JPH04229890A - ホログラム形成装置及びマスク - Google Patents
ホログラム形成装置及びマスクInfo
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- JPH04229890A JPH04229890A JP3113585A JP11358591A JPH04229890A JP H04229890 A JPH04229890 A JP H04229890A JP 3113585 A JP3113585 A JP 3113585A JP 11358591 A JP11358591 A JP 11358591A JP H04229890 A JPH04229890 A JP H04229890A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/04—Processes or apparatus for producing holograms
- G03H1/18—Particular processing of hologram record carriers, e.g. for obtaining blazed holograms
-
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、全内部反射（ＴＩＲ）
ホログラムの記録に関するもので、特に、集積回路の製
造のようなアプリケーションに対して、高鮮明なホログ
ラム像を作るために使用するホログラフィックマスクの
記録に関するものである。
ホログラムの記録に関するもので、特に、集積回路の製
造のようなアプリケーションに対して、高鮮明なホログ
ラム像を作るために使用するホログラフィックマスクの
記録に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば集積回路の製造に関連して、マス
ク像を作成するためにＴＩＲホログラフィック技術を利
用することが提案されている。これに関して、文献とし
てヨーロッパ特許明細書０２５１６８１および米国特許
明細書４８５７４２５がある。
ク像を作成するためにＴＩＲホログラフィック技術を利
用することが提案されている。これに関して、文献とし
てヨーロッパ特許明細書０２５１６８１および米国特許
明細書４８５７４２５がある。
【０００３】添付図面の図１について説明すると、これ
ら先行明細書では、ホログラフィック技術を利用したマ
スク形成の技術が開示されており、そこではガラスプリ
ズム１が使用され、その一面に光学的に敏感な感光性樹
脂材料の被覆３を備えたガラススライド２がガラスと実
質的に同一屈折率の流体によって粘着されている。
ら先行明細書では、ホログラフィック技術を利用したマ
スク形成の技術が開示されており、そこではガラスプリ
ズム１が使用され、その一面に光学的に敏感な感光性樹
脂材料の被覆３を備えたガラススライド２がガラスと実
質的に同一屈折率の流体によって粘着されている。
【０００４】上記感光性樹脂材料は、露光されて適当に
現像されると、該感光性樹脂の屈折率が化学線放射物の
露光量に応じて変化するようなものである。
現像されると、該感光性樹脂の屈折率が化学線放射物の
露光量に応じて変化するようなものである。
【０００５】これらの先行明細書では、イメージのホロ
グラフィック記録を作る方法が開示されている。この方
法は、プリズム表面に感光性材料のフィルムを有する透
明で平坦な基質を設け、上記プリズムにコヒーレント光
の参照ビームを入射してその光ビームを上記感光層の表
面から全内部反射させ、上記感光層に記録されるイメー
ジを提供するための媒介を通過した信号ビームを上記感
光層に入射し、上記感光層を現像し、そして上記プリズ
ム表面にその基質と感光層を再び配置し、ホログラフィ
ック記録の作成中プリズムから出て行く上記全内部反射
されたコヒーレント光の光路と実質的に平行な光路に沿
って明るいコヒーレント光をプリズムに入射して、ホロ
グラフィック的に上記イメージを再現する工程からなる
。
グラフィック記録を作る方法が開示されている。この方
法は、プリズム表面に感光性材料のフィルムを有する透
明で平坦な基質を設け、上記プリズムにコヒーレント光
の参照ビームを入射してその光ビームを上記感光層の表
面から全内部反射させ、上記感光層に記録されるイメー
ジを提供するための媒介を通過した信号ビームを上記感
光層に入射し、上記感光層を現像し、そして上記プリズ
ム表面にその基質と感光層を再び配置し、ホログラフィ
ック記録の作成中プリズムから出て行く上記全内部反射
されたコヒーレント光の光路と実質的に平行な光路に沿
って明るいコヒーレント光をプリズムに入射して、ホロ
グラフィック的に上記イメージを再現する工程からなる
。
【０００６】感光性樹脂の中にホログラフィック像を記
録するために、プリズムとガラススライドは、図１に示
すように、ガラススライドをプリズムの水平上面に位置
させて配置され、レーザ光のようなコヒーレント光の参
照ビーム４は、その光ビームがガラススライド２を通り
感光性樹脂層に入射され、そしてこの感光性樹脂層の上
