JPH04224161A - 高周波用誘電体磁器組成物及びその製造方法 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物及びその製造方法Info
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- JPH04224161A JPH04224161A JP2412304A JP41230490A JPH04224161A JP H04224161 A JPH04224161 A JP H04224161A JP 2412304 A JP2412304 A JP 2412304A JP 41230490 A JP41230490 A JP 41230490A JP H04224161 A JPH04224161 A JP H04224161A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｂａ（Ｚｎ１／３ ，
Ｔａ２／３）Ｏ３ 系材料の一部をＢａＺｒＯ３ 系材
料で置換した高周波用誘電体磁器組成物に関するもので
ある。更に詳しく述べると、Ｂａ組成比を化学量論より
もやや不足した状態にして、高いＱ値を維持しつつ共振
周波数の温度係数を再現性よく調整可能とした誘電体磁
器組成物及びその製造方法に関するものである。この誘
電体磁器組成物は、例えばマイクロ波やミリ波などの高
周波領域における誘電体共振器やＭＩＣ用誘電体基板等
に有用である。
Ｔａ２／３）Ｏ３ 系材料の一部をＢａＺｒＯ３ 系材
料で置換した高周波用誘電体磁器組成物に関するもので
ある。更に詳しく述べると、Ｂａ組成比を化学量論より
もやや不足した状態にして、高いＱ値を維持しつつ共振
周波数の温度係数を再現性よく調整可能とした誘電体磁
器組成物及びその製造方法に関するものである。この誘
電体磁器組成物は、例えばマイクロ波やミリ波などの高
周波領域における誘電体共振器やＭＩＣ用誘電体基板等
に有用である。
【０００２】
【従来の技術】Ｑ値の高い高周波用誘電体磁器組成物と
しては、Ｂａ（Ｚｎ１／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ −
Ｂａ（Ｚｎ１／３ ，Ｎｂ２／３ ）Ｏ３ 系材料やＢ
ａ（Ｚｒｘ ，Ｚｎｙ ，Ｔａｚ ）Ｏ７／２−ｘ／２
−３ｙ／ｚ系材料がある。
しては、Ｂａ（Ｚｎ１／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ −
Ｂａ（Ｚｎ１／３ ，Ｎｂ２／３ ）Ｏ３ 系材料やＢ
ａ（Ｚｒｘ ，Ｚｎｙ ，Ｔａｚ ）Ｏ７／２−ｘ／２
−３ｙ／ｚ系材料がある。
【０００３】Ｂａ組成比を化学量論より不足させること
によって高いＱ値をもつ高周波用誘電体磁器組成物を得
る技術もある。その一例としてはＢａ１−ｙ （Ｚｎ１
／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ 系材料において仮焼品を
乾式法のみで粉砕し、成形後、１６００〜１７００℃で
１〜１０時間焼成する方法がある（特開平２−５１４６
４ 号）。また他の例としては、Ｂａ１−ｙ （Ｚｎ１
／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ の一部をＢａ１−ｙ Ｚ
ｒＯ３ で置換し、そのＢａ不足量ｙを０．００４ ≦
ｙ≦０．０１３ の範囲内とする組成物がある（特開平
２−１９９０５２号）。
によって高いＱ値をもつ高周波用誘電体磁器組成物を得
る技術もある。その一例としてはＢａ１−ｙ （Ｚｎ１
／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ 系材料において仮焼品を
乾式法のみで粉砕し、成形後、１６００〜１７００℃で
１〜１０時間焼成する方法がある（特開平２−５１４６
４ 号）。また他の例としては、Ｂａ１−ｙ （Ｚｎ１
／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ の一部をＢａ１−ｙ Ｚ
ｒＯ３ で置換し、そのＢａ不足量ｙを０．００４ ≦
