JPH04227305A - 増幅器 - Google Patents
増幅器Info
- Publication number
- JPH04227305A JPH04227305A JP3065356A JP6535691A JPH04227305A JP H04227305 A JPH04227305 A JP H04227305A JP 3065356 A JP3065356 A JP 3065356A JP 6535691 A JP6535691 A JP 6535691A JP H04227305 A JPH04227305 A JP H04227305A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- diodes
- base
- gain
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3084—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in receivers or transmitters for electromagnetic waves other than radiowaves, e.g. lightwaves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0017—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
- H03G1/0023—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier in emitter-coupled or cascode amplifiers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般に電子式増幅器に関
し、より具体的には、高速度で動作し低い電源電圧しか
必要としない多段増幅器に関する。
し、より具体的には、高速度で動作し低い電源電圧しか
必要としない多段増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ式ディジタル受信装置などあ
る種の応用分野では、高利得と高速度／高帯域幅が不可
欠である。たとえば、コンピュータ間のディジタル通信
用に毎秒８００メガビットを送受信する何らかの光ファ
イバ・ケーブルが必要であり、将来はさらに高速度が必
要となる。また、ディジタル信号用の電源と同じ電源か
ら増幅器を動作させることが好ましいが、そのような電
源は低い電圧を供給することがある。たとえば、ディジ
タル信号がＴＴＬレベルである場合、電源電圧は５ボル
トである。
る種の応用分野では、高利得と高速度／高帯域幅が不可
欠である。たとえば、コンピュータ間のディジタル通信
用に毎秒８００メガビットを送受信する何らかの光ファ
イバ・ケーブルが必要であり、将来はさらに高速度が必
要となる。また、ディジタル信号用の電源と同じ電源か
ら増幅器を動作させることが好ましいが、そのような電
源は低い電圧を供給することがある。たとえば、ディジ
タル信号がＴＴＬレベルである場合、電源電圧は５ボル
トである。
【０００３】これまで多数の型式の増幅器が知られてい
る。たとえば、非常に一般的な増幅器は、パイポーラ・
トランジスタと、トランジスタのベースと電源の間に接
続された大きな直流バイアス抵抗と、トランジスタのエ
ミッタと大地の間に接続されたエミッタ抵抗と、トラン
ジスタのコレクタと電源の間に接続されたコレクタ抵抗
とを含んでいる。この種の増幅器は、中速度で有用であ
る。しかし、この増幅器内のトランジスタは、本来的に
そのベースに寄生キャパシタンスを含んでおり、このキ
ャパシタンスはベース抵抗と並列になっている。したが
って、この増幅器はその入力端にかなりのＲＣ時間定数
を有し、この時間定数が増幅器の速度と帯域幅を減少さ
せる。感度がより大きな差動増幅器も知られていた。
る。たとえば、非常に一般的な増幅器は、パイポーラ・
トランジスタと、トランジスタのベースと電源の間に接
続された大きな直流バイアス抵抗と、トランジスタのエ
ミッタと大地の間に接続されたエミッタ抵抗と、トラン
ジスタのコレクタと電源の間に接続されたコレクタ抵抗
とを含んでいる。この種の増幅器は、中速度で有用であ
る。しかし、この増幅器内のトランジスタは、本来的に
そのベースに寄生キャパシタンスを含んでおり、このキ
ャパシタンスはベース抵抗と並列になっている。したが
って、この増幅器はその入力端にかなりのＲＣ時間定数
を有し、この時間定数が増幅器の速度と帯域幅を減少さ
せる。感度がより大きな差動増幅器も知られていた。
【０００４】また「ギルバート・セル」を用いて、高速
／高帯域幅の増幅器を提供することも知られていた。こ
のセルを組み合わせると、高利得をもたらすことができ
る。しかし、各セルが動作するには０．５〜１．０ボル
トの電源電圧スイングが必要であり、セルを組み合わせ
るには、電源から大地へとセルを「垂直に」積み重ねる
。したがって、たとえば５ボルトという小さな電源電圧
で得ることのできる最大利得は限られている。
／高帯域幅の増幅器を提供することも知られていた。こ
のセルを組み合わせると、高利得をもたらすことができ
る。しかし、各セルが動作するには０．５〜１．０ボル
トの電源電圧スイングが必要であり、セルを組み合わせ
るには、電源から大地へとセルを「垂直に」積み重ねる
。したがって、たとえば５ボルトという小さな電源電圧
で得ることのできる最大利得は限られている。
【０００５】光ファイバ増幅器が満たすべき要件がもう
１つある。増幅器の入力端にぶつかる光信号は、ＬＥＤ
またはレーザが対応する光感応ダイオードの近くにある
こと、製造公差、その他のファクタのために、エネルギ
ーが上下で１０００倍も変化する可能性があり、増幅器
は、扱いやすい電圧出力範囲をもたらすため、このばら
つきを補償しなければならない。ベース抵抗及び他の抵
抗を備えた上記の従来技術の単端増幅器では、トランジ
スタが飽和して出力電圧を制限する。しかし飽和状態に
なると、トランジスタのその後の応答、すなわちターン
オフの速度が遅くなる。ギルバート・セルも、垂直に積
み重ねるために、電源電圧に対して入力が取り得る許容
直流成分が制限されるので、広い範囲の入力に適しては
いない。
１つある。増幅器の入力端にぶつかる光信号は、ＬＥＤ
またはレーザが対応する光感応ダイオードの近くにある
こと、製造公差、その他のファクタのために、エネルギ
ーが上下で１０００倍も変化する可能性があり、増幅器
は、扱いやすい電圧出力範囲をもたらすため、このばら
つきを補償しなければならない。ベース抵抗及び他の抵
抗を備えた上記の従来技術の単端増幅器では、トランジ
スタが飽和して出力電圧を制限する。しかし飽和状態に
なると、トランジスタのその後の応答、すなわちターン
オフの速度が遅くなる。ギルバート・セルも、垂直に積
み重ねるために、電源電圧に対して入力が取り得る許容
直流成分が制限されるので、広い範囲の入力に適しては
いない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の全般的目的は
、高速／高帯域幅の増幅器を提供することにある。
、高速／高帯域幅の増幅器を提供することにある。
【０００７】本発明の他の全般的目的は、低い電源電圧
で動作できる、上記のタイプの多段増幅器を提供するこ
