JPH04221801A

JPH04221801A - バリスタ構造

Info

Publication number: JPH04221801A
Application number: JP3076870A
Authority: JP
Inventors: Stephen P Cowman; ステファン・ピー・カウマン
Original assignee: ECCO Ltd
Current assignee: ECCO Ltd
Priority date: 1990-03-16
Filing date: 1991-03-16
Publication date: 1992-08-12
Also published as: DE4108535A1; GB2242066B; GB9005992D0; US5115221A; IE65063B1; GB2242066A; IE910871A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は主にバリスタに関し、特
にスクリーン印刷法によって生産されるバリスタの新規
な積層構造に関する。

【０００２】

【関連出願】本出願は、本出願と同時に継続している、
“バリスタ用インキ組成物”（１９９０年３月１６日に
出願された英国特許願第９００５９９１．６号）と、“
バリスタ構造”（１９９０年３月１６日に出願された英
国特許願第９００５９９３．２号）と、“バリスタ製造
方法及び装置”（１９９０年３月１６日に出願された英
国特許願第９００５９９４−０号）と、に関連するもの
である。これらの出願の説明は、この出願の中で合体さ
れている。

【０００３】

【発明の背景】酸化亜鉛バリスタは、酸化亜鉛をベース
としたセラミック半導体である。これらは、返還負荷ツ
ェナーダイオードに近似し、高い非線形の電流，電圧特
性を有するが、大きな電流とエネルギー処理能力を要す
る。バリスタは電気的絶縁バリヤによって包囲された導
電性酸化亜鉛粒子を含む構造になるように、セラミック
焼結工程によって製造される。これらのバリヤは、ビス
マス，コバルト，プラセオジウム，マンガン等の添加物
によって誘導される粒子境界において、トラップ状態に
帰する。

【０００４】酸化亜鉛バリスタの製造は、伝統的に典型
的なセラミック技術によっている。例えば、酸化亜鉛と
その他の成分がボールミルの中でのミリングによって混
合され、その後エア乾燥される。混合粉末は乾燥され、
標準的にはタブレットやペレット等の所望の形状にプレ
ス成形される。成形されたタブレット又はペレットは、
一般的には１０００℃〜１４００℃の高温で焼結される
。その後、焼結物には一般的には燃焼銀接点からなる電
極が設けられる。焼結物の挙動は、電極の形状や基本性
質による影響は受けない。その後、半だ付けによってリ
ード線が接着され、指定された取付け部と性能要求に適
合するように重合体材料のカプセルに入れられて製造が
完了する。

【０００５】

【発明の目的，課題及び課題を解決するための手段】本
発明の目的は、多層バリスタを提供することにある。本
発明の他の目的は、積層バリスタの有用な構造の多様化
を図ることにある。

【０００６】本発明の第１の実施例に係るバリスタは、
複数のセラミック層と複数の電極材層とを備えている。これらの層は、２つの電極材層の間に各セラミック層を
挟み込んでいる。少なくとも１つの電極材の層の少なく
とも一部は、バリスタの第１面部分まで達し、少なくと
も他の１つの電極材の層の少なくとも他の一部分は、バ
リスタの第２面部分まで達する。導電材の第１のボディ
ーは、少なくとも１つの電極材層の部分と電気的に接続
されるように、少なくとも第１面部分に密着している。少なくとも１つの電極材層の部分は、セラミック材によ
ってバリスタの他の全ての表面部分と絶縁されている。導電材の第２のボディーは、少なくとも他の１つの電極
材層の部分と電気的に接続されるように、少なくとも第
２面部分に密着している。少なくとも他の１つの電極材
層の部分は、セラミック材によってバリスタの他の全て
の表面部分と絶縁されている。導電材のボディーは、バ
リスタの端子を画している。２つの電極材層に挟まれた
各セラミック材層は、３０．０ミクロン以下の厚さに成
形されている。

【０００７】他の実施例においては、本発明に係るバリ
スタは、複数のセラミック層と複数の電極材層とを備え
、これらの層が挟み込まれている。各セラミック層は２
つの電極材層の間に挟み込まれている。少なくとも１つ
の電極材の層の少なくとも一部は、バリスタの第１面部
分まで達し、少なくとも他の１つの電極材の層の少なく
とも他の一部分は、バリスタの第２面部分まで達する。導電材の第１のボディーは、少なくとも１つの電極材層
の部分と電気的に接続されるように、少なくとも第１面
部分に密着している。少なくとも１つの電極材層の部分
は、セラミック材によってバリスタの他の全ての表面部
分と絶縁されている。導電材の第２のボディーは、少な
くとも他の１つの電極材層の部分と電気的に接続される
ように、少なくとも第２面部分に密着している。少なく
とも他の１つの電極材層の部分は、セラミック材によっ
てバリスタの他の全ての表面部分と絶縁されている。導
電材のボディーは、バリスタの端子を画している。２つ
の電極材層に挟まれた各セラミック材層は、粉末懸垂の
多重堆積とその後の熱処理によって成形され、これによ
って低有孔率のセラミック材の密な連続体が得られる。低有孔率セラミック材の密な連続体を得るために、前記
熱処理によって結合する粉末懸垂の多重堆積によって各
セラミック材層を成形する。

【０００８】２つの電極材層と分離した各セラミック材
層は、２つの電極材層と分離した他の全てのセラミック
材層と概ね同じ厚さを有し、その厚さはセラミック材の
分離層の全領域と概ね一致している。各電極材層は、他
の全ての電極材層と概ね同じ厚さを有し、その厚さはセ
ラミック材の分離層の全領域と概ね一致するように成形
する。

【０００９】少なくとも１つの電極材層は、２つの電極
材層と分離した何れのセラミック材層より厚いセラミッ
ク材層によって、バリスタの外面部から分離する。更に
、その他に少なくとも１つの電極材層は、分離したセラ
ミック材層の構成と違った構成のセラミック材層によっ
て、バリスタの外面部から分離する。

【００１０】本発明の一実施例においては、複数の電極
材層の少なくとも１つの層は、電極材の単領域によって
区別されている。また、複数の電極材層の少なくとも１
つの層は、電極材の個々の領域によって形成される。

【００１１】最初の実施例においては、本発明のバリス
タは概ね矩形ブロック形状または外形をしており、電極
材層は概ね平坦で、最大面積のバリスタの側面に概ね平
行に延びている。矩形ブロック形状バリスタの端面は、
第１面部分と第２面部分を区別している。

【００１２】他の実施例の本発明によるバリスタは、外
形が概ね円筒状でもよく、電極材層は略平坦で円筒状バ
リスタの軸を横切って延びる。第１面部分と第２面部分
は、バリスタの屈曲面部分によって形成されている。第
１面部分と第２面部分のうちの１つが、環状バリスタの
凸面部分の外部表面であり、他の１つが、環状材の中央
空間の凹面部分の表面である。

