JPH04218679A - 銅及び銅合金の表面処理方法 - Google Patents

銅及び銅合金の表面処理方法

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JPH04218679A
JPH04218679A JP41224090A JP41224090A JPH04218679A JP H04218679 A JPH04218679 A JP H04218679A JP 41224090 A JP41224090 A JP 41224090A JP 41224090 A JP41224090 A JP 41224090A JP H04218679 A JPH04218679 A JP H04218679A
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吉 岡  隆
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村 井 孝 行
Masashi Kinoshita
木 下 雅 士
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F11/00Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
    • C23F11/08Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids
    • C23F11/10Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids using organic inhibitors
    • C23F11/14Nitrogen-containing compounds
    • C23F11/149Heterocyclic compounds containing nitrogen as hetero atom
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/282Applying non-metallic protective coatings for inhibiting the corrosion of the circuit, e.g. for preserving the solderability

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は銅及び銅合金の表面に化
成被膜を形成する方法に関するものであり、特に硬質プ
リント配線板及びフレキシブルプリント配線板における
回路部のプリフラックス処理として好適な方法を提供す
るものである。
【0002】
【従来の技術】銅あるいは銅合金の表面に、2位長鎖ア
ルキルイミダゾール化合物の被膜を形成する表面処理方
法が、特公昭46−17046号、同48−11454
号、同48−25621号、同49−1983号、同4
9−26183号、同58−22545号、同61−4
1988号及び特開昭61−90492号公報に記載さ
れている。
【0003】銅あるいは銅合金の表面にベンズイミダゾ
ール系化合物の化成被膜を形成する方法として、特開昭
58−501281号公報に5−メチルベンズイミダゾ
ールを用いる処理が開示されている。また2−メルカプ
トベンズイミダゾールを用いた銅あるいは銅合金の防錆
方法が特開昭55−83157号、同62−77600
号及び同63−118598号公報に開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】5−メチルベンズイミ
ダゾールを用いる特開昭58−501281号公報に記
載の表面処理方法は、5−メチルベンズイミダゾールが
水に比較的溶け易いため、好ましい膜厚と認められる0
.08μm以上の化成被膜を形成することができず、加
熱時における下地保護の役割を果たし難いものであった
【0005】2−メルカプトベンズイミダゾールを用い
る特開昭55−83157号及び同62−77600号
公報に記載の防錆方法は、2−メルカプトベンズイミダ
ゾールをメタノール等の有機溶剤に溶かして、基材に塗
布し乾燥する方法であり、有機溶剤を使用するため人体
に対する悪影響や工場の保安面で問題があった。特開昭
63−118598号公報に記載の方法については、2
−メルカプトベンズイミダゾールの薄膜を形成するのに
、3時間の浸漬処理を必要としており、高生産性、高速