とにある。
で動作できる、上記のタイプの多段増幅器を提供するこ
とにある。
【０００８】本発明の他の目的は、広い範囲の信号入力
で動作でき、扱いやすい電圧範囲内の出力をもたらす、
上記タイプの増幅器を提供することにある。
で動作でき、扱いやすい電圧範囲内の出力をもたらす、
上記タイプの増幅器を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、高密度の集積回路と
して製造できる、上記タイプの増幅器を提供することに
ある。
して製造できる、上記タイプの増幅器を提供することに
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、カスケード形
に接続された第１と第２の利得セルを含む増幅器に関す
る。各利得セルはそれぞれ、第１と第２の共通エミッタ
差動トランジスタと、トランジスタのエミッタに結合さ
れた電流源と、電源端子と第１トランジスタのベースと
の間に接続された、第１の複数の順方向バイアス直列ダ
イオードと、電源端子と第２トランジスタのベースとの
間に接続された、第２の複数の順方向バイアス直列ダイ
オードとを含んでいる。第１利得セルの第１トランジス
タのコレクタは第２利得セルの第１トランジスタのベー
スに結合され、第１利得セルの第２トランジスタのコレ
クタは第２利得セルの第２トランジスタのベースに結合
される。バイアス・ダイオードの固有抵抗が低いので、
増幅器の動作速度は大きく、電源電圧を超えることなく
電流増幅を大きくすることができる。電流源は、トラン
ジスタを飽和させず、したがって動作速度を損うことな
く、高レベル信号に対する利得を制限する。本発明の１
つの特徴によれば、各ダイオードの固有抵抗と各トラン
ジスタのベース層及びエミッタ層の固有抵抗は、他方の
固有抵抗と同じであり、したがって各セルの利得はトラ
ンジスタのベースに接続されたダイオードの数に等しく
なる。
に接続された第１と第２の利得セルを含む増幅器に関す
る。各利得セルはそれぞれ、第１と第２の共通エミッタ
差動トランジスタと、トランジスタのエミッタに結合さ
れた電流源と、電源端子と第１トランジスタのベースと
の間に接続された、第１の複数の順方向バイアス直列ダ
イオードと、電源端子と第２トランジスタのベースとの
間に接続された、第２の複数の順方向バイアス直列ダイ
オードとを含んでいる。第１利得セルの第１トランジス
タのコレクタは第２利得セルの第１トランジスタのベー
スに結合され、第１利得セルの第２トランジスタのコレ
クタは第２利得セルの第２トランジスタのベースに結合
される。バイアス・ダイオードの固有抵抗が低いので、
増幅器の動作速度は大きく、電源電圧を超えることなく
電流増幅を大きくすることができる。電流源は、トラン
ジスタを飽和させず、したがって動作速度を損うことな
く、高レベル信号に対する利得を制限する。本発明の１
つの特徴によれば、各ダイオードの固有抵抗と各トラン
ジスタのベース層及びエミッタ層の固有抵抗は、他方の
固有抵抗と同じであり、したがって各セルの利得はトラ
ンジスタのベースに接続されたダイオードの数に等しく
なる。
【００１１】
【実施例】ここで図面を詳しく参照する。図面で同一の
参照番号は複数の図を通じて同じ要素を示す。図１は、
本発明を利用した光ファイバ受信回路１０を示している
。受信回路１０は、その入力端における光感応性ピン・
ダイオード１２と、ピン・ダイオードの両端間に接続さ
れた前置増幅器１４と、前置増幅器の出力端に接続され
たバッファ回路１６と、バッファ回路の出力端にカスケ
ード形に接続された複数の利得セル１８Ａ〜Ｄと、利得
セル１８Ｄの出力端に接続されたドライバ回路２０と、
ドライバと前置増幅器の間に接続されたレベル復元回路
２２とを含んでいる。
参照番号は複数の図を通じて同じ要素を示す。図１は、
本発明を利用した光ファイバ受信回路１０を示している
。受信回路１０は、その入力端における光感応性ピン・
ダイオード１２と、ピン・ダイオードの両端間に接続さ
れた前置増幅器１４と、前置増幅器の出力端に接続され
たバッファ回路１６と、バッファ回路の出力端にカスケ
ード形に接続された複数の利得セル１８Ａ〜Ｄと、利得
セル１８Ｄの出力端に接続されたドライバ回路２０と、
ドライバと前置増幅器の間に接続されたレベル復元回路
２２とを含んでいる。
【００１２】図２は、カスケード形利得セル１８Ａ〜１
８Ｄを示している。希望するならカスケード形に接続す
る利得セルの数を増減できることに留意されたい。利得
セル１８Ａは、そのエミッタが互いに接続されている差
動バイポーラ・トランジスタ３０Ａ及び３２Ａと、正電
圧電源端子４０とトランジスタ３０Ａのベース４１Ａと
の間に直列に接続されたダイオード３４Ａ〜３７Ａと、
トランジスタ３０Ａ及び３２Ａのそれぞれのエミッタと
接地電源端子４６との間に接続された電流源４４Ａとを
含んでいる。ダイオード３４Ａ〜３７Ａをこのように直
列に配列した場合、トランジスタ３０のベースは、正電
源電圧から各ダイオード３４Ａ〜３７Ａの両端間での電
圧降下を差し引いた値に等しい直流電圧でバイアスされ
る。図示した実施例では、バイアス電圧は約１．８ボル
トである。
８Ｄを示している。希望するならカスケード形に接続す
る利得セルの数を増減できることに留意されたい。利得
セル１８Ａは、そのエミッタが互いに接続されている差
動バイポーラ・トランジスタ３０Ａ及び３２Ａと、正電
圧電源端子４０とトランジスタ３０Ａのベース４１Ａと
の間に直列に接続されたダイオード３４Ａ〜３７Ａと、
トランジスタ３０Ａ及び３２Ａのそれぞれのエミッタと
接地電源端子４６との間に接続された電流源４４Ａとを
含んでいる。ダイオード３４Ａ〜３７Ａをこのように直
列に配列した場合、トランジスタ３０のベースは、正電
源電圧から各ダイオード３４Ａ〜３７Ａの両端間での電
圧降下を差し引いた値に等しい直流電圧でバイアスされ
る。図示した実施例では、バイアス電圧は約１．８ボル
トである。
【００１３】例として示すと、電流源４４Ａは、抵抗５
０と５２から形成される分圧器によってそのベースが一
定の直流電圧に維持されているトランジスタ４８（図３
）と、トランジスタ４８のエミッタと大地の間に接続さ
れた抵抗５４とを含む。トランジスタ４８のベースが分
圧器によって一定電圧に維持されるため、トランジスタ
４８のエミッタは、ベース電圧よりも約０．８ボルト低
い固定電圧に維持される。したがって、トランジスタ４
８のコレクタにシンクする電流は固定され、エミッタ電
圧を抵抗５４の抵抗値で割った値にほぼ等しくなる。 ダイオード１５７はトランジスタ４８を温度補償して、
温度変化に対して電流シンクを一定に保つ。これは、ト
ランジスタ４８のベース・エミッタ間電圧をダイオード
１５７の順方向降下と一致させることによって実現され
る。電流源４４Ａは、バイアス電流をトランジスタ３０
Ａと３２Ａに適した動作レベルに制限し、また後でより
詳しく述べるように、入力の範囲が広いにもかかわらず
出力電流が扱いやすい範囲内に保たれるように、トラン
ジスタ３０Ａ及び３２Ａ中を流れるコレクタ電流を制限
する。
０と５２から形成される分圧器によってそのベースが一
定の直流電圧に維持されているトランジスタ４８（図３
）と、トランジスタ４８のエミッタと大地の間に接続さ
れた抵抗５４とを含む。トランジスタ４８のベースが分
圧器によって一定電圧に維持されるため、トランジスタ
４８のエミッタは、ベース電圧よりも約０．８ボルト低