【００１３】本発明のその他の実施例の何れの形状にお
いても、電極材層の少なくとも１つと他の１つは共に、
複数の電極層によって形成されている。従って、他の実
施例で示されたバリスタも、３つのセラミック材層と２
つの電極材層を備え、セラミック層の１つが２つの電極
材層の間に挟み込まれている。電極材層の第１層はバリ
スタの第１の外面に達し、電極材層の他の層はバリスタ
の第２の外面に達する。導電材の第１のボディーは少な
くとも第１の外面部に接触し、これによって第１の電極
材層と電気的に接続される。第１の電極材層は、セラミ
ック材によってバリスタの他の全ての外面部と分離（絶
縁）されている。導電材の第２のボディーは少なくとも
第２の外面部に接触し、これによって他の電極材層と電
気的に接続される。他の電極材層は、セラミック材によ
ってバリスタの他の全ての外面部と分離（絶縁）されて
いる。導電材のボディーは、バリスタの端子を形成して
いる。２つの電極材層の間に挟み込まれたセラミック層
は、粉末懸垂の堆積とその後の熱処理によって成形され
、これによって低有孔率のセラミック材の密な連続体が
得られる。

【００１４】本発明の他の一実施例によるバリスタの製
造装置は、一般に以下の構成要素を含んでいる。（ａ）　基板材にセラミックインクを塗る少なくとも１
つのステーション（ｂ）　基板材にセラミック以外のインクを塗る少なく
とも１つのステーション（ｃ）　ステーションからステーションへの基板材の前
進のために、ステーション同士を連結する移送手段（ｄ
）　プリント動作と基板移動の規制，調整を行う制御手
段

【００１５】この装置は、更に以下の構成要素を含むよ
うに構成してもよい。（ａ）　基板材にセラミックインクを塗る少なくとも１
つのスクリーン印刷ステーション（ｂ）　基板材にセラミック以外のインクを塗る少なく
とも１つのスクリーン印刷ステーション（ｃ）　ステーションからステーションへの基板材の前
進のために、ステーション同士を連結する移送手段（ｄ
）　プリント動作と基板移動の規制，調整を行う制御手
段ステーションは複数のセラミックインク印刷ステーシ
ョンであり、連続閉路中に配置される。

【００１６】この装置の各ステーションは以下の構成要
素を含む。（ａ）　少なくとも印刷動作中、基板を支持する手段（
ｂ）　印刷スクリーンを支持する手段（ｃ）　インク塗
布棒（ｄ）　プリント動作時に基板材に対抗してスクリーン
に圧力を加える押圧手段

【００１７】本発明の一実施例に係るバリスタ製造方法
は、以下の工程を含む。（ａ）　セラミック材の第１層を基板に形成する工程（
ｂ）　多数の導電領域をセラミック層に形成する工程（
ｃ）　多数の導電領域を被覆するために、更にセラミッ
ク材層を形成する工程（ｄ）　少なくとも１回（ｂ）　と（ｃ）　の工程を繰
り返す工程（ｅ）　多数の導電領域を被覆するために、
最終のセラミック材層を形成する工程（ｆ）　セラミック合成と導電材の集積を基板から分離
する工程

【００１８】この製法は更に以下の工程を含む。（ａ）　セラミック材の第１層を基板上に印刷する工程
（ｂ）　多数の導電材領域をセラミック層の上に印刷す
る工程（ｃ）　多数の導電領域を被覆するために、更にセラミ
ック材層を印刷する工程（ｄ）　少なくとも１回（ｂ）　と（ｃ）　の工程を繰
り返す工程（ｅ）　多数の導電領域を被覆するために、
最終のセラミック材層を印刷する工程（ｆ）　印刷セラミック合成と導電材の集積を基板から
分離する工程

【００１９】この製法は、印刷層を分割する工程を適切
に加えることにより、それぞれが複数のセラミック材層
と複数の電極材層を有するバリスタの多様化を図ってい
る。これらの層は、２つのセラミック層の間に電極材層
を挟み込んでいる。分割工程は、少なくとも各々が、複
数の導電材領域を含む少なくとも１つの電極材層を有す
る各バリスタを供給する。

【００２０】この製法は、前記少なくとも１つの導電材
層の位置の外部表示を得るために、更に指標部材によっ
て形成される領域の多数が最終セラミック材層の外表面
の上に印刷されるという工程を含む。好ましくは、全印
刷領域に渡って一定の厚さの印刷セラミック層を得るた
めに、セラミック構成印刷工程のパラメーターを制御す
るようにする。また、全領域に渡って電極材層の厚さを
制御するように、導電材印刷工程のパラメーターを制御
する。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の各実施例を添付図面を参照し
つつ更に詳しく説明する。なお、同一符号は同一構成要
素を示すものとする。

【００２２】図１から図４に示されているように、バリ
スタ１は各々上下２つの電極層３に挟まれた多数の電極
間セラミック層から構成されている。このサンドイッチ
構造は、電極の側部及び端部の周辺セラミック領域５に
より、上下のセラミック層４内に配置される。これらの
図に示された一般的な方形バリスタの各軸端部において
は、交互電極層３はセラミック材の軸方向端面まで延び
、端部の端子キャップ６（一般に銀／パラジウムコーテ
ィングによって成形される）と電気的に接続される。この種のバリスタ１のサイズは、３０００．０×２５０
０．０ミクロン（１ミクロン＝１０００ミリメートル）
である。ユニットの性能により、電極層の厚さは約０．
３〜４．０ミクロンとし、電極間セラミック層２の厚さ
は１０．０〜６００．０ミクロンとする。外部セラミッ
ク層４は、一般に厚さが電極間セラミック層２の３倍以
上で、３０．０〜１８００．０ミクロンの厚みをもち、
これは側部セラミック領域５と端子キャップ６と接続さ
れない電極層端部の軸方向外部のセラミック材部分と略
同様の厚さと言える。

【００２３】この種の積層バリスタ構造１は、連続層の
厚さに応じて閉制御されるスクリーン印刷工程によって
適切な構成をもって製造される。多層バリスタ１内の電
極層が平行状態を維持することは最も重要な条件である
。装置が活性状態にある時には、同時に電極層３の全て
が必ず駆動するように、電極層３は比較的な小さい誤差
内で平行状態を維持すべきである。

【００２４】すなわち、本発明が示しているこの種のバ
リスタ１の本来の性能を保証するためには、狭い許容範
囲（一般的に±２％）内で各電極間セラミック層２の厚
みは他の全てのセラミック電極間層２と略同一であるこ
とが重要である。このように、各電極間層２は他の全て
の平面（層）と平行でなくてはならない。図２及び図３
に示された断面図のように、積層スタック構造装置１の
垂直高さ方向全域に渡って、セラミック材と電極材の両
層の平行状態が維持されることは非常に重要である。

【００２５】これに対し、電極層の一方のエッジと端部
と、他方のそれを一致させることは、それほど重要では
ない。電極層の端部と普通に合わせられた垂直面が、図
２の７−７の線によって示されているが、電極層の端部
が他方の端部と正確に一直線上で一致さる必要がないこ
とが分かる。同様に、図３の横断面においては、電極層
のサイドエッジは８−８線と完全に一致させる必要はな
い。バリスタ１の性能は、電極間層３の領域（面）で決
まるというよりは、厚さや均等性によって決まる。不要
なトラッキング発生の傾向があるとする見地からは、図
２の符号９（破線）で示された領域は、実際のところ、
装置内の最小抵抗路を通って電流が流れた後はバリスタ
１の規格性能内で最も重要と思われる。もし、符号９に
沿った経路の抵抗が、電極層３を経由して端子キャップ
６の間に設けられた経路の抵抗より小さい時には、ユニ
ットのこの部分でトラッキングが生じ得る。