面で全内部反射されたのちガラススライドに再び入り、
その後プリズムに再び入って反射光５としてプリズムか
ら出ていくように、プリズム一面を通って入射される。
録するために、プリズムとガラススライドは、図１に示
すように、ガラススライドをプリズムの水平上面に位置
させて配置され、レーザ光のようなコヒーレント光の参
照ビーム４は、その光ビームがガラススライド２を通り
感光性樹脂層に入射され、そしてこの感光性樹脂層の上
面で全内部反射されたのちガラススライドに再び入り、
その後プリズムに再び入って反射光５としてプリズムか
ら出ていくように、プリズム一面を通って入射される。
【０００７】さらにまた、コヒーレント光の信号ビーム
６は、透明部分と不透明部分を有するマスク７を通過し
、そしてこのマスク７を通過した光ビームが感光性樹脂
層３に入り、そこでマスク７を通過した光ビームが参照
ビーム４と干渉する。その信号ビームは、事実上、全内
部反射される前に参照ビームと部分的に干渉し、また全
内部反射された後に参照ビームと部分的に干渉する。 干渉模様はそのようにして作られ、この干渉模様におい
て光が比較的高密度を呈する部分で感光性樹脂は重合さ
れ、干渉模様において光が比較的低密度を呈する部分で
感光性樹脂は実質上より少なく重合される。
６は、透明部分と不透明部分を有するマスク７を通過し
、そしてこのマスク７を通過した光ビームが感光性樹脂
層３に入り、そこでマスク７を通過した光ビームが参照
ビーム４と干渉する。その信号ビームは、事実上、全内
部反射される前に参照ビームと部分的に干渉し、また全
内部反射された後に参照ビームと部分的に干渉する。 干渉模様はそのようにして作られ、この干渉模様におい
て光が比較的高密度を呈する部分で感光性樹脂は重合さ
れ、干渉模様において光が比較的低密度を呈する部分で
感光性樹脂は実質上より少なく重合される。
【０００８】感光性樹脂が現像されると、ホログラムが
異なる屈折率の領域として感光性樹脂の中に記録される
。このホログラムは、今しがた現像された感光性樹脂層
３を有するスライド２を設けたプリズム１を再び用いて
再現される。
異なる屈折率の領域として感光性樹脂の中に記録される
。このホログラムは、今しがた現像された感光性樹脂層
３を有するスライド２を設けたプリズム１を再び用いて
再現される。
【０００９】添付図面の図２に示すように、スライドは
プリズム上面に再び配置される。コヒーレント光の再生
ビーム８は、前述のように、ホログラム形成中反射光５
がプリズムから出て行く光路に実質上沿ってプリズム１
に入射するように供給され、そのために再生ビームは感
光性樹脂層３の上面で全内部反射される。その結果、マ
スク７の形に対応したイメージ９が作られる。そのイメ
ージ９は、フォトレジストで被覆され、また適正に配置
されたシリコンウェハー１０の表面に形成される。そし
て、フォトレジストは、マスク７の透明部分に対応した
部分が露光される。適度に現像されたのち、フォトレジ
ストの露光された部分は、マスク模様に対応したウェハ
ー１０上のフォトレジスト部分を残して洗い流される。
プリズム上面に再び配置される。コヒーレント光の再生
ビーム８は、前述のように、ホログラム形成中反射光５
がプリズムから出て行く光路に実質上沿ってプリズム１
に入射するように供給され、そのために再生ビームは感
光性樹脂層３の上面で全内部反射される。その結果、マ
スク７の形に対応したイメージ９が作られる。そのイメ
ージ９は、フォトレジストで被覆され、また適正に配置
されたシリコンウェハー１０の表面に形成される。そし
て、フォトレジストは、マスク７の透明部分に対応した
部分が露光される。適度に現像されたのち、フォトレジ
ストの露光された部分は、マスク模様に対応したウェハ
ー１０上のフォトレジスト部分を残して洗い流される。
【００１０】この技術を用いることで、シリコンウェハ
ーのような基質１０上に非常に精密なマスクを作ること
ができる。
ーのような基質１０上に非常に精密なマスクを作ること
ができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、その技
術には一定の限界がある。添付図面の図３は、先行技術
を用いたホログラム形成中の信号ビーム６の光路を示す
。
術には一定の限界がある。添付図面の図３は、先行技術
を用いたホログラム形成中の信号ビーム６の光路を示す
。
【００１２】ホログラフィックイメージ９の中に高品質
で一様な構造を確保するためには、オリジナルマスク７
の透明部分における光密度の均一性に優れていることが
必要で、さもなければ、プリントするときに、ウェハー
１０を覆うフォトレジストのエッチングが不規則になる
ことが理解できるであろう。
で一様な構造を確保するためには、オリジナルマスク７
の透明部分における光密度の均一性に優れていることが
必要で、さもなければ、プリントするときに、ウェハー
１０を覆うフォトレジストのエッチングが不規則になる
ことが理解できるであろう。
【００１３】上述の先行技術を用い、マスク７に入る信
号ビーム６を高度に均一にしたにも拘わらず、結果とし
て得られたホログラフィック像は、マスクの透明部分１
