JPH04229401A

JPH04229401A - マルチ磁気ヘッド磁気記録装置

Info

Publication number: JPH04229401A
Application number: JP18057191A
Authority: JP
Inventors: Pirot Francois Xavier; ピロ　　フランソワ−ザビエル
Original assignee: Thomson CSF SA
Current assignee: Thales SA
Priority date: 1990-06-26
Filing date: 1991-06-26
Publication date: 1992-08-18
Also published as: EP0463908B1; FR2663772A1; DE69121022D1; EP0463908A1; FR2663772B1; DE69121022T2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マトリックス回路網を
構成するいくつかの磁気ヘッドからなる磁気ヘッド装置
に関する。本発明はこれらの素子の使用を容易にすると
共に、それらの特性を改良ものである。

【０００２】

【従来の技術】一般的に、磁気ヘッドは作動されたイン
ダクタと関連されたギャップ磁気回路から構成される。記録されるべき信号は、電流の形成によりインダクタに
供給される。磁気回路に発生する磁界は、ギャップに接
近した磁気媒体のトラック上に前記信号を記録する。

【０００３】例えば、薄膜技術によって作成されたいく
つかの磁気ヘッドは、しばしば磁気記録に用いられ、い
くつかの平行なトラック上に記録をする。この場合に、
個々の磁気ヘッドはマトリックス回路網を構成するよう
に配置される。

【０００４】マトリックス回路網を形成する一組の基本
的な磁気ヘッドは、フランス特許出願第８８０５５９２
号（フランス特許公告公報第２６３０８５３号）に記載
されており、これは本発明の説明と一体部分をなすもの
として考える必要がある。

【０００５】マトリックスを形成するために個々の又は
基本的な磁気ヘッドは、特にそのアッセンブリを動作さ
せために必要な接続数を減少させことが可能であり、こ
のようなアッセンブリにおいては、各磁気ヘッドは実質
的に列導体と行導体とが交差する点に配置され、作動さ
れる必要のある磁気ヘッド、即ち選択される磁気ヘッド
は、Ｎ×Ｐマトリックスに必要とする接続数がＮ＋Ｐの
みとなるように、マトリックス形成のアドレスによって
アドレス指定される。

【０００６】これは、しきい値が磁気的な支持体又は媒
体によるために存在するということによって可能にされ
る。磁気ヘッドに供給される電流が与えられたしきい値
より低いときは、磁気媒体上に（第１近似で）書き込ま
れることはない。この電流しきい値以上では発生する磁
束が磁気媒体の保磁力を超えて信号が記録される。

【０００７】磁気ヘッドがマトリックス回路網に配置さ
れたときは、各磁気ヘッド用の列導体及び行導体が存在
し、これらの導体は個々の磁気ヘッドを形成するリング
内で交差している。しきい値電流の一部は行導体に供給
され、その他の部分は列導体に供給される。従って、し
きい値以上の磁束を発生するのに十分な総合電流を受け
取るのは、付勢された行導体と列導体との間の交点に位
置する磁気ヘッドのみである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】この形式の動作の欠点
は、電流の値が狭い範囲内に保持されなければならない
ことである。しきい値以下の電流は、磁気媒体に書き込
むことはしないが、行導体及び列導体における電流の部
分もしきい値以下に保持されなければならないので、そ
の電流はしきい値を十分に超えることができない。

【０００９】更に、個々の磁気ヘッドは全て同一の特性
を有するわけではないので、製造時の局部的な小さなば
らつきは特性のばらつきとなる。これは、以下の２つの
問題を解決しなければならないことを意味している。−
第１に、各マトリックス回路内の特性のばらつきは、十
分な電流が最小効率のヘッドにより書き込んだときに最
高効率のヘッドが誤って書き込まないようにするために
、十分に狭い範囲に維持されなければならない。−更に
、一方のアッセンブリから他方のアッセンブリへの、即
ち一方のマトリックスから他方のマトリックスへの平均
特性の再現性は、少なくとも大量生産時に個々の磁気ヘ
ッドの調整を必要とすることなく、個々の磁気ヘッドを
記録装置に組み込める程度に良好でなければならない。現在、これらの問題の１解決方法は、磁気ヘッドの設計
及び製造時における厳しい制約及び許容誤差を課すこと
である。これはコストを非常に増加させる。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、マトリックス
回路網を形成するように配列されると共に、前述の欠点
をなくす新しい配列を有する一組の個別的な磁気ヘッド
である。