【００２６】図５には、本発明の他の実施例に係る交互
バリスタ１１の構造が示されており、単層の電極間セラ
ミック材層１２が２つの電極層１３の間に配置されてい
る。これらの電極層１３は、外部セラミック層１４によ
ってバリスタの外面と分離されている。各電極層１３の
一端は、端部端子キャップ１６まで達している。電極層
の他端は、結合周辺領域１５に達している。この装置１
１の動作と製造方法は、上述した図１〜図４に示した実
施例と略同様である。

【００２７】図１〜図４と図５のバリスタ１，１１は、
それぞれ外部セラミック層４，１４内に本来的には絶縁
層を有する必要がある。この絶縁層は、図１〜図４に示
したバリスタ用としては、図６に示された要領で電極間
セラミック層２より厚みの大きいセラミック材の外層２
１を備えることによって達成される。この方法によれば
、端子キャップ６との間、すなわち通常の矩形バリスタ
ブロック１の側面コーナー２３の周囲、最外部の電極層
３、上下の表面２４のような最も密閉されている箇所で
発生し易いトラッキングが減少する。一般的には、外層
２１の厚さは図６に示されているように、概ね電極間セ
ラミック層２の３倍とする。

【００２８】これに代わって、セラミック材の外層２１
は、図７の符号２２で表示されているように、異なる組
成のセラミック２２で成形してもよい。この例において
、外層のセラミック材２２はバリスタ１の他の部分と基
本的に同じ系統のものでもよいが、電極間セラミック層
２に比べて粒子境界の数を大幅に増加させ、抵抗を増加
させるた構造とする。これにより、外層２２の不要なト
ラッキングの発生が減少する。他方、異なる組成のセラ
ミック材を外層２２に用いた場合にも、バリスタ１の外
部２２内の異系統のセラミック材が大きな厚みを持つこ
とは、安全性の点で価値がある。端子キャップ６に達し
ない電極層３のエッジ周辺において、セラミック材は外
部トラッキングの発生回避を保証するために、十分な厚
み及び、又は適切な組成を有する。外層２２の異なる組
成のセラミック材は、層の厚みを大きくして使用しても
よく、例えばセラミック電極間層２の３倍以上にする。すなわち、電極材３は製品全域にわたって肉厚外層２２
と同じか、厚さを除いて異なり、若しくは厚さ増加率の
み同一とし、最終的には異なる材質で外層２２が電極間
層２より極めて大きな厚さを有するものでもよい。

【００２９】図８及び図９には、多層バリスタの接続ピ
ン３１の外形が示されている。ピン３１は、電極層３３
の間の電極間セラミック層３２を備えている。セラミッ
ク端層３４は、また図１〜図６と同様に、大きな厚み及
び、又は異なる組成を有する。外端子キャップ３５は一
般に円筒形接続ピン３１の外周に設けられ、内端子キャ
ップ３６はセンターボア３７（接続ピンを貫通する軸孔
）の中に設けられている。交互電極層３３は外端子キャ
ップ３５と電気的に接続するために、セラミック材の表
面又は内端子キャップ３６の一方に達している。

【００３０】図１０と図１１には円板状のバリスタが示
され、電極間セラミック層４２が電極層４３の間に配置
され、肉厚層４４によってディスクの外端表面と分離さ
れている。外端子キャップ４５はディスクの外周周辺ま
で達しており、内端子キャップ４６は中央ボア４７の内
周を金属化することによって形成されている。交互電極
層４３は、外キャップ４５又は内キャップ４６の一方と
導電接続されている。

【００３１】多層構造の利点は、従来のバリスタの放射
状構造に比べて有効な導電領域が増加することにある。多層バリスタがＯＮされると、第１端部端子４５に接続
された１つの電極と他の端部端子４６に接続された他の
電極からなる電極４３の各ペアの間に、電極間セラミッ
ク層４２を通して電気が流れる。これにより、放射装置
の単路に比べ、コンパクトな構造でありながら、ＯＮ状
態で複数の電気的並列導電路が得られる。

【００３２】また、電極４３がセラミック構造等の中に
完全に含まれ、すなわち埋め込まれているため、電圧容
量も増加することになる。特に、２つの埋没電極１３が
単介在電極間セラミック層１２と共に使用される図５の
構造においては、低いキャパシタンスでありながら高電
圧容量の装置が得られる。

【００３３】上述した全ての実施例において示した交互
構造バリスタは、図１〜図４，図５，図６及び図７に示
したような矩形バリスタ用として、図１２に明確に示さ
れているスクリーン印刷工程によって製造され、これと
同様の構造的技術が図８〜図１１の接続ピン及び円板構
造にも適用される。図１２に示されているように、バリ
スタ層は基板５１上に積層される。セラミック層は第１
スクリーン５２を使用して形成される。この第１又はセ
ラミック層スクリーン５２は、セラミック層のサイズを
決めるマスク領域５３を有し、このマスク領域５３はセ
ラミック層の印刷工程の間に形成される。概ね周知の方
式で実施される印刷動作においては、セラミックインク
がスクリーン５２上に浸され、基板上にセラミック層を
形成するために当該インクは加圧によりマスク領域５３
を通して浸透する。次の印刷工程においては、マスク領
域５５を有する電極スクリーン５４が使用される。マス
ク領域５５内において、多くの電極領域５６が形成され
る。セラミック層上の電極領域の印刷は、セラミック層
自体を形成するのと同様の手順で、スクリーン上に電極
インクを浸し、当該インクをマスク領域５６を透過させ
ることによって、セラミック層上にインクパッチを多数
形成する。セラミック，電極材の何れの層も、次の印刷
動作を行う前に十分に乾燥させる必要がある。

【００３４】何れのケースにおいても、セラミックバリ
スタ材インクはスクリーンの上に浸され、更にセラミッ
ク層を形成するためにマスク領域を透過させる。各連続
電極層は必要な端部端子の形成を保証するように前焼結
電極層に対応して移動し、端部端子キャップと電極外部
接続を行う。これらの層を積層する場合は、最終外部セ
ラミック層の塗布によって最終工程が完了する。既に述
べたように、第１及び最終セラミック層は、電極間層よ
りも厚さが大きい。更に加えて、又は別に、異なる組成
のセラミックインクを使用して形成しても良い。最終印
刷工程において、製品のセラミック面を印刷するために
、カーボンインク等のマーカーインクを使用してもよく
、個々のバリスタユニットへの印刷完了製品の分配のた
め所定の面で切断するために、マーカーインクによるパ
ッチを内部電極印刷層の１つと合わせる。完成基板はそ
の後、多くの方形ブロックに分離，切断され、完成構造
に要求される方法により、とりわけ図１〜図４に示され
ているように、各電極層が完成切断ブロックの適切な端
面に達するように配置される、すなわち交互電極層は方
形ブロックの反対側の端部に達するが、各電極層の他端
はセラミック材内に埋没維持される。