い固定電圧に維持される。したがって、トランジスタ４
８のコレクタにシンクする電流は固定され、エミッタ電
圧を抵抗５４の抵抗値で割った値にほぼ等しくなる。 ダイオード１５７はトランジスタ４８を温度補償して、
温度変化に対して電流シンクを一定に保つ。これは、ト
ランジスタ４８のベース・エミッタ間電圧をダイオード
１５７の順方向降下と一致させることによって実現され
る。電流源４４Ａは、バイアス電流をトランジスタ３０
Ａと３２Ａに適した動作レベルに制限し、また後でより
詳しく述べるように、入力の範囲が広いにもかかわらず
出力電流が扱いやすい範囲内に保たれるように、トラン
ジスタ３０Ａ及び３２Ａ中を流れるコレクタ電流を制限
する。
【００１４】トランジスタ３２Ａ及びバイアス・ダイオ
ード６４Ａ〜６７Ａの動作及び構成は、トランジスタ３
０Ａ及びダイオード３４Ａ〜３７Ａと同じである。端子
６８Ａと７０Ａの間の差動入力電圧が、トランジスタ３
０Ａのベース４１Ａとトランジスタ３２Ａのベース７１
Ａに印加される。利得セル１８Ａはまた、差動入力６８
Ａ及び７０Ａにそれぞれ対応する差動出力７４Ａ及び７
６Ａを供給する。
ード６４Ａ〜６７Ａの動作及び構成は、トランジスタ３
０Ａ及びダイオード３４Ａ〜３７Ａと同じである。端子
６８Ａと７０Ａの間の差動入力電圧が、トランジスタ３
０Ａのベース４１Ａとトランジスタ３２Ａのベース７１
Ａに印加される。利得セル１８Ａはまた、差動入力６８
Ａ及び７０Ａにそれぞれ対応する差動出力７４Ａ及び７
６Ａを供給する。
【００１５】図４は、利得セル１８Ａによって得られる
利得を示している。実際には、トランジスタ３０Ａは、
トランジスタ３０Ａのベース層及びエミッタ層のＮ層及
びＰ層の固有抵抗率によって生じる有限抵抗７０を含ん
でいる。同様に、各ダイオード３４〜３７は、それぞれ
各ダイオードのＰ半導体層及びＮ半導体層の固有抵抗率
によって生じる抵抗７４〜７７を含んでいる。トランジ
スタ３０Ａのベース４１Ａに交流電流が注入されると、
この電流は次式に従ってベース電圧を瞬間的に変化させ
る。
利得を示している。実際には、トランジスタ３０Ａは、
トランジスタ３０Ａのベース層及びエミッタ層のＮ層及
びＰ層の固有抵抗率によって生じる有限抵抗７０を含ん
でいる。同様に、各ダイオード３４〜３７は、それぞれ
各ダイオードのＰ半導体層及びＮ半導体層の固有抵抗率
によって生じる抵抗７４〜７７を含んでいる。トランジ
スタ３０Ａのベース４１Ａに交流電流が注入されると、
この電流は次式に従ってベース電圧を瞬間的に変化させ
る。
【００１６】ＶＡＣ＝４ＲＩＡＣ。ただしＶＡＣはベー
ス４１Ａにおける瞬間電圧、Ｒは各ダイオード（及びト
ランジスタ）の抵抗、ＩＡＣは注入電流である。トラン
ジスタ３０Ａのベースからエミッタへの直流電圧降下を
無視し、トランジスタ３０Ａのエミッタにおける交流電
圧のみを考慮すると、エミッタ３０Ａにおける交流電圧
はベース４１Ａにおける交流電圧と等しくなる。トラン
ジスタ３０Ａのエミッタにおける交流電圧は、次式によ
って求められる。
ス４１Ａにおける瞬間電圧、Ｒは各ダイオード（及びト
ランジスタ）の抵抗、ＩＡＣは注入電流である。トラン
ジスタ３０Ａのベースからエミッタへの直流電圧降下を
無視し、トランジスタ３０Ａのエミッタにおける交流電
圧のみを考慮すると、エミッタ３０Ａにおける交流電圧
はベース４１Ａにおける交流電圧と等しくなる。トラン
ジスタ３０Ａのエミッタにおける交流電圧は、次式によ
って求められる。
【００１７】ＶＡＣ＝ＩＣＯＬ×Ｒ。ただし、ＩＣＯＬ
はコレクタ電流、Ｒは抵抗７０の抵抗値である。本発明
の好ましい実施例では、抵抗７４〜７７及び７０の抵抗
値はすべて等しい。このことが実現できるのは、すべて
の抵抗が集積回路として同時に製造されるからである。 抵抗値は１０〜５０オームの範囲内にあることが好まし
く、たとえば約１５オームとする。上記の２つの式を組
み合わせると、次の結果が得られる。
はコレクタ電流、Ｒは抵抗７０の抵抗値である。本発明
の好ましい実施例では、抵抗７４〜７７及び７０の抵抗
値はすべて等しい。このことが実現できるのは、すべて
の抵抗が集積回路として同時に製造されるからである。 抵抗値は１０〜５０オームの範囲内にあることが好まし
く、たとえば約１５オームとする。上記の２つの式を組
み合わせると、次の結果が得られる。
【００１８】ＩＣＯＬＲ＝４ＲＩＡＣまたはＩＣＯＬ＝
４ＩＡＣ。 したがって、利得セル１８の交流電流利得は、（コレク
タ電流が電流源の電流に等しくなるまで）４に等しい。
４ＩＡＣ。 したがって、利得セル１８の交流電流利得は、（コレク
タ電流が電流源の電流に等しくなるまで）４に等しい。
【００１９】また、トランジスタ３０Ａのベースからエ
ミッタまでの両端間に寄生キャパシタンス８０が生じる
にもかかわらず、上記のように抵抗７０及び７４〜７７
が小さいため、利得セル１８Ａの速度及び帯域幅は大き
い。したがって、ＲＣ時間定数は小さい。さらに、バイ
アス（及び負荷）がダイオードによって行なわれるため
、セルを物理的に小型化して、高密度の集積回路を実現
することができる。
ミッタまでの両端間に寄生キャパシタンス８０が生じる
にもかかわらず、上記のように抵抗７０及び７４〜７７
が小さいため、利得セル１８Ａの速度及び帯域幅は大き
い。したがって、ＲＣ時間定数は小さい。さらに、バイ
アス（及び負荷）がダイオードによって行なわれるため
、セルを物理的に小型化して、高密度の集積回路を実現
することができる。
【００２０】図４及び上記の各式はまた、トランジスタ
３０Ａの利得が、電源４０とベース４１Ａの間に接続さ
れたダイオードの数に等しいことを示している。その数
は、電源電圧に応じて図４の４個から増減できる。電流
とベース４１Ａの間に接続できるダイオードの数は、電
源電圧によって制限される。というのは、トランジスタ
３０のベースを大地電圧４６より十分高く保たなければ
ならないからである。したがって、電源電圧をこの例の
ボルト数から増加させると、ダイオード３４Ａ〜３７Ａ
と直列に追加のダイオードを並べて、利得を増加させる
ことができる。
３０Ａの利得が、電源４０とベース４１Ａの間に接続さ
れたダイオードの数に等しいことを示している。その数
は、電源電圧に応じて図４の４個から増減できる。電流
とベース４１Ａの間に接続できるダイオードの数は、電
源電圧によって制限される。というのは、トランジスタ
３０のベースを大地電圧４６より十分高く保たなければ
ならないからである。したがって、電源電圧をこの例の
ボルト数から増加させると、ダイオード３４Ａ〜３７Ａ
と直列に追加のダイオードを並べて、利得を増加させる
ことができる。
【００２１】セル１８の利得は、瞬間（交流）コレクタ
電流が電流源の電流を上回ることができないように、電
流源４４によって制限される。たとえば、電流源はシン
ク能力が２ｍＡに制限されている。この２つの電流が等
しいとき、セル１８の利得はトランジスタのベースにお
けるダイオードの数より小さい。この利得の非線形性は
好都合である。というのは、光１１によって送られる信
号はディジタル信号なので、増幅信号の閾値レベルを上
回る必要はなく、余分の信号は最終的にクリップしなけ
ればならないからである。また、電流源の制限作用はト
ランジスタ３０または３２の飽和を起こさず、したがっ
て動作速度が損われないことに留意されたい。
電流が電流源の電流を上回ることができないように、電
流源４４によって制限される。たとえば、電流源はシン
ク能力が２ｍＡに制限されている。この２つの電流が等