ｙ≦０．０１３ の範囲内とする組成物がある（特開平
２−１９９０５２号）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】マイクロ波誘電体共振
器等で使用する材料としては、高いＱ値を維持しつつ共
振周波数の温度係数τｆ を再現性よく任意の値に設定
できることが望まれる。また使用する材料の種類が少な
いこと、製造容易であることも大切である。最近では使
用する周波数領域が更に高くなってきており、Ｑ値の不
足が生じている。
器等で使用する材料としては、高いＱ値を維持しつつ共
振周波数の温度係数τｆ を再現性よく任意の値に設定
できることが望まれる。また使用する材料の種類が少な
いこと、製造容易であることも大切である。最近では使
用する周波数領域が更に高くなってきており、Ｑ値の不
足が生じている。
【０００５】一般に誘電体磁器組成物の製造では、緻密
で均一な焼成品を得るために仮焼品の湿式微粉砕が必要
とされる。しかし湿式微粉砕とそれに続く乾燥の工程で
は器具ロスによる組成ずれが生じるため、製品の誘電特
性が変動し再現性が悪い。
で均一な焼成品を得るために仮焼品の湿式微粉砕が必要
とされる。しかし湿式微粉砕とそれに続く乾燥の工程で
は器具ロスによる組成ずれが生じるため、製品の誘電特
性が変動し再現性が悪い。
【０００６】本発明の目的は、上記のような技術的課題
を解決し、更に高い周波数領域で使用可能な高いＱ値を
有し、且つ共振周波数温度係数τｆ を再現性良く任意
の値に自由に設定できる高周波用誘電体磁器組成物及び
その製造方法を提供することである。
を解決し、更に高い周波数領域で使用可能な高いＱ値を
有し、且つ共振周波数温度係数τｆ を再現性良く任意
の値に自由に設定できる高周波用誘電体磁器組成物及び
その製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る高周波用誘
電体磁器組成物は一般式（１−ｘ）Ｂａ１−ｙ （Ｚｎ
１／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ ＋ｘＢａ１−ｙ Ｚｒ
Ｏ３ で表される。そして、この一般式において、Ｂａ
組成比の化学量論からの不足量ｙを０．０１３ ＜ｙ≦
０．０６の範囲内とし、またＢａ１−ｙ （Ｚｎ１／３
，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ に対するＢａ１−ｙ ＺｒＯ
３ の置換量ｘを０ ＜ｘ≦０．０６とする。
電体磁器組成物は一般式（１−ｘ）Ｂａ１−ｙ （Ｚｎ
１／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ ＋ｘＢａ１−ｙ Ｚｒ
Ｏ３ で表される。そして、この一般式において、Ｂａ
組成比の化学量論からの不足量ｙを０．０１３ ＜ｙ≦
０．０６の範囲内とし、またＢａ１−ｙ （Ｚｎ１／３
，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ に対するＢａ１−ｙ ＺｒＯ
３ の置換量ｘを０ ＜ｘ≦０．０６とする。
【０００８】ｙの値を０．０１３ ＜ｙ≦０．０６とし
たのは、この範囲内でＢａ量を不足させると高温長時間
の焼成によってＢａ不足量が少ない組成物に比べてＱ値
が著しく向上することを見い出したことによる。とりわ
け０．０４≦ｙ≦０．０５の範囲内とすることが望まし
い。ｙの値が０．０６を超えるＢａ量不足領域では焼成
中、降温条件によっては亀裂が入り易くなる。Ｂａ１−
ｙ ＺｒＯ３ による置換は、Ｂａ不足の効果を伴った
まま、その量に応じて共振周波数温度係数τｆ をほぼ
直線的に変化させ、任意の値に設定できるようにするた
めである。ｘの範囲を０ ＜ｘ≦０．０６としたのは、
０．０６を超えると共振周波数の温度係数τｆ が大き
くなりすぎ（１０ｐｐｍ／℃以上）実用的とは言えなく
なるためである。
たのは、この範囲内でＢａ量を不足させると高温長時間
の焼成によってＢａ不足量が少ない組成物に比べてＱ値
が著しく向上することを見い出したことによる。とりわ
け０．０４≦ｙ≦０．０５の範囲内とすることが望まし