７に対応する部分の密度が不均一であることが発見され
た。また、これらの不均一性は明確な構造を持つ縞の形
をしており、その明確な構造の縞は２つの要素で構成さ
れていることが発見された。その第１の要素は、完全な
マスク像を横切って重ね合わされた本質的に網目状陰影
の細かな模様で、この模様の位置はイメージにおける特
徴部分の位置とは外見上関係ないが、その方向は特徴部
分の方向性に対応していた。縞模様における第２の要素
は特徴部分に依存しており、個々の縞の形状，位置、お
よび方向は、特徴部分の局部的構造に関係している。例
えば、四角形の特徴部分の個々の大きさの内部に存在す
る縞模様は、クロス形状をしており、一方、細長いスト
リップの内部ではそのストリップに平行に存在する一連
の縞を構成し、連続する縞の分離箇所は変化しているが
、ストリップを横切って対称に位置している。第１の要
素の原因は、ホログラムの記録中、マスク平面に入射さ
れる信号ビーム６の一部が特徴部分から反射し、その高
角度要素を含む分散明視野がマスク基質２０の上面から
一部反射し、そこからマスク平面に戻ってくることによ
る、と断定されている。この疑似ビームは次にメインの
信号ビームと干渉し、光源のコヒーレント性により、そ
の後再現時にマスクイメージ中に縞として観察される歓
迎できない高コントラストな網目状陰影の干渉模様を生
じる。第２の要素の原因もホログラムの形成中に生じる
ことが発見されている。この場合、マスク中の開口を伝
わる信号ビーム６が感光性樹脂層の表面１９から部分的
に反射され、そしてこれが開口１７に戻り、そしてその
上で部分的に反射されてホログラフィック層に戻ること
による。フレネル回析を受けるこの疑似ビームは、最初
の信号ビームと干渉し、光源のコヒーレント性により、
再現されたイメージ中で観察される歓迎できない特徴部
分に関係した高コントラストの縞となる。図３は多重反
射により生ずる種々の疑似ビーム１２−１５の光路を示
す。
号ビーム６を高度に均一にしたにも拘わらず、結果とし
て得られたホログラフィック像は、マスクの透明部分１
７に対応する部分の密度が不均一であることが発見され
た。また、これらの不均一性は明確な構造を持つ縞の形
をしており、その明確な構造の縞は２つの要素で構成さ
れていることが発見された。その第１の要素は、完全な
マスク像を横切って重ね合わされた本質的に網目状陰影
の細かな模様で、この模様の位置はイメージにおける特
徴部分の位置とは外見上関係ないが、その方向は特徴部
分の方向性に対応していた。縞模様における第２の要素
は特徴部分に依存しており、個々の縞の形状，位置、お
よび方向は、特徴部分の局部的構造に関係している。例
えば、四角形の特徴部分の個々の大きさの内部に存在す
る縞模様は、クロス形状をしており、一方、細長いスト
リップの内部ではそのストリップに平行に存在する一連
の縞を構成し、連続する縞の分離箇所は変化しているが
、ストリップを横切って対称に位置している。第１の要
素の原因は、ホログラムの記録中、マスク平面に入射さ
れる信号ビーム６の一部が特徴部分から反射し、その高
角度要素を含む分散明視野がマスク基質２０の上面から
一部反射し、そこからマスク平面に戻ってくることによ
る、と断定されている。この疑似ビームは次にメインの
信号ビームと干渉し、光源のコヒーレント性により、そ
の後再現時にマスクイメージ中に縞として観察される歓
迎できない高コントラストな網目状陰影の干渉模様を生
じる。第２の要素の原因もホログラムの形成中に生じる
ことが発見されている。この場合、マスク中の開口を伝
わる信号ビーム６が感光性樹脂層の表面１９から部分的
に反射され、そしてこれが開口１７に戻り、そしてその
上で部分的に反射されてホログラフィック層に戻ること
による。フレネル回析を受けるこの疑似ビームは、最初
の信号ビームと干渉し、光源のコヒーレント性により、
再現されたイメージ中で観察される歓迎できない特徴部
分に関係した高コントラストの縞となる。図３は多重反
射により生ずる種々の疑似ビーム１２−１５の光路を示
す。
【００１４】疑似ビーム１２とビーム６、および疑似ビ
ーム１３とビーム６のコヒーレント干渉は、細かい網目
状陰影の縞模様を生じ、一方、疑似ビーム１４とビーム
６のコヒーレント干渉は特徴部分に関係した模様を生じ
る。
ーム１３とビーム６のコヒーレント干渉は、細かい網目
状陰影の縞模様を生じ、一方、疑似ビーム１４とビーム
６のコヒーレント干渉は特徴部分に関係した模様を生じ
る。
【００１５】また、再生中感光層の厚みを通ってシャー
プなイメージを記録し、そのことが、表面が特に平坦で
もないウェハー部の全体に亘って達成されるためには、
再現マスクの焦点深度が適正であることが必要である、
ということが理解できよう。
プなイメージを記録し、そのことが、表面が特に平坦で
もないウェハー部の全体に亘って達成されるためには、
再現マスクの焦点深度が適正であることが必要である、
ということが理解できよう。
【００１６】上述の先行技術を用いて、再現イメージに
おける特徴部分の焦点深度は、一般の画像理論だけから
期待されるほど大きくないことが発見されている。イメ
