JPH04222946A - 光磁気用薄膜ヘッド - Google Patents

光磁気用薄膜ヘッド

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JPH04222946A
JPH04222946A JP41449390A JP41449390A JPH04222946A JP H04222946 A JPH04222946 A JP H04222946A JP 41449390 A JP41449390 A JP 41449390A JP 41449390 A JP41449390 A JP 41449390A JP H04222946 A JPH04222946 A JP H04222946A
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JP
Japan
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magnetic
head
magneto
thin film
optical
Prior art date
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Application number
JP41449390A
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English (en)
Inventor
Kietsu Iwabuchi
岩渕 喜悦
Hiroshi Watari
渡利 浩
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に対し
て同一側に磁気ヘッドと光ヘッドが形成された光磁気用
薄膜ヘッドに係わる。
【0002】
【従来の技術】磁界変調型の光磁気記録再生は、磁気光
学効果等を利用して記録再生を行う方式で、記録時には
例えば磁性薄膜にレーザ光を照射して局所的に温度を上
昇させると同時に情報に応じて変調した外部磁界を与え
、その局所領域の磁化Mを磁界の方向に向けて記録を行
う。そして再生時には例えばレーザ光によって得た直線
偏光を磁性薄膜面に照射して磁気光学効果による偏光面
の回転を光の強度に変換して検出し、記録情報の再生を
行う。従ってこの場合オーバーライト動作を比較的簡単
に実現することができ、また光を用いることから磨耗等
による品質の劣化を回避させることができることや、ま
た記録密度の高密度化及び大容量化等をはかる上で実用
に向けて開発が著しい。
【0003】このような磁界変調型の光磁気記録再生を
行う磁界変調型光磁気ドライブ装置の一例を図12の略
線的拡大側面図に示す。この場合磁界変調型の光磁気デ
ィスク等の光磁気記録媒体1の片側の面1A側に光ヘッ
ド2と磁気ヘッド3とを設けた光磁気用薄膜ヘッドで、
このように片面側に光ヘッド2と磁気ヘッド3とを設け
る場合は、光磁気記録媒体1の両面1A及び1Bを記録
再生に用いることができる。
【0004】このような磁気ヘッド3としては、基板が
光透過性を有することが必要であり、図示の例では例え
ばガラス等より成る非磁性の基板4上にCu等より成る
薄膜コイル9を形成する構造としている。しかしながら
、この場合は記録時に必要な磁界強度を得るためには、
従来のフェライト基板等の上に薄膜コイルを形成した場
合に比して20〜30%以上高い電流をこのコイルに通
電する必要があり、磁界強度の向上をはかりにくく、ま
た高周波特性が低下して短波長化等による高記録密度化
をはかり難いという問題がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うに光磁気記録媒体に対して同一面側に、光ヘッドと磁
気ヘッドとを設ける光磁気用薄膜磁気ヘッドにおいて、
高周波特性に優れ、高磁界を発生する磁気特性に優れた
磁気ヘッドを提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明による光磁気用薄
膜ヘッドの一例の一部を断面とする略線的拡大側面図を
図1に示す。本発明は、図1に示すように、光磁気記録
媒体1に対向して磁気ヘッド3と光ヘッド2が配置され
る光磁気用薄膜ヘッドにおいて、この磁気ヘッド3が、
非磁性の基板4上に磁性膜6が被着され、この磁性膜6
上に薄膜コイル9が形成され、磁性膜6は、薄膜コイル
9の作る磁界とほぼ直交方向に磁化容易軸を有するよう
になす。
【0007】
【作用】上述したように、本発明光磁気用薄膜ヘッドに
おいては、その磁気ヘッド3の非磁性の基板4上に磁性
膜6を形成し、磁性膜6の磁化容易軸は薄膜コイル9の
作る磁界とほぼ直交するようになされる。
【0008】このような光磁気用薄膜ヘッドにおける磁
気ヘッド3の薄膜コイル9が作る磁界について考察する
と、例えば磁気ヘッド3の上面からみた図2に示すよう
に、磁性膜6を上面ほぼ円形とし、この上に薄膜コイル
9を磁性膜6の中心から外縁部に渦巻き状に向かうパタ
ーンとした場合、この薄膜コイル9の作る磁界は、磁性
膜6の内部においては、中心部から外側に向かう方向、
或いは外側から中心部に向かういわゆる半径方向に生じ