しいとき、セル１８の利得はトランジスタのベースにお
けるダイオードの数より小さい。この利得の非線形性は
好都合である。というのは、光１１によって送られる信
号はディジタル信号なので、増幅信号の閾値レベルを上
回る必要はなく、余分の信号は最終的にクリップしなけ
ればならないからである。また、電流源の制限作用はト
ランジスタ３０または３２の飽和を起こさず、したがっ
て動作速度が損われないことに留意されたい。
【００２２】トランジスタ３０Ａのコレクタ７４Ａは、
トランジスタ３０Ｂのベース４１Ｂに接続されている。 したがって、トランジスタ３０Ａの負荷はトランジスタ
３０Ｂのベースに接続された１組のダイオード３４Ｂ〜
３７Ｂである。同様に、トランジスタ３２Ａの負荷は、
１組のダイオード６４Ｂ〜６７Ｂである。利得セル１８
Ｃは同様に利得セル１８Ｂとカスケード形に接続され、
利得セル１８Ｄは同様に利得セル１８Ｃとカスケード形
に接続されている。負荷ダイオードの抵抗値は小さいの
で、１８Ａ〜１８Ｃの各段の電圧スイングは小さい。こ
れは、多数の段をカスケード形に接続しても低い電源電
圧から動作できるので有利である。ドライバ回路２０は
、最大の電圧スイングを与える抵抗性負荷を有する。
トランジスタ３０Ｂのベース４１Ｂに接続されている。 したがって、トランジスタ３０Ａの負荷はトランジスタ
３０Ｂのベースに接続された１組のダイオード３４Ｂ〜
３７Ｂである。同様に、トランジスタ３２Ａの負荷は、
１組のダイオード６４Ｂ〜６７Ｂである。利得セル１８
Ｃは同様に利得セル１８Ｂとカスケード形に接続され、
利得セル１８Ｄは同様に利得セル１８Ｃとカスケード形
に接続されている。負荷ダイオードの抵抗値は小さいの
で、１８Ａ〜１８Ｃの各段の電圧スイングは小さい。こ
れは、多数の段をカスケード形に接続しても低い電源電
圧から動作できるので有利である。ドライバ回路２０は
、最大の電圧スイングを与える抵抗性負荷を有する。
【００２３】次に、受信回路１０の入力について述べる
と、光１１が光感応ダイオード１２に当たって、電気応
答、すなわちダイオードの導通を生じる。受信回路１０
の好ましい実施例では、光感応ダイオード１２はＰ−Ｉ
−Ｎダイオードである。このダイオードは１対１の利得
をもたらす。すなわち１個の陽子が１個の電子を解放す
る。図１にさらに詳しく示すように、光感応ダイオード
にはＰＮダイオード９０と９２によってバイアスされる
。ダイオード９０と９２によるバイアスは、それらのダ
イオードの直列抵抗が非常に低いため、非常に低い熱雑
音源をもたらす。これは、受信回路１０の残りの部分に
よって大きな増幅が行なわれ、また光感応ダイオードに
よって供給される信号の強度が低いので有利である。 ダイオード９０及び９２は、関連するＰ／Ｎ半導体接合
に少量のショット・ノイズを生じる。ただし、ショット
・ノイズは接合を通る電流の関数であり、電流の量は小
さい。またダイオード９０と９２のそれぞれの代りに抵
抗を使ってバイアスをかけることもできる。ただし、こ
の代替設計では、抵抗のサイズが増大するので熱雑音が
増大することになる。また、ダイオード９０と９２によ
るバイアスは、光入力のダイナミック・レンジがより大
きくなるので有利である。すなわち、バイアス・ダイオ
ード９０及び９２の両端間の電圧降下は信号の電流の増
加によって余り変化せず、したがってバイアス電圧はほ
ぼ一定に保たれる。
と、光１１が光感応ダイオード１２に当たって、電気応
答、すなわちダイオードの導通を生じる。受信回路１０
の好ましい実施例では、光感応ダイオード１２はＰ−Ｉ
−Ｎダイオードである。このダイオードは１対１の利得
をもたらす。すなわち１個の陽子が１個の電子を解放す
る。図１にさらに詳しく示すように、光感応ダイオード
にはＰＮダイオード９０と９２によってバイアスされる
。ダイオード９０と９２によるバイアスは、それらのダ
イオードの直列抵抗が非常に低いため、非常に低い熱雑
音源をもたらす。これは、受信回路１０の残りの部分に
よって大きな増幅が行なわれ、また光感応ダイオードに
よって供給される信号の強度が低いので有利である。 ダイオード９０及び９２は、関連するＰ／Ｎ半導体接合
に少量のショット・ノイズを生じる。ただし、ショット
・ノイズは接合を通る電流の関数であり、電流の量は小
さい。またダイオード９０と９２のそれぞれの代りに抵
抗を使ってバイアスをかけることもできる。ただし、こ
の代替設計では、抵抗のサイズが増大するので熱雑音が
増大することになる。また、ダイオード９０と９２によ
るバイアスは、光入力のダイナミック・レンジがより大
きくなるので有利である。すなわち、バイアス・ダイオ
ード９０及び９２の両端間の電圧降下は信号の電流の増
加によって余り変化せず、したがってバイアス電圧はほ
ぼ一定に保たれる。
【００２４】光感応ダイオード１２のアノード９６とカ
ソード９４は、交流結合コンデンサ９７と９８を介して
差動トランスインピーダンス前置増幅器１４の差動入力
端に接続される。
ソード９４は、交流結合コンデンサ９７と９８を介して
差動トランスインピーダンス前置増幅器１４の差動入力
端に接続される。
【００２５】前置増幅器１４の差動出力線１０８と１１
０は、図５に示すようにバッファ回路１６の入力端に接
続される。バッファ回路１６は、トランジスタ１３０に
バイアスをかける第１組のダイオード１３４〜１３７、
及び利得セル１８Ａにおけるのと同様にトランジスタ１
３２にバイアスをかける第２組のダイオード１６４〜１
６７を含んでいる。利得セル１８Ａにおけるのと同様に
、バッファ回路１６の電流源１４４はバイアス電流及び
出力電流を制限する。しかし、利得セル１８Ａの場合と
は違って、バッファ回路１６の入力はダイオード１３５
と１３６の間、及びダイオード１６５と１６６の間に供
給される。これはトランジスタ１３０及び１３２のベー
スに印加される対応する信号の直流電圧に影響を与える
が、その他の点では利得セル１８Ａに比べてバッファ回
路１６の利得または性能を変えることはない。バッファ
回路１６の１つの目的は、前置増幅器１４の直流電圧ス
イングを、利得セル１８Ａへの交流電流スイングに変換
することである。前置増幅器１４の出力は、増幅された
交流信号プラス直流バイアスであるが、この直流バイア
スは、利得セル１８Ａがトランジスタ３０Ａと３２Ａの
ベース４１Ａと７１Ａで受け入れることができるよりも
高い。バッファ回路１６は、ダイオード１３４〜１３５
と１６４〜１６５及びトランジスタ１８０と１８２を使
って出力電流電圧を下げ、電圧レベル変換器として働く
。トランジスタ１８０と１８２は、それぞれ分圧器１８
４及び１８６による固定バイアス電圧を有する。トラン
ジスタ１８０と１８２のエミッタに接続された電流源１
９０は、ダイオード列１３４〜１３７及び１６４〜１６
７に対する電流バイアスの機能を果たす。
０は、図５に示すようにバッファ回路１６の入力端に接
続される。バッファ回路１６は、トランジスタ１３０に
バイアスをかける第１組のダイオード１３４〜１３７、
及び利得セル１８Ａにおけるのと同様にトランジスタ１
３２にバイアスをかける第２組のダイオード１６４〜１
６７を含んでいる。利得セル１８Ａにおけるのと同様に
、バッファ回路１６の電流源１４４はバイアス電流及び
出力電流を制限する。しかし、利得セル１８Ａの場合と
は違って、バッファ回路１６の入力はダイオード１３５
と１３６の間、及びダイオード１６５と１６６の間に供
給される。これはトランジスタ１３０及び１３２のベー