ージ平面から極く僅かに移動させただけでも、イメージ
化された特徴部分の縁は急激にその鋭さを欠き“ぼけた
もの”になる。この焦点深度が減少する原因は、信号ビ
ームが、マスクを通過した後、感光性樹脂層１９の表面
と一般にクロムからなるマスクの不透明部分１８の縁と
の間で多重反射することによって生じることが知られて
いる。これら疑似ビームは、マスク自身の平面を除いて
、メインの信号ビームとコヒーレントに干渉し、焦点深
度を減少させる。再び図３を参照すると、疑似ビーム１
５と信号ビーム６とのコヒーレント干渉によって再現イ
メージの焦点深度が減少する。
おける特徴部分の焦点深度は、一般の画像理論だけから
期待されるほど大きくないことが発見されている。イメ
ージ平面から極く僅かに移動させただけでも、イメージ
化された特徴部分の縁は急激にその鋭さを欠き“ぼけた
もの”になる。この焦点深度が減少する原因は、信号ビ
ームが、マスクを通過した後、感光性樹脂層１９の表面
と一般にクロムからなるマスクの不透明部分１８の縁と
の間で多重反射することによって生じることが知られて
いる。これら疑似ビームは、マスク自身の平面を除いて
、メインの信号ビームとコヒーレントに干渉し、焦点深
度を減少させる。再び図３を参照すると、疑似ビーム１
５と信号ビーム６とのコヒーレント干渉によって再現イ
メージの焦点深度が減少する。
【００１７】上述の公知技術に加えて、下記の説明書に
も留意すべきである。英国特許明細書２，１２８，３６
５（ｗｅｓｔｅｒｎ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ）に、レジス
トコートされた半導体ウェハー上にパターンを形成する
ために使用するフォトマスクが開示されている。上記フ
ォトマスクを構成する複数の層は、マスク中の静電気を
減少させるためだけのものである。“反射”に関する上
記文献は、下層の屈折率に適合する屈折率を備えた帯電
防止層の使用だけに限られることに留意すべきである。
も留意すべきである。英国特許明細書２，１２８，３６
５（ｗｅｓｔｅｒｎ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ）に、レジス
トコートされた半導体ウェハー上にパターンを形成する
ために使用するフォトマスクが開示されている。上記フ
ォトマスクを構成する複数の層は、マスク中の静電気を
減少させるためだけのものである。“反射”に関する上
記文献は、下層の屈折率に適合する屈折率を備えた帯電
防止層の使用だけに限られることに留意すべきである。
【００１８】英国特許明細書１，３３２，７０２（Ａ．
Ｒ．Ｄｉｅｍ）は、シリコンのフォトマスクに関するが
、これは反射防止膜を備えていない。
Ｒ．Ｄｉｅｍ）は、シリコンのフォトマスクに関するが
、これは反射防止膜を備えていない。
【００１９】ヨーロッパ特許明細書０，２０３，５６３
（Ａｓａｈｉ，Ｇｌａｓｓ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｌｔ
ｄ）は、クロムを“黒く（ブラックン）”して反射率を
低下させるためのクロム蒸着工程中酸素を付加すること
で、クロムマスクにおけるクロムの反射を減少させる処
理に関するものである。マスクの透明部分又はその背面
に反射防止技術を採用した説明はない。
（Ａｓａｈｉ，Ｇｌａｓｓ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｌｔ
ｄ）は、クロムを“黒く（ブラックン）”して反射率を
低下させるためのクロム蒸着工程中酸素を付加すること
で、クロムマスクにおけるクロムの反射を減少させる処
理に関するものである。マスクの透明部分又はその背面
に反射防止技術を採用した説明はない。
【００２０】英国特許明細書２，０４０，４９８（Ｈｉ
ｔａｃｈｉ，Ｌｔｄ）は、リソグラフィック基質からの
反射をできるだけ少なくすることに関し、フォトマスク
から反射を少なくすることに関するものではない。
ｔａｃｈｉ，Ｌｔｄ）は、リソグラフィック基質からの
反射をできるだけ少なくすることに関し、フォトマスク
から反射を少なくすることに関するものではない。
【００２１】最後に、我々の米国特許明細書４，８５７
，４２５における説明書は、ホログラフィック材料だけ
に関し、フォトマスクに関するものであることに留意す
べきである。また、上述のように、それは散乱の問題に
関するもので、不必要な反射の問題に関するものではな
い。
，４２５における説明書は、ホログラフィック材料だけ
に関し、フォトマスクに関するものであることに留意す
べきである。また、上述のように、それは散乱の問題に
関するもので、不必要な反射の問題に関するものではな
い。
【００２２】本発明は、上記先行技術の欠点を防止しま
たは減少させる改良プロセスを提供することを目的とす
る。
たは減少させる改良プロセスを提供することを目的とす
る。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明の第１態様では、
ホログラフィック記録層に記録されるイメージを提供す