処理を要求されるプリント配線板業界の実情に適合しな
いものであった
【0006】特公昭46−17046号、同48−11
454号、同48−25621号、同49−1983号
、同49−26183号、同58−22545号、同6
1−41988号及び特開昭61−90492号公報に
記載された2位長鎖アルキルイミダゾール化合物を用い
る銅あるいは銅合金の表面処理方法は、形成された化成
被膜が撥水性に富み、下地銅の防錆に優れる等の種々の
長所を有している反面、次のような欠陥があった。
【0007】即ち、2位長鎖アルキルイミダゾール化合
物により形成された化成被膜は、化2に示される重合性
の銅錯体を含むものと推定され、
【0008】
【化2】 (Rは長鎖アルキル基を示す。)
【0009】これらの重合性の銅錯体からなる化成被膜
は、重合性のためか一般的に耐熱性は良好であるが、各
種の溶媒や酸に溶けにくいという性質がある。
【0010】一方、銅の表面に前記の化成被膜を形成し
たプリント配線板に半田付けを行う際には、ポストフラ
ックスが使用され、その半田付け性の向上を図っている
。ポストフラックスは、通常ロジンを乳酸等の有機酸ま
たはグルタミン酸塩酸塩、アニリン塩酸塩等の有機ハロ
ゲン化物等の活性剤と共にIPA等の溶媒に溶かしたも
のであり、半田付けの際に塗布し、プリフラックス膜で
ある化成被膜あるいは下地銅上に発生しうる酸化銅を溶
かし、良好な半田付け性を確保するためのものである。
【0011】ところが、近年のフロン対策の一環として
、フロン洗浄を必要としないいわゆる無洗浄タイプのポ
ストフラックスが普及しつつある。無洗浄タイプのポス
トフラックスを使用した場合、半田付け後の洗浄工程は
なく、ポストフラックスの内容固形分等はプリント基板
上に残留するため、最終電機製品等を長期間使用した場
合にこの残留分が回路の腐食、断線等を起こさないこと
が必須条件となる。このために無洗浄タイプポストフラ
ックスに含有される活性剤は必然的に低活性のものとな
り、またこの技術方向は時代の流れに沿うものでもあり
、今後も進展していくと思われる。
【0012】前記の2位長鎖アルキルイミダゾール化合
物からなる化成被膜は、従来の比較的活性度の高いポス
トフラックスを用いた場合に良好な半田付け性を示すが
、活性度の低いポストフラックスを用いた場合に、プリ
フラックス膜である化成被膜が有機溶媒、酸等に溶けに
くいという性質に起因するためか速やかに除去できず、
半田付け性が低下する。このように低活性ポストフラッ
クスを使用しても良好な半田付け性が得られるプリフラ
ックスが望まれている。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、このよう
な事情に鑑み鋭意試験研究を行った結果、銅あるいは銅
合金の表面に、1位の水素原子が置換されたベンズイミ
ダゾール化合物(以下、1−置換ベンズイミダゾール化
合物という)及び有機酸または無機酸を含む水溶液に接
触させることにより、低活性のポストフラックスを使用
しても良好な半田付け性が得られることを見い出し、本
発明を完遂するに至った。
【0014】本発明方法の実施において使用する1−置
換ベンズイミダゾール化合物の代表的なものは、化1で
示される化合物であり、
【0015】
【化1】 (但し、R1 はアルキル基、アラルキル基またはアリ
ル基、R2は水素原子、アルキル基、アラルキル基また
はアリール基を示す。)
【0016】その代表的なものとしては、1−メチル−
2−プロピルベンズイミダゾール、1−メチル−2−ブ
チルベンズイミダゾール、1−メチル−2−ペンチルベ
ンズイミダゾール、1−メチル−2−ヘキシルベンズイ
ミダゾール、1−メチル−2−ヘプチルベンズイミダゾ
ール、1−メチル−2−オクチルベンズイミダゾール、
1−メチル−2−ノニルベンズイミダゾール、1−メチ
ル−2−ウンデシルベンズイミダゾール、1−メチル−
2−ヘプタデシルベンズイミダゾール、
【0017】1
−プロピルベンズイミダゾール、1−ブチルベンズイミ
ダゾール、1−ヘキシルベンズイミダゾール、1−オク
チルベンズイミダゾール、1−ノニルベンズイミダゾー
ル、1−ウンデシルベンズイミダゾール、1−ヘプタデ
シルベンズイミダゾール、
【0018】1−メチル−2
−フェニルベンズイミダゾール、1−プロピル−2−フ
ェニルベンズイミダゾール、1−ペンチル−2−フェニ
ルベンズイミダゾール、1−ヘプチル−2−フェニルベ
ンズイミダゾール、1−ノニル−2−フェニルベンズイ
ミダゾール、1−ウンデシル−2−フェニルベンズイミ
ダゾール、