スに印加される対応する信号の直流電圧に影響を与える
が、その他の点では利得セル１８Ａに比べてバッファ回
路１６の利得または性能を変えることはない。バッファ
回路１６の１つの目的は、前置増幅器１４の直流電圧ス
イングを、利得セル１８Ａへの交流電流スイングに変換
することである。前置増幅器１４の出力は、増幅された
交流信号プラス直流バイアスであるが、この直流バイア
スは、利得セル１８Ａがトランジスタ３０Ａと３２Ａの
ベース４１Ａと７１Ａで受け入れることができるよりも
高い。バッファ回路１６は、ダイオード１３４〜１３５
と１６４〜１６５及びトランジスタ１８０と１８２を使
って出力電流電圧を下げ、電圧レベル変換器として働く
。トランジスタ１８０と１８２は、それぞれ分圧器１８
４及び１８６による固定バイアス電圧を有する。トラン
ジスタ１８０と１８２のエミッタに接続された電流源１
９０は、ダイオード列１３４〜１３７及び１６４〜１６
７に対する電流バイアスの機能を果たす。
【００２６】ドライバ回路２０は差動増幅器であり、電
圧利得と低い出力インピーダンスをもたらす。
圧利得と低い出力インピーダンスをもたらす。
【００２７】レベル復元回路２２は、ドライバ回路２０
から前置増幅器１４への負帰還を行なって、前器増幅器
１４内でのトランジスタの不整合、すなわち不等な直流
バイアス、電圧降下などを補償し、それによって前置増
幅器１４を平衡させる。
から前置増幅器１４への負帰還を行なって、前器増幅器
１４内でのトランジスタの不整合、すなわち不等な直流
バイアス、電圧降下などを補償し、それによって前置増
幅器１４を平衡させる。
【００２８】以上、本発明に基づくカスケード形バッフ
ァ及び利得セルを開示した。ただし、本発明の範囲から
逸脱することなく、多数の修正及び置換を行なうことが
できる。たとえば、上記で示したｎｐｎトランジスタの
代わりにｐｎｐトランジスタを使用することもできる。 その場合、ダイオードは当該のトランジスタのベースと
大地の間に接続し、電流源はエミッタと高電位の間に接
続することになる。したがって、本発明は限定ではなく
例示によって開示したものであり、本発明の範囲を決定
するには、頭記の特許請求の範囲を参照すべきである。
ァ及び利得セルを開示した。ただし、本発明の範囲から
逸脱することなく、多数の修正及び置換を行なうことが
できる。たとえば、上記で示したｎｐｎトランジスタの
代わりにｐｎｐトランジスタを使用することもできる。 その場合、ダイオードは当該のトランジスタのベースと
大地の間に接続し、電流源はエミッタと高電位の間に接
続することになる。したがって、本発明は限定ではなく
例示によって開示したものであり、本発明の範囲を決定
するには、頭記の特許請求の範囲を参照すべきである。
【００２９】
【発明の効果】本発明によって、高速度で動作し、低い
電源電圧しか必要としない、多段増幅器が提供される。
電源電圧しか必要としない、多段増幅器が提供される。
【図１】本発明を利用した光ファイバ受信回路の構成図
である。
である。
【図２】図１のカスケード形に接続された４個の利得セ
ルの回路図である。
ルの回路図である。
【図３】図２の電流シンクの回路図である。
【図４】利得セルの内部動作を説明するための、図２の
回路の利得セルの一部分の等価回路図である。
回路の利得セルの一部分の等価回路図である。
【図５】図１のバッファ回路の回路図である。
１０ 光ファイバ受信回路
１２ 光感応性ピン・ダイオード
１４ 前置増幅器
１６ バッファ回路
１８ 利得セル
２０ ドライバ回路
２２ レベル復元回路
３０ バイポーラ・トランジスタ
３２ バイポーラ・トランジスタ
３４ ダイオード
３５ ダイオード
３６ ダイオード
３７ ダイオード
４０ 電源端子
４４ 電流源
４６ 接地電源端子
４８ トランジスタ
５０ 抵抗
５２ 抵抗
５４ 抵抗
６４ バイアス・ダイオード
６５ バイアス・ダイオード
６６ バイアス・ダイオード
６７ バイアス・ダイオード
Claims (12)
- 【請求項１】カスケード形に接続された第１及び第２の
利得セルを含む増幅器であって、上記利得セルがそれぞ
れ （ａ）第１及び第２の共通エミッタ差動トランジスタと
、 （ｂ）上記両トランジスタのエミッタに結合された電流
源と、 （ｃ）電源端子と上記第１トランジスタのベースとの間
に接続された、第１の複数の順方向バイアス直列ダイオ
ードと、 （ｄ）上記電源端子と上記第２トランジスタのベースと
の間に接続された、第２の複数の順方向バイアス直列ダ
イオードとを具備し、上記第１利得セルの第１トランジ
スタのコレクタが、上記第２利得セルの第１トランジス
タのベースにコレクタ電流を供給するように接続され、
上記第１利得セルの第２トランジスタのコレクタが、上
記第２利得セルの第２トランジスタのベースにコレクタ
電流を供給するように接続されていることを特徴とする
、増幅器。 - 【請求項２】上記第１利得セルの上記第１トランジスタ
のコレクタが、上記第２利得セルの上記第１トランジス
タのベースに直接接続され、上記第１利得セルの上記第
２トランジスタの上記コレクタが、上記第２利得セルの
上記第２トランジスタの上記ベースに直接接続されてい
ることを特徴とする、請求項１に記載の増幅器。 - 【請求項３】上記第１の複数のダイオードが４個であり
、上記第２の複数のダイオードが４個であり、上記セル
が、５ボルトの電源から上記電源端子を介して動作する
ようになされていることを特徴とする、請求項１に記載
の増幅器。 - 【請求項４】上記第１の複数のダイオードと上記第２の
複数のダイオードが同数であることを特徴とする、請求
項１に記載の増幅器。 - 【請求項５】各トランジスタ内のベース及びエミッタ半
導体層中の固有抵抗が、上記トランジスタのベースにお
ける上記ダイオードの半導体層中の固有抵抗と大きさが
ほぼ等しいことを特徴とする、請求項４に記載の増幅器
。 - 【請求項６】上記トランジスタの上記ベースと、上記ダ
イオードに直列な上記電源端子との間に、上記ダイオー
ドの固有抵抗以外には他の有意な抵抗がなく、また上記
トランジスタのエミッタと、関連する電流源との間に、
上記トランジスタの上記エミッタの固有抵抗以外には他
の有意な抵抗がなく、その結果、増幅器の各セルの利得
が、動作範囲のかなりの部分にわたって各複数のダイオ
ードの個数にほぼ等しくなることを特徴とする、請求項
５に記載の増幅器。 - 【請求項７】関連するセルの増幅信号が、上記電流源の
電流をシンクする能力に等しいとき、上記セルの利得が
上記セルの各トランジスタのベースにおけるダイオード
の数よりも少なくなるように、上記のシンク能力が制限
されていることを特徴とする、請求項６に記載の増幅器
。 - 【請求項８】（ａ）第１及び第２の共通エミッタ差動ト
ランジスタと、 （ｂ）上記両トランジスタのエミッタに結合された電流
源と、 （ｃ）電源端子と上記第１トランジスタのベースとの間
に接続された第１の複数の順方向バイアス直列ダイオー
ドと、 （ｄ）上記電源端子と上記第２トランジスタのベースと
の間に接続された第２の複数の順方向バイアス直列ダイ
オードと、 （ｅ）上記第１の複数のダイオードのうちの２個の間の
第１入力線と、 （ｆ）上記第２の複数のダイオードのうちの２個の間の
第２入力線とを具備する増幅器。 - 【請求項９】上記第１の複数のダイオードが４個であり
、上記第１示差入力線が中間の２個のダイオードの間に
接続され、上記第２の複数のダイオードが４個であり、