るために透明部分と不透明部分を有するマスクの下面、
上面の少なくともいずれか一方に反射防止膜を設け、上
記ホログラフィック記録層に、マスクを通過する信号ビ
ームと上記ホログラフィック記録層の表面から全内部反
射される参照ビームを入射し、上記反射防止膜で、上記
ホログラムからイメージを再現する間、マスクの透明部
分に対応する部分のイメージの密度均一性を減少させる
縞模様の発生を防止または最小にする全内部反射ホログ
ラム形成方法を提案する。
ホログラフィック記録層に記録されるイメージを提供す
るために透明部分と不透明部分を有するマスクの下面、
上面の少なくともいずれか一方に反射防止膜を設け、上
記ホログラフィック記録層に、マスクを通過する信号ビ
ームと上記ホログラフィック記録層の表面から全内部反
射される参照ビームを入射し、上記反射防止膜で、上記
ホログラムからイメージを再現する間、マスクの透明部
分に対応する部分のイメージの密度均一性を減少させる
縞模様の発生を防止または最小にする全内部反射ホログ
ラム形成方法を提案する。
【００２４】本発明の第２態様では、ホログラフィック
記録層に記録されるイメージを提供するために下面に透
明部分と不透明部分を有するマスクの下面に反射防止膜
を設け、上記ホログラフィック記録層に、マスクを通過
する信号ビームと上記ホログラフィック記録層の表面か
ら全内部反射される参照ビームを入射し、上記反射防止
膜で、上記ホログラムからイメージを再現する間、マス
クの透明部分に対応する部分のイメージの密度均一性を
減少させる縞模様の発生を防止または最小にすると共に
、上記ホログラムから再現されるイメージの焦点深度を
増加させる全内部反射ホログラム形成方法を提案する。
記録層に記録されるイメージを提供するために下面に透
明部分と不透明部分を有するマスクの下面に反射防止膜
を設け、上記ホログラフィック記録層に、マスクを通過
する信号ビームと上記ホログラフィック記録層の表面か
ら全内部反射される参照ビームを入射し、上記反射防止
膜で、上記ホログラムからイメージを再現する間、マス
クの透明部分に対応する部分のイメージの密度均一性を
減少させる縞模様の発生を防止または最小にすると共に
、上記ホログラムから再現されるイメージの焦点深度を
増加させる全内部反射ホログラム形成方法を提案する。
【００２５】本発明の第３態様では、ホログラフィック
記録層に、マスクを通過する信号ビームと上記ホログラ
フィック記録層の表面から全内部反射される参照ビーム
を入射することでホログラフィック記録層に記録される
べきイメージを提供するために透明部分と不透明部分を
有するマスクであって、上記マスクの下面、上面の少な
くともいずれか一方に反射防止膜が設けてある全内部反
射ホログラムの再現に使用するマスクを提案する。
記録層に、マスクを通過する信号ビームと上記ホログラ
フィック記録層の表面から全内部反射される参照ビーム
を入射することでホログラフィック記録層に記録される
べきイメージを提供するために透明部分と不透明部分を
有するマスクであって、上記マスクの下面、上面の少な
くともいずれか一方に反射防止膜が設けてある全内部反
射ホログラムの再現に使用するマスクを提案する。
【００２６】上記マスクの透明部分および不透明部分を
形成する前に、前記反射防止膜のいずれかがマスク表面
に設けられる。
形成する前に、前記反射防止膜のいずれかがマスク表面
に設けられる。
【００２７】ここで用いる“下面”および“上面”の語
は、信号ビームがマスクにそれぞれ出入りするマスク表
面を意味し、本発明の方法で使用するマスクの方向を限
定する意味ではない。
は、信号ビームがマスクにそれぞれ出入りするマスク表
面を意味し、本発明の方法で使用するマスクの方向を限
定する意味ではない。
【００２８】
【実施例】図４について説明する。ここで用いる方法は
図１，２および３を参照して説明した上述の方法と似て
おり、同一部分に同一符号を用いる。その方法を実行す
るために、従来の一般的なフォトマスクを用いる代りに
、フォトマスクの基質２０は特別にその上面１６と下面
２６が反射防止膜１９を被覆して処理されている。
図１，２および３を参照して説明した上述の方法と似て
おり、同一部分に同一符号を用いる。その方法を実行す
るために、従来の一般的なフォトマスクを用いる代りに
、フォトマスクの基質２０は特別にその上面１６と下面
２６が反射防止膜１９を被覆して処理されている。
【００２９】その反射防止膜は、基質材料と空気の境界
および空気と不透明部分の境界で、信号ビーム６の波長
に対して反射率が最小（例えば０．５％）となるように
特徴づけるのが好ましい。また、図３に示すタイプの不
必要な多重反射ビーム１２，１３，１４及び１５が、使
用する光の波長に匹敵し得るフォトマスク上の特徴部分
の寸法に基づく角度範囲に亘って分散するように、例え
ば＋／−４０度の範囲で上記二つの境界に入射される信
号ビームに対して低反射率（例えば０．５％）であるこ
とが好ましい。
および空気と不透明部分の境界で、信号ビーム６の波長
に対して反射率が最小（例えば０．５％）となるように
特徴づけるのが好ましい。また、図３に示すタイプの不