【００１１】本発明による磁気ヘッド磁気記録装置は、
マトリックス回路網を形成するように配列された数個の
磁気ヘッドと、更にスイッチング素子を介して各磁気ヘ
ッドに電流を供給する方法を含む一つのマトリックス・
ネットワークを形成するように配列され、交差する行導
体及び行導体とを備えている。

【００１２】本発明は良く理解されるものであって、他
の特徴及びこれによって得られる効果は可能とするいく
つかの実施例の説明により明確にされる。この説明は添
付された図面に基づいている。

【００１３】

【実施例】図１は本発明による磁気記録装置１の回路図
である。

【００１４】磁気記録装置１はインダクタとして示す数
個の磁気ヘッドＭ１、Ｍ２、．．．Ｍ９からなる。電流
は行導体Ｙ１〜Ｙ３と呼ぶ行に配列された導体と、列導
体Ｘ１〜Ｘ３と呼ぶ列に配列された導体を介して磁気ヘ
ッドＭ１〜Ｍ９に供給される。

【００１５】列導体Ｘ１〜Ｘ３は行導体Ｙ１〜Ｙ３と交
差し、例えば各磁気ヘッドＭ１〜Ｍ９は実質的に列導体
と行導体との交点に位置する。

【００１６】図１に示す非限定的な実施例では、説明を
簡単にするために、３本の列導体Ｘ１〜Ｘ３と、３本の
行導体Ｙ１〜Ｙ３とのみを示し、磁気ヘッドＭ１〜Ｍ９
を配置する９個の交点を形成しているが、磁気記録装置
１は更に少ない又は更に多い磁気ヘッドに適応するよう
に更に少ない又は更に多い交差する導体を有するもので
もよいことは、明らかである。

【００１７】従来技術では、選択された磁気ヘッドに行
導体及び行導体を介して同時に電流を供給することによ
り、アドレス指定されていた。これら２つの導体におけ
る電流値は前記導入で説明し、かつ前述の特許文献に記
載されているように、前述の予め定めた値を超えている
。

【００１８】本発明では、選択された磁気ヘッドＭ１〜
Ｍ９は、異なる方法によりアドレス指定され、即ち電流
が供給される。本発明における一つの特徴は、スイッチ
ング素子Ｉ１〜Ｉ９に各磁気ヘッドＭ１〜Ｍ９が接続さ
れており、磁気ヘッドＭ１〜Ｍ９が選択されたときにス
イッチング素子Ｉ１〜Ｉ９を介して磁気ヘッドＭ１〜Ｍ
９に電流が供給されることである。

【００１９】各スイッチング素子は磁気ヘッドに直列に
接続されており、信号を書き込むために必要とする磁界
を発生させるのに十分な電流を流すか、又は阻止できる
ようにする。

【００２０】このような構成においては、磁気ヘッドＭ
１〜Ｍ９への電力は、磁気ヘッドＭ１〜Ｍ９が選択され
たか、否かに従って「オン」又は「オフ」となる。従っ
て、電流は、前述の問題を発生させることなく、必要と
するしきい値よりはるかに高いものとすることができる
。

【００２１】スイッチング素子Ｉ１〜Ｉ９は、それ自体
は従来技術のいくつかの方法により作成され、かつ速度
のような動作特性若しくは必要とする供給電流に従って
、又はここでも磁気記録装置１の方法に従い、主として
磁気記録装置１の特性に適合するように選択されてもよ
い。例えば、前述のフランス特許公報第２６３０８５３
号に記載されている薄膜技術を用いて製造されるときは
、スイッチング素子は、図２を参照して後述するＭＯＳ
トランジスタ又はバイポーラトランジスタ、更にはダイ
オード素子であってもよい。しかし、スイッチング素子
は、同様に電磁リレーであってもよい。

【００２２】図１に示す本発明の非限定的な第１の実施
例によれば、スイッチング素子Ｉ１〜Ｉ９はＭＯＳトラ
ンジスタであり、９番目の磁気ヘッドＭ９と直列に接続
されているスイッチング素子Ｉ９について詳細に示され
ている。

【００２３】各磁気ヘッドＭ１〜Ｍ９を形成するインダ
クタのうちの一つの終端２は、データ電圧、例えば接地
即ち（図４を参照する説明の一部として更に詳細に説明
される。）磁気ヘッドを製造する基板の電圧として保持
されている。