【００３５】全く同様の生産方法を図８〜図１１の軸構
造に適用してもよい。このケースにおいては、連続層は
完成品の軸方向に形成され、電極層のマスクは円形また
は環状に成形される。完成品の切断は方形ブロックの場
合に類似した方法を用いて行われ、要求された配置の交
互形状に適合させる。

【００３６】個々のユニットを得るために積層バリスタ
を切断した後は、特に図６及び図７に符号２３で示され
ているような丸いエッジまたは角を形成するために、鋭
利な角とエッジを除去する処理を行う。その後、周知の
方法によって焼き上げ及び焼成を行い、端部端子キャッ
プ６が成形される。一般的には、バリスタの他の回路構
成への半だ付けを促進するために、これらは銀／パラジ
ウム材によって作られる。

【００３７】次に、先の項で簡単に説明した本発明に係
るバリスタの製造方法，製造工程を、図１３〜図１８を
参照しつつ更に詳しく説明する。

【００３８】先ず、図１３に示されたスクリーン印刷技
術を使用する多層バリスタの生産に必要な各構成要素の
準備工程を含むフローチャート図を見ると、既に上述し
たように、図の左端が本出願と同時に継続している他の
出願に詳しく示された物理的（物質的）構成の準備が概
ね示され、一方、右側部分は当該方法に用いられる要素
の処理の機械的ステップの順序が示されている。

【００３９】図の左側を参照すると、準備の初期段階で
適量の酸化亜鉛粉末，添加物及び有機物質を調達するス
テップがある。酸化亜鉛粉末，添加物及び有機物質は共
に、合成物をスプレー乾燥，サイズ縮小のためのか焼及
び乾燥の後に、スラリー準備ステップに移行する。その
後、セラミックインクの準備が行われ、か焼粉末が他の
有機物と結合する。合成インクは、本発明のバリスタ生
産方法で使用される前に、粘度測定チェックを受ける。

【００４０】図の右側に注意すると、電極インクが製造
され、セラミックと電極印刷用の適切なスクリーンが準
備され、これらを集めて点検し、最後に基板が準備され
る。基板は、工程の中心的ステップを実行する印刷機の
中にセットされる。ステップの流れは、基板から完成バ
リスタ（Ｓ）を分離するステップと、要求により個々の
バリスタユニットを形成するために平板状製品を切断す
るステップと、焼成，焼結ステップと、分離された個々
の製品ユニットから鋭利なエッジと角を取り除く上述し
たランブリングステップと、点検ステップと、テストス
テップと、出荷の準備としての最終出力ステージとを含
んでいる。

【００４１】この方法に使用される基板の好ましい形状
は、平板四角形状である。本発明の製法の使用に含まれ
る多くの移送動作と印刷ステップの容易な実行を保証す
るために、基板の大きさに適合させる相対的品質閉制御
チェックを行う。

【００４２】この方法を実行するのに使用される印刷機
械は、各印刷動作の間、多数の基板ユニットを供給する
。従って、この適切な数の基板ユニットをカセットの中
に収納した印刷機械が稼動される各印刷動作において、
全てのプレートは同一厚さを有することになる。基板ユ
ニットは印刷機械で使用するときにカセットから前進移
動する。

【００４３】印刷機械の使用時は、基板はローディング
ステーションのシステムの中に置かれ、通常の前進移動
によりトラックに沿ってステーションから次のステーシ
ョンへと移動する。各プリント層はセラミック又は電極
インクの次の層を塗布する前に十分に乾燥させておく必
要があり、装置はインクの各印刷が基板が次の印刷ステ
ーションに達するまでに完全に乾くような乾燥手段を備
える。４つの印刷ステーションのうち、３つはセラミッ
クインクの塗布に使用され、４つ目は電極層を積層する
役目を果たし、印刷ステーションは基板によって移動す
る持続閉路に沿って配置される。印刷動作の全体と基板
の前進移動はコンピューターによって適切に制御される
。

【００４４】次に、印刷動作について図１４を参照して
説明する。４つの全ての印刷ステーションは実質的に等
しく、各々印刷動作中に基板５１を支持する部材を備え
ている。印刷スクリーン５２は、適当な支持手段によっ
て印刷動作中は基板５１の上に配置される。印刷ヘッド
構造は、前方向のインク拡散ストロークの時にスクリー
ン５２の上にインクを拡散させる浸漬バー（図示せず）
を備えている。加圧部材８４は、インク拡散相の前進の
際に、浸漬バーに先立って設置される。加圧部材８４は
、浸漬ステップの際に、インク表面の上に上昇し、スク
リーンとインクの両方から離れる。実際の印刷動作にお
いては、加圧部材８４は印刷若しくは図１４の矢印８５
で示されているように後退する印刷処理中の浸漬動作の
間、上昇位置から降下する。加圧部材８４の形状及び配
置は、当該部材８４の繰り返し或いは後退の間、インク
が基板５１の上に塗布及び印刷されるように設定さてい
る。

【００４５】基板５１の印刷位置においては、図１４の
符号８６に示さているように、スクリーンと基板の所謂
スナップオフ間隔が生じる。加圧部材８４が印刷又はリ
ターンストロークの際にスクリーン５２を横切って移動
するため、加圧部材８４が下流印刷動作、若しくは基板
自体が最初の印刷動作にあれば、スクリーンは既に基板
５１上に印刷されている材料の先端と接触するまでスナ
ップオフ間隔を通して下方に加圧される。加圧部材８４
の輪郭は、スクリーン材５２が加圧部材８４の進行方向
に向かって当該部材８４の前にくるようになっており、
印刷領域の表面８７に向かって下方に傾斜しており、そ
の時スイングはエッジ８８を加圧する加圧部材８４の後
方に向かって突然に上向きとなる。スナップオフという
言葉は、スクリーン材の加圧部材８４の後方へのスナッ
ピングバック動作（効率よくスムースな印刷動作に帰し
、スクリーンテンションの機能）に属する。

【００４６】必要な動作を行うために、加圧部材８４は
適度に細長く、長手軸方向の横断面と、方形横断面のハ
ードラバーの横配列バーがスクリーン５２から上方に伸
びている。加圧部材８４は、長手方向の横断面軸が垂直
でなく、印刷方向に対して前方に傾斜するように、加圧
部材８４も印刷ストロークの方向に対して前方に傾斜し
ている。加圧部材８４とスクリーン５２の間の接触領域
は、加圧部材８４の横断面の低いリーディングコーナー
８８である、すなわち、方形横断面ラバーバーの低く短
いエッジ又は面の印刷方向に対するリーディングエッジ
である。

【００４７】異なるスクリーンサイズのバリスタを用い
てもよい。異なるスクリーン５２は異なる印刷位置で使
用される。複数の最適のスクリーンサイズのコンビネー
ションが存在し、特別な製品に適用され、スクリーンサ
イズの各種の異なるコンビネーションは異なる印刷位置
で使用される。

