JPH0377146B2 - - Google Patents
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- JPH0377146B2 JPH0377146B2 JP60225627A JP22562785A JPH0377146B2 JP H0377146 B2 JPH0377146 B2 JP H0377146B2 JP 60225627 A JP60225627 A JP 60225627A JP 22562785 A JP22562785 A JP 22562785A JP H0377146 B2 JPH0377146 B2 JP H0377146B2
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- Japan
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- composition
- dielectric
- dielectric ceramic
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、高周波用の誘電体磁器組成物に関
するものである。 (従来技術) 従来から、マイクロ波やミリ波などの高周波領
域において、誘電体磁器は誘電体共振器やMIC
用誘電体基板などに広く利用されている。この場
合、Q値が高くかつ共振周波数の温度係数(τf)
がほぼ0ppm/℃の特性をもつものが使用されて
いる。たとえば、Q値が高いものとしては、特開
昭58−45155号に開示されている、一般式 Ba
(Zrx Zny Taz)07/2-x/2-3y/2で表される組成に
おいて、0.02≦x≦0.13,0.28≦y≦0.33,0.59≦
z≦0.65,(ただし、x+y+z=1)の範囲に
あることを特徴とする誘電体磁器組成物や、特開
昭58−60661号に開示されている、一般式 Ba
(Znv Nix Tay Nbz)07/2-3v/2-3x/2で表される
組成において、0.03≦v≦0.33,0.03≦x≦0.33,
0≦y≦0.70,0≦z≦0.70(ただし、v+x+
y+z=1)の範囲にあることを特徴とする誘電
体磁器組成物が知られている。 前者のBa(Zr Zn Ta)0を材料としたものは、
マイクロ波帯である7GHzで、Q値が9100(ただ
し、共振周波数の温度係数(τf)=1ppm/℃で)
であり、後者のBa(Zn Ni Ta Nb)0系を材料
としたものは、Q値が10300(ただし、共振周波数
の温度係数(τf)=0ppm/℃で)である。 (発明が解決しようとする問題点) しかし、最近では使用する周波数領域がさらに
高くなつてきており、これに対応してさらに高い
Q値をもつ材料が要求されている。 したがつて、この発明の主たる目的は、高周波
領域で従来に比べて高いQ値を有する誘電体磁器
組成物を提供することである。 (問題点を解決するための手段) この発明は、一般式 Ba(Zrx Zny Niz
Tau Nbv)07/2-x/2-3y/2-3z/2で表される組成にお
いて、0.01≦x≦0.06,0.28≦y≦0.33,0.01≦z
≦0.05,0.52≦u≦0.65,0<v≦0.13(ただし、
x+y+z+u+v=1)の範囲にある高周波用
誘電体磁器組成物である。 (発明の効果) この発明によれば、たとえばマイクロ波帯での
Q値が従来より高く、1〜10GHz帯からさらに高
い10〜50GHz帯までの使用が可能であり、しかも
共振周波数の温度係数も良好で高い誘電率を有す
る高周波用誘電体磁器組成物が得られる。 (実施例) 高純度のBaCO3,ZrO2,ZnO,NiO,Ta2O5,
Nb2O5を用い、第1表に示す組成からなる磁器が
得られるように秤量し、秤量原料を2時間湿式混
合した。次いで、1200℃で2時間仮焼し、さらに
バインダを加えて再び2時間湿式混合し、脱水,
整粒を行つた。このようにして得られた粉末を、
2000Kg/cm2の圧力で直径12mm,厚さ6mmの寸法か
らなる円板に成形し、1450℃で4時間焼成して磁
器試料を得た。 この磁器試料について、周波数7GHzにおける
誘電率(ε〓)、Q値および共振周波数の温度係数
(τf)を測定し、第1表を得た。第1表中の*は
発明の範囲外のものであり、それ以外はすべてこ
の発明の範囲内のものである。 なお、共振周波数の温度係数(τf)と、誘電率
の温度変化率(τ〓)および磁器試料の線膨張率α
との間には、次式の関係がある。 τf=−1/2τ〓 −α この発明の高周波用誘電体磁器における組成範
囲を限定した理由は次の通りである。 (1) xが<0.01では焼結しない。またx>0.06で
はQ値が下がり、好ましくない(試料番号11参
照)。 (2) y<0.28またはy>0.33では、焼結しない。 (3) z<0.01では焼結しない(試料番号10参照)。 また、z>0.05ではQ値が下がり、好ましく
ない(試料番号8参照)。 (4) u<0.52またはu>0.65では焼結しない。 (5) v>0.13ではQ値が下がる(試料番号9参
照)。 このように、この発明では高い誘電率を示すと
ともに、Q値については共振周波数の温度係数τf
=1ppm/℃で17500もの値を示すので、従来に比
べて1.7倍以上もQ値の高い高周波用誘電体磁器
を得ることができる。 【表】
するものである。 (従来技術) 従来から、マイクロ波やミリ波などの高周波領
域において、誘電体磁器は誘電体共振器やMIC
