望される基準を満たす多くの膜がピン・
ホールの大きな減少を示すが、約２５０℃の蒸着温度で
、非化学量論的ＴｉＮおよびチタン上で非常にピン・ホ
ール密度が増大するというようないくつかの例外が観測
されている。これらの例外の正確な理由はまだ完全には
理解されていない。一般に、ピン・ホールの密度は、約
２７０℃のアルミニウム蒸着温度で最も減少すると思わ
れる。

【００２７】次の例は本発明を具体的に例示する。

【００２８】例１。化学蒸着（ＣＶＤ）システムが、ア
ルミニウム（Ａｌ）蒸着のために使用された。このＣＶ
Ｄシステムは、６角形の中心ロボット・ウェハー制御容
器（ＷＨＣ）を有する。６角形の各側面にはゲート・バ
ルブがあり、これを通して独立の真空容器がＷＨＣに接
続される。このような容器のうちの３個は、それぞれ、
２５個のウェハー容量を有する入出容器（ＩＯＣ）、Ｃ
ＶＤ反応器およびスパッタ蒸着容器（ＳＤＣ）である。 これらの容器は、ＳＤＣおよびＣＶＤ反応器を除いては
、それぞれ独立に、ターボ分子ポンプで排気される。 ＳＤＣはクライオポンプで排気され、ＣＶＤ反応器はク
ライオポンプと、ルーツ・ブロワーで補助された機械ポ
ンプの組合せで排気される。

【００２９】１０００オングストロームの熱酸化物層を
有する半径５インチで、＜１００＞方向のシリコン・ウ
ェハーが、ＩＯＣに入れる前に硫酸／Ｈ２Ｏ２の５：１
混合液で１１５℃で洗浄された。続いてＩＯＣが排気さ
れた。ＩＯＣの全圧が３×１０−４Ｐａ以下になったと
き、ＩＯＣをＷＨＣに接続する分離ゲート・バルブが開
かれた。ＷＨＣのロボット・アームが、ウェハーをＩＯ
ＣからＷＨＣに移動した。ＷＨＣ内の圧力の、２×１０
−５Ｐａから６×１０−５Ｐａへのゆるやかな増加が生
じた。

【００３０】続いて分離ゲート・バルブが閉じられ、Ｗ
ＨＣ内の圧力は急速に２×１０−５Ｐａに戻った。次に
、ＳＤＣをＷＨＣから分離するゲート・バルブが開かれ
、ロボット・アームがウェハーをＳＤＣ内に移した。Ｓ
ＤＣの圧力は３×１０−６Ｐａから２×１０−５Ｐａへ
増加した。続いて、ロボット・アームが戻った後にゲー
ト・バルブが閉じられ、ＳＤＣ内の圧力は急速に３×１
０−６Ｐａに戻った。

【００３１】アルゴンおよび窒素ガスの混合気体（体積
比７：３）が、高純度チタン・ターゲットでのスパッタ
リングでＴｉＮ膜を形成するために使用された。アルゴ
ンおよび窒素はいずれも独立に質量流量コントローラで
制御された。これらのガスはＳＤＣに入る前に予め混合
された。毎分３０標準立方センチメートルの全流量速度
が使用された。６インチ・クライオポンプの全排気速度
で、５０Ｐａの圧力が生じた。

【００３２】スパッタリングは、ＤＣマグネトロン装置
および直径１０インチのターゲットで完了した。パワー
・レベルは２キロワットであり、スパッタリング継続時
間は５５秒間であった。ウェハーには、バイアス電圧や
熱は加えられなかった。厚さ９００オングストロームの
ＴｉＮ層が生じた。膜の色は金色で、抵抗率は７０マイ
クロオーム・センチメートルであった。ラザフォード後
方散乱分析によれば、ＴｉＮ膜は化学量論的であり、不
純物は検出不能であった。

【００３３】スパッタ蒸着後、ガス流は停止され、ＳＤ
Ｃ内の圧力は数秒以内に１０−６Ｐａに戻った。ＳＤＣ
とＷＨＣの間のゲート・バルブが開かれ、ウェハーはロ
ボット・アームによってＷＨＣに移され、続いて、Ｔｉ
Ｎのスパッタ蒸着が行われていた間ＷＨＣに対して開か
れていたＣＶＤ反応器に移された。このＣＶＤ反応器は
、２５個のウェハーの容量を有するバッチ処理型の反応
器である。

【００３４】ロボット・アームは、反応器のカセット位
置コントロールで調整することによって、反応器の任意
のスロット位置にウェハーを装填することが可能である
。１個のウェハーが反応器内のカセットに装填された後
、もう１個のウェハーが上記の方法で準備される。Ｔｉ
Ｎ核形成層を有する２５個のウェハーがすべて準備され
、ＣＶＤ反応器に装填された後、反応器はＷＨＣから分
離される。