【００４８】システムの中で使用される全てのスクリー
ン５２が十分な品質を有し、コイニング（ｃｏｉｎｉｎ
ｇ）のために両方の視覚検査を含む、これは、スクリー
ンの張力チェックをするのに加えて、スクリーン５２が
使用される前に行うスクリーン５２の領域又は刻み目の
増加、ピンホール，網の封鎖，網とフレーム損傷のチェ
ックである。

【００４９】セラミック材又は電極材の何れの層の形成
の際にも、基板５１は機械の中の基板路に沿って一定の
間隔を有する多数の印刷ステーション内を連続閉路に沿
って通過する。数百のバリスタユニットは各基板５１上
に印刷され、実際の数の大小はユニットサイズに依存す
る。セラミック層は、印刷ステーションの連続横断によ
って所望の厚さに成形される。セラミック層の厚さが十
分になった時点で、印刷電極インクがセラミック材の上
に塗布される。電極層は一般的には１．０ミクロンの厚
さであるが、例えば０．３〜０．５ミクロン程度の間に
設定してもよい。バリスタ構造に拘らず、電極層は一回
の印刷動作のみによって形成される。従って、層印刷の
価値はセラミックインク印刷の回数となり、セラミック
材の厚さ全体の制御はセラミック印刷工程の回数の増加
，減少いかんで変化する。

【００５０】各セラミック層は基板５１の全域に渡って
カバーされるが、これに反して、図１２のところで既に
説明したように、多数のユニットの生産が必要な場合に
は、電極スクリーン５４が多数の印刷領域５６仕切り、
基板５１上の完成バリスタスラブの電極層に沿ったある
いは通過する個々のユニットと、電極印刷領域５６間の
連続セラミック領域への分割によって、本発明の完成品
が提供される。

【００５１】従って、この切断と分離が平面に沿って行
われていることを確認するために、完全な生産サイクル
の最終印刷動作は、基板５１上のバリスタ印刷スラブの
外部チップ面上に適当なマーカー印刷を行うインクと電
極インクを交替することによって行われる。このインク
は、カーボンインクでもよく、また、例えば、焼き上げ
，か焼段階で消滅し易く、バリスタの主要な何れの成分
にも反応しない酸化染料でもよい。カーボンインクを使
用した場合、マーカー印刷が黒パッチまたは領域を製品
のセラミック外面上に印刷させ、これらのパッチは基板
５１上のバリスタスラブ内に印刷される電極層の１つと
一致させて切断平面を定める。言い換えると、カーボン
領域が切断手段のレジストレーション（位置合わせ）を
可能とする。このカーボン材は、完成品の次の処理の間
に、焼き払われて完全に消滅する。

【００５２】他の手段を使って切断を行い、バリスタス
ラブの正確なレジストレーションを行う場合には、スラ
ブ上面のマーカーインク印刷工程は省略してもよいが、
外部の視覚で明確に確認されるマーカー印刷は、スラブ
フォーム製品の正確な切断を確保するのに便利な方法と
言える。

【００５３】図１５Ａ及び図１５Ｂには、通常の方形最
終形状の多層バリスタ１０１内の連続電極インク層の印
刷用配置が示されている。各層において、電極インク領
域１０２は通常方形に成形され、軸方向に延びており、
長手方向の最終電極領域１０３（図１５Ｂ参照）は保護
のため、概ね他の電極領域１０２の軸長さの半分に成形
されている。各電極インク印刷が終了した後、電極材は
セラミック材の上に被せられ、その後、電極層はセラミ
ック層の上に積層される。次の電極層は前の層と入れ替
わり、その結果短い電極領域１０４（図１５Ｂ参照）が
このケースでは第１層の領域１０３と反対側の軸端に位
置する。従って、各層内の電極パッチ又は領域間の隙間
１０５は、バリスタの上又は下の層に対し、電極領域の
半分のピッチで電極領域の延長方向に移動する。この食
い違い配置の理由は、切断配置を示す以下の図面（説明
）によって明らかになる。

【００５４】図１５Ａ及び図１５Ｂの半列１０３，１０
４の存在，不存在は、完成されたユニットと基板の大き
さの関係による。交互構造においては、このような半列
はなくてもよい。しかしながら、半列の存在，不存在に
拘らず、少なくとも印刷スラブの小分けの全ての事実は
必要であり、連続電極層間の交互軸移動も必要である。

【００５５】バリスタ製品の最上面の上のカーボンイン
ク印刷は、最終セラミック印刷とカーボンインクの配置
の前は、概ね積層された第２最終電極パターンに対応す
る。図１６は、表面にカーボンインク１１２を有するバ
リスタ製品１１１の上面を示す斜視図であり、個々のバ
リスタユニットの基板１１６からの離脱を得るためのス
ラブフォーム製品区分の分割、又は切断平面１１３を示
している。

【００５６】最終印刷ステップの完了時には、基板は生
産システムの切断と分離または分割段階に移送される。

【００５７】切断段階において、表面のカーボン領域１
１２の配置により決定される個々の平面に沿って連続セ
ラミック材と電極形成層を切断することにより、バリス
タは個々のユニットに分割される。

【００５８】図１７には、符号１２１，１２３で表され
ている切断面とともに、最終セラミック層の最上面に印
刷されたカーボンインクの平面図が示されている。第１
切断面１２１はカーボンパッチ１１２同士の隙間を通っ
て延びて延長方向に横切っており、第２切断面１２３は
軸方向に沿ってカーボンパッチ１１２の中央を突っ切っ
ている。長手方向切断平面１２４は、長手方向内でカー
ボンパッチ１１２の間で製品を分割している。図１８は
、上記のような方法で切断された後の製品の網目構造を
示す側面図である。各連続電極層を通った切断動作の実
行により、第１層１２５において、切断動作により一端
面が切断面１２３の両側に露出された２つの電極材部分
が形成される。切断動作によって層１２５から断ち切ら
れた次の電極層１２６のレベルを通過する切断面におい
て、当該切断面が固体セラミック材を通って延びるため
、次の層の電極層部分がカットオフ端面から内側で終結
する。先の図に示したように、本発明のバリスタ構造は
上記方法によって達成され、完成ユニットの製造に必要
な端部端子キャップの押し付及び他の処理ステップに適
したものとなっている。

【００５９】図１９Ａは短軸方向における極低電圧装置
１３１を示す。この装置の性能を確実なものにするため
、本製造方法により得られる製造物の各埋め込み電極層
の端部とその反対側の端部端子キャップ表面との端部間
隙Ｘは、ディメンジョンＹすなわちオーバーラップ領域
における層の分離ディメンジョンよりも大きくなければ
ならない。低電圧ユニットは、軸方向長が１．５ｍｍ程
度まで短くてよい。しかしながら、ディメンジョンＸは
切断面の位置によっては異なる値を持ち得る。極めて短
い寸法の製造物においては、軸方向又は縦方向における
切断面の位置が異なってしまうことが避けられないため
、ディメンジョンＸが常にオーバーラップ領域電極層間
隔Ｙよりも大きいことを確保することは困難かも知れな
い。