い。ｙの値が０．０６を超えるＢａ量不足領域では焼成
中、降温条件によっては亀裂が入り易くなる。Ｂａ１−
ｙ ＺｒＯ３ による置換は、Ｂａ不足の効果を伴った
まま、その量に応じて共振周波数温度係数τｆ をほぼ
直線的に変化させ、任意の値に設定できるようにするた
めである。ｘの範囲を０ ＜ｘ≦０．０６としたのは、
０．０６を超えると共振周波数の温度係数τｆ が大き
くなりすぎ（１０ｐｐｍ／℃以上）実用的とは言えなく
なるためである。
【０００９】また本発明は、上記の組成を有する仮焼品
を乾式法のみによって粉砕し、成形後１４００〜１７０
０℃で長時間焼成する高周波用誘電体磁器組成物の製造
方法である。この種の誘電体磁器組成物は、通常、原料
の混合→仮焼→粉砕→造粒→成形→焼成という工程を経
て製造する。仮焼品の粉砕は焼成品の緻密性及び均一性
に大きな影響を及ぼすため、一般に長時間の湿式微粉砕
を行い、その後乾燥して造粒する。しかし本発明の誘電
体磁器組成物の仮焼品は非常に軟らかく、手で砕く程度
の粗粉砕品を造粒→成形→焼成しても、結晶粒径は十分
に小さく、焼結性及び誘電特性に殆ど影響を及ぼさない
。逆に湿式工程を経ないことによって器具ロスによる組
成ずれが生じず、原料を秤量し配合した精度に応じて共
振周波数の温度係数τｆ を再現性良く所望の値に設定
できるようになる。
を乾式法のみによって粉砕し、成形後１４００〜１７０
０℃で長時間焼成する高周波用誘電体磁器組成物の製造
方法である。この種の誘電体磁器組成物は、通常、原料
の混合→仮焼→粉砕→造粒→成形→焼成という工程を経
て製造する。仮焼品の粉砕は焼成品の緻密性及び均一性
に大きな影響を及ぼすため、一般に長時間の湿式微粉砕
を行い、その後乾燥して造粒する。しかし本発明の誘電
体磁器組成物の仮焼品は非常に軟らかく、手で砕く程度
の粗粉砕品を造粒→成形→焼成しても、結晶粒径は十分
に小さく、焼結性及び誘電特性に殆ど影響を及ぼさない
。逆に湿式工程を経ないことによって器具ロスによる組
成ずれが生じず、原料を秤量し配合した精度に応じて共
振周波数の温度係数τｆ を再現性良く所望の値に設定
できるようになる。
【００１０】焼成温度を１４００〜１７００℃としたの
は、１４００℃未満ではＱ値が低く且つある程度までＱ
値を高くするのに非常に長い焼成時間が必要となるし、
１７００℃を超えるとＺｎの蒸散が著しくなるためであ
る。上記範囲内の温度では、Ｚｎの蒸散によるＱ値の低
下は焼成品表面から数百μｍ以内に抑えられ内部の劣化
は生じない。また本発明で長時間焼成とは、焼成温度に
応じて２０〜７０時間以上をいう。焼成時間は焼成温度
と相関があり、焼成温度が低いほど焼成時間を長くする
必要がある。例えば焼成温度が１６００℃以上の場合は
焼成時間は２０時間以上とする。焼成温度が１４００〜
１５００℃程度の場合には焼成時間は７０〜８０時間以
上とする。従って、焼成温度を１５００〜１７００℃程
度とするのがより実際的である。このような焼成条件（
温度及び時間）とすることによって、Ｂａ不足量の小さ
い組成物と比較してＱ値向上の効果が明らかとなる。
は、１４００℃未満ではＱ値が低く且つある程度までＱ
値を高くするのに非常に長い焼成時間が必要となるし、
１７００℃を超えるとＺｎの蒸散が著しくなるためであ
る。上記範囲内の温度では、Ｚｎの蒸散によるＱ値の低
下は焼成品表面から数百μｍ以内に抑えられ内部の劣化
は生じない。また本発明で長時間焼成とは、焼成温度に
応じて２０〜７０時間以上をいう。焼成時間は焼成温度
と相関があり、焼成温度が低いほど焼成時間を長くする
必要がある。例えば焼成温度が１６００℃以上の場合は
焼成時間は２０時間以上とする。焼成温度が１４００〜
１５００℃程度の場合には焼成時間は７０〜８０時間以
上とする。従って、焼成温度を１５００〜１７００℃程
度とするのがより実際的である。このような焼成条件（
温度及び時間）とすることによって、Ｂａ不足量の小さ
い組成物と比較してＱ値向上の効果が明らかとなる。
【００１１】
【実施例】出発原料として高純度のＢａＣＯ３ ，Ｚｎ
Ｏ，Ｔａ２Ｏ５ ，ＺｒＯ２ を用い、一般式（１−ｘ