る。そして、本発明ではこの磁界に対して垂直な方向に
磁化容易軸を有するものであり、この容易軸の向きは磁
性膜6の中心部を中心とする周方向となり、磁化困難軸
が半径方向となる。即ちこの場合薄膜コイル9の作る磁
界は磁性膜6内の磁化困難軸に沿う方向となり、磁性膜
が磁化され易いいわゆる磁気エネルギー損失の小さい構
造の磁気ヘッドを得ることができる。
【0009】従って、本発明による光磁気用薄膜ヘッド
によれば、記録時に必要な磁界強度を得るための電流値
の低減化または磁界強度の向上をはかることができ、高
周波特性の向上をはかって短波長化等による高記録密度
化をはかることができる。
【0010】
【実施例】以下本発明光磁気用薄膜ヘッドの一例を図1
〜図11を参照して詳細に説明する。この例では光磁気
記録媒体1に対して光ヘッド部からの光が、磁気ヘッド
を通して照射される例で、図1に示すように、光磁気記
録媒体1の片側の面1A上に、基板4に磁性膜6と薄膜
コイル9等が被着形成されて成る磁気ヘッド3と、この
磁気ヘッド3を介してレーザ発光部や対物レンズ等(図
示せず)より成る光ヘッド2とが設けられる。
【0011】この磁気ヘッドは、図2にその一例の上面
図を示すように、例えばガラスより成り、ほぼ正方形と
された非磁性の基板4上にほぼ円形にパターニングされ
た磁性膜6が被着形成され、その上にCu等より成る薄
膜コイル9が渦巻き状に形成されて成る。そしてこの磁
性膜6の中心部には、ほぼ円形の中心孔6wが穿設され
て成り、図1において光ヘッド2から発光された光Lが
、ガラス基板4とこの中心孔6wとを通過して、光磁気
記録媒体3の所要のトラック部分に照射されるように、
光ヘッド2の光軸と磁気ヘッド3の中心部とが軸合わせ
されて成る。
【0012】この磁気ヘッド3の製造方法の一例を以下
に説明する。先ず図3に示すように、ほぼ正方形のガラ
ス基板より成る基板4上に、Cr等より成る磁性膜の下
地となる下地層5を全面的にスパッタリング等により厚
さ500Å程度に被着した後、この下地層5上に例えば
フォトリソグラフィを適用してフォトレジストの塗布、
パターン露光、現像によって所要のパターンのレジスト
7を形成する。
【0013】図3におけるAA線上の略線的断面図を図
4に示すように、この下地層5上に所要のパターンのレ
ジスト7を形成した後、aまたはbで示す図4の紙面に
垂直な方向に磁界をかけた状態で、磁場中メッキを施し
て磁性膜6を形成する。この磁性膜6の材料としては、
例えばアモルファス軟磁性膜を用いて、その磁歪定数λ
がλ>0となるような組成とする。
【0014】このようなアモルファス軟磁性材の製造方
法としては、本出願人による特開平2−70085号公
開公報にその開示がある。即ち、例えば基板上に電気メ
ッキ法によってCoFeP系のアモルファス軟磁性膜を
形成する方法で、このようにして形成されたアモルファ
ス軟磁性膜は、高飽和磁束密度、高透磁率、低磁歪等の
優れた磁気特性に加え、高比抵抗等の電気特性、あるい
は高耐磨耗性等の物理特性を有することが示されている
。そしてこの場合、(Fex Co100−x )y 
P100−y より成るアモルファス軟磁性膜では、x
>4とすると、yにはほとんど因らずに磁歪定数λが正
となることが開示されている。
【0015】従ってこの場合例えば磁歪定数λが正であ
るFe4.6 Co82P13.4を例えば300〔O
e〕の磁界を上述した例えばaで示す方向に印加しなが
ら、図5に示すように例えば5μmの厚さに電気メッキ
法により被着形成し、この後レジスト7を除去して磁性
膜6をほぼ円形にパターニングした後、更にこのレジス
ト7の除去による開口部を通じて下地層5をイオンエッ
チング等により磁性膜6と同様のパターンにパターニン
グして、図6に示すように中心孔6wを形成する。この
状態における上面図を図7に示す。
【0016】そしてこの状態で、例えば1k〔Oe〕の
例えば図7において矢印cで示す平行磁場中において、
基板4を例えば中心孔6wの中心部を中心軸として、例
えば100rpmで回転させながら260℃、15分の
条件において磁場中回転アニールを施す。このとき、磁
性膜6の磁歪定数λが正である場合は、その磁化容易軸
が図8において矢印Aで示すように、磁性膜6の周方向
に沿って形成されることとなる。一方、磁歪定数λが負
の場合は図9に示すように、磁化容易軸は矢印Bで示す
外側方向或いは内側方向へ向かう半径方向に沿って形成
されることとなる。
【0017】次にこの磁性膜6上にSiO2 等より成
る絶縁層8を被着形成した後、Cu等より成る導電層を
全面的にスパッタリング等により被着してこれをフォト
リソグラフィの適用によりフォトレジストの塗布、パタ
ーン露光、現像した後このフォトレジストをマスクとし
たエッチングを行って所要のパターン例えば図2に示す
ように渦巻き状のパターンの薄膜コイル9を形成する。 この場合、薄膜コイル9の断切れやパターン崩れを防ぐ
為に、例えば薄いフォトレジストの塗布、パターン露光
、電気メッキにより導電層の被着を行う工程を複数回繰
り返すことによって、所要の厚さの薄膜コイル9をパタ
ーニングするようにしてもよい。そしてこの薄膜コイル