【００６０】図１９Ｂ及び図２０において、異切断法が
用いられた場合の製造物の構造１４１が示されている。電極層の電極インクパッチ１４２間の間隔にほぼ沿って
バリスタ製造物を切断する代わりに、切断面１４６は図
２０の断面図に示すような相対配置の層の全てにおいて
電極材料を通る。このように、一つの層における電極材
料の二分割を次層の電極領域又はゾーンの中心にほぼ合
わせるように行う代わりに、次層の電極ゾーン間の間隙
すなわち分離間隔部に近い部分の電極上に分割部が来る
ように置き換えられる。この異切断法による非対称性に
より主電極１４４から離れた短い部分の電極材料１４３
が生じるが、これは反対側端部端子キャップ面１４５に
連絡されている。実際に、電気的タームにおいては何ら
有益な目的に寄与しない死領域となる短い部分の電極材
料が存在する。しかしながら、構造上の利点は、ディメ
ンジョンＸが印刷処理においてオーバーラップ領域層間
隔ディメンジョンＹよりも常に大きくなるように極めて
精巧に制御することができる点にある。パッケージ全長
が同じならば、図１９Ａに示すように電極層が、端部端
子キャップで完全に終わっているようなユニットにおけ
るオーバーラップ長Ｚの９０％程度の長さを得ることが
できる。この程度のオーバーラップで殆どの目的に対し
て多くの場合十分である。しかしながら、もし適するな
らば、図１９Ｂの配置においても製造物の全長の軸の延
長を行うことにより、図１９Ａの場合と同じオーバーラ
ップディメンジョンＺを確保することができる。

【００６１】この変形のさらなる利点は、端部端子電極
との反応を最小限にすることである。例えば、バリスタ
の有効な動作領域が端部端子キャップ６から遠ざかるこ
とも利点となる。

【００６２】図２１Ａ及び図２１Ｂは、図８、図９、図
１０及び図１１に例示した種類の円板状バリスタ用のス
クリーン印刷パターンをそれぞれ示す。図２１Ａ及び図
２１Ｂに示すようなそれぞれ円輪状の二つのパターン１
５１、１５２が用いられる。大きい方の円輪１５１は大
きな中央開口部１５３を有し、分離工程後の円盤状ユニ
ットの外周面に達する最終円板の外側電極を形成する。第二の円輪１５２は前者より小さく、内側電極を形成す
る。円輪１５２の小径中央開口部１５４は、最終ユニッ
トにおける円盤状製造物を貫通するパンチ又はドリルに
よる内部孔となる。破線１５２ａ及び１５４ａは、円輪
１５２を大きな円輪１５１の中心に配置したときの円輪
１５２の外周及び内周を示す。

【００６３】図２２は、基板１６２上の円盤状バリスタ
製造物１６１用の最後のカーボン印刷を示す図であり、
分離、分割又は切断面１６３、１６４とともに示してあ
る。

【００６４】図２３Ａ、図２３Ｂ、図２４Ａ及び図２４
Ｂは、アレイ用の印刷パターンを示し、図２３Ａ及び図
２３Ｂでは平面アレイを、図２４Ａ及び図２４Ｂでは環
状アレイをそれぞれ示す。アレイ型バリスタ構造では、
それぞれ孔又は開口領域１７３、１７４を有する大きな
接地板１７１（図２３Ａ）、１７２（図２４Ｂ）が設け
られ、図２３Ｂ及び図２４Ａにおいては、接地板１７１
、１７２の外周に相当する境界１７１ａ、１７２ａ内で
の第二の印刷処理により、複数の電極１７５、１７６が
各開口部又は孔１７３、１７４により輪郭付けられる。第二の印刷処理により、完成した製造物内において小径
開口部１７７、１７８により輪郭付けられるピンアウト
接触領域が形成される。アレイは非常に多くのピンを有
し且つ全くの環状構造であっても良く（図２４Ｂ）、い
わゆるＤ型又は矩形のユニットであっても良い（図２３
Ａ）。Ｄ型アレイでは、一般にはピン１７７の各列は隣
合う列に対してピン１７７のピッチの半分だけずらして
ある。加えて、ピンアウト接触領域を輪郭付ける印刷さ
れた電極インク領域は、環状、四角状、楕円状及び不規
則なものを含む多様な構造のうちのどれであってもよい
。

【００６５】必要に応じて完成した積層物をソーイング
により分割し、またアレイ又は大きな単位が問題となる
場合には切断せずに又は限定的な切断のみを行い、個々
の製造物が適当な方法により基板から取り出される。

【００６６】このプロセスによる製造物は、予め用意さ
れたセラミック材料シートを製造工程で電極材料層と交
互に重ね合わせるいわゆるドライプロセスによる製造物
と区別される。本発明の製造物は、焼結した製造物が多
孔質性の程度が大きいドライプロセスにより造られた製
造物よりも高密度構造を有している。

【００６７】この違いの理由は、図２５Ａ、図２５Ｂ、
図２５Ｃ及び図２５Ｄから明らかとなる。図２５Ａ及び
図２５Ｂは、ウェットスクリーン印刷プロセスにより製
造されたバリスタ製造物のそれぞれ重量比及び体積比を
示し、図２５Ｃ及び図２５Ｄは、ドライプロセスにより
製造されたバリスタについて同様の分析をした結果を示
す。まずウェット製造物とドライ製造物の重量分析結果
を比較すると、熱処理又は焼結処理後の粉末の重量比が
同じ場合、バインダ及び有機物の重量比は上記二つの製
造プロセス間で異なり、ウェットプロセスでは一般的に
３．０％なのに対し、ドライプロセスでは１２．０％ま
で達する。ここでは、その後の有機物及びバインダの焼
結及び揮発により、乾燥セラミック材料の残留物重量は
ウェットプロセスとドライプロセスとで一致する。しか
しながら、下方の各図に示す体積百分率では、ウェット
プロセスにおいてはバインダはプレ焼結相製造物の体積
比で僅か２０．０％しか示さないが、ドライプロセスに
おいてはバインダは体積比で７０．０％にまで達する。これらの体積百分率図の斜線部は焼結後に残留した乾燥
粉末を示し、ウェットプロセス製造物の方がドライプロ
セス製品よりもより密度の大きい構成となっていること
がすぐに分かる。言い換えれば、ドライプロセス製造物
の多孔質性がウェットプロセス製造物よりも測定可能範
囲において十分に大きい。この顕著な高密度は本方法及
びシステムにより得られるバリスタの特徴的な性質であ
り、最終製造物の質的及び量的な問題の両方で特定され
得る。

【００６８】この印刷プロセスは特に、制御された均一
な膜厚のセラミック材料の比較的薄い層を有する多層バ
リスタの製造に利する。この方法は特に、セラミック層
が３０ミクロン以下の多層バリスタの製造に適する。ウ
ェットプロセス印刷技術はドライプロセスによる場合と
比べて、このディメンジョンの範疇に入るバリスタにお
いて、より狭い範囲に維持されるべき連続層の膜厚の均
一性及び平行性を可能にする。