【００２４】各磁気ヘッドＭ１〜Ｍ９の他の即ち第２の
終端３は、スイッチング素子Ｉ１〜Ｉ９に接続されてい
る。例えば、図１に示す実施例では、スイッチング素子
Ｉ１〜Ｉ９はＭＯＳトランジスタであり、第２の終端３
はトランジスタＴのソースに接続されている。このトラ
ンジスタＴのドレインＤ及びゲ−トＧはそれぞれ対応す
る行導体Ｙ１〜Ｙ３及び列導体Ｘ１〜Ｘ３に接続されて
いる。

【００２５】各スイッチング素子は、磁気ヘッドに直列
に接続されており、流れに対して信号を記録するのに必
要な磁界を発生させるのに十分な電流を許すか、阻止す
る。この配置において、磁気ヘッドＭ１〜Ｍ９への電力
は、ヘッドが選択されたかどうかによって、「オン」ま
たは「オフ」かされる。その結果、電流は、従来技術に
おいて記載した問題を発生させることなく必要とするし
きい値より高くすることができる。

【００２６】スイッチング素子Ｉ１〜Ｉ９は、数種の方
法で製造され得る。それらの方法は、通常、主に磁気記
録装置の特性に適合させるために選択される。たとえば
、スピードのような動作特性、必要とする供給電流、ま
たは、磁気記録装置１を製造する方法による。たとえば
、既述のフランス国特許公報第２６３０８５３号に記載
されているような薄膜技術を用いて製造されているとき
は、スイッチング素子は、図２の参照によって、後述す
るようなＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ
ー、さらにダイオード素子が可能である。しかしながら
、そのスイッチング素子は、電磁リレーもまた、同様に
可能である。

【００２７】図１に示された本発明の第一の実施例によ
れば、スイッチング素子Ｉ１〜Ｉ９は、特に、９番目の
磁気ヘッドＭ９と直列に接続されたスイッチング素子Ｉ
９に対して示されたようなＭＯＳＴトランジスタである
。各磁気ヘッドＭ１〜Ｍ９を形成するインダクタの一端
は、基準電圧に保持されている。この基準電圧としては
、例えば、接地電圧、すなわち、例えば図４で参照する
記載の部分により詳細に説明されたように製造される磁
気ヘッド上の電圧に保持されている。

【００２８】各磁気ヘッドＭ１〜Ｍ９の他の、または、
第２の終端３はスイッチング素子Ｉ１〜Ｉ９に接続され
ている。実際、図１に示した説明において、各スイッチ
ング素子Ｉ１〜Ｉ９はＭＯＳＴトランジスタであり、第
２の端３はトランジスタＴのソースに接続される。トラ
ンジスタのドレインＤとゲートＧは、それぞれ対応する
行導線Ｙ１〜Ｙ３と対応する列導線Ｘ１〜Ｘ３に接続さ
れている。

【００２９】例えば、第９のスイッチング素子Ｉ９に関
して、ドレインＤは、第３の行導線Ｙ３に接続されてお
り、ゲートＧは、第３の列導線Ｘ３に接続されている。この配置において、与えられた磁気ヘッドは、同一の列
導線を介して導電状態に対応する列導線を接続された全
トランジスタを接続することによってアドレスされ、同
時に選択された磁気ヘッドの書き込み電流を発生するた
めに必要とされる電圧を行導線へ供給する。

【００３０】例えば、第４の磁気ヘッドＭ４と第９の磁
気ヘッドＭ９を介して、磁気支持材に書き込みたい、す
なわち記録するときは、接地電圧に比例する電圧を供給
する。書き込み信号Ｓ４，Ｓ９のイメージである電圧を
第２及び第３の行導線Ｙ２１，Ｙ３（これらの２つの導
線のみ）へ供給する。；同時に、電圧を第１と第３の列
導線Ｘ１とＸ３へ供給する（これらの２つの導線のみ）
。この電圧値は、スイッチング素子Ｉ４とＩ９の導通を
形成するトランジスタを作るように接地に比例している
。これは、第４の磁気ヘッドＭ４と第９の磁気ヘッドＭ
９を通して流れる書き込み電流ｉ４とｉ９を生じさせる
。そして、書き込み電流ｉ４とｉ９は、これらの磁気ヘ
ッドＭ４，Ｍ９のみを流れる。