必要な多重反射ビーム１２，１３，１４及び１５が、使
用する光の波長に匹敵し得るフォトマスク上の特徴部分
の寸法に基づく角度範囲に亘って分散するように、例え
ば＋／−４０度の範囲で上記二つの境界に入射される信
号ビームに対して低反射率（例えば０．５％）であるこ
とが好ましい。
【００３０】この新たな方法を用いれば、図４の実施例
に示す本発明に従って作られたフォトマスクは、下記す
るように、再現ホログラムの品質を改善することができ
る。なお、参照符号は図３に示す反射の形態に関する。 （ａ） 表面１６上の被覆物で多重反射１２，１３が
最小となり、細かな網目状陰影の縞模様が除去される。 （ｂ） 透明部分１７上の被覆物で多重反射１４が最
小となり、特徴部分に関係した縞模様が除去される。 （ｃ） 不透明部分１８上の被覆物で多重反射１５が
最小となり、再現イメージの焦点深度が改善される。
に示す本発明に従って作られたフォトマスクは、下記す
るように、再現ホログラムの品質を改善することができ
る。なお、参照符号は図３に示す反射の形態に関する。 （ａ） 表面１６上の被覆物で多重反射１２，１３が
最小となり、細かな網目状陰影の縞模様が除去される。 （ｂ） 透明部分１７上の被覆物で多重反射１４が最
小となり、特徴部分に関係した縞模様が除去される。 （ｃ） 不透明部分１８上の被覆物で多重反射１５が
最小となり、再現イメージの焦点深度が改善される。
【００３１】次に、図５に示す別の好適な形について説
明する。反射防止膜１９は、マスクの不透明部分１８を
形成する材料を設ける前に基質２０上に設けられる。不
透明層の蒸着に続いて、その層の上にさらに反射防止膜
２１が設けられる。そして、マスク中の透明部分１７が
形成される。この方法は、図４に示す構成でも、図３で
説明した反射（１２−１５）を最小にして、再現イメー
ジ中の不必要な縞模様を減少し又は最小にすると共に、
上記イメージの焦点深度を改善するという効果を同様に
有する。
明する。反射防止膜１９は、マスクの不透明部分１８を
形成する材料を設ける前に基質２０上に設けられる。不
透明層の蒸着に続いて、その層の上にさらに反射防止膜
２１が設けられる。そして、マスク中の透明部分１７が
形成される。この方法は、図４に示す構成でも、図３で
説明した反射（１２−１５）を最小にして、再現イメー
ジ中の不必要な縞模様を減少し又は最小にすると共に、
上記イメージの焦点深度を改善するという効果を同様に
有する。
【００３２】本発明は、フォトマスクがコヒーレント光
によって照明されるすべてのアプリケーションに対して
等しく適用することができる。
によって照明されるすべてのアプリケーションに対して
等しく適用することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、表面１６上の被覆物で多重反射１２，１３が最
小となり、細かな網目状陰影の縞模様が除去される。ま
た、透明部分１７上の被覆物で多重反射１４が最小とな
り、特徴部分に関係した縞模様が除去される。さらに、
不透明部分１８上の被覆物で多重反射１５が最小となり
、再現イメージの焦点深度が改善される。
よれば、表面１６上の被覆物で多重反射１２，１３が最
小となり、細かな網目状陰影の縞模様が除去される。ま
た、透明部分１７上の被覆物で多重反射１４が最小とな
り、特徴部分に関係した縞模様が除去される。さらに、
不透明部分１８上の被覆物で多重反射１５が最小となり
、再現イメージの焦点深度が改善される。
【図１】 ホログラフィック技術を用いてマスクを作
成する公知技術の図である。
成する公知技術の図である。
【図２】 公知技術におけるシリコンウェハー上の記
録媒体に転写されるホログラムを作る再生操作の工程を
表す図である。
録媒体に転写されるホログラムを作る再生操作の工程を
表す図である。
【図３】 従来技術を用いたホログラムの再現中にお
ける信号ビームの光路を示す図である。
ける信号ビームの光路を示す図である。
【図４】 多重反射を除去する本発明に係るフォトマ
スクの好適な形を示す図である。
スクの好適な形を示す図である。
【図５】 フォトマスクの別の形の図である。
１…プリズム、２…ガラススライド、３…感光性樹脂層
、４…参照ビーム、５…反射光、６…信号ビーム、７…
マスク、８…再生ビーム、９…イメージ、１０…シリコ
ンウェハー、１２〜１５…疑似ビーム（多重反射）、１
７…透明部分、１８…不透明部分、１９…反射防止膜、
２０…フォトマスク基層。
、４…参照ビーム、５…反射光、６…信号ビーム、７…
マスク、８…再生ビーム、９…イメージ、１０…シリコ
ンウェハー、１２〜１５…疑似ビーム（多重反射）、１
７…透明部分、１８…不透明部分、１９…反射防止膜、
２０…フォトマスク基層。
Claims (10)
- 【請求項１】 ホログラフィック記録層に記録される
イメージを提供するために透明部分と不透明部分を有す
るマスクの下面、上面の少なくともいずれか一方に反射
防止膜を設け、上記ホログラフィック記録層に、マスク
を通過する信号ビームと上記ホログラフィック記録層の
表面から全内部反射される参照ビームを入射し、上記反