【００６９】なお例示目的のため本発明の種々の実施例
について説明したが、本発明はこれらに限定されない。本発明のこれらの実施例の変形及び適応変更はこの技術
分野の通常の専門家によりなされ得るものであり、本明
細書の特許請求の範囲の技術思想及び見地に包含される
ものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明に係る多層バリスタの一部断面
斜視図である。

【図２】図２は、図１のバリスタの長手方向断面図であ
る。

【図３】図３は、図１及び図２に示されたバリスタの図
２のＩＩＩ−ＩＩＩ　方向の横断面図である。

【図４】図４は、図１，図２及び図３に示されたバリス
タの図３のＩＶ−ＩＶ方向の断面を上部から見た様子を
示す断面図である。

【図５】図５は、本発明に係る積層バリスタの他の新規
な構造の長手方向断面図である。

【図６】図６は、本発明に係る積層バリスタの他の実施
例の図２に類似した断面図と、その構造である。

【図７】図７は、本発明の他の実施例に係るバリスタの
他の構造（図２に類似）の長手方向断面図である。

【図８】図８は、本発明の他の実施例に係る多層バリス
タの接続ピンの外形を示す斜視図である。

【図９】図９は、図８の接続ピンの軸方向断面図である
。

【図１０】図１０は、本発明の一実施例に係る円板状多
層バリスタの斜視図である。

【図１１】図１１は、図１０のバリスタを透過した軸方
向断面図である。

【図１２】図１２は、特に図１〜図４や図６，図７に示
されたようなバリスタの複合体に使用される基板とスク
リーンの概念図（構成図）である。

【図１３】図１３は、スクリーン印刷技術を使用する多
層バリスタの生産に必要な各構成要素の準備を含んだ工
程を示す本発明の一実施例のフローチャート図である。

【図１４】図１４は、本発明に係るバリスタの製造に使
用されるスクリーン印刷ステーションの一部の側面図で
あり、印刷動作中の加圧によるスクリーンスナップオフ
状態を示す。