用誘電体基板などに広く利用されている。この場
合、Q値が高くかつ共振周波数の温度係数(τf)
がほぼ0ppm/℃の特性をもつものが使用されて
いる。たとえば、Q値が高いものとしては、特開
昭58−45155号に開示されている、一般式 Ba
(Zrx Zny Taz)07/2-x/2-3y/2で表される組成に
おいて、0.02≦x≦0.13,0.28≦y≦0.33,0.59≦
z≦0.65,(ただし、x+y+z=1)の範囲に
あることを特徴とする誘電体磁器組成物や、特開
昭58−60661号に開示されている、一般式 Ba
(Znv Nix Tay Nbz)07/2-3v/2-3x/2で表される
組成において、0.03≦v≦0.33,0.03≦x≦0.33,
0≦y≦0.70,0≦z≦0.70(ただし、v+x+
y+z=1)の範囲にあることを特徴とする誘電
体磁器組成物が知られている。 前者のBa(Zr Zn Ta)0を材料としたものは、
マイクロ波帯である7GHzで、Q値が9100(ただ
し、共振周波数の温度係数(τf)=1ppm/℃で)
であり、後者のBa(Zn Ni Ta Nb)0系を材料
としたものは、Q値が10300(ただし、共振周波数
の温度係数(τf)=0ppm/℃で)である。 (発明が解決しようとする問題点) しかし、最近では使用する周波数領域がさらに
高くなつてきており、これに対応してさらに高い
Q値をもつ材料が要求されている。 したがつて、この発明の主たる目的は、高周波
領域で従来に比べて高いQ値を有する誘電体磁器
組成物を提供することである。 (問題点を解決するための手段) この発明は、一般式 Ba(Zrx Zny Niz
Tau Nbv)07/2-x/2-3y/2-3z/2で表される組成にお
いて、0.01≦x≦0.06,0.28≦y≦0.33,0.01≦z
≦0.05,0.52≦u≦0.65,0<v≦0.13(ただし、
x+y+z+u+v=1)の範囲にある高周波用
誘電体磁器組成物である。 (発明の効果) この発明によれば、たとえばマイクロ波帯での
Q値が従来より高く、1〜10GHz帯からさらに高
い10〜50GHz帯までの使用が可能であり、しかも
共振周波数の温度係数も良好で高い誘電率を有す
る高周波用誘電体磁器組成物が得られる。 (実施例) 高純度のBaCO3,ZrO2,ZnO,NiO,Ta2O5,
Nb2O5を用い、第1表に示す組成からなる磁器が
得られるように秤量し、秤量原料を2時間湿式混
合した。次いで、1200℃で2時間仮焼し、さらに
バインダを加えて再び2時間湿式混合し、脱水,
整粒を行つた。このようにして得られた粉末を、
2000Kg/cm2の圧力で直径12mm,厚さ6mmの寸法か
らなる円板に成形し、1450℃で4時間焼成して磁
器試料を得た。 この磁器試料について、周波数7GHzにおける
誘電率(ε〓)、Q値および共振周波数の温度係数
(τf)を測定し、第1表を得た。第1表中の*は
発明の範囲外のものであり、それ以外はすべてこ
の発明の範囲内のものである。 なお、共振周波数の温度係数(τf)と、誘電率
の温度変化率(τ〓)および磁器試料の線膨張率α
との間には、次式の関係がある。 τf=−1/2τ〓 −α この発明の高周波用誘電体磁器における組成範
囲を限定した理由は次の通りである。 (1) xが<0.01では焼結しない。またx>0.06で
はQ値が下がり、好ましくない(試料番号11参
照)。 (2) y<0.28またはy>0.33では、焼結しない。 (3) z<0.01では焼結しない(試料番号10参照)。 また、z>0.05ではQ値が下がり、好ましく
ない(試料番号8参照)。 (4) u<0.52またはu>0.65では焼結しない。 (5) v>0.13ではQ値が下がる(試料番号9参
照)。 このように、この発明では高い誘電率を示すと
ともに、Q値については共振周波数の温度係数τf
=1ppm/℃で17500もの値を示すので、従来に比
べて1.7倍以上もQ値の高い高周波用誘電体磁器
を得ることができる。 【表】
Claims (1)
- 1 一般式 Ba(Zrx Zny Niz Tau Nbv)
07/2-x/2-3y/2-3z/2で表される組成において、0.01≦
x≦0.06,0.28≦y≦0.33,0.01≦z≦0.05,0.52
≦u≦0.65,0<v≦0.13(ただし、x+y+z
+u+v=1)の範囲にあることを特徴とする、
高周波用誘電体磁器組成物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60225627A JPS6287453A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
DE19863633876 DE3633876A1 (de) | 1985-10-09 | 1986-10-04 | Dielektrische keramische zusammensetzung fuer hohe frequenzen |
US06/916,305 US4717694A (en) | 1985-10-09 | 1986-10-07 | Dielectric ceramic composition for high frequencies |
FR868614025A FR2589463B1 (fr) | 1985-10-09 | 1986-10-08 | Composition ceramique dielectrique pour hautes frequences |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60225627A JPS6287453A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6287453A JPS6287453A (ja) | 1987-04-21 |
