JPH04223210A - 多層膜の膜厚測定方法 - Google Patents
多層膜の膜厚測定方法Info
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Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多層膜の膜厚測定方法に
係り、特に金属多層膜の各層の膜厚測定を行いうる多層
膜の膜厚測定方法に関する。
係り、特に金属多層膜の各層の膜厚測定を行いうる多層
膜の膜厚測定方法に関する。
【０００２】近年の半導体デバイスにおける微細化を進
めていく上で、製造プロセスだけではなく、材料管理に
よる寸法精度の向上も要求されるようになってきている
。この材料管理の一つとして、レチクルマスクやウェー
ハ上に形成される多層膜の膜厚管理がある。
めていく上で、製造プロセスだけではなく、材料管理に
よる寸法精度の向上も要求されるようになってきている
。この材料管理の一つとして、レチクルマスクやウェー
ハ上に形成される多層膜の膜厚管理がある。
【０００３】多層膜の膜厚は、例えばエッチング工程に
おいてその精度に大きく影響を与える。即ち、各膜の性
質が異なり各膜毎にエッチング速度が異なるような場合
、各膜の厚さが正確に判らないとエッチング制御を適正
に行う事が出来なくなってしまい、加工寸法精度が低下
する。
おいてその精度に大きく影響を与える。即ち、各膜の性
質が異なり各膜毎にエッチング速度が異なるような場合
、各膜の厚さが正確に判らないとエッチング制御を適正
に行う事が出来なくなってしまい、加工寸法精度が低下
する。
【０００４】このため、寸法精度に影響を及ぼす膜厚の
管理を行う必要があり、高精度の多層膜の膜厚測定方法
が望まれている。
管理を行う必要があり、高精度の多層膜の膜厚測定方法
が望まれている。
【０００５】
【従来の技術】一般にレチクルマスクやウェーハ上に形
成される金属膜（例えばクロム膜）の膜厚測定として、
蛍光Ｘ線を用いた蛍光Ｘ線法が知られている。この蛍光
Ｘ線法による膜厚測定は、励起用一次Ｘ線を被測定膜に
照射し、これにより発生する蛍光Ｘ線が膜厚に対応して
変化することを応用して膜厚を測定する方法である。
成される金属膜（例えばクロム膜）の膜厚測定として、
蛍光Ｘ線を用いた蛍光Ｘ線法が知られている。この蛍光
Ｘ線法による膜厚測定は、励起用一次Ｘ線を被測定膜に
照射し、これにより発生する蛍光Ｘ線が膜厚に対応して
変化することを応用して膜厚を測定する方法である。
【０００６】また他の方法としては、シリコンウェーハ
上のガラス層の膜厚測定を行う吸収法とよばれる膜厚測
定方法がある。この吸収法では、予めシリコンウェーハ
にイオン注入を行うとともに、その上部にガラス層を形
成し、ガラス層が形成されたシリコンウェーハに一次Ｘ
線を照射する。そして、一次Ｘ線によりシリコンウェー
ハに発生する蛍光Ｘ線を測定することによりガラス層の
膜厚を測定する方法である。
上のガラス層の膜厚測定を行う吸収法とよばれる膜厚測
定方法がある。この吸収法では、予めシリコンウェーハ
にイオン注入を行うとともに、その上部にガラス層を形
成し、ガラス層が形成されたシリコンウェーハに一次Ｘ
線を照射する。そして、一次Ｘ線によりシリコンウェー
ハに発生する蛍光Ｘ線を測定することによりガラス層の
膜厚を測定する方法である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかるに上記蛍光Ｘ線
法は、膜厚が１層の場合には精度良く被測定膜の膜厚測
定を行うことができるが、被測定膜が多層となり、主要
元素（主要蛍光Ｘ線に対応した元素）とその酸化物や窒
化物が重なり合っているような構造の場合、蛍光Ｘ線法
では各層毎の膜厚測定を行うことかできないという課題
があった。
法は、膜厚が１層の場合には精度良く被測定膜の膜厚測
定を行うことができるが、被測定膜が多層となり、主要
元素（主要蛍光Ｘ線に対応した元素）とその酸化物や窒
化物が重なり合っているような構造の場合、蛍光Ｘ線法
では各層毎の膜厚測定を行うことかできないという課題
があった。
【０００８】また上記吸収法では、測定用に試料を製品
とは別個に作成せねばならず、製品自体の膜厚測定及び