【0019】1−プロピル−2−プロピルベ
ンズイミダゾール、1−プロピル−2−ペンチルベンズ
イミダゾール、1−プロピル−2−ヘキシルベンズイミ
ダゾール、1−プロピル−2−ノニルベンズイミダゾー
ル、1−プロピル−2−ウンデシルベンズイミダゾール
【0020】1−ヘキシル−2−ブチルベンズイミダ
ゾール、1−ヘキシル−2−ヘキシルベンズイミダゾー
ル、1−ヘキシル−2−オクチルベンズイミダゾール、
1−ヘキシル−2−ウンデシルベズイミダゾール、1−
ヘキシル−2−ヘプタデシルベンズイミダゾール、
【0
021】1−ノニル−2−プロピルベンズイミダゾール
、1−ノニル−2−ペンチルベンズイミダゾール、1−
ノニル−2−ヘプチルベンズイミダゾール、1−ノニル
−2−ノニルベンズイミダゾール、1−ノニル−2−ウ
ンデシルベンズイミダゾール、1−ノニル−2−ヘプタ
デシルベンズイミダゾール、
【0022】1−ウンデシル−2−プロピルベンズイミ
ダゾール、1−ウンデシル−2−ペンチルベンズイミダ
ゾール、1−ウンデシル−2−ヘプチルベンズイミダゾ
ール、1−ウンデシル−2−ノニルベンズイミダゾール
、1−ウンデシル−2−ウンデシルベンズイミダゾール
、1−ウンデシル−2−ヘプタデシルベンズイミダゾー
ル、
【0023】1−ベンジル−2−プロピルベンズイミダ
ゾール、1−ベンジル−2−ブチルベンズイミダゾール
、1−ベンジル−2−ペンチルベンズイミダゾール、1
−ベンジル−2−ノニルベンズイミダゾール、1−ベン
ジル−2−ウンデシルベンズイミダゾール、1−ベンジ
ル−2−ヘプタデシルベンズイミダゾール、
【0024
】1−アリル−2−ブチルベンズイミダゾール、1−ア
リル−2−ヘキシルベンズイミダゾール、1−アリル−
2−オクチルベンズイミダゾール、1−アリル−2−ノ
ニルベンズイミダゾール、1−アリル−2−ウンデシル
ベンズイミダゾール、1−アリル−2−ヘプタデシルベ
ンズイミダゾール等である。
【0025】これら1−置換ベンズイミダゾール化合物
は、いくつかの公知の方法で合成することができる。一
般的には1位無置換のベンズイミダゾール化合物を合成
したのち、アルキル化剤を用いて1位をアルキル化して
合成する。
【0026】1−置換ベンズイミダゾール化合物は、1
位無置換のベンズイミダゾール化合物を等モルのハロゲ
ン化アルキル等のアルキル化剤及び水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム等の脱ハロゲン化水素剤の共存下、DMF
等の溶媒中あるいは無溶媒下で反応させることにより得
られる。また、1位無置換のベンズイミダゾール化合物
と水酸化ナトリウム等の水酸化アルカリとを加熱反応さ
せ、水を除去して得られる1位無置換のベンズイミダゾ
ール化合物のアルカリ金属塩をハロゲン化アルキル等の
アルキル化剤と共に、DMF等の溶媒中あるいは無溶媒
下で反応させることによっても得られる。
【0027】この場合用いられるアルキル化剤としては
、よう化メチル、塩化メチル、臭化メチル、塩化ベンジ
ル、塩化アリル、臭化プロピル、臭化ヘキシル、臭化ノ
ニル、臭化ウンデシル等のハロゲン化アルキルあるいは
ジメチル硫酸等の硫酸エステルが挙げられる。なお前記
反応の原料となる1位無置換のベンズイミダゾール化合
物は、o−フェニレンジアミン化合物とカルボン酸とを
加熱反応させることにより得られる。
【0028】本発明方法の実施において、R1 とR2
 の合計の炭素数が小さい1−置換ベンズイミダゾール
化合物を用いた場合、銅金属の表面に形成された化成被
膜の一部が膜形後の水洗により溶出する傾向があり、ま
たR1 とR2 の合計の炭素数が大きい1−置換ベン
ズイミダゾール化合物を使用すると、処理液を形成する
のに大量の有機酸が必要になるので、R1 とR2 の
合計の炭素数が3ないし11のものが特に好適である。
【0029】本発明方法の実施に当たっては、1−置換
ベンズイミダゾール化合物を0.01〜5%の範囲、好
ましくは0.1〜2%の割合で添加し、有機酸を加えて
1−置換ベンズイミダゾール化合物を完溶させればよい
。本発明方法の実施において用いられる有機酸としては
、蟻酸、酢酸、乳酸、プロピオン酸、カプリン酸、グリ
コール酸、アクリル酸、安息香酸、パラニトロ安息香酸
、パラブチル安息香酸、パラニトロスルフォン酸、ピク
リン酸、サリチル酸、m−トルイル酸、蓚酸、琥珀酸、
マレイン酸、フマール酸、酒石酸、アジピン酸等であり
、無機酸としては、塩酸、リン酸、硝酸等であり、水に
対して0.01〜40%の範囲、好ましくは0.2〜2