【００３１】図上の第９の磁気ヘッドに関して示された
ように、行導線Ｙ２とＹ３へ供給された制御電圧ＴＣは
、実際、これらの行導線に接続された各トランジスタＴ
の制御ゲートＧへ供給される。これらのトランジスタは
、トランジスタのドレインＤが列導線Ｘ１〜Ｘ３に接続
されたならば、磁気ヘッドＭ４，Ｍ９を介して戻る電流
ｉ４，ｉ９が流れるように、導通される。同時にＳ４，
Ｓ９のような書き込み信号が、列導線Ｘ１とＸ３へ供給
される。電流ｉが流れる方向は、図１に示されている制
御電圧ＴＣの供給方向とほぼ正反対である。

【００３２】制御電圧ＴＣ及び書き込み信号Ｓ４，Ｓ９
が、内部において、通常の回路（図示せず）、たとえば
、通常信号と「ゲート」とシフトレジスタのシステムを
用いて動作する電圧発生器からなる回路によって発生す
ることに、注意されたい。

【００３３】また、名称「行」と「列」が、標準的な専
門用語を用いたそれらの間で異なるように導線に適用さ
れており、そして、決してそれらが、垂直、水平、ある
いは中間位置を示さないことに、注意されたい。

【００３４】図２は、スイッチング素子Ｉ１〜Ｉ９が２
つのダイオードＤ１から成る本発明の第２の実施例を示
している。磁気ヘッドＭ１〜Ｍ９は、前記例と同様に行
と列に配置されており、実質上、列導体Ｘ１〜Ｘ３と行
導体Ｙ１〜Ｙ３の交点に配置されている。しかしながら
、本発明のこの実施例において各行導体Ｙ１、Ｙ２，Ｙ
３は、実際に、それぞれ２つの導線Ｙ１ａ及びＹｂ、Ｙ
ａ２及びＹｂ２、Ｙａ３及びＹｂ３からなる。各行にお
ける２つの導線は、参照電圧に関して符号が反対である
以外は同一の電圧を引き起こす。その結果、説明を簡単
にするために、導線Ｙａ１、Ｙａ２、Ｙａ３は、「負」
の導線として参照され、導線Ｙｂ１、Ｙｂ２、Ｙｂ３は
、「正」の導線として参照される。

【００３５】各磁気ヘッドＭ１〜Ｍ９に関してスイッチ
ング素子Ｉ１〜Ｉ９は、それぞれ２つのダイオードＤ１
とＤ２からなり、一つは、負の導線Ｙａ１〜Ｙａ３に接
続されており、もう一つは、正の導線Ｙｂ１〜Ｙｂ３に
接続されており、これらの正負の導線は両方とも同一行
Ｙ１〜Ｙ３に属している。

【００３６】各スイッチング素子Ｉ１〜Ｉ９において、
ダイオードＤ１とＤ２の両方とも導通方向が同じとなる
ように、直列に接続されている。即ちこれらのダイオー
ドは一方のカソードを他方のアノードに接続するように
相互接続されている。ダイオードＤ１、Ｄ２の各接合点
Ｊ１〜Ｊ９は、対応する磁気ヘッドＭ１〜Ｍ９に（例え
ば、この磁気ヘッドの終端２）に接続されている。ダイ
オードＤ１とＤ２の他端は、導体に接続されており、ダ
イオードＤ１は負の導体Ｙａ１〜Ｙａ３に接続されてお
り、ダイオードＤ２は正の導線Ｙｂ１〜Ｙｂ３に接続さ
れている。

【００３７】このように、第９の磁気ヘッドＭ９は、例
えば第３の列導体Ｘ３と、第３の行導体Ｙ３を形成する
負及び正の行導体Ｙａ３，Ｙｂ３との間の交点に置かれ
ている。磁気ヘッドＭ９の第２の端３は、第３の列導体
Ｘ３に接続されている。その磁気ヘッドＭ９の端２は２
つのダイオードＤ１とＤ２間の接合点Ｊ９に接続されて
いる。すなわち、この例では端２が第１のダイオードＤ
１のアノードと第２のダイオードＤ２のカソードに接続
されている。第１のダイオードＤ１のカソードは第３の
負導線Ｙａ３に接続されており、第２のダイオードＤ２
のアノードは第３の正導線Ｙｂ３に接続されている（他
の磁気ヘッドＭ１〜Ｍ８も全て同様な方法で接続されて
いる）。