寸法管理を行う事が出来ないという課題があった。
とは別個に作成せねばならず、製品自体の膜厚測定及び
寸法管理を行う事が出来ないという課題があった。
【０００９】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、多層膜の各膜の膜厚測定を精度よく行い得る多層
膜の膜厚測定方法を提供することを目的とする。
あり、多層膜の各膜の膜厚測定を精度よく行い得る多層
膜の膜厚測定方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、蛍光Ｘ線を用いた多層膜の膜厚測定方
法において、多層膜を形成する際、Ｘ線が照射されるこ
とにより夫々異なる特性を有する蛍光Ｘ線を励起するト
レーサを各層毎に異ならせて混入し、このトレーサが混
入された多層膜に対して該Ｘ線を照射し、各層にて励起
される蛍光Ｘ線に基づき各層の膜厚を測定することを特
徴とするものである。
に、本発明では、蛍光Ｘ線を用いた多層膜の膜厚測定方
法において、多層膜を形成する際、Ｘ線が照射されるこ
とにより夫々異なる特性を有する蛍光Ｘ線を励起するト
レーサを各層毎に異ならせて混入し、このトレーサが混
入された多層膜に対して該Ｘ線を照射し、各層にて励起
される蛍光Ｘ線に基づき各層の膜厚を測定することを特
徴とするものである。
【００１１】また、蛍光Ｘ線を用いたクロム（Ｃｒ）多
層膜の膜厚測定方法において、クロム多層膜を形成する
際、一次Ｘ線が照射されることにより夫々異なる蛍光Ｘ
線を励起するチタン（Ｔｉ）又はモリブデン（Ｍｏ）又
はニッケル（Ｎｉ）又はタングステン（Ｗ）をトレーサ
として各金属膜層毎に異ならせて混入し、このトレーサ
が混入されたクロム多層膜に対して一次Ｘ線を照射し、
各金属膜層にて励起される蛍光Ｘ線に基づき各金属膜層
の膜厚を測定することを特徴とするものである。また、
上記の各層の膜厚を測定する方法として吸収法を用いて
もよい。また、上記の各層の膜厚を測定する方法として
励起法を用いてもよい。更に、吸収法と励起法を併用し
てもよい。
層膜の膜厚測定方法において、クロム多層膜を形成する
際、一次Ｘ線が照射されることにより夫々異なる蛍光Ｘ
線を励起するチタン（Ｔｉ）又はモリブデン（Ｍｏ）又
はニッケル（Ｎｉ）又はタングステン（Ｗ）をトレーサ
として各金属膜層毎に異ならせて混入し、このトレーサ
が混入されたクロム多層膜に対して一次Ｘ線を照射し、
各金属膜層にて励起される蛍光Ｘ線に基づき各金属膜層
の膜厚を測定することを特徴とするものである。また、
上記の各層の膜厚を測定する方法として吸収法を用いて
もよい。また、上記の各層の膜厚を測定する方法として
励起法を用いてもよい。更に、吸収法と励起法を併用し
てもよい。
【００１２】
【作用】上記多層膜の膜厚測定方法によれば、各層には
一次Ｘ線の照射により異なる特性を示すトレーサが混入
されているため、各層では夫々異なった蛍光Ｘ線が励起
される。よって、この異なる蛍光Ｘ線を夫々測定するこ
とにより、各蛍光Ｘ線に対応した層の膜厚を検知するこ
とができる。
一次Ｘ線の照射により異なる特性を示すトレーサが混入
されているため、各層では夫々異なった蛍光Ｘ線が励起
される。よって、この異なる蛍光Ｘ線を夫々測定するこ
とにより、各蛍光Ｘ線に対応した層の膜厚を検知するこ
とができる。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。
する。
【００１４】図１は本発明の一実施例である多層膜の膜
厚測定方法を説明するための概略構成図である。図中、
１は被測定体である多層膜である。本実施例では、ガラ
ス基板（ＳｉＯ２）２の上に上層１ａ，中間層１ｂ，下
層１ｃの３層が積層された構造の多層膜１を例に挙げて
説明する。
厚測定方法を説明するための概略構成図である。図中、
１は被測定体である多層膜である。本実施例では、ガラ
ス基板（ＳｉＯ２）２の上に上層１ａ，中間層１ｂ，下
層１ｃの３層が積層された構造の多層膜１を例に挙げて
説明する。
【００１５】上層１ａは酸化クロム層であり、その厚さ
は約 ３００Åとされている。酸化クロムは安定性の高
い物質であるため、上層１ａは保護膜としての機能を奏