【図１５】図１５Ａ及び図１５Ｂは、印刷動作における
連続的な電極層の配置と方位を示す説明図であり、印刷
された基板が比較のために並べて示された完成品である
。

【図１６】図１６は、バリスタ集合体の表面に形成され
、切断工程におけるガイドとして使用される最終印刷を
示す斜視図である。

【図１７】図１７は、切断面を示す最終外面印刷の平面
図である。

【図１８】図１８は、印刷後のバリスタ集合体の電極箇
所の配置を示す断面図である。

【図１９】図１９Ａ及び図１９Ｂは、短軸の低電圧バリ
スタの内部配置を示す断面図である。

【図２０】図２０は、短軸の製造用の切断面の他の配置
を示す断面図である。

【図２１】図２１Ａ及び図２１Ｂは、円板状製品の電極
印刷パターンを示す平面図である。

【図２２】図２２は、円板状バリスタの製造のための最
終表面印刷及び分離部または切断面す斜視図である。

【図２３】図２３Ａ及び図２３Ｂは、平面バリスタ配列
用の印刷パターンを示す平面図である。

【図２４】図２４Ａ及び図２４Ｂは、円形配列用の印刷
パターンを示す平面図である。

【図２５】図２５Ａ，図２５Ｂ，図２５Ｃ及び図２５Ｄ
は、それぞれスクリーン印刷及び乾燥工程によって達成
される前焼結バリスタの構成（組成）を示す説明図であ
る。

【符号の説明】

１，１１　　　　　　バリスタ２，１２，３２，４２　　　　　　電極間セラミック層
３，１３，１２６　　　　　　電極層４，１４，２１　　　　　　外部セラミック層５　　　
　　　セラミック領域６，１６　　　　　　端子キャップ１５　　　　　　結合周辺領域２４　　　　　　表面３１　　　　　　接続ピン３５，４５　　　　　　外端子キャップ３６，４６　　
　　　　内端子キャップ３７　　　　　　センターボア４３　　　　　　交互電極層５１，１１６　　　　　　基板５２　　　　　　セラミック層スクリーン　　　　　　
　　１０２　　　　　　電極インク領域５３，５５　　　　　　マスク領域　　　　　　　　　
　　　　　１０３　　　　　　最終電極領域５４　　　　　　電極スクリーン　　　　　　　　　　
　　　　　　１０４　　　　　　電極領域（短）５６　　　　　　電極領域　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　１０５　　　　　　間隙８４　　　　　　加圧部材　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　１１２　　　　　　カーボンインク８６　　　　　　スナップオフ間隔　　　　　　　　　
　　　　　１１３　　　　　　切断平面８８　　　　　　エッジ　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　１２１，１２３　　　　　　切断
面１０１　　　　　　多層バリスタ　　　　　　　　　　
　　　　　　１２５　　　　　　第１層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のセラミック材層と、複数の電極材層
であり、前記各セラミック材層を２つの層によって挟み
込み、前記少なくとも１つの電極材層の少なくとも一部
がバリスタの第１面に達し、前記電極材層の少なくとも
他の１つの少なくとも一部がバリスタの第２面に達する
電極材層と、前記少なくとも１つの電極材層の部分と電
気的に接続されるように、前記少なくとも第１面に密着
している導電材の第１のボディーと、前記少なくとも他
の１つの電極材層の部分と電気的に接続されるように、
前記少なくとも第２面に密着している導電材の第２のボ
ディーとを備え、前記少なくとも１つの電極材層の部分
は、セラミック材によってバリスタの他の全ての表面部
分と分離され、前記少なくとも他の１つの電極材層の部
分は、セラミック材によってバリスタの他の全ての表面
部分と分離され、前記導電材のボディーは、バリスタの
端子を形成し、前記２つの電極材層に挟まれた前記セラ
ミック材層は、３０．０ミクロン以下の厚さに成形され
ていることを特徴とするバリスタ。
【請求項２】複数のセラミック材層と、複数の電極材層
であり、前記各セラミック材層を２つの層によって挟み
込み、前記少なくとも１つの電極材層の少なくとも一部
がバリスタの第１面に達し、前記電極材層の少なくとも
他の１つの少なくとも一部がバリスタの第２面に達する
電極材層と、前記少なくとも１つの電極材層の部分と電
気的に接続されるように、前記少なくとも第１面に密着
している導電材の第１のボディーと、前記少なくとも他
の１つの電極材層の部分と電気的に接続されるように、
前記少なくとも第２面に密着している導電材の第２のボ
ディーとを備え、前記少なくとも１つの電極材層の部分
は、セラミック材によってバリスタの他の全ての表面部
分と分離され、前記少なくとも他の１つの電極材層の部
分は、セラミック材によってバリスタの他の全ての表面
部分と分離され、前記導電材のボディーは、バリスタの
端子を形成し、前記２つの電極材層に挟まれた前記セラ
ミック材層は、低有孔率のセラミック材の密な連続体と
して成形されるために、粉末懸垂の堆積とその後の熱処
理によって成形されていることを特徴とするバリスタ。
【請求項３】前記各セラミック層は、前記低有孔率のセ
ラミック材の密な連続体として成形されるために、前記
熱処理によって集結された粉末懸垂の多重堆積によって
成形されていることを特徴とする請求項２記載のバリス
タ。
【請求項４】２つの電極材層を分離する各セラミック材
層が、２つの電極材層を分離する他の全てのセラミック
材層と概ね同じ厚さを有し、その厚さはセラミック材の
分離層の全領域と概ね一致し、前記厚さは前記セラミッ
ク材の分離層の全領域と概ね一致するように成形されて
いることを特徴とする請求項１記載のバリスタ。
【請求項５】２つの電極材層を分離する各セラミック材
層が、２つの電極材層を分離する他の全てのセラミック
材層と概ね同じ厚さを有し、その厚さはセラミック材の
分離層の全領域と概ね一致し、前記厚さは前記セラミッ
ク材の分離層の全領域と概ね一致するように成形されて
いることを特徴とする請求項２記載のバリスタ。
【請求項６】２つの電極材層を分離する各セラミック材
層が、２つの電極材層を分離する他の全てのセラミック
材層と概ね同じ厚さを有し、その厚さはセラミック材の
分離層の全領域と概ね一致し、前記厚さは前記セラミッ
ク材の分離層の全領域と概ね一致するように成形されて
いることを特徴とする請求項３記載のバリスタ。
【請求項７】２つの電極材層を分離する各セラミック材
層が、２つの電極材層を分離する他の全てのセラミック
材層と概ね同じ厚さを有し、その厚さはセラミック材の
分離層の全領域と概ね一致し、前記厚さは前記セラミッ
ク材の分離層の全領域と概ね一致するように成形されて
いることを特徴とする請求項４記載のバリスタ。
【請求項８】前記少なくとも１つの電極材層は、２つの
電極材層を分離する前記何れのセラミック材層より厚い
セラミック材層によって、バリスタの外面部から分離さ
れていることを特徴とする請求項４記載のバリスタ。
【請求項９】前記少なくとも１つの電極材層は、２つの
電極材層を分離する前記何れのセラミック材層より厚い
セラミック材層によって、バリスタの外面部から分離さ
れていることを特徴とする請求項５記載のバリスタ。
【請求項１０】前記少なくとも１つの電極材層は、２つ
の電極材層を分離する前記何れのセラミック材層より厚
いセラミック材層によって、バリスタの外面部から分離
されていることを特徴とする請求項６記載のバリスタ。
【請求項１１】前記少なくとも１つの電極材層は、２つ
の電極材層を分離する前記何れのセラミック材層より厚
いセラミック材層によって、バリスタの外面部から分離
されていることを特徴とする請求項７記載のバリスタ。
【請求項１２】前記少なくとも１つの電極材層は、前記
分離したセラミック材層の構成と違った構成のセラミッ
ク材層によって、バリスタの外面部から分離されている
ことを特徴とする請求項４記載のバリスタ。
【請求項１３】前記少なくとも１つの電極材層は、前記
分離したセラミック材層の構成と違った構成のセラミッ
ク材層によって、バリスタの外面部から分離されている
ことを特徴とする請求項５記載のバリスタ。
【請求項１４】前記少なくとも１つの電極材層は、前記
分離したセラミック材層の構成と違った構成のセラミッ
ク材層によって、バリスタの外面部から分離されている
ことを特徴とする請求項６記載のバリスタ。
【請求項１５】前記少なくとも１つの電極材層は、前記
分離したセラミック材層の構成と違った構成のセラミッ
ク材層によって、バリスタの外面部から分離されている
ことを特徴とする請求項７記載のバリスタ。
【請求項１６】前記少なくとも１つの電極材層は、前記
分離したセラミック材層の構成と違った構成のセラミッ
ク材層によって、バリスタの外面部から分離されている
ことを特徴とする請求項８記載のバリスタ。
【請求項１７】前記少なくとも１つの電極材層は、前記
分離したセラミック材層の構成と違った構成のセラミッ
ク材層によって、バリスタの外面部から分離されている
ことを特徴とする請求項９記載のバリスタ。
【請求項１８】前記少なくとも１つの電極材層は、前記
分離したセラミック材層の構成と違った構成のセラミッ
ク材層によって、バリスタの外面部から分離されている
ことを特徴とする請求項１０記載のバリスタ。
【請求項１９】前記少なくとも１つの電極材層は、前記
分離したセラミック材層の構成と違った構成のセラミッ
ク材層によって、バリスタの外面部から分離されている
ことを特徴とする請求項１１記載のバリスタ。
【請求項２０】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載のバリスタ。
【請求項２１】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項２記載のバリスタ。
【請求項２２】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項３記載のバリスタ。
【請求項２３】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項４記載のバリスタ。
【請求項２４】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項５記載のバリスタ。
【請求項２５】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項６記載のバリスタ。
【請求項２６】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項７記載のバリスタ。
【請求項２７】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項８記載のバリスタ。
【請求項２８】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項９記載のバリスタ。
【請求項２９】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項１０記載のバリスタ。
【請求項３０】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項１１記載のバリスタ。
【請求項３１】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項１２記載のバリスタ。
【請求項３２】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項１３記載のバリスタ。
【請求項３３】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項１４記載のバリスタ。
【請求項３４】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項１５記載のバリスタ。
【請求項３５】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項１６記載のバリスタ。
【請求項３６】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項１７記載のバリスタ。
【請求項３７】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項１８記載のバリスタ。
【請求項３８】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の単領域によって区別，形成されているこ
とを特徴とする請求項１９記載のバリスタ。
【請求項３９】前記複数の電極材層の少なくとも１つの
層は、電極材の複数の個別領域によって区別，形成され
ていることを特徴とする請求項１記載のバリスタ。
【請求項４０】前記バリスタは概ね矩形ブロック状の外
形をなし、前記電極材層は十分に平坦で、最大面積のバ
リスタの側面に十分に平行に延びており、矩形ブロック
形状バリスタの端面は前記第１面と前記第２面を区別す
ることを特徴とする請求項１記載のバリスタ。
【請求項４１】前記少なくとも１つの電極材層と、前記
少なくとも１つの他の電極材層の両者で前記複数の電極
材層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の
バリスタ。
【請求項４２】３つのセラミック材層と、２つの電極材
層であり、前記１つのセラミック材層を前記２つの電極
材層によって挟み込み、第１の層がバリスタの第１外面
に達し、他の１つの層がバリスタの第２外面に達する電
極材層と、前記第１の電極材層と電気的に接続されるよ
うに、前記少なくとも第１外面に密着する導電材の第１
のボディーと、前記他の電極材層のと電気的に接続され
るように、前記第２外面に密着する導電材の第２のボデ
ィーとを備え、前記第１の電極材層は、セラミック材に
よってバリスタの他の全ての表面部分と絶縁されており
、前記他の電極材層の部分は、セラミック材によってバ
リスタの他の全ての表面部分と絶縁されており、前記導
電材のボディーは、バリスタの端子を形成しており、前
記２つの電極材層に挟まれた前記セラミック材層は、低
有孔率のセラミック材の密な連続体として成形されるた
めに、粉末懸垂の堆積とその後の熱処理によって成形さ
れていることを特徴とするバリスタ。