【００３８】前記書き込み信号は、方向が逆となり得る
書き込み電流を発生させる種々の信号であることが分っ
ている。例えば、第４及び第９の磁気ヘッドＭ４、Ｍ９
について述べると、、図１に示したように同一の方向、
または、同一の符号を有する磁気ヘッドを通して書き込
み電流ｉ４及びｉ９を流すことができる。この場合に、
図２に示した回路を仮定すると、これらの電流は第１の
ダイオードＤ１を通して流れる。しかし、これらの電流
は、逆方向（ここでこれらの電流は、ｉ４ｂ及びｉ９ｂ
を付けた矢印で表されている）のときは第２のダイオー
ド通して流れる。

【００３９】磁気ヘッドがアドレス指定されてないとき
は、第１に、列導体Ｘ１〜Ｘ３は、例えば接地である基
準電圧に近い電圧で「オフ」状態にある。第２に全ての
負導体Ｙａ１〜Ｙａ３はこの基準電圧即ち接地に対して
正の電圧であり、全正導体Ｙｂ１〜Ｙｂ３は接地に対し
て負の電圧である。これらの正及び負電圧は、列導体Ｘ
１〜Ｘ３に供給されて磁気ヘッドをアドレスするときに
その書き込み信号が到達できる電圧より高い。その結果
、ダイオードＤ１とＤ２は導通しない。

【００４０】１つまたは数個の選択された磁気ヘッド、
例えば磁気ヘッドＭ４及びＭ９は、このときは以下のよ
うにしてアドレス指定される：−第１に、書き込み信号
Ｓ４及びＳ５は、それぞれ第１及び第三の列導体Ｘ１及
びＸ３に供給される。−第２に、同時に、行導体Ｙ２及
びＹ３の極性が変更されて第２及び第９のスイッチング
素子Ｉ１、Ｉ９のダイオードＤ１及びＤ２を導通させる
。このために、全て負の導体Ｙａ１〜Ｙａ３に供給され
る制御電圧ＴＣａは、接地に対して約＋５Ｖで、「オフ
」となる。また、全ての正導体Ｙｂ１〜Ｙｂ３に供給さ
れる制御電圧ＴＣｂも、接地に対して約−５Ｖで、「オ
フ」となる。これらの制御電圧ＴＣａ及びＴＣｂは、負
導体Ｙａ２及びＹａ３のみ並びに正導線Ｙｂ２及びＹｂ
３のみに関して、基準電圧または接地に近い値に変化す
る。

【００４１】これらの条件において、書き込み信号Ｓ４
、Ｓ９が列導体Ｘ１〜Ｘ３のみに供給されると、電流が
流れるヘッドは、第４及び第５のヘッド、Ｍ４及びＭ９
のとなる。従って、導通するダイオードは、信号Ｓ４、
Ｓ９が接地に関して正のときはのＤ１ダイオードであり
、また信号Ｓ４、Ｓ９が接地に関して負のときはＤ２ダ
イオードである。

【００４２】図２に示されたダイオード回路に対しては
異なったダイオード回路、又は、図１に示されたトラン
ジスタ回路に対しては異なったトランジスタ回路を用い
てもよいが、これらの回路も、マトリックス型アドレッ
シングシステムを用い、スイッチング素子を介して１つ
の又は、複数の磁気ヘッドに接続するために、すなわち
電力供給を制御するために用いるのであれば、本発明の
一部とみなすことは、明らかである。記録すべき信号の
方向が決して反転されないならば、各スイッチング素子
Ｉ１〜Ｉ９は単一のダイオードにより構成してもよいこ
とにも注意されたい。

【００４３】図３は、非限定的な一実施例として磁気ヘ
ッドの配置、スイッチング素子、及び列導線と行導線を
示す透視図であり、全素子が図１に示した回路と同様の
回路を用いて同一の基板上に製造される配置にある。

【００４４】図３では簡単にするため、４つの磁気ヘッ
ドのみが示されている。例えば、第１、第２、第４及び
第５の磁気ヘッドＭ１、Ｍ２、Ｍ４及びＭ５は、第１及
び第２の列導線Ｘ１、Ｘ２と、第１及び第２の行導線Ｙ
１，Ｙ２との交点に配置されている。磁気ヘッドＭ１、
Ｍ２、Ｍ４及びＭ５はそれぞれスイッチング素子Ｉ１，
Ｉ２，Ｉ４及びＩ５を介して対応する列導体Ｘ１及びＸ
２に接続されている。これらの素子は全て、例えば通常
のプロセスを用いて、単結晶シリコンにより、同一の基
板５上に形成される。

【００４５】各スイッチング素子Ｉ１、Ｉ２、Ｉ４及び
Ｉ５は、１つのＭＯＳトランジスタからなり、ＭＯＳト
ランジスタにおいて基板５中への第１と第２の拡散層６
、７は、それぞれＭＯＳトランジスタ内のドレインＤ及
びソースＳとして動作する。ＭＯＳトランジスタの制御
ゲートＧは、二つの拡散層６と７との間のスペースに、
金属堆積８を用いて通常の方法で形成される。各ドレイ
ンＤまたは第１の拡散６は、列接続９を介して対応する
列導体Ｘ１、Ｘ２に接続されている。すなわち各ゲート
Ｇは、接続１０によって対応する行導体Ｙ１、Ｙ２に接
続され、各ソースＳまたは第２の拡散層７はソース接続
１１を介して対応する磁気ヘッドＭ１、Ｍ２、Ｍ４及び
Ｍ５に接続されている。それらの終端のうちの一つは、
第２の拡散層と接触している。

【００４６】磁気ヘッドＭ１、Ｍ２等の構造は、従来と
全く同じである。すなわち次の各構成からなる。−ギャ
ップ１７によって分離された二つの磁極１５及び１６か
らなる磁性材料の上側磁極、−磁気回路を閉じる磁性材
（図３に示されていない）の下側磁極、−電流を流す磁
界を発生させる磁気回路を通る１つまたは複数の導体。この非限定的な実施例において、ソース結体１１は磁気
回路を包み、かつ数回磁気回路を通る渦巻状の励磁導２
０に接続されている。この非限定的な実施例において、
励磁導２０は図３に示したように、２つのうちの一方の
第１の磁極１５上の磁気回路を通っている。次いで、励
磁導体２０は、内部トラック２１（点線で示す）に接続
されて第２の励磁導２２と同じように示された第２の磁
極１６と同一側の基板５の表面に戻る。ここでもこの第
２の励磁導２２は、渦巻を形成して磁気回路を通過する
。励磁導２１及び２２によって形成された回路は、例え
ば、基板５を介して閉じてその結果、図３は全励磁導２
２の一端での接地接続を示している。

【００４７】この非限定的な実施例において、磁気回路
の書き込み磁界は、磁気回路を通して３回流れる励磁電
流によって発生する。なお、本発明に従った他の装置に
おいて、それより少ないまたはそれ以上の励磁電流の通
過により発生させても良いことは自明である。

【００４８】図４Ａ〜図４Ｈは、図３に示した構造を製
造するための工程における主要な段階の実施例を示して
いる。図４Ａ〜図４Ｈは、図３に示したＸ−Ｘ線の断面
図である。

【００４９】後述する方法において、ＭＯＳトランジス
タは通常のエピタキシヤル・プロセスと磁気ヘッドの製
造に用いられるフォトリソグラフィー技術を用いて製造
される。

【００５０】図４Ａは、電気的な絶縁層３０を設けた基
板５を示している。例えば、この非限定的な実施例にお
いて、基板５はＰ形にドープされた単結晶シリコンであ
り、絶縁層３０はシリコン酸化物（ＳｉＯ２）である。

【００５１】図４Ｂは、ＭＯＳトランジスタ及び磁気ヘ
ッドをそれぞれ設ける位置３１及び３２で基板５に食刻
された絶縁層３０を示している。

【００５２】図４Ｃは、例えば位置３１及び３２に非常
に薄い絶縁膜３３，酸化物を設け、酸化物膜３３上の位
置３１の中央部分に単結晶シリコンの膜を堆積させた後
、この多結晶シリコンの層３４はＭＯＳトランジスタの
ゲートを形成する主要な段階を示す。

【００５３】図４Ｄは、薄い酸化物膜３３の保護されな
い部分が除去され、領域３７，３８及び３９が基板５へ
の拡散によってＮ形にドープされた（例えばリンにより
）ことを示している。第１に位置３１において、第１の
領域３７はドレインＤを形成し、第２の領域３８はソー
スＳを形成する。また、この拡散は磁気ヘッド位置３２
にも適用される。

【００５４】図４Ｅは、磁気ヘッド位置３２における磁
性材料，例えばＦｅＮｉ（パーマロイ）の堆積層を示し
ている。このＦｅＮｉ（磁気膜）４１は磁気ヘッド，磁
気回路の下部磁極片を形成し、通常の電気分解方法等を
用いて形成される。その磁気膜４１は組立部品上に第３
の酸化物膜４０を積層させた後に積層される。