する。また酸化クロムは反射率が低いため、上層１ａは
反射防止膜としての機能をも奏し、よってホトリソグラ
フィの精度向上を図ることができる。尚、後述するよう
に、本実施例では上層１ａの膜厚測定は吸収法により行
うため、上層１ａにトレーサは含有されていない。
は約 ３００Åとされている。酸化クロムは安定性の高
い物質であるため、上層１ａは保護膜としての機能を奏
する。また酸化クロムは反射率が低いため、上層１ａは
反射防止膜としての機能をも奏し、よってホトリソグラ
フィの精度向上を図ることができる。尚、後述するよう
に、本実施例では上層１ａの膜厚測定は吸収法により行
うため、上層１ａにトレーサは含有されていない。
【００１６】また、中間層１ｂは純クロム膜であり、そ
の厚さは約 ６５０Åとされている。この中間層１ｂに
は、トレーサとしてモリブデン（Ｍｏ）が約１％程度含
有されている。モリブデンを含有させる方法としては、
例えば中間層１ｂのスパッタリング時にターゲットにモ
リブデンを混入しておく構成等が考えられる。モリブデ
ンは周知のように不活性な金属であり、よって純クロム
に上記のような少量のモリブデンを含有させても中間層
１ｂは純クロムとしての特性を示す。
の厚さは約 ６５０Åとされている。この中間層１ｂに
は、トレーサとしてモリブデン（Ｍｏ）が約１％程度含
有されている。モリブデンを含有させる方法としては、
例えば中間層１ｂのスパッタリング時にターゲットにモ
リブデンを混入しておく構成等が考えられる。モリブデ
ンは周知のように不活性な金属であり、よって純クロム
に上記のような少量のモリブデンを含有させても中間層
１ｂは純クロムとしての特性を示す。
【００１７】また、下層１ｃは酸化クロム膜であり、そ
の厚さは約５０Åとされている。この下層１ｃは中間層
１ｂをガラス基板２に形成するために設けられる層であ
る。即ち、純クロムはガラス基板２との接合性が良くな
いため、単にガラス基板２上に純クロムをスパッタリン
グすると、純クロムはガラス基板２から剥離してしまう
ことが知られている。従って、純クロム及びガラス基板
２と共に接合性のよい酸化クロムを先ずガラス基板２上
に形成し、この酸化クロム膜（下層１ｃ）上に純クロム
膜である中間層１ｂを形成することにより各層の接合性
を向上することができ、多層膜１の信頼性を向上させる
ことができる。
の厚さは約５０Åとされている。この下層１ｃは中間層
１ｂをガラス基板２に形成するために設けられる層であ
る。即ち、純クロムはガラス基板２との接合性が良くな
いため、単にガラス基板２上に純クロムをスパッタリン
グすると、純クロムはガラス基板２から剥離してしまう
ことが知られている。従って、純クロム及びガラス基板
２と共に接合性のよい酸化クロムを先ずガラス基板２上
に形成し、この酸化クロム膜（下層１ｃ）上に純クロム
膜である中間層１ｂを形成することにより各層の接合性
を向上することができ、多層膜１の信頼性を向上させる
ことができる。
【００１８】この下層１ｃには、トレーサとしてチタン
（Ｔｉ）が約１％程度含有されている。チタンを含有さ
せる方法としては、中間層１ｂの場合と同様に、例えば
下層１ｃのスパッタリング時にターゲットにチタンを混
入しておく構成等が考えられる。チタンも安定した金属
であり、よって少量含有させても下層１ｂは酸化クロム
としての特性を示す。
（Ｔｉ）が約１％程度含有されている。チタンを含有さ
せる方法としては、中間層１ｂの場合と同様に、例えば
下層１ｃのスパッタリング時にターゲットにチタンを混
入しておく構成等が考えられる。チタンも安定した金属
であり、よって少量含有させても下層１ｂは酸化クロム
としての特性を示す。
【００１９】上記のように、中間層１ｂ及び下層１ｃに
は夫々異なる性質を有するモリブデン及びチタンがトレ
ーサとして含有されている。また、含有されたモリブデ
ン及びチタンは共に安定した元素でありまた含有量も少
ないため、モリブデン及びチタンが中間層１ｂ及び下層
１ｃに影響を及ぼすようなことはない。従って、多層膜
１は半導体材料として実際に用いることができ、特に膜
厚測定を行うためだけに製造される試料ではない。
は夫々異なる性質を有するモリブデン及びチタンがトレ
ーサとして含有されている。また、含有されたモリブデ