）Ｂａ１−ｙ （Ｚｎ１／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３
＋ｘＢａ１−ｙ ＺｒＯ３ で表される組成になるよう
に、ｘとｙの値を変えて多種類の試料を秤量した。これ
を樹脂ポットで純水と共に２０時間湿式混合した後、取
り出して乾燥し、１３００℃で１０時間の仮焼を行った
。この仮焼品を乳鉢で軽く砕き、得られた粉末にバイン
ダーを加えて造粒した。これを３０００ｋｇ／ｃｍ２
の圧力で直径１４ｍｍ、厚さ６ｍｍの円板に成形した。 次いでこの成形品を酸化雰囲気中で所定の温度・時間焼
成し、誘電体磁器組成物を得た。その上下両面及び側面
を１ｍｍ程度削り取って測定用の試料とした。
Ｏ，Ｔａ２Ｏ５ ，ＺｒＯ２ を用い、一般式（１−ｘ
）Ｂａ１−ｙ （Ｚｎ１／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３
＋ｘＢａ１−ｙ ＺｒＯ３ で表される組成になるよう
に、ｘとｙの値を変えて多種類の試料を秤量した。これ
を樹脂ポットで純水と共に２０時間湿式混合した後、取
り出して乾燥し、１３００℃で１０時間の仮焼を行った
。この仮焼品を乳鉢で軽く砕き、得られた粉末にバイン
ダーを加えて造粒した。これを３０００ｋｇ／ｃｍ２
の圧力で直径１４ｍｍ、厚さ６ｍｍの円板に成形した。 次いでこの成形品を酸化雰囲気中で所定の温度・時間焼
成し、誘電体磁器組成物を得た。その上下両面及び側面
を１ｍｍ程度削り取って測定用の試料とした。
【００１２】各試料について、共振周波数１０ＧＨｚ
における比誘電率εｒ 、Ｑ値、共振周波数温度係数τ
ｆ をポストレゾネータ法により測定した。
における比誘電率εｒ 、Ｑ値、共振周波数温度係数τ
ｆ をポストレゾネータ法により測定した。
【００１３】測定結果の一例を図１に示す。同図は置換
量ｘ＝０．０１の時、即ち０．９９Ｂａ１−ｙ （Ｚｎ
１／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ ＋０．０１Ｂａ１−ｙ
ＺｒＯ３ の場合に、焼成温度を１６００℃で一定と
し、焼成時間を４時間と１２０ 時間に設定してＢａ不
足量ｙに対するＱ値の変化をプロットしたものである。 Ｂａ不足量ｙが少ない場合は短時間焼成でもある程度の
特性（Ｑ値）がでるが、Ｂａ不足量ｙが増大すると短時
間焼成では急激にＱ値は低下する。それに対してＢａ不
足量ｙが０．０１３ ＜ｙ≦０．０６の範囲で長時間焼
成を行うと、Ｂａ不足量の小さい組成物のＱ値をはるか
に超えた特性が得られる。特に０．０４≦ｙ≦０．０５
ではＱ値が１５０００ 以上となり極めて好ましい。
量ｘ＝０．０１の時、即ち０．９９Ｂａ１−ｙ （Ｚｎ
１／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ ＋０．０１Ｂａ１−ｙ
ＺｒＯ３ の場合に、焼成温度を１６００℃で一定と
し、焼成時間を４時間と１２０ 時間に設定してＢａ不
足量ｙに対するＱ値の変化をプロットしたものである。 Ｂａ不足量ｙが少ない場合は短時間焼成でもある程度の
特性（Ｑ値）がでるが、Ｂａ不足量ｙが増大すると短時
間焼成では急激にＱ値は低下する。それに対してＢａ不
足量ｙが０．０１３ ＜ｙ≦０．０６の範囲で長時間焼
成を行うと、Ｂａ不足量の小さい組成物のＱ値をはるか
に超えた特性が得られる。特に０．０４≦ｙ≦０．０５
ではＱ値が１５０００ 以上となり極めて好ましい。
【００１４】図２は、置換量ｘ＝０．０１２ 、Ｂａ不
足量ｙ＝０．０４のとき、即ち０．９９８ Ｂａ０．９
６（Ｚｎ１／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ ＋０．０１２
Ｂａ０．９６ＺｒＯ３ とした場合に、焼成温度を１
３５０℃、１４００℃、及び１６００℃として、焼成時
間に対するＱ値の変化をプロットしたものである。焼成
温度が１６００℃の場合に焼成時間が長くなると急激に
Ｑ値が増大し、２０時間を超えると高いＱ値が得られる
。それに対して１３５０℃の焼成では、長時間焼成によ
ってＱ値は徐々に増加するが、１２０ 時間程度行って
もＱ値は１００００ に達しない。また焼成時間が１４