【００５５】図４Ｆに示したように、次の製造工程にお
いて、第４の酸化物膜４３をアッセンブリに形成し、導
線を必要とする位置で酸化物膜４０及び４３を食刻した
後、微細金属堆積５０，例えば銅が電解処理を用いて形
成される。

【００５６】図４Ｇは、銅膜５０が続いて導線が必要と
されるところのどこでも、例えば電解沈澱物を用いてよ
り厚い第２の銅膜５１によって被覆されていることを示
している。

【００５７】この第２の銅膜５１の付着後、図４Ｇ上の
左から右の連続を得られる。−図３に示された列導線９
である導線９（この導線は領域３７によって形成された
ドレインＤに接続している。）、−図３に示されたグリ
ッド結線１０である導線１０（この導線はグリッド領域
Ｇを形成する膜（層）３４に接続している。）、−図３
に示されたソース導線（ソース結線）１１である導線１
１（この導線は第２の領域３８によって形成されたソー
スＳに接続している）。

【００５８】−図３に示された渦巻状励磁導線２０であ
る導線２０（図３に示されたように、この導線は磁気回
路を３回交差している。）図４Ｈには磁気回路の外側の
部分に対する項目２０ａとして、磁気回路を通過する部
分に対する項目２０ｂとしての、それから磁気回路の外
側の部分に対する項目２０ｃとして、再び２回最後に、
図３上の接地として記号化された基板５に接続された部
分に対する項目２０ｄとして、連続的に示されている。

【００５９】図４Ｈは、上部磁極、すなわち、ギャップ
（間隙）１７によって分離された２つの磁極１５及び１
６の製造に伴う最終工程（段階）の１つを示している。 −アッセンブリに対して第４の絶縁膜５５を設け、−こ
の第４の絶縁膜５５を磁気膜の両端にある２つの位置５
６及び５７で磁気膜４１（下部磁極）まで食刻する。−
最後に、２つの磁極１５及び１６（ＦｅＮｉ，パーマロ
イ）電解的に形成し、位置５６及び５７によって磁気膜
４１に接続する。

【００６０】説明の製造方法は非限定的な実施例である
。特に「エンリッチド」または「デプリーション」トラ
ンジスタの形状でスイッチング素子Ｉ１〜Ｉ９を製造す
ることが可能である。そのトランジスタ及び磁気ヘッド
も薄膜技術を用いて形成されても良い。この薄膜技術は
図２に示した回路に対応するダイオードの形成に用いて
も良い。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
コストを増大させることなく、厳しい制約や許容限界値
を課さなくて済むマルチ磁気ヘッド型磁気記録装置を実
現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好ましい実施例を表わすマルチヘッド
型磁気記録装置の回路図である。