0%の割合で添加すれば良い。
【0030】本発明方法を実施するには、銅あるいは銅
合金の表面に研磨、脱脂、ソフトエツチング、酸洗浄等
の処理を行ったのち、金属表面を処理液中に浸漬するか
あるいは金属表面に処理液を塗布または噴霧すれば良い
。本発明方法における銅あるいは銅合金の表面に1−置
換ベンズイミダゾール化合物及び有機酸または無機酸を
含む水溶液を接触させる工程は、水溶液の温度を約20
℃から60℃の範囲とし、接触時間を1秒ないし数分間
とし接触させれば良い。
【0031】本発明方法の実施において1−置換ベンズ
イミダゾール化合物及び有機酸または無機酸を含む水溶
液に、化成被膜の形成速度を著しく上げるために銅化合
物を添加してもよく、また形成された化成被膜の耐熱性
を向上させるために亜鉛化合物を添加しても差し支えな
い。
【0032】これらの方法において使用できる亜鉛化合
物の代表的なものとしては、酸化亜鉛、蟻酸亜鉛、酢酸
亜鉛、蓚酸亜鉛、乳酸亜鉛、クエン酸亜鉛、安息香酸亜
鉛、サリチル酸亜鉛、硫酸亜鉛、硝酸亜鉛、リン酸亜鉛
等であり、また銅化合物の代表的なものとしては、塩化
第一銅、塩化第二銅、水酸化銅、リン酸銅、酢酸銅、硫
酸銅、硝酸銅、臭化銅等であり、いずれも水に対して0
.01〜10%の範囲、好ましくは0.02〜5%の割
合で添加すれば良い。
【0033】また本発明方法の実施において、化成被膜
上に熱可塑性樹脂の二重構造を形成し、耐熱性を向上さ
せることも可能である。即ち銅あるいは銅合金の表面に
1−置換ベンズイミダゾール化合物の化成被膜を形成し
たのち、ロジン、ロジンエステル等のロジン誘導体、テ
ルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂等のテルペン樹脂
誘導体または芳香族炭化水素樹脂、脂肪族炭化水素樹脂
、脂環族炭化水素樹脂等の炭化水素樹脂あるいはこれら
の混合物などからなる耐熱性に優れた熱可塑性樹脂をト
ルエン、酢酸エチル、IPA等の溶媒に溶解し、ロール
コーター法等により化成被膜上に膜厚1〜30μmの厚
みになるように均一に塗布し、化成被膜と熱可塑性樹脂
の二層構造を形成すれば良い。
【0034】
【作用】銅あるいは銅合金の表面に、従来の2位長鎖ア
ルキルイミダゾール化合物及び有機酸を含む水溶液を接
触させると、2位長鎖アルキルイミダゾール化合物と銅
との錯体形成反応及び2位長鎖アルキルイミダゾール化
合物の水素結合とファンデルワールス力の両作用により
、局部的に銅錯体となった2位長鎖アルキルイミダゾー
ル化合物の化成被膜が銅表面上に形成される。このよう
にして形成された化成被膜を放置しあるいは加熱すると
銅表面からの銅の移行が起こり、2位長鎖アルキルイミ
ダゾール化合物の大部分が、前述の重合性の銅錯体とな
る。このポリマー状の銅錯体は高融点であり、且つ有機
溶媒や酸等に溶解しにくいため、低活性ポストフラック
スにも溶解しにくく半田付けに際して半田付け不良を生
じる惧れがある。
【0035】一方、銅あるいは銅合金の表面に本発明に
かかる1−置換ベンズイミダゾール化合物及び有機酸ま
たは無機酸を含む水溶液を接触させると、従来の2位長
鎖アルキルイミダゾール化合物と同様に化成被膜が銅表
面上に形成される。しかしながら1−置換ベンズイミダ
ゾール化合物を含む水溶液を用いた場合には、イミダゾ
ール環のNHの水素原子がアルキル基、アラルキル基、
アリル基等にて置換されているため、ポリマー状の銅錯
体を形成することができず、低融点の銅錯体からなる化
成被膜になると推定される。この銅錯体は一般的に低融
点であるだけでなく、メタノール、IPA等のアルコー
ルあるいはアセトン、MEK等のケトン溶媒、各種有機
酸及び無機酸に可溶であるため、低活性のポストフラッ
クスを用いた場合であっても、化成被膜が容易に除去さ
れ、良好な半田付け性が得られると考えられる。
【0036】
【実施例】以下、実施例及び比較例によって、本発明方
法を具体的に説明する。なお、これらの試験において金
属表面における化成被膜の厚さは、所定の大きさの銅試
験片を0.5%の塩酸水溶液に浸漬して、イミダゾール
化合物を抽出し、紫外分光光度計を用いて、この抽出液
中に含まれるイミダゾール類の濃度を測定し、化成被膜
の厚さに換算したものである。
【0037】また半田濡れ時間の測定は、テストピース
(5mm×5mm×0.3mmの銅板)を脱脂し、次い
でソフトエッチングしたのち、各処理液による処理及び
加熱処理を行ない、測定直前に高活性ポストフラックス
(商品名:「JS−64」、(株)弘輝製)あるいは低