００℃の場合は、焼成時間が長くなるにつれてＱ値も増
大し、７０〜８０時間を超えると高いＱ値が得られる。
足量ｙ＝０．０４のとき、即ち０．９９８ Ｂａ０．９
６（Ｚｎ１／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ ＋０．０１２
Ｂａ０．９６ＺｒＯ３ とした場合に、焼成温度を１
３５０℃、１４００℃、及び１６００℃として、焼成時
間に対するＱ値の変化をプロットしたものである。焼成
温度が１６００℃の場合に焼成時間が長くなると急激に
Ｑ値が増大し、２０時間を超えると高いＱ値が得られる
。それに対して１３５０℃の焼成では、長時間焼成によ
ってＱ値は徐々に増加するが、１２０ 時間程度行って
もＱ値は１００００ に達しない。また焼成時間が１４
００℃の場合は、焼成時間が長くなるにつれてＱ値も増
大し、７０〜８０時間を超えると高いＱ値が得られる。
【００１５】次にＢａ不足量ｙ をｙ＝０．０３７６と
し、置換量ｘを０≦ｘ≦０．０６の範囲で変化させた各
試料について共振周波数の温度係数τｆ を測定した。 結果を図３に示す。なお試料の焼成温度は１６００℃、
焼成時間は１２０ 時間である。置換量ｘが増大するに
つれて共振周波数温度係数τｆ はほぼ直線的に大きく
なることが分かる。逆に言うと所望の共振周波数温度係
数τｆ を得るためには、置換量ｘを制御すればよいこ
とになる。
し、置換量ｘを０≦ｘ≦０．０６の範囲で変化させた各
試料について共振周波数の温度係数τｆ を測定した。 結果を図３に示す。なお試料の焼成温度は１６００℃、
焼成時間は１２０ 時間である。置換量ｘが増大するに
つれて共振周波数温度係数τｆ はほぼ直線的に大きく
なることが分かる。逆に言うと所望の共振周波数温度係
数τｆ を得るためには、置換量ｘを制御すればよいこ
とになる。
【００１６】置換量ｘをｘ＝０．０１とし、Ｂａ不足量
ｙを０≦ｙ≦０．０６の範囲で変化させた各試料につい
て比誘電率εｒ を測定した。結果を図４に示す。各試
料の焼成温度は１６００℃、焼成時間は１２０ 時間で
ある。Ｂａ不足量ｙが増大するにつれて比誘電率εｒ
は徐々に低下する。
ｙを０≦ｙ≦０．０６の範囲で変化させた各試料につい
て比誘電率εｒ を測定した。結果を図４に示す。各試
料の焼成温度は１６００℃、焼成時間は１２０ 時間で
ある。Ｂａ不足量ｙが増大するにつれて比誘電率εｒ
は徐々に低下する。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、一般式（１−ｘ）Ｂａ１−ｙ
（Ｚｎ１／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ ＋ｘＢａ１−
ｙ ＺｒＯ３ で表される組成物について、Ｂａ組成比
の化学量論からの不足量ｙを多くして０．０１３ ＜ｙ
≦０．０６の範囲内としたことにより、従来品よりも更
に高いＱ値が得られる。しかも共振周波数の温度係数τ
ｆ の制御に特別の添加物を必要とせず、基本原料の置
換量ｘ のみの調整で１０ｐｐｍ／℃以下の任意の値に
自由に設定できる。
（Ｚｎ１／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ ＋ｘＢａ１−
ｙ ＺｒＯ３ で表される組成物について、Ｂａ組成比
の化学量論からの不足量ｙを多くして０．０１３ ＜ｙ
≦０．０６の範囲内としたことにより、従来品よりも更
に高いＱ値が得られる。しかも共振周波数の温度係数τ
ｆ の制御に特別の添加物を必要とせず、基本原料の置
換量ｘ のみの調整で１０ｐｐｍ／℃以下の任意の値に
自由に設定できる。
【００１８】更に本発明方法では仮焼品の湿式微粉砕工
程が要らず、それに伴う乾燥工程も不要となるため、器
具ロスによる秤量誤差が生じ難く、工程が簡素化される
。また基本原料の置換量の調整のみでよいこと、湿式微
粉砕・乾燥工程が不要となること、などのため共振周波
数の温度係数τｆ の設定を再現性よく行うことができ
る。
程が要らず、それに伴う乾燥工程も不要となるため、器
具ロスによる秤量誤差が生じ難く、工程が簡素化される
。また基本原料の置換量の調整のみでよいこと、湿式微