ン及びチタンは共に安定した元素でありまた含有量も少
ないため、モリブデン及びチタンが中間層１ｂ及び下層
１ｃに影響を及ぼすようなことはない。従って、多層膜
１は半導体材料として実際に用いることができ、特に膜
厚測定を行うためだけに製造される試料ではない。
【００２０】続いて、上記のようにトレーサを含有した
多層膜１の各層の膜厚測定を行う方法について説明する
。
多層膜１の各層の膜厚測定を行う方法について説明する
。
【００２１】膜厚測定を行うには、Ｘ線発生装置３から
多層膜１に向け一次Ｘ線（励起Ｘ線）４を照射する。Ｘ
線は波長が短いため多層膜１の各層１ａ，１ｂ，１ｃに
到達する。この各層１ａ，１ｂ，１ｃにおいて、トレー
サとしてモリブデン又はチタンが含有されている中間層
１ｂ及び下層１ｃでは、一次Ｘ線によりモリブデン，チ
タンは励起され蛍光Ｘ線（特性Ｘ線：図中太字の矢印で
示す）を発生する。即ち、中間層１ｂと下層１ｃで、夫
々特性の異なる蛍光Ｘ線が発生する。この蛍光Ｘ線は検
出装置５により検出され、吸収法又は励起法により各層
１ａ，１ｂ，１ｃの膜厚が測定される。本実施例では、
上層１ａの膜厚測定に吸収法を用い、また中間層１ｂ及
び下層１ｃの膜厚測定に励起法を用いた。
多層膜１に向け一次Ｘ線（励起Ｘ線）４を照射する。Ｘ
線は波長が短いため多層膜１の各層１ａ，１ｂ，１ｃに
到達する。この各層１ａ，１ｂ，１ｃにおいて、トレー
サとしてモリブデン又はチタンが含有されている中間層
１ｂ及び下層１ｃでは、一次Ｘ線によりモリブデン，チ
タンは励起され蛍光Ｘ線（特性Ｘ線：図中太字の矢印で
示す）を発生する。即ち、中間層１ｂと下層１ｃで、夫
々特性の異なる蛍光Ｘ線が発生する。この蛍光Ｘ線は検
出装置５により検出され、吸収法又は励起法により各層
１ａ，１ｂ，１ｃの膜厚が測定される。本実施例では、
上層１ａの膜厚測定に吸収法を用い、また中間層１ｂ及
び下層１ｃの膜厚測定に励起法を用いた。
【００２２】ここで、吸収法及び励起法について簡単に
説明しておく。尚、説明の便宜上、図２に示されるよう
な上層膜６と下層膜７とにより構成される２層膜８の膜
厚測定に、吸収法及び励起法を適用した例について以下
説明する。
説明しておく。尚、説明の便宜上、図２に示されるよう
な上層膜６と下層膜７とにより構成される２層膜８の膜
厚測定に、吸収法及び励起法を適用した例について以下
説明する。
【００２３】吸収法及び励起法は共に蛍光Ｘ線膜厚測定
方法のひとつであり、被測定膜に対して一次Ｘ線を照射
し、それにより被測定膜から得られる蛍光Ｘ線の強度か
ら膜厚を測定することを基本原理とする。
方法のひとつであり、被測定膜に対して一次Ｘ線を照射
し、それにより被測定膜から得られる蛍光Ｘ線の強度か
ら膜厚を測定することを基本原理とする。
【００２４】吸収法は、下層膜７の蛍光Ｘ線の強度から
上層膜６の膜厚を測定する方法である。この吸収法によ
る膜厚測定では、トレーサは下層膜７に含有させておく
。具体的な測定方法としては、先ず一次Ｘ線を２層膜８
に照射する。一次Ｘ線が照射されることにより、トレー
サが含有された下層膜７は蛍光Ｘ線を発生する。この際
、照射される一次Ｘ線が一定であり、また下層膜７の厚
さが一定であるとすると、発生する蛍光Ｘ線の強さは一
定となる。しかし、下層膜７の上に上層膜６が存在する
と、蛍光Ｘ線は上層膜６の膜厚に依存してその強度が変
化する。上層膜６の膜厚と検出される蛍光Ｘ線の強度と
の関係は、例えば図３のようになる。よって、蛍光Ｘ線
の強度より上層膜６の膜厚を測定することができ、この
ようにして膜厚を測定する方法を吸収法という。
上層膜６の膜厚を測定する方法である。この吸収法によ
る膜厚測定では、トレーサは下層膜７に含有させておく
。具体的な測定方法としては、先ず一次Ｘ線を２層膜８
に照射する。一次Ｘ線が照射されることにより、トレー
サが含有された下層膜７は蛍光Ｘ線を発生する。この際
、照射される一次Ｘ線が一定であり、また下層膜７の厚
さが一定であるとすると、発生する蛍光Ｘ線の強さは一
定となる。しかし、下層膜７の上に上層膜６が存在する
と、蛍光Ｘ線は上層膜６の膜厚に依存してその強度が変
化する。上層膜６の膜厚と検出される蛍光Ｘ線の強度と
の関係は、例えば図３のようになる。よって、蛍光Ｘ線