上記第２示差入力線が中間の２個のダイオードの間に接
続されていることを特徴とする、請求項８に記載の増幅
器。 - 【請求項１０】上記第１の複数のダイオードと上記第２
の複数のダイオードが同数であることを特徴とする、請
求項８に記載の増幅器。 - 【請求項１１】各トランジスタ中のベース及びエミッタ
半導体層中の固有抵抗が、上記トランジスタのベースに
おける上記ダイオードの半導体層中の固有抵抗と大きさ
がほぼ等しいことを特徴とする、請求項１０に記載の増
幅器。 - 【請求項１２】上記トランジスタの上記ベースと、上記
ダイオードと直列な上記電源端子との間に、上記ダイオ
ードの固有抵抗以外に他に有意な抵抗がなく、上記トラ
ンジスタのエミッタと、関連する電源流との間に、上記
トランジスタの上記エミッタの固有抵抗以外に他に有意
の抵抗がなく、その結果、上記差動トランジスタの利得
が、動作範囲のかなりの部分にわたって各複数のダイオ
ードの個数とほぼ等しくなることを特徴とする、請求項
１１に記載の増幅器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US512304 | 1990-04-20 | ||
| US07/512,304 US5039952A (en) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | Electronic gain cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04227305A true JPH04227305A (ja) | 1992-08-17 |
| JP2534407B2 JP2534407B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=24038548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3065356A Expired - Lifetime JP2534407B2 (ja) | 1990-04-20 | 1991-03-07 | 増幅器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5039952A (ja) |
| EP (1) | EP0452650A3 (ja) |
| JP (1) | JP2534407B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007508754A (ja) * | 2003-10-17 | 2007-04-05 | ツエントルム・ミクロエレクトロニク・ドレスデン・アクチエンゲゼルシャフト | 光学的受信パルス列を電気的出力パルス列に変換する方法および装置 |
| JP2009239794A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多段可変利得増幅器 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5295161A (en) * | 1991-05-10 | 1994-03-15 | International Business Machines Corporation | Fiber optic amplifier with active elements feedback circuit |
| SE468412B (sv) * | 1991-05-15 | 1993-01-11 | Ericsson Telefon Ab L M | Limiterande foerstaerkare |
| US5331289A (en) * | 1993-02-08 | 1994-07-19 | Tektronix, Inc. | Translinear fT multiplier |
| US5473461A (en) * | 1994-08-26 | 1995-12-05 | Interactive Light, Inc. | Wide dynamic range optical receiver |
| US5587679A (en) * | 1995-05-08 | 1996-12-24 | Yokogawa Electric Corporation | Pulse generator including slew rate controller without complementary transistors |
| JP2001223546A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Mitsubishi Electric Corp | 多段信号増幅回路 |
| US6433638B1 (en) * | 2000-09-06 | 2002-08-13 | International Business Machines Corporation | Fully balanced transimpedance amplifier for high speed and low voltage applications |
| US6724256B1 (en) | 2002-11-07 | 2004-04-20 | International Business Machines Corporation | Receiver with delay insensitive to input amplitude and slew rate |
| US9374055B2 (en) * | 2014-02-27 | 2016-06-21 | Analog Devices, Inc. | Hybrid translinear amplifier |
| US11405003B1 (en) * | 2020-08-26 | 2022-08-02 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Extended feedback gain tuning in TIA based current amplifier or mixer |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5278307A (en) * | 1975-12-24 | 1977-07-01 | Takachiho Tsushinkiki | Mechanism for setting starting position of automatic answering telephone system |
| JPS61145916A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増幅器 |
| JPS6316705A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増幅器集積回路 |
| JPS63104506A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-05-10 | テクトロニックス・インコーポレイテッド | 直流レベルシフト回路 |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3375455A (en) * | 1964-10-20 | 1968-03-26 | California Inst Res Found | Symmetrical amplifier without dc shift between input and output |