粉砕・乾燥工程が不要となること、などのため共振周波
数の温度係数τｆ の設定を再現性よく行うことができ
る。
【図１】焼成時間をパラメータとしたＢａ置換量ｙとＱ
値との関係を示すグラフ。
値との関係を示すグラフ。
【図２】焼成温度をパラメータとした焼成時間とＱ値と
の関係を示すグラフ。
の関係を示すグラフ。
【図３】置換量ｘと共振周波数温度係数τｆ との関係
を示すグラフ。
を示すグラフ。
【図４】Ｂａ不足量ｙと比誘電率εｒ との関係を示す
グラフ。
グラフ。
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式（１−ｘ）Ｂａ１−ｙ （Ｚｎ
１／３ ，Ｔａ２／３ ）Ｏ３ ＋ｘＢａ１−ｙ Ｚｒ
Ｏ３ で表され、０．０１３ ＜ｙ≦０．０６で且つ０
＜ｘ≦０．０６であることを特徴とする高周波用誘電体
磁器組成物。 - 【請求項２】 請求項１記載の組成を有する仮焼品を
、乾式法のみによって粉砕し、成形後、１４００〜１７
００℃で長時間焼成することを特徴とする高周波用誘電
体磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2412304A JPH04224161A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 高周波用誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2412304A JPH04224161A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 高周波用誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04224161A true JPH04224161A (ja) | 1992-08-13 |
Family
ID=18521159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2412304A Pending JPH04224161A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 高周波用誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04224161A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6117806A (en) * | 1996-10-25 | 2000-09-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric material, a method for producing the same and a dielectric resonator device comprising same |
| KR100427796B1 (ko) * | 2001-06-25 | 2004-04-28 | 주식회사 케이엠더블유 | 유전체 자기 조성물 및 그 제조방법 |
-
1990
- 1990-12-20 JP JP2412304A patent/JPH04224161A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6117806A (en) * | 1996-10-25 | 2000-09-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric material, a method for producing the same and a dielectric resonator device comprising same |
| KR100427796B1 (ko) * | 2001-06-25 | 2004-04-28 | 주식회사 케이엠더블유 | 유전체 자기 조성물 및 그 제조방법 |
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