の強度より上層膜６の膜厚を測定することができ、この
ようにして膜厚を測定する方法を吸収法という。
【００２５】一方、励起法は、上層膜６の蛍光Ｘ線の強
度から上層膜６の膜厚を測定する方法であり、この励起
法ではトレーサは上層膜６に含有させておく。具体的な
測定方法としては、先ず一次Ｘ線を２層膜８に照射する
。一次Ｘ線が照射されることにより、トレーサが含有さ
れた上層膜６は蛍光Ｘ線を発生する。この際、前記した
ように、照射される一次Ｘ線が一定であり、また上層膜
６の厚さが一定であるとすると、発生する蛍光Ｘ線の強
さは一定となる。しかし、上層膜６の厚さが変化すると
、蛍光Ｘ線は上層膜６の膜厚に依存してその強度を変化
させる。上層膜６の膜厚と検出される蛍光Ｘ線の強度と
の関係は、例えば図４のようになる。よって、蛍光Ｘ線
の強度より上層膜６の膜厚を測定することができ、この
ようにして膜厚を測定する方法を励起法という。
度から上層膜６の膜厚を測定する方法であり、この励起
法ではトレーサは上層膜６に含有させておく。具体的な
測定方法としては、先ず一次Ｘ線を２層膜８に照射する
。一次Ｘ線が照射されることにより、トレーサが含有さ
れた上層膜６は蛍光Ｘ線を発生する。この際、前記した
ように、照射される一次Ｘ線が一定であり、また上層膜
６の厚さが一定であるとすると、発生する蛍光Ｘ線の強
さは一定となる。しかし、上層膜６の厚さが変化すると
、蛍光Ｘ線は上層膜６の膜厚に依存してその強度を変化
させる。上層膜６の膜厚と検出される蛍光Ｘ線の強度と
の関係は、例えば図４のようになる。よって、蛍光Ｘ線
の強度より上層膜６の膜厚を測定することができ、この
ようにして膜厚を測定する方法を励起法という。
【００２６】再び図１に戻り、多層膜１の膜厚測定につ
いて説明を続ける。前記したように、本実施例では上層
１ａの膜厚測定に吸収法を用い、また中間層１ｂ及び下
層１ｃの膜厚測定に励起法を用いている。よって、上層
１ａの膜厚及び中間層１ｂの膜厚はモリブデンの蛍光Ｘ
線（Ｍｏ−Ｌα，Ｍｏ−Ｋα）を検出することにより求
めることができ、また下層１ｃの膜厚はチタンの蛍光Ｘ
線（Ｔｉ−Ｋα）より求めることができる。このように
、多層膜１を構成する各層１ａ，１ｂ，１ｃにトレーサ
を混入することにより、各層１ａ，１ｂ，１ｃの膜厚を
夫々正確に測定することができる。これにより、例えば
多層膜１に対してエッチング処理を行う場合において、
上記測定方法により各層１ａ，１ｂ，１ｃの膜厚が予め
正確に測定されているため、エッチング時間の制御等を
膜厚に基づき適正に行うことができ、加工精度（寸法精
度）を向上することができる。
いて説明を続ける。前記したように、本実施例では上層
１ａの膜厚測定に吸収法を用い、また中間層１ｂ及び下
層１ｃの膜厚測定に励起法を用いている。よって、上層
１ａの膜厚及び中間層１ｂの膜厚はモリブデンの蛍光Ｘ
線（Ｍｏ−Ｌα，Ｍｏ−Ｋα）を検出することにより求
めることができ、また下層１ｃの膜厚はチタンの蛍光Ｘ
線（Ｔｉ−Ｋα）より求めることができる。このように
、多層膜１を構成する各層１ａ，１ｂ，１ｃにトレーサ
を混入することにより、各層１ａ，１ｂ，１ｃの膜厚を
夫々正確に測定することができる。これにより、例えば
多層膜１に対してエッチング処理を行う場合において、
上記測定方法により各層１ａ，１ｂ，１ｃの膜厚が予め
正確に測定されているため、エッチング時間の制御等を
膜厚に基づき適正に行うことができ、加工精度（寸法精
度）を向上することができる。
【００２７】尚、上記実施例では上層１ａにはトレーサ
を含有しない構成を示したが、上層１ａに他の層１ｂ，
１ｃと異なるトレーサ（例えばタングステン）等を含有
させてもよい。しかるに、トレーサが含有されていない
こと自体が上層１ａを識別する手段となるため、吸収法
を用いて上層１ａの膜厚測定を行う限り、上層１ａにト
レーサを含有させる必要はない。但し、上層１ａの膜厚
測定を励起法で行おうとした場合には、上層１ａに何ら
かのトレーサを含有させる必要があることは、前記して
きた説明より明白である。
を含有しない構成を示したが、上層１ａに他の層１ｂ，
１ｃと異なるトレーサ（例えばタングステン）等を含有
させてもよい。しかるに、トレーサが含有されていない