9上に図10に示すようにSiO2 等より成る保護膜
10を被着して、磁気ヘッド3を得ることができる。
【0018】このようにして形成した磁気ヘッド3を用
いる場合、図11に示すように、薄膜コイル9に通電す
ると電流は図においてiで示す、紙面に対して垂直な方
向の例えば下向きに流れ、コイル9の作る磁界の向きは
矢印Ha で示すように時計回りとは逆向きの方向とな
り、磁性膜6中では矢印Hbで示す紙面に沿う方向とな
る。このように磁性膜6中を磁界が通過することによっ
て、例えばガラス等の絶縁性の透明基板上に直接薄膜コ
イル9を形成した場合に比して、記録時において光磁気
記録媒体3に与える磁界を発生するための必要な電流値
が格段に小となる。また、この磁性膜6中の磁界の向き
は、図8において矢印Aで示す磁化容易軸方向の向きと
は垂直な即ち磁化困難軸方向であり、磁性膜6の磁化に
要する磁気エネルギーの低減化をはかることができる。
【0019】尚、上述の例では磁性膜6の材料としてア
モルファス軟磁性膜のFe4.6 Co82P13.4
を用いたが、その他種々の磁性膜を用いることができ、
基板4や薄膜コイル9の材料や構成も上述の例に限らず
、その他種々の材料、構成を採ることができる。
【0020】
【発明の効果】上述したように、本発明光磁気用薄膜ヘ
ッドによれば、非磁性基板上に磁性膜を設けたこと即ち
磁芯を設けたことと、更に加えて薄膜コイルの作る磁界
の向きに対してこの磁性膜の磁化容易軸が垂直な向きと
なるようにしたため、磁性膜中の磁界が磁化困難軸方向
に沿うこととなり、記録時に必要な磁界強度を得るため
の電流値の低減化または磁界強度の向上をはかることが
できると共に、短波長化即ち高周波特性の向上をはかっ
て、高記録密度化をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明光磁気用薄膜ヘッドの一例の一部を断面
とした略線的拡大側面図である。
【図2】本発明光磁気用薄膜ヘッドの要部の略線的拡大
上面図である。
【図3】本発明光磁気用薄膜ヘッドの一製造工程を示す
略線的拡大上面図である。
【図4】本発明光磁気用薄膜ヘッドの一製造工程を示す
略線的拡大断面図である。
【図5】本発明光磁気用薄膜ヘッドの一製造工程を示す
略線的拡大断面図である。
【図6】本発明光磁気用薄膜ヘッドの一製造工程を示す
略線的拡大断面図である。
【図7】本発明光磁気用薄膜ヘッドの一製造工程を示す
略線的拡大上面図である。
【図8】本発明光磁気用薄膜ヘッドの一製造工程を示す
略線的拡大上面図である。
【図9】比較光磁気用薄膜ヘッドの一製造工程を示す略
線的拡大上面図である。
【図10】本発明光磁気用薄膜ヘッドの要部の略線的拡
大上面図である。
【図11】本発明光磁気用薄膜ヘッドの要部の略線的拡
大断面図である。
【図12】従来の光磁気用薄膜ヘッドの一例の一部を断
面とした略線的拡大側面図である。
【符号の説明】
1  光磁気記録媒体 1A  面 1B  面 2  光センサ 3  磁気ヘッド 4  基板 5  下地層 6  磁性膜 7  レジスト 8  絶縁層 9  薄膜コイル 10  保護膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  光磁気記録媒体に対向して磁気ヘッド
    と光ヘッドが配置される光磁気用薄膜ヘッドにおいて、
    上記磁気ヘッドが、非磁性の基板上に磁性膜が被着され
    、該磁性膜上に薄膜コイルが形成され、上記磁性膜は、
    上記コイルの作る磁界とほぼ直交方向に磁化容易軸を有
    するようになされたことを特徴とする光磁気用薄膜ヘッ
    ド。
JP41449390A 1990-12-26 1990-12-26 光磁気用薄膜ヘッド Pending JPH04222946A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019187356A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 国立大学法人東京大学 記録方法、記録装置、再生方法、再生装置、及び、高速応答素子

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JPWO2019187356A1 (ja) * 2018-03-29 2021-02-12 国立大学法人 東京大学 記録方法、記録装置、再生方法、再生装置、及び、高速応答素子
US11315595B2 (en) 2018-03-29 2022-04-26 The University Of Tokyo Recording method, recording device, reproduction method, reproduction device, and high-speed response element
TWI805678B (zh) * 2018-03-29 2023-06-21 國立大學法人東京大學 記錄方法、記錄裝置、再生方法、再生裝置及高速響應元件

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