【００３５】ウェハーは熱平衡に達するまでに２０分間
反応器内に置かれ、その間反応器は精製水素でパージさ
れていた。反応器は、５ゾーン抵抗加熱要素で加熱され
たステンレス・スチール間を含んでいた。トリイソブチ
ル・アルミニウム（ＴＩＢＡ）が、まず蒸発装置を通過
することによって、気体の形で反応器内に導入された。 ＴＩＢＡガス流は、蒸発装置に流入するＴＩＢＡ液体を
制御すること、および、蒸発装置の温度によって調節さ
れた。

【００３６】蒸着時間は約３５分間であった。これは、
ＴＩＢＡガス流の開始および停止時刻によって定義され
る。この開始および停止は、反応器と蒸発装置の間のゲ
ート・バルブによって実現された。ＴＩＢＡ液体流量速
度は４０ｍｌ／分であり、蒸発装置は４５℃に設定され
た。反応器内の圧力は、約１４０オングストローム／分
の成長速度となるような圧力に保持された。

【００３７】厚さ約５０００オングストロームのアルミ
ニウム膜が形成された。この膜は、アルミニウム鏡と比
較して６０％の公称反射率を示した。この反射率は、ナ
ノスペック（Ｎａｎｏｓｐｅｃ）を用いて、波長４００
ｎｍで開口数０．４５の対物鏡を使用して測定された。 厚さは、ＣＶＤ蒸着の前後のウェハーの重量を天秤で決
定して測定された。膜抵抗率は、４点プローブでの測定
では、バルク純アルミニウム金属の抵抗率と類似してい
た。

【００３８】この膜は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で検
査された。表面プロフィールおよび断面の両方が注意深
く検査された。５０００倍の倍率で表面上の約２００箇
所を検査した結果、ピン・ホールは検出されなかった。 断面検査に対しては、倍率は７０００倍に設定され、幅
６ｍｍのサンプルの全断面が注意深く走査された。この
条件下では空孔は検出されなかった。従って、成長され
たアルミニウム膜にはピン・ホールは存在せず（または
、１ｃｍ２当たり３×１０３より小さいピン・ホール密
度を有し）、空孔も存在しない（または、１ｃｍ２当た
り５×１０４より小さい空孔密度を有する）。

【００３９】以上の説明は、本発明の一実施例に関する
もので、この技術分野の当業者であれば、本発明の種々
の変形例が考え得るが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。

【００４０】なお、特許請求の範囲に記載した参照番号
は発明の容易なる理解のためで、その技術的範囲を制限
するよう解釈されるべきではない。

【００４１】

【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、集
積回路における浅接合への直接接点およびこれらの接点
間の相互接続が、特殊なアルミニウムＣＶＤ法を利用す
ることによって実現される。この方法では、アルミニウ
ムは、核形成層、例えば、窒化チタン層を有する基板上
にトリイソブチル・アルミニウム前駆体を利用して蒸着
される。蒸着アルミニウムの核形成を制御するこの核形
成層の適切な選択によって、適切な接点が形成され、こ
の接点ではこのような層がない場合に存在した空孔欠陥
が回避される。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　デバイスの製造方法において、この方
   法が、前記デバイスのアクティブ領域を形成するステッ
   プと、前記アクティブ領域上に誘電体を形成するステッ
   プと、前記アクティブ領域に前記ウィンドウを通して電
   気接点を形成するステップと、前記誘電体を通過するウ
   ィンドウを形成するステップと、前記誘電体上に金属パ
   ターンを形成するステップからなり、核形成層が前記誘
   電体と前記金属パターンの間に形成され、前記電気接点
   および前記金属パターンのための金属がトリイソブチル
   ・アルミニウム前駆体による化学蒸着によって蒸着され
   、このとき、前記核形成層が、アルミニウム粒子による
   被覆を形成する構成成分を有する物質からなり、前記ア
   ルミニウム粒子は、前記アルミニウムが１２０オングス
   トロームの平均厚さを有する前に０．１５μｍよりも大
   きくなり、前記核形成物質表面の少なくとも９７．５％
   を被覆することを特徴とするデバイスの製造方法。
2. 【請求項２】　　前記誘電体が二酸化ケイ素からなるこ
   とを特徴とする請求項１の方法。
3. 【請求項３】　　前記核形成物質が窒化チタンからなる
   ことを特徴とする請求項２の方法。
4. 【請求項４】　　前記核形成物質が、ＴｉｘＮｙ、ただ
   し、ｘおよびｙはそれぞれ０．４５〜０．５５および０
   ．４５〜０．５５の範囲であることを特徴とする請求項
   １の方法。
5. 【請求項５】　　前記核形成物質が単体金属からなるこ
   とを特徴とする請求項１の方法。
6. 【請求項６】　　前記金属がチタンからなることを特徴
   とする請求項５の方法。