こと自体が上層１ａを識別する手段となるため、吸収法
を用いて上層１ａの膜厚測定を行う限り、上層１ａにト
レーサを含有させる必要はない。但し、上層１ａの膜厚
測定を励起法で行おうとした場合には、上層１ａに何ら
かのトレーサを含有させる必要があることは、前記して
きた説明より明白である。
【００２８】また、上記した実施例では各層１ａ，１ｂ
，１ｃの膜厚を行うのに、吸収法と励起法を併用した構
成を示したが、これに限るものではなく、吸収法のみ、
またと励起法のみで各膜１ａ，１ｂ，１ｃの膜厚測定を
行う構成としてよい。更に、本実施例では多層膜１とし
て３層膜構造のものを例に挙げて説明したが、本発明は
他の多層膜についても適用できることは勿論である。
，１ｃの膜厚を行うのに、吸収法と励起法を併用した構
成を示したが、これに限るものではなく、吸収法のみ、
またと励起法のみで各膜１ａ，１ｂ，１ｃの膜厚測定を
行う構成としてよい。更に、本実施例では多層膜１とし
て３層膜構造のものを例に挙げて説明したが、本発明は
他の多層膜についても適用できることは勿論である。
【００２９】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、各層には一
次Ｘ線の照射により異なる特性を示すトレーサが混入さ
れているため、各層では夫々異なった蛍光Ｘ線が励起さ
れる。よって、この異なる蛍光Ｘ線を夫々測定すること
により、各蛍光Ｘ線に対応した層の膜厚を検知すること
ができる。
次Ｘ線の照射により異なる特性を示すトレーサが混入さ
れているため、各層では夫々異なった蛍光Ｘ線が励起さ
れる。よって、この異なる蛍光Ｘ線を夫々測定すること
により、各蛍光Ｘ線に対応した層の膜厚を検知すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例である多層膜の膜厚測定方法
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２】吸収法と励起法の測定原理を説明するための図
である。
である。
【図３】吸収法における上層膜厚と蛍光Ｘ線強度との関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図４】励起法における上層膜厚と蛍光Ｘ線強度との関
係を示す図である。
係を示す図である。
１ 多層膜
１ａ 上層
１ｂ 中間層
１ｃ 下層
３ Ｘ線発生装置
４ 一次Ｘ線
５ 検出装置
Claims (5)
- 【請求項１】 蛍光Ｘ線を用いた多層膜の膜厚測定方
法において、該多層膜を形成する際、該Ｘ線が照射され
ることにより夫々異なる特性を有する蛍光Ｘ線を励起す
るトレーサを各層毎に異ならせて混入し、該トレーサが
混入された多層膜に対して該Ｘ線を照射し、各層にて励
起される蛍光Ｘ線に基づき該各層の膜厚を測定すること
を特徴とする多層膜の膜厚測定方法。 - 【請求項２】 蛍光Ｘ線を用いたクロム（Ｃｒ）多層
膜の膜厚測定方法において、該クロム多層膜を形成する
際、一次Ｘ線が照射されることにより夫々異なる蛍光Ｘ
線を励起するチタン（Ｔｉ）又はモリブデン（Ｍｏ）又
はニッケル（Ｎｉ）又はタングステン（Ｗ）をトレーサ
として各金属膜層毎に異ならせて混入し、該トレーサが
混入されたクロム多層膜に対して一次Ｘ線を照射し、各
金属膜層にて励起される蛍光Ｘ線に基づき各金属膜層の
膜厚を測定することを特徴とする多層膜の膜厚測定方法
。 - 【請求項３】 該各層の膜厚を測定する方法として吸
収法を用いてなることを特徴とする請求項１又は２記載
の多層膜の膜厚測定方法。 - 【請求項４】 該各層の膜厚を測定する方法として励
起法を用いてなることを特徴とする請求項１又は２記載
の多層膜の膜厚測定方法。 - 【請求項５】 該各層の膜厚を測定する方法として吸
収法と励起法を併用してなることを特徴とする請求項１