射防止膜で、上記ホログラムからイメージを再現する間
、マスクの透明部分に対応する部分のイメージの密度均
一性を減少させる縞模様の発生を防止または最小にする
全内部反射ホログラム形成方法。 - 【請求項２】 ホログラフィック記録層に記録される
イメージを提供するために透明部分と不透明部分を有す
るマスクの下面、上面の少なくともいずれか一方に反射
防止膜を設け、上記ホログラフィック記録層に、マスク
を通過する信号ビームと上記ホログラフィック記録層の
表面から全内部反射される参照ビームを入射し、そのよ
うにして形成されたホログラムを現像し、マスクの再現
イメージを形成するために、全内部反射されたビームが
ホログラム再現中ホログラフィック記録層を通過するよ
うに、実質的に反対の方向からコヒーレント光でホログ
ラムを再照明し、上記反射防止膜で、上記ホログラムか
らイメージを再現する間、マスクの透明部分に対応する
部分のイメージの密度均一性を減少させる縞模様の発生
を防止または最小にする全内部反射ホログラム形成およ
びイメージ再現方法。 - 【請求項３】 ホログラムから再現されたイメージが
感光層に記録される請求項２の全内部反射ホログラム形
成およびイメージ再現方法。 - 【請求項４】 マスクの透明および不透明部分を作る
前に、上記反射防止膜がマスクの表面に設けられる請求
項１，２のいずれかの全内部反射ホログラム形成および
イメージ再現方法。 - 【請求項５】 ホログラフィック記録層に記録される
イメージを提供するために下面に透明部分と不透明部分
を有するマスクの下面に反射防止膜を設け、上記ホログ
ラフィック記録層に、マスクを通過する信号ビームと上
記ホログラフィック記録層の表面から全内部反射される
参照ビームを入射し、上記反射防止膜で、上記ホログラ
ムからイメージを再現する間、マスクの透明部分に対応
する部分のイメージの密度均一性を減少させる縞模様の
発生を防止または最小にすると共に、上記ホログラムか
ら再現されるイメージの焦点深度を増加させる全内部反
射ホログラム形成方法。 - 【請求項６】 ホログラフィック記録層に記録される
イメージを提供するために透明部分と不透明部分を有す
るマスクの下面に反射防止膜を設け、上記ホログラフィ
ック記録層に、マスクを通過する信号ビームと上記ホロ
グラフィック記録層の表面から全内部反射される参照ビ
ームを入射し、そのようにして形成されたホログラムを
現像し、マスクの再現イメージを形成するために、全内
部反射されたビームがホログラム再現中ホログラフィッ
ク記録層を通過するように、実質的に反対の方向からコ
ヒーレント光でホログラムを再照明し、上記反射防止膜
で、上記ホログラムからイメージを再現する間、マスク
の透明部分に対応する部分のイメージの密度均一性を減
少させる縞模様の発生を防止または最小にすると共に、
上記ホログラムから再現されるイメージの焦点深度を増
加させる全内部反射ホログラム形成およびイメージ再現
方法。 - 【請求項７】 ホログラムから再現されるイメージが
感光層に記録される上記請求項６の全内部反射ホログラ
ム形成およびイメージ再現方法。 - 【請求項８】 マスクの透明および不透明部分を作る
前に、上記反射防止膜がマスクの表面に設けられる請求
項５，６のいずれかのホログラム形成およびイメージ再
現方法。 - 【請求項９】 ホログラフィック記録層に、マスクを
通過する信号ビームと上記ホログラフィック記録層の表
面から全内部反射される参照ビームを入射することでホ
ログラフィック記録層に記録されるべきイメージを提供
するために透明部分と不透明部分を有するマスクであっ
て、上記マスクの下面、上面の少なくともいずれか一方
に反射防止膜が設けてある全内部反射ホログラムの再現
に使用するマスク。 - 【請求項１０】 上記反射防止膜が、マスクの透明部
分または不透明部分を形成する前に、マスク表面に設け
られる請求項９のマスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9011165 | 1990-05-18 | ||
| GB909011165A GB9011165D0 (en) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | Anti-reflection masks |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04229890A true JPH04229890A (ja) | 1992-08-19 |
Family
ID=10676211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3113585A Pending JPH04229890A (ja) | 1990-05-18 | 1991-05-18 | ホログラム形成装置及びマスク |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0462698A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04229890A (ja) |