| US3417263A (en) * | 1965-03-18 | 1968-12-17 | Ansitron Inc | Logarithmic amplifier |
| US3533008A (en) * | 1967-06-28 | 1970-10-06 | Gen Electric | Push-pull tunnel diode amplifier |
| GB1265157A (ja) * | 1968-09-27 | 1972-03-01 | ||
| US3643107A (en) * | 1970-04-01 | 1972-02-15 | United Aircraft Corp | Function generator |
| US3693106A (en) * | 1970-11-02 | 1972-09-19 | Ernest L Long | Stable power amplifier circuit |
| US3702444A (en) * | 1971-03-19 | 1972-11-07 | Columbia Broadcasting Syst Inc | Voltage-controlled variable gain amplifier |
| US3754193A (en) * | 1971-04-19 | 1973-08-21 | C Reinhard | Input bias and signal conditioning circuit for differential amplifiers |
| US3818365A (en) * | 1971-08-23 | 1974-06-18 | Hewlett Packard Co | Microwave amplifier circuit utilizing negative resistance diode |
| US3943463A (en) * | 1973-02-12 | 1976-03-09 | Hughes Aircraft Company | Tunable oscillator/amplifier circuit for millimeter-wave diodes |
| JPS5433828B2 (ja) * | 1973-09-27 | 1979-10-23 | ||
| US3986113A (en) * | 1973-11-23 | 1976-10-12 | Hewlett-Packard Company | Two channel test instrument with active electronicphase shift means |
| US4240040A (en) * | 1974-02-11 | 1980-12-16 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Operational amplifier |
| NL7409191A (nl) * | 1974-07-08 | 1976-01-12 | Philips Nv | Verschilversterker. |
| US3982115A (en) * | 1975-01-31 | 1976-09-21 | Tektronix, Inc. | Electronically programmable function generator |
| JPS51147236A (en) * | 1975-06-13 | 1976-12-17 | Hitachi Ltd | Automatic gain control circuit |
| US4065725A (en) * | 1976-08-16 | 1977-12-27 | Motorola, Inc. | Gain control circuit |
| FR2394923A1 (fr) * | 1977-06-16 | 1979-01-12 | Rv Const Electriques | Amplificateur a courant continu a caracteristiques en fonction de la temperature ameliorees |
| US4155047A (en) * | 1978-01-11 | 1979-05-15 | Baskind David Lee | Voltage controlled attenuator |
| US4163950A (en) * | 1978-03-01 | 1979-08-07 | Tektronix, Inc. | Isolating differential amplifier |
| US4243946A (en) * | 1978-05-19 | 1981-01-06 | Wang Chien S | Class-B current source amplifier |
| NL188255C (nl) * | 1978-11-24 | 1992-05-06 | Novanex Automation Nv | Inrichting voor het tegen overbelasting of kortsluiting beschermen van een audioversterker. |
| US4259643A (en) * | 1979-01-25 | 1981-03-31 | National Semiconductor Corporation | Current gain amplifier cell |
| US4322770A (en) * | 1980-02-28 | 1982-03-30 | Rca Corporation | Latch-up prevention circuit for power output devices using inductive loads |
| JPS56140712A (en) * | 1980-03-17 | 1981-11-04 | Dbx | Gain control circuit |
| JPS57166670A (en) * | 1981-04-06 | 1982-10-14 | Sony Corp | Division circuit |
| JPS58178614A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-19 | Toshiba Corp | 増幅器 |
| US4468629A (en) * | 1982-05-27 | 1984-08-28 | Trw Inc. | NPN Operational amplifier |
| CA1201775A (en) * | 1982-07-19 | 1986-03-11 | Yukio Akazawa | Monolithic integrated circuit device including ac negative feedback type high frequency amplifier circuit |
| JPS60160716A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-22 | Nec Corp | 電圧制御減衰器 |