又は２記載の多層膜の膜厚測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40607990A JP2955025B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 多層膜の膜厚測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40607990A JP2955025B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 多層膜の膜厚測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04223210A true JPH04223210A (ja) | 1992-08-13 |
| JP2955025B2 JP2955025B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=18515705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40607990A Expired - Fee Related JP2955025B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 多層膜の膜厚測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2955025B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003506701A (ja) * | 1999-08-10 | 2003-02-18 | コラス・アルミニウム・バルツプロドウクテ・ゲーエムベーハー | 金属シートの厚み測定用のｘ線蛍光センサー |
| US6912056B2 (en) * | 2003-08-18 | 2005-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for measuring each thickness of a multilayer stacked on a substrate |
| JP2006119108A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-05-11 | Fujitsu Ltd | 分析装置及び検査方法 |
| JP2007078616A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Sony Corp | 複数層からなる薄膜の各構成層の膜厚測定方法および膜厚測定装置 |
-
1990
- 1990-12-25 JP JP40607990A patent/JP2955025B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003506701A (ja) * | 1999-08-10 | 2003-02-18 | コラス・アルミニウム・バルツプロドウクテ・ゲーエムベーハー | 金属シートの厚み測定用のｘ線蛍光センサー |
| US6912056B2 (en) * | 2003-08-18 | 2005-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for measuring each thickness of a multilayer stacked on a substrate |
| JP2006119108A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-05-11 | Fujitsu Ltd | 分析装置及び検査方法 |
| JP2007078616A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Sony Corp | 複数層からなる薄膜の各構成層の膜厚測定方法および膜厚測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2955025B2 (ja) | 1999-10-04 |
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|---|---|---|---|
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