活性ポストフラックス(商品名:「JS−64MSS」
、(株)弘輝製)を浸漬付着させたのち、半田濡れ時間
を半田濡れ性試験器(「SAT2000」、(株)レス
カ製)を用いて測定したものであり、その測定条件は半
田温度240℃、浸漬深さ2mm、浸漬スピード16m
m/分とした。
【0038】
【実施例1】脱脂及びソフトエッチング処理をした銅板
テストピースを1−ヘキシルベンズイミダゾール0.5
%、塩化第二銅0.1%及び酢酸5.0%を含むpH3
.40の水溶液に、液温40℃で20秒間浸漬し、水洗
した。このようにして得られたテストピース表面の化成
被膜は0.24μmであり、半田濡れ性の結果は表1に
示すとおりであった。
【0039】
【実施例2】脱脂及びソフトエッチング処理をした銅板
テストピースを1−メチル−2−フェニルベンズイミダ
ゾール0.5%、塩化第二銅0.1%及び酢酸5.0%
を含むpH4.10の水溶液に、液温40℃で20秒間
浸漬し、水洗した。このようにして得られたテストピー
ス表面の化成被膜は0.22μmであり、半田濡れ性の
結果は表1に示すとおりであった。
【0040】
【実施例3】脱脂及びソフトエッチング処理をした銅板
テストピースを1−メチル−2−ノニルベンズイミダゾ
ール0.2%、塩化第二銅0.04%及び酢酸6.0%
を含むpH4.0の水溶液に、液温50℃で40秒間浸
漬し、水洗した。このようにして得られたテストピース
表面の化成被膜は0.23μmであり、半田濡れ性の結
果は表1に示すとおりであった。
【0041】
【実施例4】脱脂及びソフトエッチング処理をした銅板
テストピースを1−ヘキシル−2−ペンチルベンズイミ
ダゾール0.5%、塩化第二銅0.08%及び酢酸9.
0%を含むpH2.8の水溶液に、液温40℃で20秒
間浸漬し、水洗した。このようにして得られたテストピ
ース表面の化成被膜は0.24μmであり、半田濡れ性
の結果は表1に示すとおりであった。
【0042】
【実施例5】脱脂及びソフトエッチング処理をした銅板
テストピースを1−ベンジル−2−ペンチルベンズイミ
ダゾール0.5%、塩化第二銅0.08%及び酢酸9.
0%を含むpH2.9の水溶液に、液温40℃で40秒
間浸漬し、水洗した。このようにして得られたテストピ
ース表面の化成被膜は0.19μmであり、半田濡れ性
の結果は表1に示すとおりであった。
【0043】
【実施例6】脱脂及びソフトエッチング処理をした銅板
テストピースを1−アリル−2−オクチルベンズイミダ
ゾール0.5%、塩化第二銅0.1%及び酢酸13%を
含むpH2.6の水溶液に、液温40℃で22秒間浸漬
し、水洗した。このようにして得られたテストピース表
面の化成被膜は0.22μmであり、半田濡れ性の結果
は表1に示すとおりであった。
【0044】
【実施例7】脱脂及びソフトエッチング処理をした真鍮
板テストピースを実施例2で用いたのと同じ処理溶液に
同一条件で浸漬し、水洗した。このようにして得られた
テストピース表面の化成被膜は0.12μmであった。
【0045】
【比較例】脱脂及びソフトエッチング処理をした銅板テ
ストピースを2−ウンデシルイミダゾール1.0%及び
酢酸1.6%を含む水溶液に、液温50℃で20秒間浸
漬し、水洗した。このようにして得られたテストピース
表面の化成被膜は0.23μmであり、半田濡れ性の結
果は表1に示すとおりであった。
【0046】
【表1】
【0047】
【発明の効果】本発明方法によれば、銅あるいは銅合金
の表面に1−置換ベンズイミダゾール化合物を主成分と
する化成被膜を形成することにより、低活性のポストフ
ラックスを用いた場合においても、良好な半田付け性が
得られる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  銅あるいは銅合金の表面に、1位にア
    ルキル基、アラルキル基あるいはアリル基を有するベン
    ズイミダゾール化合物及び有機酸または無機酸を含む水
    溶液を接触させることを特徴とする銅及び銅合金の表面
    処理方法。
  2. 【請求項2】  銅あるいは銅合金の表面に、化1で示
    されるベンズイミダゾール化合物及び有機酸または無機
    酸を含む水溶液を接触させることを特徴とする銅及び銅
    合金の表面処理方法。 【化1】 (但し、R1 はアルキル基、アラルキル基またはアリ
    ル基、R2は水素原子、アルキル基、アラルキル基また
    はアリール基を示す。)
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