| US4605906A (en) * | 1985-01-28 | 1986-08-12 | Gould Instruments, Ltd. | Differential pair amplifier enhancement circuit |
| US4663599A (en) * | 1985-05-21 | 1987-05-05 | General Electric Company | Integrated circuit amplifier module |
| JPS6213107A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Nec Corp | 電界効果トランジスタのバイアス回路 |
| US4683443A (en) * | 1986-01-27 | 1987-07-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Monolithic low noise amplifier with limiting |
| SE457922B (sv) * | 1987-06-18 | 1989-02-06 | Ericsson Telefon Ab L M | Anordning vid aktivt filter samt anvaendning daerav |
| US4885547A (en) * | 1988-07-07 | 1989-12-05 | Tektronix, Inc. | Gain cell with digital control |
-
1990
- 1990-04-20 US US07/512,304 patent/US5039952A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-03-02 EP EP19910103149 patent/EP0452650A3/en not_active Withdrawn
- 1991-03-07 JP JP3065356A patent/JP2534407B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5278307A (en) * | 1975-12-24 | 1977-07-01 | Takachiho Tsushinkiki | Mechanism for setting starting position of automatic answering telephone system |
| JPS61145916A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増幅器 |
| JPS6316705A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増幅器集積回路 |
| JPS63104506A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-05-10 | テクトロニックス・インコーポレイテッド | 直流レベルシフト回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007508754A (ja) * | 2003-10-17 | 2007-04-05 | ツエントルム・ミクロエレクトロニク・ドレスデン・アクチエンゲゼルシャフト | 光学的受信パルス列を電気的出力パルス列に変換する方法および装置 |
| JP2009239794A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多段可変利得増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0452650A2 (en) | 1991-10-23 |
| JP2534407B2 (ja) | 1996-09-18 |
| EP0452650A3 (en) | 1992-02-26 |
| US5039952A (en) | 1991-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4532479A (en) | Differential amplifier circuit with rail-to-rail capability | |
| EP0654896B1 (en) | Transimpedance amplifier circuit with feedback and load resistor variable circuits | |
| JPH04227305A (ja) | 増幅器 | |
| US3392342A (en) | Transistor amplifier with gain stability | |
| US4479094A (en) | Differential amplifier | |
| KR0148324B1 (ko) | 가변 이득 증폭 회로 | |
| US5041797A (en) | Micro-power gain lattice | |
| JPS6412405B2 (ja) | ||
| US3914704A (en) | Feedback amplifier | |
| US4401951A (en) | Bias circuit for use in a single-ended push-pull circuit | |
| US3946325A (en) | Transistor amplifier | |
| US4258330A (en) | Differential current amplifier | |
| GB1579945A (en) | Audio-frequency power amplifiers | |
| WO2004075396A2 (en) | Darlington cascode | |
| CA2371066A1 (en) | Overvoltage protection | |
| US4506176A (en) | Comparator circuit | |
| US4910477A (en) | Bridge-type linear amplifier with wide dynamic range and high efficiency | |
| US4524330A (en) | Bipolar circuit for amplifying differential signal | |
| WO1989003612A1 (en) | Linearity differential amplifier | |
| US3529254A (en) | Class b amplifier circuit | |
| US3586987A (en) | Transistor bias circuit | |
| US6784747B1 (en) | Amplifier circuit | |
| US6545544B1 (en) | Efficient high overdrive transimpedance amplifiers | |
| US5977760A (en) | Bipolar operational transconductance amplifier and output circuit used therefor | |
| JP2002084149A (ja) | トランスインピーダンス回路 |