【図２】本発明の第２の実施例を示すマルチヘッド型磁
気記録装置の回路図である。

【図３】図１の図に従った本発明の部分透視図である。

【図４Ａ】図３に示した装置を製造する方法を説明する
ための断面図である。

【図４Ｂ】図３に示した装置を製造する方法を説明する
ための断面図である。

【図４Ｃ】図３に示した装置を製造する方法を説明する
ための断面図である。

【図４Ｄ】図３に示した装置を製造する方法を説明する
ための断面図である。

【図４Ｅ】図３に示した装置を製造する方法を説明する
ための断面図である。

【図４Ｆ】図３に示した装置を製造する方法を説明する
ための断面図である。

【図４Ｇ】図３に示した装置を製造する方法を説明する
ための断面図である。

【図４Ｈ】図３に示した装置を製造する方法を説明する
ための断面図である。

【符号の説明】

Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３　　列導体Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３　　行導体Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６，Ｍ７，Ｍ８，Ｍ
９　　磁気ヘッドＩ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４，Ｉ５，Ｉ６，Ｉ７，Ｉ８，Ｉ
９　　スイッチング素子Ｄ１，Ｄ２　　ダイオードＹｂ１，Ｙｂ２，Ｙｂ３　　正導体Ｙａ１，Ｙａ２，Ｙａ３　　負導体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　磁気トラック上にデータを記録するマ
ルチ磁気ヘッド磁気記録装置において、磁気ヘッド（Ｍ
１〜Ｍ９）と、行導体（Ｙ１〜Ｙ３）を交差させた列導
体（Ｘ１〜Ｘ３）とからなり、前記磁気ヘッドは一つの
マトリックス回路網を形成するように配置されると共に
、前記各磁気ヘッド（Ｍ１〜Ｍ９）は行導体と列導体と
の交点に対応し、かつ少なくとも一つ選択された前記磁
気ヘッドを対応するスイッチング素子（Ｉ１〜Ｉ９）に
よりトリガして付勢できるように、その電流を対応する
スイッチング素子を介して前記各磁気ヘッドに供給する
ことを特徴とするマルチ磁気ヘッド磁気記録装置。
【請求項２】　　請求項１記載のマルチ磁気ヘッド磁気
記録装置において、各スイッチング素子（Ｉ１〜Ｉ９）
は対応する前記交点に対して２つの導体（Ｘ１〜Ｘ３）
（Ｙ１〜Ｙ３）のうちの一方によって「オン」又は「オ
フ」にされ、記録されるべき信号は他方により搬送され
ることを特徴とするマルチ磁気ヘッド磁気記録装置。
【請求項３】　　請求項１又は２記載のマルチ磁気ヘッ
ド磁気記録装置において、各磁気ヘッド（Ｍ１〜Ｍ９）
は一端（２）で前記スイッチング素子（Ｉ１〜Ｉ９）に
接続され、かつ他端（３）が全ての磁気ヘッドに共通す
る電圧に接続されることを特徴とするマルチ磁気ヘッド
磁気記録装置。
【請求項４】　　前記請求項のうちの一つに記載のマル
チ磁気ヘッド磁気記録装置において、前記スイッチング
素子（Ｉ１〜Ｉ９）はトランジスタであることを特徴と
するマルチ磁気ヘッド磁気記録装置。
【請求項５】　　前記請求項のうちの一つに記載のマル
チ磁気ヘッド磁気記録装置において、前記スイッチング
素子（Ｉ１〜Ｉ９）はＭＯＳトランジスタであることを
特徴とするマルチ磁気ヘッド磁気記録装置。
【請求項６】　　請求項４記載のマルチ磁気ヘッド磁気
記録装置において、前記スイッチング素子（Ｉ１〜Ｉ９
）はバイポーラトランジスタであることを特徴とするマ
ルチ磁気ヘッド磁気記録装置。
【請求項７】　　請求項１又は２記載のマルチ磁気ヘッ
ド磁気記録装置において、前記スイッチング素子（Ｉ１
〜Ｉ９）はダイオード（Ｄ１、Ｄ２）であることを特徴
とするマルチ磁気ヘッド磁気記録装置。
【請求項８】　　請求項７記載のマルチ磁気ヘッド磁気
記録装置において、各スイッチング素子は、少なくとも
２つのダイオード（Ｄ１、Ｄ２）からなり、かつ前記ス
イッチング素子（Ｉ１〜Ｉ９）を制御するために用いら
れる前記行導体（Ｙ１〜Ｙ３）は前記ダイオード（Ｄ１
、Ｄ２）のうちの一つに接続する負導体（Ｙａ１）と、
他のダイオード（Ｄ２）に接続された正導体（Ｙｂ１）
とに分割されていることを特徴とするマルチ磁気ヘッド
磁気記録装置。
【請求項９】　　前記請求項のうちの一つに記載のマル
チ磁気ヘッド磁気記録装置において、全てのスイッチン
グ素子（Ｉ１〜Ｉ９）はマトリックス回路網を形成する
と共に、前記磁気ヘッドと同一の基板（５）上に作成さ
れ、かつ各スイッチング素子は対応する磁気ヘッドに接
近して配置されていることを特徴とするマルチ磁気ヘッ
ド磁気記録装置。
【請求項１０】　　前記請求項のうちの一つに記載のマ
ルチ磁気ヘッド磁気記録装置において、前記磁気ヘッド
（Ｍ１〜Ｍ９）及び前記スイッチング素子（Ｉ１〜Ｉ９
）は薄膜技術を用いて作成されていることを特徴とする
マルチ磁気ヘッド磁気記録装置。
【請求項１１】　　前記請求項１０記載のマルチ磁気ヘ
ッド磁気記録装置において、前記磁気ヘッド（Ｍ１〜Ｍ
９）及び前記スイッチング素子（Ｉ１〜Ｉ９）は製造段
階で少なくとも部分的に作成されることを特徴とするマ
ルチ磁気ヘッド磁気記録装置。