| KR (1) | KR100212905B1 (ja) |
| GB (1) | GB9011165D0 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100313355B1 (ko) * | 1993-05-24 | 2002-04-06 | 알리 레자 노바리 | 인쇄된패턴의배율을변경시키는방법및장치 |
| US7046408B2 (en) | 2003-09-22 | 2006-05-16 | Seiko Epson Corporation | Method of hologram exposure, mask for hologram exposure, semiconductor device, and electronic equipment |
| JP2007523468A (ja) * | 2003-12-01 | 2007-08-16 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ | ３次元ナノスケール構造を形成するための方法及び装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8053145B2 (en) * | 2006-05-30 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing holographic recording medium and method for manufacturing semiconductor device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1614636A1 (de) * | 1967-09-23 | 1971-02-25 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer Fotolackmaske fuer Halbleiterzwecke |
| JPS61272746A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-03 | Asahi Glass Co Ltd | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
| GB8615908D0 (en) * | 1986-06-30 | 1986-08-06 | Hugle W B | Integrated circuits |
| JPS63204259A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Hitachi Ltd | マスク |
-
1990
- 1990-05-18 GB GB909011165A patent/GB9011165D0/en active Pending
-
1991
- 1991-05-10 EP EP19910304208 patent/EP0462698A3/en not_active Withdrawn
- 1991-05-17 KR KR1019910008026A patent/KR100212905B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-05-18 JP JP3113585A patent/JPH04229890A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100313355B1 (ko) * | 1993-05-24 | 2002-04-06 | 알리 레자 노바리 | 인쇄된패턴의배율을변경시키는방법및장치 |
| US7046408B2 (en) | 2003-09-22 | 2006-05-16 | Seiko Epson Corporation | Method of hologram exposure, mask for hologram exposure, semiconductor device, and electronic equipment |
| JP2007523468A (ja) * | 2003-12-01 | 2007-08-16 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ | ３次元ナノスケール構造を形成するための方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100212905B1 (ko) | 1999-08-02 |
| EP0462698A2 (en) | 1991-12-27 |
| EP0462698A3 (en) | 1992-10-07 |
| GB9011165D0 (en) | 1990-07-04 |
| KR910020520A (ko) | 1991-12-20 |
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