JPH0377146B2 true JPH0377146B2 (ja) | 1991-12-09 |
Family
ID=16832271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60225627A Granted JPS6287453A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4717694A (ja) |
JP (1) | JPS6287453A (ja) |
DE (1) | DE3633876A1 (ja) |
FR (1) | FR2589463B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH068209B2 (ja) * | 1988-05-11 | 1994-02-02 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
JPH0721970B2 (ja) * | 1988-12-22 | 1995-03-08 | 住友金属鉱山株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
US6117806A (en) * | 1996-10-25 | 2000-09-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric material, a method for producing the same and a dielectric resonator device comprising same |
CA2363035C (en) * | 1999-02-22 | 2007-09-04 | Symyx Technologies, Inc. | Compositions comprising nickel and their use as catalyst in oxidative dehydrogenation of alkanes |
DE10064817A1 (de) * | 2000-12-22 | 2002-07-11 | Siemens Ag | Bedämpfung von Resonanzüberhöhungen bei einem an einem Umrichter mit Spannungszwischenkreis betriebenen elektrischen Motor durch erhöhte Verlusterzeugung im Bereich kritischer Eigenfrequenzen |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6054903B2 (ja) * | 1981-10-07 | 1985-12-02 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
JPS58206003A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-12-01 | 日本放送協会 | 低損失マイクロ波誘電材料 |
US4485180A (en) * | 1982-09-06 | 1984-11-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency dielectric ceramic compositions |
JPS59196505A (ja) * | 1983-04-22 | 1984-11-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
JPS59196504A (ja) * | 1983-04-22 | 1984-11-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP60225627A patent/JPS6287453A/ja active Granted
-
1986
- 1986-10-04 DE DE19863633876 patent/DE3633876A1/de active Granted
- 1986-10-07 US US06/916,305 patent/US4717694A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-08 FR FR868614025A patent/FR2589463B1/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3633876C2 (ja) | 1990-11-22 |
DE3633876A1 (de) | 1987-04-09 |
JPS6287453A (ja) | 1987-04-21 |
US4717694A (en) | 1988-01-05 |
FR2589463A1 (fr) | 1987-05-07 |
FR2589463B1 (fr) | 1989-12-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |