JPH04221932A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH04221932A JPH04221932A JP3052072A JP5207291A JPH04221932A JP H04221932 A JPH04221932 A JP H04221932A JP 3052072 A JP3052072 A JP 3052072A JP 5207291 A JP5207291 A JP 5207291A JP H04221932 A JPH04221932 A JP H04221932A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１つの層状の背面電極
を有し絶縁材から成る第１の基板と、１つの平面内に位
置する複数個の層状の制御電極を有し絶縁材から成る第
２の基板と、前記背面電極と前記制御電極との間に設け
られた液晶層と、絶縁層と、さらに所属の制御電極と導
電接続された複数個の層状の導体路とを有する液晶表示
装置に関する。この場合、前記複数個の導体路は１つの
平面内で第２の基板上に被着されている。
を有し絶縁材から成る第１の基板と、１つの平面内に位
置する複数個の層状の制御電極を有し絶縁材から成る第
２の基板と、前記背面電極と前記制御電極との間に設け
られた液晶層と、絶縁層と、さらに所属の制御電極と導
電接続された複数個の層状の導体路とを有する液晶表示
装置に関する。この場合、前記複数個の導体路は１つの
平面内で第２の基板上に被着されている。
【０００２】
【従来技術】上記の形式の液晶表示装置は、例えばヨー
ロッパ特許１４６２８５Ａ３号により知られている。こ
の場合、制御電極への導体路はそれらの制御電極と同じ
平面内に設けられており、各制御電極の間の空隙に延在
している。各制御電極間の間隔をあまり大きくすべきで
はないので―これにより表示部の分解能が劣化する―導
体路を著しく細く設計しなければならない。これにより
例えば比較的広い面積の表示部の場合、導体路の線路抵
抗が障害となる。さらにこれにより必然的に導体路の個
数が制限され、ひいては制御電極の個数も制限される。
ロッパ特許１４６２８５Ａ３号により知られている。こ
の場合、制御電極への導体路はそれらの制御電極と同じ
平面内に設けられており、各制御電極の間の空隙に延在
している。各制御電極間の間隔をあまり大きくすべきで
はないので―これにより表示部の分解能が劣化する―導
体路を著しく細く設計しなければならない。これにより
例えば比較的広い面積の表示部の場合、導体路の線路抵
抗が障害となる。さらにこれにより必然的に導体路の個
数が制限され、ひいては制御電極の個数も制限される。
【０００３】さらにリード線の個数を減らす目的で、液
晶表示部をマルチプレクス方式によりスタティックに制
御する代わりに、例えばマトリクス構成により制御する
ことも知られている。この場合、表示面積が著しく大き
いとコントラスト障害が発生する。
晶表示部をマルチプレクス方式によりスタティックに制
御する代わりに、例えばマトリクス構成により制御する
ことも知られている。この場合、表示面積が著しく大き
いとコントラスト障害が発生する。
【０００４】
【発明の解決すべき課題】したがって本発明の課題は、
冒頭で述べた形式の表示装置を以下のように改善するこ
とにある。即ち、広い表示面積に制御電極の個数を増加
させて設けることができるようにし、その際にそれらの
制御電極は、互いに最小の間隔を有することができるよ
うに改善することにある。さらに他方、導体路の線路抵
抗を低減させ、また、画素数が多い場合でもスタティッ
クな制御駆動が可能であるようにする。さらに、両方の
基板の組み立てが容易であるよう改善にする。何故なら
ば両方の基板の側面の相互の調整の場合に、組立ての許
容誤差は、画素の形状に対し障害を及ぼすことがないか
らである。
冒頭で述べた形式の表示装置を以下のように改善するこ
とにある。即ち、広い表示面積に制御電極の個数を増加
させて設けることができるようにし、その際にそれらの
制御電極は、互いに最小の間隔を有することができるよ
うに改善することにある。さらに他方、導体路の線路抵
抗を低減させ、また、画素数が多い場合でもスタティッ
クな制御駆動が可能であるようにする。さらに、両方の
基板の組み立てが容易であるよう改善にする。何故なら
ば両方の基板の側面の相互の調整の場合に、組立ての許
容誤差は、画素の形状に対し障害を及ぼすことがないか
らである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は、制御電極の
平面と導体路の平面との間に絶縁層を配置し、該絶縁層
には複数個の貫通口を設け、前記導体路を所属の制御電
極と導電接続する目的で、前記貫通口を通って接触接続
部を延在しさせるようにしたことによって解決される。
平面と導体路の平面との間に絶縁層を配置し、該絶縁層
には複数個の貫通口を設け、前記導体路を所属の制御電
極と導電接続する目的で、前記貫通口を通って接触接続
部を延在しさせるようにしたことによって解決される。
【０００６】
【発明の効果】上記の装置は高分解能でコントラストの
大きい表示部を有する。この表示部は、マルチプレクス
駆動の代わりに静的にも駆動される。何故ならば各制御
電極に１つのリード線を配属可能であるからであって、
その際、このリード線は可能なかぎり広い幅を有するた
め路抵抗は僅かである。透明な背面電極を用いれば両方
の基板の組み立ては実質的に簡単化される。何故ならば
側面の調整に関する許容差は画素の形成に対して問題と
はならないからである。
大きい表示部を有する。この表示部は、マルチプレクス
駆動の代わりに静的にも駆動される。何故ならば各制御
電極に１つのリード線を配属可能であるからであって、
その際、このリード線は可能なかぎり広い幅を有するた
め路抵抗は僅かである。透明な背面電極を用いれば両方
の基板の組み立ては実質的に簡単化される。何故ならば
側面の調整に関する許容差は画素の形成に対して問題と
はならないからである。
【０００７】公知の装置では、組立て偏差に起因して著
しく広幅に構成された背面電極によって、電圧を導く電
極間の間で不所望に交差するという危険が生じるが、本
発明による装置の場合、この種の不所望な交差は十分に
回避されている。
しく広幅に構成された背面電極によって、電圧を導く電
極間の間で不所望に交差するという危険が生じるが、本
発明による装置の場合、この種の不所望な交差は十分に
回避されている。
【０００８】次に、図面に示された本発明による液晶表
示装置の概略的な断面図をもとに、本発明を詳細に説明
する。
示装置の概略的な断面図をもとに、本発明を詳細に説明
する。
【０００９】
【実施例の説明】第１図には、有利にはガラス板から成
る２つの基板１および２が示されている。基板２の上に
は、リード線として形成された複数個の導体路６と複数
個の制御電極４とが、基板１および２に対して平行に延
在する平面内にそれぞれ設けられている。両方の平面は
互いに隔てられており、その際、スペーサとして絶縁層
５が用いられている。つまり制御電極４はこの絶縁層５
の一方の表面上に配置されており、リード線６は他方の
表面上に配置されているのである。
る２つの基板１および２が示されている。基板２の上に
は、リード線として形成された複数個の導体路６と複数
個の制御電極４とが、基板１および２に対して平行に延
在する平面内にそれぞれ設けられている。両方の平面は
互いに隔てられており、その際、スペーサとして絶縁層
５が用いられている。つまり制御電極４はこの絶縁層５
の一方の表面上に配置されており、リード線６は他方の
表面上に配置されているのである。
【００１０】この絶縁層の有利な厚さは０．０５μｍ〜
０．１μｍの間である。リード線と制御電極は、それぞ
れ０．０２５μｍと０．１μｍの厚さを有することがで
きる。
０．１μｍの間である。リード線と制御電極は、それぞ
れ０．０２５μｍと０．１μｍの厚さを有することがで
きる。
【００１１】基板１は、例えば全面にわたって背面電極
３を支持している。制御電極と背面電極との間に液晶層
が設けられており、この液晶層の光学的透光特性は、公
知のように背面電極３と制御電極４との間に加えられる
電圧によって変更可能である。通常、さらに別の層を設
けることができることも念のため言及しておく。つまり
例えばパシベーション層を基板１および２の表面上に設
け、さらに配向層を、液晶層８に隣接する電極層３およ
び４の表面上に設けることもできる。
３を支持している。制御電極と背面電極との間に液晶層
が設けられており、この液晶層の光学的透光特性は、公
知のように背面電極３と制御電極４との間に加えられる
電圧によって変更可能である。通常、さらに別の層を設
けることができることも念のため言及しておく。つまり
例えばパシベーション層を基板１および２の表面上に設
け、さらに配向層を、液晶層８に隣接する電極層３およ
び４の表面上に設けることもできる。
【００１２】全ての層と電極は、十分に透明であるよう
にする。導電層および電極は、公知のように例えばＩＴ
Ｏ層（インジウム―すず―酸化物層）から成る。絶縁層
は、例えばＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４、あるいはＳｉＣ
により構成することができる。これらの層の被着は、公
知の方法にしたがって、例えば真空蒸着、電子ビーム蒸
着、スパッタ、またはフォトリトグラフィプロセスによ
って行なわれる。
にする。導電層および電極は、公知のように例えばＩＴ
Ｏ層（インジウム―すず―酸化物層）から成る。絶縁層
は、例えばＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４、あるいはＳｉＣ
により構成することができる。これらの層の被着は、公
知の方法にしたがって、例えば真空蒸着、電子ビーム蒸
着、スパッタ、またはフォトリトグラフィプロセスによ
って行なわれる。
【００１３】第１図から明らかなように、制御電圧を導
くために用いられる導体路６は、互いにできるかぎり密
に配置されており、基板２の表面の大部分を覆っている
。このためそれらの導体路は大きな横断面積を有してお
り、したがって線路抵抗は僅かである。他方の面に配置
された制御電極４も、互いに最小の間隔で配置されてい
る。何故ならば各電極間に導体路を通す必要がないから
である。
くために用いられる導体路６は、互いにできるかぎり密
に配置されており、基板２の表面の大部分を覆っている
。このためそれらの導体路は大きな横断面積を有してお
り、したがって線路抵抗は僅かである。他方の面に配置
された制御電極４も、互いに最小の間隔で配置されてい
る。何故ならば各電極間に導体路を通す必要がないから
である。
【００１４】ある制御電極４とそれに配属された導体路
６との間の導電接続は、導電性の材料から成る貫通接触
接続部９により行なわれる。この貫通接触接続部９は、
絶縁層５における相応の貫通孔内に設けられている。こ
の貫通接触接続部９は、相応の制御電極４と共に１つの
部材により構成することができる。表示装置の作動中、
制御されていない制御電極を所定の電位に、例えば背面
電極３の電位におくと有利である。いずれにせよ制御さ
れていない制御電極４に印加される電位は、背面電極３
と制御されていない電極との間における電圧が液晶物質
の応動（閾値）電圧を下回るように選定される。
６との間の導電接続は、導電性の材料から成る貫通接触
接続部９により行なわれる。この貫通接触接続部９は、
絶縁層５における相応の貫通孔内に設けられている。こ
の貫通接触接続部９は、相応の制御電極４と共に１つの
部材により構成することができる。表示装置の作動中、
制御されていない制御電極を所定の電位に、例えば背面
電極３の電位におくと有利である。いずれにせよ制御さ
れていない制御電極４に印加される電位は、背面電極３
と制御されていない電極との間における電圧が液晶物質
の応動（閾値）電圧を下回るように選定される。
【００１５】本発明の有利な実施例によれば絶縁層５内
に、制御電極４、貫通接触接続部９および導体路６から
絶縁されている導電性の遮蔽層７が埋め込まれている。 有利には、制御電極で覆われていないが可視面の中にあ
る領域の周囲を、この遮蔽層により必要に応じて覆うこ
ともでき、これによりその場所では不所望な表示が行な
われないようになる。この遮蔽層７を収容する目的で、
絶縁層を２回のステップで取り付けると有利であって、
例えば最初に比較的薄い絶縁層を取り付け、次に遮蔽層
７を取り付け、さらに別の絶縁層を取り付けるようにす
る。作動中この遮蔽層に、液晶物質の閾値電圧よりも小
さな電圧を印加すると有利である。さらに有利には、こ
の遮蔽層に背面電極３と同じ電位が加わるようにすると
有利である。
に、制御電極４、貫通接触接続部９および導体路６から
絶縁されている導電性の遮蔽層７が埋め込まれている。 有利には、制御電極で覆われていないが可視面の中にあ
る領域の周囲を、この遮蔽層により必要に応じて覆うこ
ともでき、これによりその場所では不所望な表示が行な
われないようになる。この遮蔽層７を収容する目的で、
絶縁層を２回のステップで取り付けると有利であって、
例えば最初に比較的薄い絶縁層を取り付け、次に遮蔽層
７を取り付け、さらに別の絶縁層を取り付けるようにす
る。作動中この遮蔽層に、液晶物質の閾値電圧よりも小
さな電圧を印加すると有利である。さらに有利には、こ
の遮蔽層に背面電極３と同じ電位が加わるようにすると
有利である。
【００１６】本発明を大きな液晶表示部（例えば駅、空
港、競技場等の公共インフォメーションシステム）に対
して適用した場合、以下の実例が示すようにその利点が
明らかになる。
港、競技場等の公共インフォメーションシステム）に対
して適用した場合、以下の実例が示すようにその利点が
明らかになる。
【００１７】
この実施例により、同じような製造技術水準であっ
ても、利用可能な複数個の表示面および接触接続面を相
互接続すれば、９６個から約２２００個への画素数の増
加を達成可能であることがとりわけはっきりと示されて
いる。
ても、利用可能な複数個の表示面および接触接続面を相
互接続すれば、９６個から約２２００個への画素数の増
加を達成可能であることがとりわけはっきりと示されて
いる。
【図１】本発明による液晶表示装置を示す図である。
１ 基板
２ 基板
３ 背面電極
４ 制御電極
５ 絶縁層
６ 導体路
７ 遮蔽層
８ 液晶層
Claims (9)
- 【請求項１】 １つの層状の背面電極を有し絶縁材か
ら成る第１の基板と、１つの平面内に位置する複数個の
層状の制御電極を有し絶縁材から成る第２の基板と、前
記背面電極と前記制御電極との間に設けられた液晶層と
、絶縁層と、さらに所属の制御電極と導電接続された複
数個の層状の導体路とを有する液晶表示装置であって、
この場合、前記複数個の導体路（６）は１つの平面内で
第２の基板（２）上に被着されている液晶表示装置にお
いて、制御電極（４）の平面と導体路（６）の平面との
間に絶縁層（５）が配置されており、該絶縁層（５）に
は複数個の貫通口が設けられており、前記導体路（６）
を所属の制御電極（４）と導電接続する目的で、前記貫
通口を通って接触接続部（９）が延在していることを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 導体路（６）により覆われる面積が表
示面積の２０％よりも、有利には３５％よりも大きくな
るようにし、例えば５０％より大きく９５％よりも小さ
い値であるようにした請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 導電層（３，４，６，９）と絶縁層（
５）とが十分に透明であるようにした請求項１または２
記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 絶縁層（５）内に、前記導電層（４，
６，９）とは絶縁された導電性の遮蔽層（７）を埋め込
むようにした請求項１から３のいずれか１項記載の液晶
表示装置。 - 【請求項５】 前記遮蔽層（７）が十分に透明である
ようにした請求項４記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 制御電極（４）の面積が表示面の８０
％よりも、例えば９０％よりも大きく９９．８％よりも
小さい値であるようにした請求項１から５のいずれか１
項記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 マトリクス表示装置として、例えばド
ットマトリクス表示装置として構成された請求項１から
６のいずれか１項記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 スタティックに制御される表示装置と
して構成された請求項１から７のいずれか１項記載の液
晶表示装置。 - 【請求項９】 背面電極が第１の基板（１）上に全面
にわたって形成されている請求項１から８のいずれか１
項記載の液晶表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4009058.2 | 1990-03-21 | ||
| DE4009058A DE4009058A1 (de) | 1990-03-21 | 1990-03-21 | Fluessigkristallanzeigevorrichtung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04221932A true JPH04221932A (ja) | 1992-08-12 |
Family
ID=6402725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3052072A Pending JPH04221932A (ja) | 1990-03-21 | 1991-03-18 | 液晶表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0447621B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04221932A (ja) |
| DE (2) | DE4009058A1 (ja) |
| NO (1) | NO911120L (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005258414A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-09-22 | Seiko Instruments Inc | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2715446A1 (de) * | 1977-04-06 | 1978-10-12 | Siemens Ag | Anzeigevorrichtung |
| US4231640A (en) * | 1977-07-07 | 1980-11-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Matrix type liquid crystal display panel |
| JPS54152998A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-01 | Seiko Epson Corp | Matrix electrode structure |
| US4297004A (en) * | 1978-09-20 | 1981-10-27 | Technical Research of Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display cell |
| DE3300264A1 (de) * | 1983-01-07 | 1984-07-12 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Anzeigevorrichtung mit durchkontaktierten elektroden |
| GB2151832B (en) * | 1983-12-16 | 1987-08-19 | Standard Telephones Cables Ltd | Electro optic flat panel display |
| US4602850A (en) * | 1984-03-08 | 1986-07-29 | Vidium, Inc. | Light valve display having integrated driving circuits and shield electrode |
| DE3524085A1 (de) * | 1985-07-05 | 1987-01-08 | Vdo Schindling | Fluessigkristallzelle |
| JPS6290625A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Toppan Printing Co Ltd | 電極基板 |
| EP0224040B1 (en) * | 1985-11-26 | 1990-09-26 | Stanley Electric Co., Ltd. | Liquid crystal color display device and its manufacturing process |
| JPS62227126A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS62240321A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-21 | Sanyo Chem Ind Ltd | ポリオキシテトラメチレンの製造法 |
| JPS62240935A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-21 | Seiko Epson Corp | 空間光変調器 |
| JPS6355529A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-10 | Nec Corp | アクティブ・マトリクス液晶表示装置の製造方法 |
| JPS6397919A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル |
| JPS63313132A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型液晶表示デバイス |
-
1990
- 1990-03-21 DE DE4009058A patent/DE4009058A1/de not_active Withdrawn
- 1990-11-10 EP EP90121522A patent/EP0447621B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-10 DE DE59009538T patent/DE59009538D1/de not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-18 JP JP3052072A patent/JPH04221932A/ja active Pending
- 1991-03-20 NO NO91911120A patent/NO911120L/no unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005258414A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-09-22 | Seiko Instruments Inc | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE59009538D1 (de) | 1995-09-21 |
| EP0447621B1 (de) | 1995-08-16 |
| NO911120D0 (no) | 1991-03-20 |
| EP0447621A3 (en) | 1992-03-25 |
| NO911120L (no) | 1991-09-23 |
| DE4009058A1 (de) | 1991-09-26 |
| EP0447621A2 (de) | 1991-09-25 |
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